JPS6320222B2 - - Google Patents
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- JPS6320222B2 JPS6320222B2 JP591880A JP591880A JPS6320222B2 JP S6320222 B2 JPS6320222 B2 JP S6320222B2 JP 591880 A JP591880 A JP 591880A JP 591880 A JP591880 A JP 591880A JP S6320222 B2 JPS6320222 B2 JP S6320222B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明はスルホニルナイトライト及びその製造
方法に関するものである。 四酸化二窒素を用いる有機硫黄化合物の酸化反
応について研究の途上、最近本発明者らは種々の
チオールを当量の四酸化二窒素を用いて酸化する
と相当するチオナイトライトが得られることを見
出だし、特許出願している(特開昭53―108906)。 このチオナイトライトを、更に、過剰の四酸化
二窒素で処理しても相当するスルフイニルナイト
ライト又はスルホニルナイトライトは得られず、
相当するチオールスルホネート又はスルホン酸が
得られる。 スルホニルナイトライトは、新規なスルホニル
誘導体の1であり、スルフイン酸とアルキルナイ
トライトの反応中間体ではないかと考えられては
いるが今まで単離されてもいない。 本発明者らはスルフイン酸と四酸化二窒素とを
反応させると(通常褐色の結晶として)スルホニ
ルナイトライトを得ることができることを見出だ
し、本発明を完成するに至つた。 即ち、本発明は一般式 (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルホニルナイトライト及び一般式 RSO2H (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルフイン酸と四酸化二窒素(N2O4)とを反応さ
せることを特徴とする一般式 (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルホニルナイトライトの製造方法である。 本発明に係るスルホニルナイトライトの有機残
基Rについてその例を挙げると、アリール基、ア
ルキルフエニル基等のアルキルアリール基、ハロ
ゲン化フエニル基等のハロゲン化アリール基、ア
ルコキシフエニル基等のアルコキシアリール基、
アルキル基等が挙げられ、スルフイン酸の有機残
基Rについても同様である。 本発明に係るスルホニルナイトライトの合成反
応を反応式で示すと次のとおりである。 本反応に於ては、相当するスルホン酸がほぼ同
収率で得られる。 なお、反応には通常溶媒を用い、反応温度は通
常−20〜0℃程度でよい。 製法の典型例を示すと次のとおりである。 即ち、四酸化二窒素(4.65mmol)の四塩化炭
素(0.49ml)溶液を、p―トルエンスルフイン酸
(727mg、4.65mmol)と乾燥エーテル(40ml)の
懸濁液に、0℃で撹拌しながら二、三分で加え
る。懸濁液は、すぐに淡褐色の均一溶液となり、
そして再び二、三分で褐色の懸濁液となりp―ト
ルエンスルホニルナイトライトが析出する。 更に、10分間0℃で撹拌後、褐色沈澱を取
し、乾燥エーテルで洗浄し減圧乾燥して、純粋な
p―トルエンスルホニルナイトライト(460mg、
54%)を得る。エーテル溶液を蒸発しp―トルエ
ンスルホン酸を得た(327mg、45%)。 同様にして、種々の他のスルフイン酸から相当
するスルホニルナイトライトを、相当するスルホ
ン酸と共に得た。反応条件、収率及び物理的性質
を要約して表に示す。
方法に関するものである。 四酸化二窒素を用いる有機硫黄化合物の酸化反
応について研究の途上、最近本発明者らは種々の
チオールを当量の四酸化二窒素を用いて酸化する
と相当するチオナイトライトが得られることを見
出だし、特許出願している(特開昭53―108906)。 このチオナイトライトを、更に、過剰の四酸化
二窒素で処理しても相当するスルフイニルナイト
ライト又はスルホニルナイトライトは得られず、
相当するチオールスルホネート又はスルホン酸が
得られる。 スルホニルナイトライトは、新規なスルホニル
誘導体の1であり、スルフイン酸とアルキルナイ
トライトの反応中間体ではないかと考えられては
いるが今まで単離されてもいない。 本発明者らはスルフイン酸と四酸化二窒素とを
反応させると(通常褐色の結晶として)スルホニ
ルナイトライトを得ることができることを見出だ
し、本発明を完成するに至つた。 即ち、本発明は一般式 (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルホニルナイトライト及び一般式 RSO2H (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルフイン酸と四酸化二窒素(N2O4)とを反応さ
せることを特徴とする一般式 (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルホニルナイトライトの製造方法である。 本発明に係るスルホニルナイトライトの有機残
基Rについてその例を挙げると、アリール基、ア
ルキルフエニル基等のアルキルアリール基、ハロ
ゲン化フエニル基等のハロゲン化アリール基、ア
ルコキシフエニル基等のアルコキシアリール基、
アルキル基等が挙げられ、スルフイン酸の有機残
基Rについても同様である。 本発明に係るスルホニルナイトライトの合成反
応を反応式で示すと次のとおりである。 本反応に於ては、相当するスルホン酸がほぼ同
収率で得られる。 なお、反応には通常溶媒を用い、反応温度は通
常−20〜0℃程度でよい。 製法の典型例を示すと次のとおりである。 即ち、四酸化二窒素(4.65mmol)の四塩化炭
素(0.49ml)溶液を、p―トルエンスルフイン酸
(727mg、4.65mmol)と乾燥エーテル(40ml)の
懸濁液に、0℃で撹拌しながら二、三分で加え
る。懸濁液は、すぐに淡褐色の均一溶液となり、
そして再び二、三分で褐色の懸濁液となりp―ト
ルエンスルホニルナイトライトが析出する。 更に、10分間0℃で撹拌後、褐色沈澱を取
し、乾燥エーテルで洗浄し減圧乾燥して、純粋な
p―トルエンスルホニルナイトライト(460mg、
54%)を得る。エーテル溶液を蒸発しp―トルエ
ンスルホン酸を得た(327mg、45%)。 同様にして、種々の他のスルフイン酸から相当
するスルホニルナイトライトを、相当するスルホ
ン酸と共に得た。反応条件、収率及び物理的性質
を要約して表に示す。
【表】
【表】
単離したスルホニルナイトライトは1840cm-1付
近に強いNO吸収を示し、1390及び1190cm-1付近
に強いSO2吸収を示す。p―トルエンスルホニル
ナイトライトのマススペクトルは、相当するフラ
グメントイオンピーク;m/e(相対強度)、155
(9,p―TolSO2 +)、91(20,p―Tol+),30
(100,NO+)を示した。しかしながら、この化
合物のS―N結合が弱いために分子イオンピーク
を観測することはできなかつた。 これらのスルホニルナイトライトは、加熱に対
してはむしろ不安定であり、熱分解してガスを発
生し、スルホニルヒドロキシルアミン例えばO―
アルキルスルホニル N,N―ビス(アルキルス
ルホニル)ヒドロキシルアミン(エタノール又は
酢酸から再結晶後収率約50%)を与える。 R=p―Tol―,Ph―,p―Cl―C6H4―,p
―Br―C6H4―,CH3― これらのスルホニルヒドロキシルアミンの構造
は分光分析及び元素分析により同定した。p―ト
ルエンスルホニルナイトライトの熱分解で発生し
たガスのマススペクトルはm/e30(NO)に強い
ピークを示した。 本発明者らは、又、これらのスルホニルナイト
ライトはすべてチオナイトライト(Y.H.キム,
K.シンハマ及びS.オーアヱ,テトラヘドロン レ
ターズ(Tetrahedron Lett.),4519(1978))と
同様、効果的なジアゾ化剤となるとの知見を得
た。
近に強いNO吸収を示し、1390及び1190cm-1付近
に強いSO2吸収を示す。p―トルエンスルホニル
ナイトライトのマススペクトルは、相当するフラ
グメントイオンピーク;m/e(相対強度)、155
(9,p―TolSO2 +)、91(20,p―Tol+),30
(100,NO+)を示した。しかしながら、この化
合物のS―N結合が弱いために分子イオンピーク
を観測することはできなかつた。 これらのスルホニルナイトライトは、加熱に対
してはむしろ不安定であり、熱分解してガスを発
生し、スルホニルヒドロキシルアミン例えばO―
アルキルスルホニル N,N―ビス(アルキルス
ルホニル)ヒドロキシルアミン(エタノール又は
酢酸から再結晶後収率約50%)を与える。 R=p―Tol―,Ph―,p―Cl―C6H4―,p
―Br―C6H4―,CH3― これらのスルホニルヒドロキシルアミンの構造
は分光分析及び元素分析により同定した。p―ト
ルエンスルホニルナイトライトの熱分解で発生し
たガスのマススペクトルはm/e30(NO)に強い
ピークを示した。 本発明者らは、又、これらのスルホニルナイト
ライトはすべてチオナイトライト(Y.H.キム,
K.シンハマ及びS.オーアヱ,テトラヘドロン レ
ターズ(Tetrahedron Lett.),4519(1978))と
同様、効果的なジアゾ化剤となるとの知見を得
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルホニルナイトライト。 2 一般式 RSO2H (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルフイン酸と四酸化二窒素(N2O4)とを反応さ
せることを特徴とする一般式 (式中、Rはアルキル基、アリール基、アルキ
ル置換アリール基、ハロゲン化アリール基、アル
コキシ置換アリール基を表わす。)で示されるス
ルホニルナイトライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP591880A JPS56103157A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Sulfonyl nitrite and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP591880A JPS56103157A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Sulfonyl nitrite and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56103157A JPS56103157A (en) | 1981-08-18 |
| JPS6320222B2 true JPS6320222B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=11624265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP591880A Granted JPS56103157A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Sulfonyl nitrite and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56103157A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354027U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-24 | ||
| KR20240023349A (ko) * | 2022-08-12 | 2024-02-21 | (주)에이치디앤텍 | 내구성을 향상시킨 컵 캐리어 |
-
1980
- 1980-01-22 JP JP591880A patent/JPS56103157A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354027U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-24 | ||
| KR20240023349A (ko) * | 2022-08-12 | 2024-02-21 | (주)에이치디앤텍 | 내구성을 향상시킨 컵 캐리어 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56103157A (en) | 1981-08-18 |
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