JPS63201930A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。

先行技術とその問題点 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行わ
れている。

このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その−例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このビットによ
り情報を記録し、このビットを読み出し光で検出して読
み出しを行うピット形成タイプのものがある。

このようなビット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Ｔｏを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。

また、近年、Ｔｅ系材料が有害であること、そして、よ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ、色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している（特開昭６０−２０３４８８号等）
。

このような色素等の記録層を有するピット形成タイプの
光記録媒体では、感度およびＳ／Ｎ比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサ　。

ンドイッチ構造とすることが好ましい。

さらに、これらの色素を含む記録層を基板上に形成して
、記録・再生を行なう一場合、通常、基板の裏面側から
書き込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行
なう。

しかし、基板としてポリカーボネート、アクリル樹脂等
の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設層の
際の塗布溶媒により樹脂基板表面がおかされ、記録層の
反射率が低下し、読み出しのＳ／Ｎ比が十分高くとれな
いという欠点がある。

また、長期保存に際し、色素その他の添加物が基板樹脂
中へ溶解拡散してしまい、反射率が低下してしまうよう
なおそれがある。

さらには、書き込みにより、基板が熱によってへこんで
しまうなど損傷をうけ、これによってもＳ／Ｎ比が低下
する。また、消去後のノイズが増加する。

これに対し、本発明者らは、下地層として、ケイ素系縮
合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を提案して
いる（特開昭６０−２０３４８９号）。

ところが、このような塗膜による下地層は、基板との接
着性において十分ではなく、特に記録書き込み後の接着
性が悪化するという問題があった。

また、このような下地層が存在するために、予め基板上
に形成したトラッキング制御用のグループないしビット
やトラック内の基板上に形成したアドレス信号用のビッ
ト等が埋ってしまい、再生信号やアドレス信号の検出が
しにくいという問題もあった。

■　　発明の目的 本発明の目的は、接着性、特に記録書き込み後の接着性
が良好で、かつ耐溶剤性に優れ、再生信号やアドレス信
号等も良好に再生できる光記録媒体を提供することにあ
る。

■　　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基板上に、色素または色素組成物
の記録層を有する光記録媒体において、記録層と基板と
の間に、シラン系珪素化合物を重合することにより形成
したプラズマ重合膜下地層を有することを特徴とする光
記録媒体である。

■　　発明の具体的構成 、　以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する
。

本発明の光記録媒体！は、第１図に示すように、基板１
１上に記録層１２を看するものであって、記録層１２と
基板１１どの間に下地層１３を有するものである。

そして、基板１１は書き込み光および読み出し光に対し
、実質的に透明（好ましくは透過率８０％以上）なもの
であることが好ましく、実質的に透明であれば、書き込
みおよび読み出しを基板裏面側から行なうことができ、
感度、Ｓ／Ｎ比等の点で有利であり、また、はこり対策
等の実装上の点でも有利である。

基板の形状は使用用途に応じ、ディスク、テープ、ドラ
ム、ベルト等いずれであってもよい。

このような基板１１の記録層１２および下地層１３形成
面には、第１図に示すように、トラッキング用にプリグ
ループ１１５が形成されることが好ましい。

プリグループ１１５の溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、
特にλ／　７　ｎ〜λ／１２ｎ（ここに、ｎは基板の屈
折率である）とされている。また、プリグループ１１５
の溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、このプリグループ１１５の凹部または凸部に位
置する記録層１２を記録トラック部として、書き込み光
および読み出し光を基板裏面側から照射することが好ま
しい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

このようなグループを形成するかわりにビットを形成し
てもよい。

またトラック部にはアドレス信号用のビットを設けるこ
とができる。

このような基板１１上へのグループやビットの形成は、
２２法によっても射出成形法によってもよい。

基板１１は、通常、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等
のオレフィン系樹脂等から形成するが、その他、ガラス
等であってもよい。

そして基板は、少なくとも樹脂表面を有することが好ま
しく、用いる樹脂としては上記のものが挙げられる。

このような基板１１上には、下地層１３および記録層１
２が形成される。

本発明における下地層１３は、プラズマ重合膜から形成
され、このプラズマ重合膜はシラン系珪素化合物を重合
したものである。

有機シラン系珪素化合物としては、以下のものが好まし
い。

ビニルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、メ
チルチオトリメチルシラン、ジメチルプロピルクロロシ
ラン、ジアリルジクロロシラン、ブチルジメチルシラン
、テトラエチルシラン、ヘキサメチルジシラン、テトラ
メチルシラン、ジエチルシラン、エチニルトリメチルシ
ラン、アリルジメチルクロロシラン、トリメチルビニル
シラン、ジエチルメチルシラン、ジメチルアミノトリメ
チルシラン、トリエチルシラン、アリルトリメチルシラ
ン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラン、フ
ェニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、１
゜１．３．３−テトラメチルジシラザン、１゜１．３，
３，５．５−へキサメチルシクロトリシラザン、１，１
，３，３，５，５，７．７−オクドメチルシクロテトラ
シラザン。

これらは単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

この他、上記各種有機珪素化合物や、シラン（ＳｉＨ４
）と炭化水素系化合物とを用いてもよい。

炭化水素系化合物としては、通常操作性の良いことから
、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペ
ンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、
アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不
飽和の炭化水素の１種以上を用い、シラン等の珪素化合
物に対し炭化水素系化合物は通常、モル比で５０倍程度
以下用いることができる。

本発明のプラズマ重合膜は、６３２８人における屈折率
ｎが１．３〜１．７とすることが好ましい。

このような屈折率とするのは、ｎが１．３未満では、膜
の緻密性が不十分であり、十分な耐溶剤性が得られず、
接着性も十分ではないからであり、また、１．７をこえ
ると、重合膜の撥水性と硬さが増し、重合膜に接して設
層される記録層１２（塗布膜）との接着が不良となり、
また設層が困難となる。

このようなｎとするときには、後述のように低成膜率お
よび低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。

本発明において、プラズマ重合膜下地層１３の厚さは、
１０〜１０００人、好ましくは５０〜６００人とするの
がよい。

このような厚さとするのは１０λ未満では、本発明の実
効が得られないからであり、１０００人をこえても本発
明の効果に差異はなく、この値以上にする必要がないか
らである。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜下地層１３は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このような電子の運動エネルギー（電子温度）と、分子
の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと呼
ばれ、ここでは化学種かゞ比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。　なる、低温プラズマを利
用するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第２図に
示しである。　第２図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。

第２図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１およヒ５２２ヲ経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合１Ｉ５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍｊｌ！、／分の流量範囲
をとりつる。

反応容器Ｒ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地されて
いる。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７、油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む。　これら真空系統は、反応容器内
を０．ＩＴｏｒｒ未満、好ましくは０．００５〜０．０
８Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスか所定
の流量において容器内に混合状態で供給させる。

そして、成膜率は上記のようなｎの重合膜とする場合は
５０〜２００λ／ｗｉｎとするのがよい。

このとき、反応容器内の真空は０．ＩＴｏｒｒ未満、好
ましくは０　、００５〜０　、０８Ｔｏｒｒの範囲に管
理される。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２　。

Ｈｅ、Ｈ２などを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

本発明では、特に動作圧力が低圧にある場合は、磁場を
併用するマグネトロン方式を用し）るのが好ましい。

なお、本発明において原料に液体子ツマ−を用いる場合
は、第２図におけるガろ源５１１゜５１２のところに液
体子ツマ−を入れた容器を恒温槽に設置して使用すれば
よい。

このように形成される本発明の充気記録媒体のプラズマ
重合膜中のＳｉ含有量は、通常２〜９５ａｔ％、特に２
〜８０ａｔ％程度とする。

また、プラズマ重合膜中のＣ含有量は、５〜５０ａｔ％
程度、Ｈは５〜９０ａｔ％程度含有されることが好まし
い。

なあ、プラズマ重合膜中の０含有量は、通常４０ａｔ％
程度以下とされる。

なお、プラズマ重合膜中のＳｉ、Ｃ，ｔ（およびその他
の元素の含有量の分析は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分
析）等に従えばよい。

ＳＩＭＳを用いる場合、プラズマ重合膜表面にて、Ｓｉ
、Ｃ，Ｈおよびその他の元素をカウントして算出されば
よい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｓ
ｔ、Ｃ，Ｈおよびその他の元素のプロファイルを測定し
て算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座第３９（
１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　Ｓ　Ｉ
　ＭＳｓ３よびＬＡＭＭＡ″の記載に従えばよい。

このようなプラズマ重合膜下地層１３は、プラズマ処理
された基板１１上に形成されることが好ましい。

基板１１表面をプラズマ処理することによって、基板１
１どの接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重
合膜下地層１３との接着力が向上する。

基板１１表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的はほぼ
同一である。

ただし、プラズマ処理は、原則として無機ガスを処理ガ
ス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原
料ガスとして用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわち、Ｈ２＊　Ａ　ｒ　＋　Ｈｅ　＋　０２＋　Ｎ
　＊　＊空気、ＮＨｓ　、Ｏｓ　、Ｈ２０：　Ｎｏ、Ｎ
２０゜０２などのＮＯｘ等の中から適宜選定し、これら
の単独ないし混合したものいずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数につし１ては、特に制
限はなく、直流、交流マイクロ波等いずれであってもよ
い。

記録層１２としては、種々のものであってよい、　ただ
、本発明では色素単独からなるか、色素組成物からなる
ことが好ましい。

用いる色素としては、書き込み光および読み出し光の波
長に応じ、これを有効に吸収するもののなかから、適宜
決定すればよい。　この場合、これらの光源としては、
装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いること
が好ましいので、色素はシアニン系、フタロシアニン系
、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、
ビリリウムないしチアピリリクム塩系等が好ましい。

また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロセルロー
ス等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン等
の熱可塑性樹脂を含有させることができる。　また、色
素の酸イし劣イヒを防止するため、クエンチャ−を含有
させることもできる。　さらには、この他の添加剤を含
有させてもよい。

このような場合、特に好ましくは、インドレニン系のシ
アニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチャ
−との混合物が好ましい。

またこれらを色素のカチオンと、クエンチャ−のアニオ
ンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。

好ましい色素およびクエンチャ−の詳細については特開
昭５９−５５７９４号、同５９−５５７９５号、同５９
−８１１９４号、同５９−８３６９５号、同６０−１８
３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７
号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同
６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−
４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３
９０号、同６０−４７０６９号、同６０−２０９９１号
、同６〇−７１２９４号、同６０−５４８９２号、同６
０−７１２９５号、同６０−７１２９６号、同６０−７
３８９１号、同６０−７３８９２号、同６０−７３８９
３号、同６０−８３８９２号、同６０−８５４４９号、
同６０−９２８９３号、同６０−１５９０８７号、同６
〇−１６２６９１号、同６０−２０３４８８号、同６０
−２０１９８８号、同６０−２３４８８６号、同６０−
２３４８９２号、同６１−１６８９４号、同６１−１’
１２９２号、同６１−１１２９４号、同６１−１６８９
１号、同６１−８３８４号、同６１−１４９８８号、同
６１−１６３２４３号、同６１−２１０５３９号、特願
昭６０−５４０１３号等に記載されている。

記録層゛１２の設層は、ケトン系、エステル系、エーテ
ル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系
等の溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよ
い。　本発明では下地層１３を設けたことにより耐溶剤
性が向上し、最適の溶媒を広範囲で溶媒群から選択して
用いることができめる。

このようｉ記録層１２は、０．０１〜１０−の厚さとす
ればよい。

なお、トラッキング制御用のグループないしビットを設
ける場合、記録層の厚さは、０．２−以下、より好まし
くは０．０５〜０．１５４とすることが好ましい。

このとき、書き込み感度が向上す菖。　また、記録層中
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのＳ／Ｎ比がきわめて高くなる。　そして、記録ト
ラック部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違
いが大きくなり、トラッキング制御が容易となる。

このような記録部分には、記録層の上層を設層すること
もできる。

また、本発明の光記録媒体は、保護板を設けてもよい。

下地層１３および記録層１２を有する基板１１と、保護
板とは空隙を介して一体化することが好ましく、その際
一方に突起を設けて一体化してもよく、一体化するには
、通常超音波融着を用いればよい。

超音波融着を施す場合には、突起を例えば棒状とすれば
この突起が有効に加熱され、融着効率が良好で、作業性
が良好となり、また接着強度も高く、空隙間隔も精度よ
く制御することができる。

変形が大きく突起配置密度が高いときには、気密な外周
壁が全面に形成されることがある。

また通気口を隔壁間に形成することもできる。

通気口は、突起間間隙に形成される。

また、固着は接着剤を注入することによっても行われる
。

また、基板の周縁部にホットメルト樹脂を接着剤として
塗布し１、その後、内基板を組み合せ超音波融着を施し
た、いわゆる接着と融着との組み合せを用いて一体化し
てもよい。

このような複数の棒状突起を形成するには、原盤または
スタンパ−の加工を行い、基板成形時一体成形すればよ
い。

以上、棒状突起による一体化について説明してきたが、
この他、公知の種々の一体化構造が可能である。

なお、以上では片面記録の場合について述べてきたが本
発明では、両方の基板に記録層を設ける両面記録の媒体
としてもよい。　この場合には両方の基板が実質的に透
明な樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設けるこ
とが必要である。

■　発明の具体的作用 本発明の光記録媒体は、通常ディスクとし、回転下、書
き込み光を基板裏面側から照射する。　これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にビットがト
ラック状に形成される。

このように形成されたビットは、回転下、基板裏面側か
ら読み出し光を照射して、その反射光を検出することに
よって検知される。

また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込み
および読み出しを行いながら、その反射光を分割して、
２分割した一対のセンサーに導入する。　このとき、ビ
ームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝の
段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセン
サー側にかたよるので、両センサーの信号を検出して、
トラックエラー信号が検出される。

なお、記録層に一旦形成したビットを、光または熱によ
って消去して、再び書き込みを行うこともできる。

また、書き込みおよび読み出しに用いる光源としては、
各種レーザーを用いることができるが、特に半導体レー
ザーを用いることが好ましい。

■　発明の具体的効果 本発明の光記録媒体は、基板上に、色素または色素組成
物の記録層を有するものであって記録層と基板との間に
シラン系珪素化合物を重合することにより形成したプラ
ズマ重合膜下地層を有しているため、接着性、特に記録
書き込み後の接着性が良好である また耐溶剤性に優れ反射レベルが高く良好な再生信号が
得られる。　さらには、トラッキング制御用のグループ
ないしビットやアドレス信号用のビットの埋没を防止で
き、トラッキング制御用のグループないしビットの埋没
によるエラー信号の発生がなく、アドレス信号用のビッ
トの埋没がないため、アドレス信号も良好に再生するこ
とができる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例をあげて本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
ポリカーボネート樹脂（分子量１５０００）からなる基
板１１に射出成型により、スパイラル状に巾０．６−１
深さＯ，ｔ４のトラッキング制御用のグループを、また
巾０．６ｕｍ−ＰＪさＯ，ｌｕｍの７にレス信−＠−用
のビットをそれぞれ設けた。　このような基板１１を真
空チャンバ中に入れ、一旦１０−’Ｔｏｒｒの真空に引
いた後、処理ガスとしてＡｒを用い、流ｆｉ：５０ｍ１
！／分にてガス圧０．ＩＴｏｒｒに保ちながら１３．５
６ＭＨｚの高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基
板１１表面をプラズマ処理した。

その後、さらに表１に示す条件にてプラズマ重合膜下地
層１３を基板１１上に形成した。

なお、表１に示した屈折率口は６２３８人にて測定した
。

また、これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで
測定し、膜厚はエリプソメータによって測定した。

記録層１２はインドレニン系シアニン色素（１，３，３
，１’　、３’　、３’　−ヘキサトリメチルインドト
リカルボシアニンカチオン）とビスフェニルジチオール
系のクエンチャ−（ビス（トリクロロフェニルジチオー
ル）Ｎｉアニオン）との色素結合体の２．２％シクロヘ
キサノン溶液を用いて、ｏ、ｏｓ、ａの厚さに前述のよ
うに下地層１３を設層した基板１１上に塗布設層した。

このようにしてサンプル１〜８を得た。

また下地層を設層しないものも作製し、これをサンプル
１０とした。

また、比較として、特開昭６０−２０３４８９号で開示
されているケイ素系縮合物のコロイ使用したものも作製
し、これをサンプル１１とした。

この場合、下地層は酢酸エチルとエチルアルコールを１
０：１１の割合で混合し、攪拌しながら徐々に５ｉ（Ｏ
Ｃ２１４，）４を酢酸エチルに対し２／２５の割合で添
加後、３〜４日間放置した溶液をｎ−プロパツールでさ
らに１０倍希釈した後、基板上に塗布設層し、６０℃、
３０分処理して形成した。

なお、酸化ケイ素コロイドの粒径は５０〜８０人であり
、下地層の厚さは４００人とした。

以上のサンプルを用いて下記の測定を行った。

（１）基板と下地層との接着強度 各サンプルの初期時、記録後場よび６０℃、９０％Ｒ１
（の雰囲気中に１０日放置後の接着強度を、各サンプル
を１ｍｍ間隔で縦横各々１１本クロスカットし、セロテ
ープによる剥離テス評価した。

なお、記録は、記録パワー３．８ｍＷ、線速度１．３ｍ
／Ｓで行った。

（２）反射レベル ８３０ｎｍで基板裏面側から光デイスクドライブ装置に
て溝部をトラッキングコントロールを行った状態で反射
レベル測定した。　なお、表中の値は任意単位である。

（３）トラッキングエラー信号の蛍 光ディスクドライブ装置にて、記録膜面（未記録部）に
光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない状
態でｐｕｓｈ−ｐｕｌ　１　）ラッキングエラー信号の
量を測定した。　なお、表中の任意単位である。

（４）アドレス信号の再生 光デイスクドライブ装置にて記録膜面（アドレス信号部
）に光を集束させ、トラッキングコントロールを行った
状態でアドレス信号光の量を測定した。　なお、表中の
値は任意単位である。

これらの結果を表２に示す。

表２の結果より、本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録媒体の１実施悪様を示す断面
図である。 第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・光記録媒体、１１−・・基板、１１５・−グル
ープ、１２−・・記録層、１３−・・プラズマ重合膜下
地層、 ５３−・・混合器、 ５４・−直流、交流および周波数可変型電源、５６−・
・油回転ポンプ、 ５７−液体窒素トラップ、 ５８・−油拡散ポンプ、 ５９−真空コントローラ、 １１１・−被処理基板、 ５１１．５１２・・・原料ガス源、 ５２１．５２２−・・マスフローコントローラ、５５１
．５５２−・・電極 特許出願人　　ティーディーケイ株式会社ＦＩＧ、２

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、色素または色素組成物の記録層を有す
   る光記録媒体において、 記録層と基板との間に、シラン系珪素化合物を重合する
   ことにより形成したプラズマ重合膜下地層を有すること
   を特徴とする光記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜の６３２８Åにおける屈折率が１
   ．３〜１．７である特許請求の範囲第１項に記載の光記
   録媒体。
3. （３）プラズマ重合膜下地層の厚さが１０〜１０００Å
   である特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光記
   録媒体。
4. （４）基板が少なくとも樹脂表面を有する特許請求の範
   囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光記録媒体。