JPS63201930A - Optical recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Background of the Invention Technical Field The present invention relates to an optical recording medium, particularly a heat mode optical recording medium.
先行技術とその問題点
光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行わ
れている。Prior art and its problems Optical recording media have the characteristic that the recording medium does not deteriorate due to wear and tear because there is no contact between the medium and the writing or reading head.For this reason, research and development of various optical recording media are being carried out. .
このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。Among such optical recording media, heat mode optical recording media are being actively developed because they do not require development in a dark room.
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その−例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このビットによ
り情報を記録し、このビットを読み出し光で検出して読
み出しを行うピット形成タイプのものがある。This heat mode optical recording medium is an optical recording medium that uses recording light as heat. For example, a part of the medium is melted or removed using recording light such as a laser, and a part of the medium is melted or removed to form a pit. There is a pit-forming type in which writing is performed by forming small holes, information is recorded using the bits, and the bits are detected with readout light and read out.
このようなビット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Toを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。Most of these bit-forming type media, particularly those using a semiconductor laser as a light source that can miniaturize the device, have a recording layer made of a material mainly composed of To.
また、近年、Te系材料が有害であること、そして、よ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Te系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している(特開昭60−203488号等)
。In addition, in recent years, organic materials mainly containing dyes have been used instead of Te-based materials due to the toxicity of Te-based materials and the need for higher sensitivity and lower manufacturing costs. There are an increasing number of proposals and reports on media using recording layers of the above-mentioned type (Japanese Patent Laid-Open No. 60-203488, etc.)
.
このような色素等の記録層を有するピット形成タイプの
光記録媒体では、感度およびS/N比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサ 。In pit-forming optical recording media having a recording layer made of such a dye, a so-called air sensor is used to prevent a decrease in sensitivity and S/N ratio.
ンドイッチ構造とすることが好ましい。It is preferable to have a switch structure.
さらに、これらの色素を含む記録層を基板上に形成して
、記録・再生を行なう一場合、通常、基板の裏面側から
書き込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行
なう。Further, when a recording layer containing these dyes is formed on a substrate and recording/reproduction is performed, the recording/reproduction is normally performed by irradiating writing light and reading light from the back side of the substrate.
しかし、基板としてポリカーボネート、アクリル樹脂等
の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設層の
際の塗布溶媒により樹脂基板表面がおかされ、記録層の
反射率が低下し、読み出しのS/N比が十分高くとれな
いという欠点がある。However, when using a substrate made of transparent resin such as polycarbonate or acrylic resin, the surface of the resin substrate is damaged by the coating solvent used when coating the recording layer, reducing the reflectance of the recording layer and reducing the readout S. There is a drawback that the /N ratio cannot be kept high enough.
また、長期保存に際し、色素その他の添加物が基板樹脂
中へ溶解拡散してしまい、反射率が低下してしまうよう
なおそれがある。Furthermore, during long-term storage, there is a risk that dyes and other additives may dissolve and diffuse into the substrate resin, resulting in a decrease in reflectance.
さらには、書き込みにより、基板が熱によってへこんで
しまうなど損傷をうけ、これによってもS/N比が低下
する。また、消去後のノイズが増加する。Furthermore, writing causes damage such as denting of the substrate due to heat, which also reduces the S/N ratio. Moreover, the noise after erasing increases.
これに対し、本発明者らは、下地層として、ケイ素系縮
合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を提案して
いる(特開昭60−203489号)。In contrast, the present inventors have proposed the use of a coating film of a colloidal particle dispersion of a silicon-based condensate as the underlayer (Japanese Patent Laid-Open No. 60-203489).
ところが、このような塗膜による下地層は、基板との接
着性において十分ではなく、特に記録書き込み後の接着
性が悪化するという問題があった。However, the base layer made of such a coating film does not have sufficient adhesion to the substrate, and there is a problem in that the adhesion is particularly poor after recording and writing.
また、このような下地層が存在するために、予め基板上
に形成したトラッキング制御用のグループないしビット
やトラック内の基板上に形成したアドレス信号用のビッ
ト等が埋ってしまい、再生信号やアドレス信号の検出が
しにくいという問題もあった。In addition, due to the existence of such an underlayer, groups or bits for tracking control formed on the substrate in advance and bits for address signals formed on the substrate in the track are buried, causing playback signals and address Another problem was that it was difficult to detect the signal.
■ 発明の目的
本発明の目的は、接着性、特に記録書き込み後の接着性
が良好で、かつ耐溶剤性に優れ、再生信号やアドレス信
号等も良好に再生できる光記録媒体を提供することにあ
る。■ Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to provide an optical recording medium that has good adhesive properties, especially adhesive properties after recording and writing, has excellent solvent resistance, and can also reproduce reproduction signals, address signals, etc. well. be.
■ 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。■Disclosure of the invention Such objects are achieved by the invention described below.
すなわち、本発明は、基板上に、色素または色素組成物
の記録層を有する光記録媒体において、記録層と基板と
の間に、シラン系珪素化合物を重合することにより形成
したプラズマ重合膜下地層を有することを特徴とする光
記録媒体である。That is, the present invention provides an optical recording medium having a recording layer of a dye or a dye composition on a substrate, in which a plasma-polymerized film base layer is formed between the recording layer and the substrate by polymerizing a silane-based silicon compound. An optical recording medium characterized by having:
■ 発明の具体的構成
、 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する
。■Specific configuration of the invention The specific configuration of the present invention will be described in detail below.
本発明の光記録媒体!は、第1図に示すように、基板1
1上に記録層12を看するものであって、記録層12と
基板11どの間に下地層13を有するものである。Optical recording medium of the present invention! As shown in FIG.
A recording layer 12 is shown on top of the substrate 1, and an underlayer 13 is provided between the recording layer 12 and the substrate 11.
そして、基板11は書き込み光および読み出し光に対し
、実質的に透明(好ましくは透過率80%以上)なもの
であることが好ましく、実質的に透明であれば、書き込
みおよび読み出しを基板裏面側から行なうことができ、
感度、S/N比等の点で有利であり、また、はこり対策
等の実装上の点でも有利である。The substrate 11 is preferably substantially transparent (preferably with a transmittance of 80% or more) to the writing light and the reading light, and if it is substantially transparent, writing and reading can be performed from the back side of the substrate. can be done,
This is advantageous in terms of sensitivity, S/N ratio, etc., and is also advantageous in terms of implementation, such as countermeasures against lumps.
基板の形状は使用用途に応じ、ディスク、テープ、ドラ
ム、ベルト等いずれであってもよい。The shape of the substrate may be a disk, tape, drum, belt, etc. depending on the intended use.
このような基板11の記録層12および下地層13形成
面には、第1図に示すように、トラッキング用にプリグ
ループ115が形成されることが好ましい。As shown in FIG. 1, it is preferable that a pre-group 115 for tracking is formed on the surface of the substrate 11 on which the recording layer 12 and the underlayer 13 are formed.
プリグループ115の溝の深さは、λ/ 8 n程度、
特にλ/ 7 n〜λ/12n(ここに、nは基板の屈
折率である)とされている。また、プリグループ115
の溝の巾は、トラック巾程度とされる。The depth of the groove of the pre-group 115 is about λ/8n,
In particular, the range is λ/7n to λ/12n (where n is the refractive index of the substrate). Also, Puri Group 115
The width of the groove is approximately the width of the track.
そして、このプリグループ115の凹部または凸部に位
置する記録層12を記録トラック部として、書き込み光
および読み出し光を基板裏面側から照射することが好ま
しい。It is preferable to use the recording layer 12 located in the concave or convex portions of the pre-group 115 as a recording track section, and to irradiate the write light and the read light from the back side of the substrate.
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。With this configuration, the writing sensitivity and the reading S/N ratio are improved, and the tracking control signal is also increased.
このようなグループを形成するかわりにビットを形成し
てもよい。Instead of forming such groups, bits may be formed.
またトラック部にはアドレス信号用のビットを設けるこ
とができる。Further, a bit for an address signal can be provided in the track portion.
このような基板11上へのグループやビットの形成は、
22法によっても射出成形法によってもよい。The formation of such groups and bits on the substrate 11 is as follows:
22 method or injection molding method may be used.
基板11は、通常、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等
のオレフィン系樹脂等から形成するが、その他、ガラス
等であってもよい。The substrate 11 is usually made of resin, such as acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, or olefin resin such as polymethylpentene, but may also be made of glass or the like.
そして基板は、少なくとも樹脂表面を有することが好ま
しく、用いる樹脂としては上記のものが挙げられる。The substrate preferably has at least a resin surface, and examples of the resin used include those mentioned above.
このような基板11上には、下地層13および記録層1
2が形成される。On such a substrate 11, a base layer 13 and a recording layer 1 are provided.
2 is formed.
本発明における下地層13は、プラズマ重合膜から形成
され、このプラズマ重合膜はシラン系珪素化合物を重合
したものである。The base layer 13 in the present invention is formed from a plasma polymerized film, and this plasma polymerized film is obtained by polymerizing a silane-based silicon compound.
有機シラン系珪素化合物としては、以下のものが好まし
い。As the organic silane silicon compound, the following are preferred.
ビニルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、メ
チルチオトリメチルシラン、ジメチルプロピルクロロシ
ラン、ジアリルジクロロシラン、ブチルジメチルシラン
、テトラエチルシラン、ヘキサメチルジシラン、テトラ
メチルシラン、ジエチルシラン、エチニルトリメチルシ
ラン、アリルジメチルクロロシラン、トリメチルビニル
シラン、ジエチルメチルシラン、ジメチルアミノトリメ
チルシラン、トリエチルシラン、アリルトリメチルシラ
ン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラン、フ
ェニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、1
゜1.3.3−テトラメチルジシラザン、1゜1.3,
3,5.5−へキサメチルシクロトリシラザン、1,1
,3,3,5,5,7.7−オクドメチルシクロテトラ
シラザン。Vinyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, methylthiotrimethylsilane, dimethylpropylchlorosilane, diallyldichlorosilane, butyldimethylsilane, tetraethylsilane, hexamethyldisilane, tetramethylsilane, diethylsilane, ethynyltrimethylsilane, allyldimethylchlorosilane, trimethylvinylsilane, diethyl Methylsilane, dimethylaminotrimethylsilane, triethylsilane, allyltrimethylsilane, methyltrivinylsilane, tetravinylsilane, phenyltrimethylsilane, hexamethyldisilazane, 1
゜1.3.3-tetramethyldisilazane, 1゜1.3,
3,5.5-hexamethylcyclotrisilazane, 1,1
,3,3,5,5,7.7-ocdomethylcyclotetrasilazane.
これらは単独で用いても、2種以上を併用してもよい。These may be used alone or in combination of two or more.
この他、上記各種有機珪素化合物や、シラン(SiH4
)と炭化水素系化合物とを用いてもよい。In addition, the various organosilicon compounds mentioned above, silane (SiH4
) and a hydrocarbon compound may be used.
炭化水素系化合物としては、通常操作性の良いことから
、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペ
ンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、
アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不
飽和の炭化水素の1種以上を用い、シラン等の珪素化合
物に対し炭化水素系化合物は通常、モル比で50倍程度
以下用いることができる。Hydrocarbon compounds that are usually gaseous at room temperature include methane, ethane, propane, butane, pentane, ethylene, propylene, butene, butadiene, and
One or more types of acetylene, methylacetylene, and other saturated or unsaturated hydrocarbons are used, and the hydrocarbon compound can usually be used in a molar ratio of about 50 times or less to the silicon compound such as silane.
本発明のプラズマ重合膜は、6328人における屈折率
nが1.3〜1.7とすることが好ましい。The plasma polymerized film of the present invention preferably has a refractive index n of 1.3 to 1.7 based on 6328 people.
このような屈折率とするのは、nが1.3未満では、膜
の緻密性が不十分であり、十分な耐溶剤性が得られず、
接着性も十分ではないからであり、また、1.7をこえ
ると、重合膜の撥水性と硬さが増し、重合膜に接して設
層される記録層12(塗布膜)との接着が不良となり、
また設層が困難となる。The reason for setting such a refractive index is that if n is less than 1.3, the denseness of the film will be insufficient, and sufficient solvent resistance will not be obtained.
This is because the adhesiveness is not sufficient, and if it exceeds 1.7, the water repellency and hardness of the polymeric film increase, and the adhesion with the recording layer 12 (coated film) formed in contact with the polymeric film becomes difficult. becomes defective,
It also makes layering difficult.
このようなnとするときには、後述のように低成膜率お
よび低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。When n is set like this, plasma polymerization conditions such as a low film formation rate and low pressure may be selected as described later.
本発明において、プラズマ重合膜下地層13の厚さは、
10〜1000人、好ましくは50〜600人とするの
がよい。In the present invention, the thickness of the plasma polymerized film base layer 13 is as follows:
The number is preferably 10 to 1000 people, preferably 50 to 600 people.
このような厚さとするのは10λ未満では、本発明の実
効が得られないからであり、1000人をこえても本発
明の効果に差異はなく、この値以上にする必要がないか
らである。The reason why this thickness is set is that the effectiveness of the present invention cannot be obtained if the thickness is less than 10λ, and there is no difference in the effectiveness of the present invention even if the number of people exceeds 1000, and there is no need to increase the thickness above this value. .
なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。Note that the film thickness may be measured using an ellipsometer or the like.
このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。Such film thickness can be controlled by controlling the reaction time, raw material gas flow rate, etc. during plasma polymerized film formation.
プラズマ重合膜下地層13は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。The plasma polymerized film base layer 13 is a polymerized film formed by bringing discharge plasma of the above-mentioned raw material gas into contact with the substrate.
プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、5〜10eVの運動エネルギー(電子温度
)を獲得する。To give an overview of the principle of plasma polymerization, when a gas is kept at a low pressure and an electric field is applied, the free electrons present in small amounts in the gas are accelerated by the electric field due to the very large intermolecular distance compared to normal pressure, and are accelerated at 5 to 10 eV. Obtain the kinetic energy (electron temperature) of
この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。When these accelerated electrons collide with atoms and molecules, they disrupt atomic and molecular orbits and dissociate them into chemical species that are unstable under normal conditions, such as electrons, ions, and neutral radicals.
解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。 そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。The dissociated electrons are accelerated by the electric field again, causing them to dissociate from other atoms or molecules, and this chain reaction quickly turns the gas into a highly ionized state. And this is called plasma gas.
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。Gas molecules have fewer chances of collision with electrons, so they do not absorb much energy and are kept at a temperature close to room temperature.
このような電子の運動エネルギー(電子温度)と、分子
の熱運動(ガス温度)が分離した系は低温プラズマと呼
ばれ、ここでは化学種かゞ比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。 なる、低温プラズマを利
用するため、基板への熱影響は全くない。A system in which the kinetic energy of electrons (electron temperature) and the thermal motion of molecules (gas temperature) are separated is called a low-temperature plasma. The present invention aims to utilize this situation to form a plasma polymerized film on a substrate. Since low-temperature plasma is used, there is no thermal effect on the substrate.
基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第2図に
示しである。 第2図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。An example of an apparatus for forming a plasma polymerized film on a substrate surface is shown in FIG. FIG. 2 shows a plasma polymerization apparatus using a frequency variable power source.
第2図において、反応容器Rには、原料ガス源511ま
たは512から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ521およヒ522ヲ経て供給される。 ガス源5
11または512から別々のガスを供給する場合は、混
合1I53において混合して供給する。In FIG. 2, raw material gas is supplied to the reaction vessel R from a raw material gas source 511 or 512 via mass flow controllers 521 and 522, respectively. Gas source 5
When separate gases are supplied from 11 or 512, they are mixed and supplied at mixing 1I53.
原料ガスは、各々1〜250mjl!、/分の流量範囲
をとりつる。The raw material gas is 1 to 250 mjl each! ,/min flow range.
反応容器R内には、被処理基板111が一方の回転式電
極552に支持される。Inside the reaction vessel R, a substrate to be processed 111 is supported by one rotary electrode 552 .
そして被処理基板111を挟むように回転式電極552
に対向する電極551が設けられている。Rotary electrodes 552 are placed across the substrate 111 to be processed.
An electrode 551 facing the is provided.
一方の電極551は、例えば周波数可変型の電源54に
接続され、他方の回転式電極552は8にて接地されて
いる。One electrode 551 is connected to, for example, a variable frequency power source 54, and the other rotary electrode 552 is grounded at 8.
さらに、反応容器R内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ56、液
体窒素トラップ57、油拡散ポンプ58および真空コン
トローラ59を含む。 これら真空系統は、反応容器内
を0.ITorr未満、好ましくは0.005〜0.0
8Torrの真空度の範囲に維持する。Furthermore, a vacuum system for evacuating the inside of the reaction vessel R is provided, and this includes an oil rotary pump 56, a liquid nitrogen trap 57, an oil diffusion pump 58, and a vacuum controller 59. These vacuum systems operate within the reaction vessel at 0. Less than ITorr, preferably 0.005-0.0
Maintain a vacuum level of 8 Torr.
操作においては、反応容器R内がまず1O−5Torr
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスか所定
の流量において容器内に混合状態で供給させる。In the operation, the inside of the reaction vessel R is first set at 1O-5 Torr.
The inside of the container is evacuated until the amount is below, and then the processing gas is supplied into the container in a mixed state at a predetermined flow rate.
そして、成膜率は上記のようなnの重合膜とする場合は
50〜200λ/winとするのがよい。The film forming rate is preferably 50 to 200 λ/win in the case of forming a polymer film of n as described above.
このとき、反応容器内の真空は0.ITorr未満、好
ましくは0 、005〜0 、08Torrの範囲に管
理される。At this time, the vacuum inside the reaction vessel is 0. It is controlled to be less than I Torr, preferably in the range of 0.005 to 0.08 Torr.
原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。
こうして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。When the flow rate of the source gas becomes stable, the power is turned on.
In this way, a polymeric film is formed on the plasma on the substrate.
なお、キャリアガスとして、Ar、N2 。Note that Ar and N2 are used as carrier gas.
He、H2などを使用してもよい。He, H2, etc. may also be used.
また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。Further, the applied current, processing time, etc. may be set to normal conditions.
プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。As the plasma generation source, in addition to high frequency discharge, microwave discharge, direct current discharge, alternating current discharge, etc. can be used.
本発明では、特に動作圧力が低圧にある場合は、磁場を
併用するマグネトロン方式を用し)るのが好ましい。In the present invention, especially when the operating pressure is low, it is preferable to use a magnetron system that also uses a magnetic field.
なお、本発明において原料に液体子ツマ−を用いる場合
は、第2図におけるガろ源511゜512のところに液
体子ツマ−を入れた容器を恒温槽に設置して使用すれば
よい。In addition, in the case of using a liquid droplet as a raw material in the present invention, a container containing the liquid droplet may be placed in a constant temperature bath at the galley sources 511 and 512 in FIG.
このように形成される本発明の充気記録媒体のプラズマ
重合膜中のSi含有量は、通常2〜95at%、特に2
〜80at%程度とする。The Si content in the plasma polymerized film of the charged recording medium of the present invention formed in this way is usually 2 to 95 at%, particularly 2
~80 at%.
また、プラズマ重合膜中のC含有量は、5〜50at%
程度、Hは5〜90at%程度含有されることが好まし
い。Further, the C content in the plasma polymerized film is 5 to 50 at%
It is preferable that H is contained in an amount of about 5 to 90 at%.
なあ、プラズマ重合膜中の0含有量は、通常40at%
程度以下とされる。By the way, the zero content in the plasma polymerized film is usually 40 at%
It is considered to be below that level.
なお、プラズマ重合膜中のSi、C,t(およびその他
の元素の含有量の分析は、SIMS(2次イオン質量分
析)等に従えばよい。The content of Si, C, t (and other elements) in the plasma polymerized film may be analyzed by SIMS (secondary ion mass spectrometry) or the like.
SIMSを用いる場合、プラズマ重合膜表面にて、Si
、C,Hおよびその他の元素をカウントして算出されば
よい。When using SIMS, Si
, C, H, and other elements may be counted.
あるいは、Ar等でイオンエツチングを行いながら、S
t、C,Hおよびその他の元素のプロファイルを測定し
て算出してもよい。Alternatively, while performing ion etching with Ar etc.,
It may be calculated by measuring profiles of t, C, H, and other elements.
SIMSの測定については、表面科学基礎講座第39(
1984)表面分析の基礎と応用(p70) S I
MSs3よびLAMMA″の記載に従えばよい。Regarding SIMS measurement, please refer to Surface Science Basic Course No. 39 (
1984) Fundamentals and applications of surface analysis (p70) S I
MSs3 and LAMMA'' may be followed.
このようなプラズマ重合膜下地層13は、プラズマ処理
された基板11上に形成されることが好ましい。It is preferable that such a plasma polymerized film base layer 13 be formed on the plasma-treated substrate 11 .
基板11表面をプラズマ処理することによって、基板1
1どの接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重
合膜下地層13との接着力が向上する。By plasma-treating the surface of the substrate 11, the substrate 1
1, the adhesive force between the substrate and the plasma polymerized film base layer 13 is improved.
基板11表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的はほぼ
同一である。The principle, method, formation conditions, etc. of the plasma treatment method for the surface of the substrate 11 are basically almost the same as those of the plasma polymerization method described above.
ただし、プラズマ処理は、原則として無機ガスを処理ガ
ス(場合によっては無機ガスを混入させてもよい)を原
料ガスとして用いる。However, in plasma processing, in principle, an inorganic gas is used as a processing gas (an inorganic gas may be mixed in depending on the case) as a raw material gas.
本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。There are no particular limitations on the plasma processing gas of the present invention.
すなわち、H2* A r + He + 02+ N
* *空気、NHs 、Os 、H20: No、N
20゜02などのNOx等の中から適宜選定し、これら
の単独ないし混合したものいずれであってもよい。That is, H2* A r + He + 02+ N
* *Air, NHs, Os, H20: No, N
20°02, etc., and may be used alone or in combination.
さらにプラズマ処理電源の周波数につし1ては、特に制
限はなく、直流、交流マイクロ波等いずれであってもよ
い。Furthermore, the frequency of the plasma processing power source is not particularly limited, and may be either direct current, alternating current microwave, or the like.
記録層12としては、種々のものであってよい、 ただ
、本発明では色素単独からなるか、色素組成物からなる
ことが好ましい。The recording layer 12 may be made of various materials, however, in the present invention, it is preferably made of a dye alone or a dye composition.
用いる色素としては、書き込み光および読み出し光の波
長に応じ、これを有効に吸収するもののなかから、適宜
決定すればよい。 この場合、これらの光源としては、
装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いること
が好ましいので、色素はシアニン系、フタロシアニン系
、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、
ビリリウムないしチアピリリクム塩系等が好ましい。The dye to be used may be appropriately determined from among those that effectively absorb the wavelengths of the writing light and reading light. In this case, these light sources are
Since it is preferable to use a semiconductor laser because the device can be made smaller, the dyes may be cyanine-based, phthalocyanine-based, anthraquinone-based, azo-based, triphenylmethane-based,
Byrylium or thiapyrillicum salts are preferred.
また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロセルロー
ス等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン等
の熱可塑性樹脂を含有させることができる。 また、色
素の酸イし劣イヒを防止するため、クエンチャ−を含有
させることもできる。 さらには、この他の添加剤を含
有させてもよい。Further, when the dye composition is used as a recording layer, it can contain a self-oxidizing resin such as nitrocellulose, or a thermoplastic resin such as polystyrene or nylon. In addition, a quencher may be included in order to prevent the dye from becoming acidic or deteriorating. Furthermore, other additives may also be included.
このような場合、特に好ましくは、インドレニン系のシ
アニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチャ
−との混合物が好ましい。In such a case, a mixture of an indolenine cyanine dye and a quencher such as bisphenyldithiol is particularly preferred.
またこれらを色素のカチオンと、クエンチャ−のアニオ
ンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。It is also preferable to use these as an ionic bond between a dye cation and a quencher anion.
好ましい色素およびクエンチャ−の詳細については特開
昭59−55794号、同59−55795号、同59
−81194号、同59−83695号、同60−18
387号、同60−19586号、同60−19587
号、同60−35054号、同60−36190号、同
60−36191号、同60−44554号、同60−
44555号、同60−44389号、同60−443
90号、同60−47069号、同60−20991号
、同6〇−71294号、同60−54892号、同6
0−71295号、同60−71296号、同60−7
3891号、同60−73892号、同60−7389
3号、同60−83892号、同60−85449号、
同60−92893号、同60−159087号、同6
〇−162691号、同60−203488号、同60
−201988号、同60−234886号、同60−
234892号、同61−16894号、同61−1’
1292号、同61−11294号、同61−1689
1号、同61−8384号、同61−14988号、同
61−163243号、同61−210539号、特願
昭60−54013号等に記載されている。For details on preferred dyes and quenchers, see JP-A Nos. 59-55794, 59-55795, and 59-59.
-81194, 59-83695, 60-18
No. 387, No. 60-19586, No. 60-19587
No. 60-35054, No. 60-36190, No. 60-36191, No. 60-44554, No. 60-
No. 44555, No. 60-44389, No. 60-443
No. 90, No. 60-47069, No. 60-20991, No. 60-71294, No. 60-54892, No. 6
No. 0-71295, No. 60-71296, No. 60-7
No. 3891, No. 60-73892, No. 60-7389
No. 3, No. 60-83892, No. 60-85449,
No. 60-92893, No. 60-159087, No. 6
〇-162691, 60-203488, 60
-201988, 60-234886, 60-
No. 234892, No. 61-16894, No. 61-1'
No. 1292, No. 61-11294, No. 61-1689
No. 1, No. 61-8384, No. 61-14988, No. 61-163243, No. 61-210539, Japanese Patent Application No. 60-54013, etc.
記録層゛12の設層は、ケトン系、エステル系、エーテ
ル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系
等の溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよ
い。 本発明では下地層13を設けたことにより耐溶剤
性が向上し、最適の溶媒を広範囲で溶媒群から選択して
用いることができめる。The recording layer 12 may be formed by spinner coating using a ketone, ester, ether, aromatic, halogenated alkyl, or alcohol solvent. In the present invention, by providing the underlayer 13, solvent resistance is improved, and an optimal solvent can be selected from a wide range of solvent groups and used.
このようi記録層12は、0.01〜10−の厚さとす
ればよい。The i-recording layer 12 may have a thickness of 0.01 to 10-.
なお、トラッキング制御用のグループないしビットを設
ける場合、記録層の厚さは、0.2−以下、より好まし
くは0.05〜0.154とすることが好ましい。Note that when groups or bits for tracking control are provided, the thickness of the recording layer is preferably 0.2 mm or less, more preferably 0.05 to 0.154 mm.
このとき、書き込み感度が向上す菖。 また、記録層中
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのS/N比がきわめて高くなる。 そして、記録ト
ラック部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違
いが大きくなり、トラッキング制御が容易となる。At this time, the writing sensitivity improves. Further, due to multiple reflections in the recording layer, the reflectance becomes extremely high, and the read S/N ratio becomes extremely high. Then, the difference in reflectance based on the difference in thickness between the recording track portion and other areas increases, making tracking control easier.
このような記録部分には、記録層の上層を設層すること
もできる。An upper layer of the recording layer can also be provided in such a recording portion.
また、本発明の光記録媒体は、保護板を設けてもよい。Further, the optical recording medium of the present invention may be provided with a protection plate.
下地層13および記録層12を有する基板11と、保護
板とは空隙を介して一体化することが好ましく、その際
一方に突起を設けて一体化してもよく、一体化するには
、通常超音波融着を用いればよい。It is preferable that the substrate 11 having the base layer 13 and the recording layer 12 and the protective plate are integrated with a gap between them. Sonic fusion may be used.
超音波融着を施す場合には、突起を例えば棒状とすれば
この突起が有効に加熱され、融着効率が良好で、作業性
が良好となり、また接着強度も高く、空隙間隔も精度よ
く制御することができる。When performing ultrasonic fusion, if the protrusion is made into a rod shape, for example, the protrusion will be effectively heated, resulting in good fusion efficiency and workability, as well as high bonding strength and precise control of gap spacing. can do.
変形が大きく突起配置密度が高いときには、気密な外周
壁が全面に形成されることがある。When the deformation is large and the protrusion arrangement density is high, an airtight outer peripheral wall may be formed over the entire surface.
また通気口を隔壁間に形成することもできる。Also, vents can be formed between the partition walls.
通気口は、突起間間隙に形成される。The vent is formed in the gap between the protrusions.
また、固着は接着剤を注入することによっても行われる
。Fixing can also be achieved by injecting adhesive.
また、基板の周縁部にホットメルト樹脂を接着剤として
塗布し1、その後、内基板を組み合せ超音波融着を施し
た、いわゆる接着と融着との組み合せを用いて一体化し
てもよい。Alternatively, a combination of so-called adhesion and fusion may be used, in which a hot-melt resin is applied as an adhesive to the peripheral edge of the substrate 1, and then the inner substrates are combined and subjected to ultrasonic fusion.
このような複数の棒状突起を形成するには、原盤または
スタンパ−の加工を行い、基板成形時一体成形すればよ
い。In order to form such a plurality of rod-shaped protrusions, it is sufficient to process a master or a stamper and integrally mold them when molding the substrate.
以上、棒状突起による一体化について説明してきたが、
この他、公知の種々の一体化構造が可能である。Above, we have explained the integration using rod-shaped protrusions, but
In addition, various known integrated structures are possible.
なお、以上では片面記録の場合について述べてきたが本
発明では、両方の基板に記録層を設ける両面記録の媒体
としてもよい。 この場合には両方の基板が実質的に透
明な樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設けるこ
とが必要である。Although the case of single-sided recording has been described above, the present invention may also be a double-sided recording medium in which recording layers are provided on both substrates. In this case, it is necessary that both substrates be made of substantially transparent resin, and that both substrates be provided with an underlayer.
■ 発明の具体的作用
本発明の光記録媒体は、通常ディスクとし、回転下、書
き込み光を基板裏面側から照射する。 これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にビットがト
ラック状に形成される。(2) Specific Effects of the Invention The optical recording medium of the present invention is a regular disk, and writing light is irradiated from the back side of the substrate while rotating. As a result, bits are preferably formed in a track shape in the recording track portion located in the groove recess.
このように形成されたビットは、回転下、基板裏面側か
ら読み出し光を照射して、その反射光を検出することに
よって検知される。The bits formed in this manner are detected by emitting readout light from the back side of the substrate while rotating and detecting the reflected light.
また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込み
および読み出しを行いながら、その反射光を分割して、
2分割した一対のセンサーに導入する。 このとき、ビ
ームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝の
段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセン
サー側にかたよるので、両センサーの信号を検出して、
トラックエラー信号が検出される。In order to control tracking, the reflected light is usually split while writing and reading.
Introduce it to a pair of sensors divided into two. At this time, when the beam spot begins to deviate from the recording track section, the primary light due to the interference effect due to the phase difference due to the step of the groove is biased toward one sensor, so the signals from both sensors are detected.
A track error signal is detected.
なお、記録層に一旦形成したビットを、光または熱によ
って消去して、再び書き込みを行うこともできる。Note that the bits once formed on the recording layer can be erased by light or heat and then written again.
また、書き込みおよび読み出しに用いる光源としては、
各種レーザーを用いることができるが、特に半導体レー
ザーを用いることが好ましい。In addition, the light source used for writing and reading is
Although various lasers can be used, it is particularly preferable to use a semiconductor laser.
■ 発明の具体的効果
本発明の光記録媒体は、基板上に、色素または色素組成
物の記録層を有するものであって記録層と基板との間に
シラン系珪素化合物を重合することにより形成したプラ
ズマ重合膜下地層を有しているため、接着性、特に記録
書き込み後の接着性が良好である
また耐溶剤性に優れ反射レベルが高く良好な再生信号が
得られる。 さらには、トラッキング制御用のグループ
ないしビットやアドレス信号用のビットの埋没を防止で
き、トラッキング制御用のグループないしビットの埋没
によるエラー信号の発生がなく、アドレス信号用のビッ
トの埋没がないため、アドレス信号も良好に再生するこ
とができる。■Specific Effects of the Invention The optical recording medium of the present invention has a recording layer of a dye or a dye composition on a substrate, and is formed by polymerizing a silane-based silicon compound between the recording layer and the substrate. Since it has a plasma-polymerized film base layer, it has good adhesion, especially adhesion after recording and writing, and has excellent solvent resistance, a high reflection level, and a good reproduction signal. Furthermore, it is possible to prevent groups or bits for tracking control and bits for address signals from being buried, no error signals are generated due to burying of groups or bits for tracking control, and there is no burying of address signal bits. Address signals can also be reproduced well.
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例をあげて本発明をさらに詳
細に説明する。(2) Specific Examples of the Invention The present invention will be explained in more detail below by giving specific examples of the invention.
実施例
直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系の
ポリカーボネート樹脂(分子量15000)からなる基
板11に射出成型により、スパイラル状に巾0.6−1
深さO,t4のトラッキング制御用のグループを、また
巾0.6um−PJさO,lumの7にレス信−@−用
のビットをそれぞれ設けた。 このような基板11を真
空チャンバ中に入れ、一旦10−’Torrの真空に引
いた後、処理ガスとしてArを用い、流fi:50m1
!/分にてガス圧0.ITorrに保ちながら13.5
6MHzの高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基
板11表面をプラズマ処理した。Example A substrate 11 made of bisphenol A polycarbonate resin (molecular weight 15,000) with a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm was molded into a spiral shape with a width of 0.6-1 mm by injection molding.
A group for tracking control with a depth of O, t4 was provided, and a bit for response signal -@- was provided at 7 with a width of 0.6 um-PJ, O, lum. Such a substrate 11 is placed in a vacuum chamber, and after the vacuum is once drawn to 10-'Torr, Ar is used as a processing gas, and the flow rate is 50 m1.
! /min gas pressure 0. 13.5 while keeping it at ITorr
Plasma was generated by applying a high frequency voltage of 6 MHz, and the surface of the substrate 11 was plasma-treated.
その後、さらに表1に示す条件にてプラズマ重合膜下地
層13を基板11上に形成した。Thereafter, a plasma polymerized film base layer 13 was further formed on the substrate 11 under the conditions shown in Table 1.
なお、表1に示した屈折率口は6238人にて測定した
。Note that the refractive index values shown in Table 1 were measured by 6238 people.
また、これらのプラズマ重合膜の元素分析はSIMSで
測定し、膜厚はエリプソメータによって測定した。Further, the elemental analysis of these plasma polymerized films was measured by SIMS, and the film thickness was measured by an ellipsometer.
記録層12はインドレニン系シアニン色素(1,3,3
,1’ 、3’ 、3’ −ヘキサトリメチルインドト
リカルボシアニンカチオン)とビスフェニルジチオール
系のクエンチャ−(ビス(トリクロロフェニルジチオー
ル)Niアニオン)との色素結合体の2.2%シクロヘ
キサノン溶液を用いて、o、os、aの厚さに前述のよ
うに下地層13を設層した基板11上に塗布設層した。The recording layer 12 is made of indolenine cyanine dye (1,3,3
, 1', 3', 3'-hexatrimethylindotricarbocyanine cation) and a bisphenyldithiol-based quencher (bis(trichlorophenyldithiol)Ni anion) using a 2.2% cyclohexanone solution. Then, the underlayer 13 was coated on the substrate 11 on which the underlayer 13 had been formed to a thickness of o, os, and a as described above.
このようにしてサンプル1〜8を得た。Samples 1 to 8 were thus obtained.
また下地層を設層しないものも作製し、これをサンプル
10とした。In addition, a sample without a base layer was also produced, and this was designated as sample 10.
また、比較として、特開昭60−203489号で開示
されているケイ素系縮合物のコロイ使用したものも作製
し、これをサンプル11とした。For comparison, a sample using a colloid of a silicon-based condensate disclosed in JP-A No. 60-203489 was also prepared, and this was designated as Sample 11.
この場合、下地層は酢酸エチルとエチルアルコールを1
0:11の割合で混合し、攪拌しながら徐々に5i(O
C214,)4を酢酸エチルに対し2/25の割合で添
加後、3〜4日間放置した溶液をn−プロパツールでさ
らに10倍希釈した後、基板上に塗布設層し、60℃、
30分処理して形成した。In this case, the base layer consists of 1 part ethyl acetate and ethyl alcohol.
Mix at a ratio of 0:11 and gradually add 5i(O
After adding C214,)4 at a ratio of 2/25 to ethyl acetate, the solution was left to stand for 3 to 4 days, and the solution was further diluted 10 times with n-propatool, and then coated on a substrate and heated at 60°C.
It was formed by processing for 30 minutes.
なお、酸化ケイ素コロイドの粒径は50〜80人であり
、下地層の厚さは400人とした。The particle size of the silicon oxide colloid was 50 to 80 particles, and the thickness of the base layer was 400 particles.
以上のサンプルを用いて下記の測定を行った。The following measurements were performed using the above samples.
(1)基板と下地層との接着強度
各サンプルの初期時、記録後場よび60℃、90%R1
(の雰囲気中に10日放置後の接着強度を、各サンプル
を1mm間隔で縦横各々11本クロスカットし、セロテ
ープによる剥離テス評価した。(1) Adhesive strength between the substrate and the underlayer: At the initial stage of each sample, at 60°C, at 90% R1
The adhesive strength after being left in the atmosphere for 10 days was evaluated by cross-cutting each sample 11 times vertically and horizontally at 1 mm intervals and performing a peel test using cellophane tape.
なお、記録は、記録パワー3.8mW、線速度1.3m
/Sで行った。Note that recording was performed at a recording power of 3.8 mW and a linear velocity of 1.3 m.
I went with /S.
(2)反射レベル
830nmで基板裏面側から光デイスクドライブ装置に
て溝部をトラッキングコントロールを行った状態で反射
レベル測定した。 なお、表中の値は任意単位である。(2) Reflection level was measured at a reflection level of 830 nm from the back side of the substrate while tracking control of the groove portion was performed using an optical disk drive device. Note that the values in the table are in arbitrary units.
(3)トラッキングエラー信号の蛍
光ディスクドライブ装置にて、記録膜面(未記録部)に
光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない状
態でpush−pul 1 )ラッキングエラー信号の
量を測定した。 なお、表中の任意単位である。(3) Tracking Error Signal Using a fluorescent disk drive device, light was focused on the recording film surface (unrecorded area), and the amount of push-pul 1 ) racking error signal was measured without tracking control. Note that this is an arbitrary unit in the table.
(4)アドレス信号の再生
光デイスクドライブ装置にて記録膜面(アドレス信号部
)に光を集束させ、トラッキングコントロールを行った
状態でアドレス信号光の量を測定した。 なお、表中の
値は任意単位である。(4) Reproducing Address Signal Light was focused on the recording film surface (address signal area) using an optical disk drive device, and the amount of address signal light was measured while tracking control was performed. Note that the values in the table are in arbitrary units.
これらの結果を表2に示す。These results are shown in Table 2.
表2の結果より、本発明の効果は明らかである。From the results in Table 2, the effects of the present invention are clear.
第1図は、本発明の光記録媒体の1実施悪様を示す断面
図である。
第2図は、プラズマ重合装置の概略図である。
符号の説明
1・・・光記録媒体、11−・・基板、115・−グル
ープ、12−・・記録層、13−・・プラズマ重合膜下
地層、
53−・・混合器、
54・−直流、交流および周波数可変型電源、56−・
・油回転ポンプ、
57−液体窒素トラップ、
58・−油拡散ポンプ、
59−真空コントローラ、
111・−被処理基板、
511.512・・・原料ガス源、
521.522−・・マスフローコントローラ、551
.552−・・電極
特許出願人 ティーディーケイ株式会社FIG、2FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the optical recording medium of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma polymerization apparatus. Explanation of symbols 1... Optical recording medium, 11-- Substrate, 115-- Group, 12-- Recording layer, 13-- Plasma polymerized film base layer, 53-- Mixer, 54-- Direct current. , AC and variable frequency power supply, 56-・
- Oil rotary pump, 57 - Liquid nitrogen trap, 58 - Oil diffusion pump, 59 - Vacuum controller, 111 - Processed substrate, 511.512 - Raw material gas source, 521.522 - Mass flow controller, 551
.. 552--Electrode patent applicant TDC Co., Ltd. FIG, 2
Claims (4)
る光記録媒体において、 記録層と基板との間に、シラン系珪素化合物を重合する
ことにより形成したプラズマ重合膜下地層を有すること
を特徴とする光記録媒体。(1) In an optical recording medium having a recording layer of a dye or a dye composition on a substrate, a plasma polymerized film base layer formed by polymerizing a silane-based silicon compound is provided between the recording layer and the substrate. An optical recording medium characterized by:
.3〜1.7である特許請求の範囲第1項に記載の光記
録媒体。(2) The refractive index at 6328 Å of the plasma polymerized film is 1
.. 3 to 1.7. The optical recording medium according to claim 1.
である特許請求の範囲第1項または第2項に記載の光記
録媒体。(3) The thickness of the plasma polymerized film base layer is 10 to 1000 Å
An optical recording medium according to claim 1 or 2.
囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の光記録媒体。(4) The optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate has at least a resin surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62035000A JPS63201930A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62035000A JPS63201930A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201930A true JPS63201930A (en) | 1988-08-22 |
Family
ID=12429851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62035000A Pending JPS63201930A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201930A (en) |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62035000A patent/JPS63201930A/en active Pending
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