JPS63202106A - 負電圧発生回路 - Google Patents
負電圧発生回路Info
- Publication number
- JPS63202106A JPS63202106A JP62033245A JP3324587A JPS63202106A JP S63202106 A JPS63202106 A JP S63202106A JP 62033245 A JP62033245 A JP 62033245A JP 3324587 A JP3324587 A JP 3324587A JP S63202106 A JPS63202106 A JP S63202106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative voltage
- amplifier
- negative
- voltage generation
- generation circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は負の電圧を必要とする増幅器の負電圧発生方法
に係シ、特に％増幅する信号に妨害を与えることのない
小形化の可能な負電圧発生方法に関する。
に係シ、特に％増幅する信号に妨害を与えることのない
小形化の可能な負電圧発生方法に関する。
ガリウム砒素ショットキー型電界効果トランジス１１
（ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ ）を使用した電力増幅器
は電力変換効率が高く、小形・軽量化の要求される携帯
型無線器用として大きな期待が持たれている。しかしな
がら、使用するＧａ、ＡｓＭＥＳＦＥＴはノーマリオ／
をであり、ゲート電圧として負の電源を必要とする。従
って、ＧａＡｓＭＥ８ＦＥＴを使用した電力増幅器搭載
の携帯用無線器は、専用の負の電池を設けるか、又は、
昭和６１年度信全大会４２３４５に述べられているよう
に正の電源からＤＣ−Ｌ）Ｃコンバータを使用して、負
の電圧を作り出す必要がめる。
（ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ ）を使用した電力増幅器
は電力変換効率が高く、小形・軽量化の要求される携帯
型無線器用として大きな期待が持たれている。しかしな
がら、使用するＧａ、ＡｓＭＥＳＦＥＴはノーマリオ／
をであり、ゲート電圧として負の電源を必要とする。従
って、ＧａＡｓＭＥ８ＦＥＴを使用した電力増幅器搭載
の携帯用無線器は、専用の負の電池を設けるか、又は、
昭和６１年度信全大会４２３４５に述べられているよう
に正の電源からＤＣ−Ｌ）Ｃコンバータを使用して、負
の電圧を作り出す必要がめる。
上記従来技術のうち、負の電池を設ける方法は。
小形・軽量化の要求される携帯型無線器には不適当であ
る。父、ＤＣ−ＤＣコンバータを用いる場合、スイッチ
ング用として数十ＫＨｚから数百ＫＨｚの発振器を必要
とする。従って、スイッチング用の発振器より１発振波
が電力増幅器にまわり込み不要妨害波を発生しやすいと
いう欠点がある。父、電力増幅器で増幅する波に対して
妨害を与えやすいため、負の電圧発生装置も内蔵した電
力増幅器のモジュール化は極めて困難である。
る。父、ＤＣ−ＤＣコンバータを用いる場合、スイッチ
ング用として数十ＫＨｚから数百ＫＨｚの発振器を必要
とする。従って、スイッチング用の発振器より１発振波
が電力増幅器にまわり込み不要妨害波を発生しやすいと
いう欠点がある。父、電力増幅器で増幅する波に対して
妨害を与えやすいため、負の電圧発生装置も内蔵した電
力増幅器のモジュール化は極めて困難である。
本発明の目的は、発振器を必要とせず、従って、増幅器
の増幅する波に妨害を与えない、又、増幅器モジュール
内に一体化の可能な負電圧発生手段を提供することにあ
る。
の増幅する波に妨害を与えない、又、増幅器モジュール
内に一体化の可能な負電圧発生手段を提供することにあ
る。
上記目的は、増幅器が増幅する交流波の一部を取り出し
て使用することで達成される。
て使用することで達成される。
従来、負の電源電圧をつくり出すために、別途。
発振器を用いていたのに対し、増幅器で増幅する交流波
出力の一部を使用するので、負電圧を作り出すための特
別な発振器を必要としない。
出力の一部を使用するので、負電圧を作り出すための特
別な発振器を必要としない。
従って、増幅器で増幅する交流波に妨害？与えることが
なく、また、増幅器モジュール内に内蔵も可能である。
なく、また、増幅器モジュール内に内蔵も可能である。
以下、本発明の実施例を第１図の携帯型無線機の送信部
を用いて説明する。
を用いて説明する。
まず、全体構成について説明する。１は電圧制御発振器
、２はバッファアンプ、３はドライバー７ｙプ、４はバ
ンドパスフィルタ、５は負電圧を必要とする電力増幅器
、６はサーキュレータであり、７が本発明による負電圧
を発生実現する回路である。
、２はバッファアンプ、３はドライバー７ｙプ、４はバ
ンドパスフィルタ、５は負電圧を必要とする電力増幅器
、６はサーキュレータであり、７が本発明による負電圧
を発生実現する回路である。
次に、負電圧発生回路７の詳細について説明する。７−
１は、増幅する信号の一部を取り出すカップラー、７−
２は取り出した交流信号を検波する検波回路、７−３は
検波信号の脈流を平滑化する平滑回路である。７−４が
負の電圧が出力される出力端子である。
１は、増幅する信号の一部を取り出すカップラー、７−
２は取り出した交流信号を検波する検波回路、７−３は
検波信号の脈流を平滑化する平滑回路である。７−４が
負の電圧が出力される出力端子である。
信号をとり出すためのカップラー（又は、それにかわる
もの）は、必ずしも図示の位置にある必要はなく、父、
整流回路７−２も倍電圧整流回路など、他の手段も含ま
れる。
もの）は、必ずしも図示の位置にある必要はなく、父、
整流回路７−２も倍電圧整流回路など、他の手段も含ま
れる。
以上の説明により１本発明によれば、ＤＣ−ＤＣコンバ
ータを用いる必要がなく、従って、ＤＣ−ＤＣコンバー
タに使用している発振器を必要とせず、信号波に対し不
要妨害を与えることはない。又、発振器を使用しないた
め小形化も可能であり、増幅器モジュールへの一体化も
可能である。
ータを用いる必要がなく、従って、ＤＣ−ＤＣコンバー
タに使用している発振器を必要とせず、信号波に対し不
要妨害を与えることはない。又、発振器を使用しないた
め小形化も可能であり、増幅器モジュールへの一体化も
可能である。
又、第２図は他の実施例を示す。本実施例は。
ゲート電圧として負の電圧を必要とするノーマリオン型
のＱａＡｓ−ｆｌ’Ｅ’ｌ’に適用する場合である。
のＱａＡｓ−ｆｌ’Ｅ’ｌ’に適用する場合である。
同図において、２−１はノーマリオン型のＧａＡｓ−Ｆ
ＥＴ、２−２はダイオード、２−３は抵抗、２−４は容
量である５本実施例の場合、高周波信号が入力されると
、２−３の抵抗と、２−４の容量とで決定される時定数
で、ゲートバイアスが負の方向へバイアスされる。本実
施例においても、発振器を使用しないので信号波に妨害
を与えることもなく、増幅器モジュール内への組み込み
も可能となる。
ＥＴ、２−２はダイオード、２−３は抵抗、２−４は容
量である５本実施例の場合、高周波信号が入力されると
、２−３の抵抗と、２−４の容量とで決定される時定数
で、ゲートバイアスが負の方向へバイアスされる。本実
施例においても、発振器を使用しないので信号波に妨害
を与えることもなく、増幅器モジュール内への組み込み
も可能となる。
本発明によれば、ＤＣ−ＤＣコンバータに用いている発
振器を必要とせず、従って、増幅する信号波に不要妨害
を与えない。従って増幅器モジュールへの内蔵も可能と
なる。
振器を必要とせず、従って、増幅する信号波に不要妨害
を与えない。従って増幅器モジュールへの内蔵も可能と
なる。
第１図は本発明による負電圧発生回路を携帯型の
無線機に適用したー実施例ｐ略図、第２図は１本発明に
よる負電圧発生回路の他の一実施例の回路図を示す。 １・・・電圧制御型発振器、２・・・バッファアンプ、
３・・・ドライバアンプ、４・・・帯域通過フィルタ、
５・・・電力増幅器、６・・・サーキュレータ、７・・
・負電圧発生回路、７−１・・・カップラー％７−２・
・・検波回路。 ７−３・・・平滑回路、７−４・・・負電圧、７−４・
・・負電圧出力端子、２−１・・・ノーマリオン型Ｇａ
ＡＳ−ＦＥＴ、２−２・・・ダイオード、２−３・・・
抵抗。 ２−４・・・容量。
よる負電圧発生回路の他の一実施例の回路図を示す。 １・・・電圧制御型発振器、２・・・バッファアンプ、
３・・・ドライバアンプ、４・・・帯域通過フィルタ、
５・・・電力増幅器、６・・・サーキュレータ、７・・
・負電圧発生回路、７−１・・・カップラー％７−２・
・・検波回路。 ７−３・・・平滑回路、７−４・・・負電圧、７−４・
・・負電圧出力端子、２−１・・・ノーマリオン型Ｇａ
ＡＳ−ＦＥＴ、２−２・・・ダイオード、２−３・・・
抵抗。 ２−４・・・容量。
Claims (1)
- １、負の電源電圧を必要とする増幅器において、上記負
電源電圧を、上記増幅器の増幅する交流信号の一部を取
り出して負電圧を得る負電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033245A JPS63202106A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 負電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033245A JPS63202106A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 負電圧発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202106A true JPS63202106A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12381094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033245A Pending JPS63202106A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 負電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202106A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327583A (en) * | 1990-09-13 | 1994-07-05 | Hitachi, Ltd. | Using a clock signal generated by a microcomputer for providing a negative bias voltage to a galium arsenide field effect transistor in a high frequency amplifier of the device |
| JP2002520978A (ja) * | 1998-07-14 | 2002-07-09 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 補助直流電圧発生回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6354281U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-12 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62033245A patent/JPS63202106A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6354281U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327583A (en) * | 1990-09-13 | 1994-07-05 | Hitachi, Ltd. | Using a clock signal generated by a microcomputer for providing a negative bias voltage to a galium arsenide field effect transistor in a high frequency amplifier of the device |
| JP2002520978A (ja) * | 1998-07-14 | 2002-07-09 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 補助直流電圧発生回路 |
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