JPS63202268A - 全波出力型ホワ−ドコンバ−タ - Google Patents

全波出力型ホワ−ドコンバ−タ

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JPS63202268A
JPS63202268A JP62033117A JP3311787A JPS63202268A JP S63202268 A JPS63202268 A JP S63202268A JP 62033117 A JP62033117 A JP 62033117A JP 3311787 A JP3311787 A JP 3311787A JP S63202268 A JPS63202268 A JP S63202268A
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diode
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平松 利平
Tokushige Inoue
井上 徳成
Kazufumi Watanabe
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TDK Lambda Corp
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TDK Lambda Corp
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/22Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
    • H02M3/24Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/28Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
    • H02M3/325Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33538Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only of the forward type
    • H02M3/33546Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only of the forward type with automatic control of the output voltage or current
    • H02M3/33553Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only of the forward type with automatic control of the output voltage or current with galvanic isolation between input and output of both the power stage and the feedback loop

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  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Coils Of Transformers For General Uses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は500〜1000KHzの高周波数であって、
主として低電圧(2−5V)、大電流(20−200A
) (7) 、It ’7−ドコンバータに係り、殊に
出力側はケミカルコンデンサをフィルムコンデンサに置
換し高信頼度。
高効率、小型化等を図った全波出力型ホワードコンバー
タに関するものである。
「従来の技術」 第7図は従来の代表的なホワードコンバータで開閉素子
であるMO8型F E T (1)のドレン・ソース間
電圧vqのクランプは第3巻線(2)とダイオード(3
)によって行なわれる。半波出力のため、FET(1)
の時比率は通常45%以下に制限されるとともに、出力
側のろ波効果が悪く、ろ波回路(4)のコンデンサ(5
)としてケミカルコンデンサが必須条件となり、このた
め高周波下の効果、大ささ等にも限界があった。
第8図はドレン・ソース間電圧v9のクランプしたとき
のエネルギをCL回路のインピーダンスにて消耗する型
であり、F E T (1)の時比率は50%以上得ら
れるが、出力電力量に比例してドレン・ソース間電圧v
9のピーク値が高くなり、小出力時のみ使用に耐えるも
のである。
また、第9図は出力側の濾波回路(4)の小型化を目的
として16〜7年以前に発表された回路であるが、本発
明の目的を達成できず、また、実用上一般化し得なかっ
た回路である。
「発明が解決しようとする問題点」 以下、従来例として第8図と第9図による回路の問題点
を解析する。
第8図の等価回路は第10図のように示すことができる
。すなわち、Llは1次巻線(6)の漏洩自己インダク
タンス、Llは2次巻線(7)の1次側に換算した漏洩
自己インダクタンスである。
第11図は第8図の実際回路に近似したドレン・ソース
間電圧Vq、ドレン電流工9、トランス電流Itである
。これを第10図とともに説明する。
T工時点で、F E T (1)がターン・オフすると
、ドレン電流工9は理論上、直に減少するがこの時L1
゜Llに蓄えられていた+(Ll”Ll)・I q 2
のエネルギによってトランス電流Itは遮断されず、こ
れはスナバ回路(8)のダイオード(9)、コンデンサ
(10)を通じてT3時まで継続する。このとき、下式
(1)が成立する。
+(Lx+Lz)・Iq”=+C5−Vqp”  ++
・(1)ただし−VQP”Vcspで、また、Vcs、
 I/qともにT1時点に零より出発する。また、抵抗
(10)はT4−T□間においてコンデンサ(11)の
電圧Vcsを零まで放電する値以下のものである。つぎ
にT、−T、間においてはLφに蓄えられていた励磁エ
ネルギがダイオード(12)とコンデンサ(13)のク
ランプ回路を通じて流れる。なお実際回路においてはV
QPが最高時点のT2において、コンデンサ(13)に
流入するのでT2−T3間のトランス電流Itは観測さ
れない、この場合、抵抗(14)は極めて高抵抗であり
、コンデンサ(13)の電圧Vccを安全な値にキープ
するための放電抵抗である。
前記(1)式を考察するにVQP”IQであり、Iqっ
まり負荷電流に比例してVQPは増大する。これが小電
力のものにしか使用できないことを意味するものである
。また、コンデンサ(11)を大きくしてもこれは低減
できるが、これはT4−T工のコンデンサ(11)の放
電時に抵抗(10)での損失を意味するので充分な大き
さは通常用意できない。
さらに(1)式を検討するに1通常、殊に低電圧出力回
路においてはり、)Llであり、このLlの影響を排除
できれば(1)式の右辺はCs、 Vqpともに減少す
ることは自明である。
第9図の回路も結果としてはLlの影響の抑制には多少
の効果は認められるが、第8図の回路に比べて同一出力
電圧に対してN2(第9図)=十Nz(第8図)であり
、N、/N2の巻線比が増大した分だけLlが増大して
VQPは増大し、所期の目的は達成されない。
r問題点を解決するための手段」 本発明は上述のような問題点を解決するためになされた
もので、入力電源側に主変圧器の1次巻線と開閉素子と
を直列に結合し、前記主変圧器の2次巻線に整流回路と
び波回路を結合し、その出力電圧を検出増幅して前記開
閉素子の時比率を制御するようにしたホワードコンバー
タにおいて、前記主変圧器はギャップを有する鉄心と、
中性点で2分割した2組の巻線が各組毎に交互に配列す
るように両端部を交互に結合した2次巻線とを具備し、
前記中性点を一方の出力端とし、前記2次巻線の両端部
にそれぞれダイオードを接続し、前記ダイオードの出力
側と中性点との間にさらにそれぞれダイオードを結合し
、それぞれのダイオードの出力側にそれぞれ2個のチョ
ークコイルを接続し、これらの2個のチョークコイルの
出力側を共通に結合して、この結合点を他方の出力端と
するとともに中性点の出力側との間にコンデンサを挿入
してなるものである。
「作用」 同一の1次巻線の巻線数に対し、従来の第9国力式の2
倍の巻回数を有する2次巻線を2個設け、この2次巻線
を2分割して各分割した2次巻線の中間部を交互に配列
し、かつ2分割した各2次巻線毎に転流ダイオードとチ
ョークコイルを設け、これらのチョークコイルの出力側
を結合し、さらに、これらの結合点と中性点の間にコン
デンサを挿入した。そのため、2分割した2次巻線間で
極めて良好な電磁的結合が得られ、また、いわゆる半波
ホワード型出力回路を2個並列に設けたこととなり、漏
洩自己インダクタンスを減少させつつ。
同一出力電圧を得ることとなる。
「実施例」 以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
(1s) (16)は直流電源入力端子、(1)は開閉
素子としてのFET、(17)は主変圧器、(8)はス
ナバ回路である。このスナバ回路(8)はダイオード(
9)。
抵抗(10)およびコンデンサ(11)で構成されてい
る。
また、前記主変圧器(17)の2次巻線を、同一電圧を
得るのに従来の第9国力式よりも2倍巻回し。
これを2分割して(7a) (7b)とする、この2次
巻線(7a) (7b)は、第2図に示すように、複数
本のホルマル線からなる巻線(7,)(72)・・・(
7n)が、それぞれ独立した状態で1〜数タ一ン巻回さ
れる。これら複数本の巻線(7,) (72)・・・(
7n)の巻始めの一端部では、奇数番目と偶数番目で2
つのグループに分かれるようにそれぞれ一点(18) 
(19)に結合され、同様に巻終りの他端部でも奇数番
目と偶数番目をそれぞれ一点(20)(21)に結合す
る。前記2次巻線(7a)(7b)の点(19) (2
0)を一点に介して中性点(21)とし、また他の点(
18) (21)にそれぞれダイオード(22) (2
3)を結合し、これらのダイオード(22) (23)
のカソードと主変圧器(17)の中性点(21)との間
に、前記ダイオード(22) (23)とカソード側を
一致せしめて転流ダイオード(24)(25)を挿入す
る。また、2組のダイオード(22) (24)、(2
3) (25)の結合点にそれぞれチョークコイル(2
6) (27)を結合し、これらのチョークコイル(2
6) (27)の他端を一点に結合し、この結合点と中
性点(21)との間にコンデンサ(5)を挿入する。こ
の結果、主変圧器(17)の2次側に半波ホワード型出
力回路を2個並列に設けたこととなる。
なお、出力端子(28) (29)間には、従来回路と
同様、検出回路(30)、アイソレータ(31)を介し
てFE T (1)のゲートに結合されている。
つぎに、本発明による回路の作用を説明する。
まず、F E T (1)のターンオフのT1時におい
て。
2分割した2次巻線(7a)と(7b)の電磁結合が良
好なので、第3図(b)に示すように一方の2次巻線(
7a)の電流In、□はその殆どが他の2次巻線(7b
)の電流In、となり一方の2次巻線(7a)より他方
の2次巻線(7b)に移行する。従来の第8図ではその
動作図の第11図のように1次側に影響を与えていたが
、本発明によれば1次側の電流工9とItは第3図(a
)のようになり、この極めて僅少な差の分がスナバ回路
(8)のコンデンサ(11)に蓄えられる。したがって
極めて僅少なこのコンデンサ(11)の容量によって第
3図(c)のように電圧VCIPは有効に抑制される。
13時点までLφ部分のエネルギが充電され、この値が
電圧Vqの最大値となる。第3図(b)で明らかなよう
に2次側電流は出力側に移行し、これは負荷電流に影響
されない、したがって、前記(1)式は本発明において
は下記(2)式のようになる。
+ (Lt)Iq”=+Cs Vqp”  −(2)前
記(1)式と比較してCs、 Vqpへの好影響は自明
である。
さらに主変圧器(17)の空隙の必要性について第4図
、第5図、第6図によって説明する。
第4図は第1図の等価回路で、図中しは出力側のが波用
インダクタであってリーケージインダクタンスL2は前
述の説明により動作に支障をきたすような大きさでは存
在しないので本説明では省略した。第5図は各部の電圧
電流波形であり、第6図はB−Hループである。
まず、第5図の11−12のF E T (1)のオン
時では一方の2次巻線(7a)を通じて電流If、が流
れそのままN工/ N zの比による電流がダイオード
(22)とチョークコイル(26)を通じて出力される
。FET(1)のオフ時には転流ダイオード(24)と
チョークコイル(26)を通じて電流If’□が流れ、
第5図のIf、となる。
つぎに11−1.間に主変圧器(17)の空隙によるL
φによりIn□が流れる。ただし、この期間はダイオー
ド(23)に阻止されて、これは出力されず、ダイオー
ド(25)を通じた電流IQ’、が出力される。1.−
t3時にはt2時点におけるIt2工のピーク値により
主変圧器(17)の励磁インピーダンスしφ中に蓄えら
れたエネルギはN、 /N、 ’比によるIfi′1と
なってダイオード(23)側に転流される。また11−
1.間においてはダイオード(25)とチョークコイル
(27)を通じて電流IQ’、として出力され、これ等
と合せて第4図と第5図のLQ、となる、最終出力電流
1.は工。=If、+IΩ8   であり、 入力側はトータル電流Itは   It=If、+I 
n 1となる。
またt2の瞬時においてはIQ’、は2次巻線(7a)
(7b)間の電磁的結合によりIf’ 、がIQ’1に
転流されるのは前述の通りであるが、エネルギの供給源
はあくまでLφの励磁エネルギである。
第6図はこれ等のB−Hループであり、図中BH□は空
隙なしの場合、BH,は空隙がある場合である。
巻線(7b)のない従来のホワードコンバータにおいて
は、完全な変圧器として動作するので負荷電流に関係な
いので空隙なしBHlのループ上でΔB1の磁束変化と
なる。
ちなみに t。
+ΔBi=fVidt む、 一ΔBf=/ Vfdt である。
2次巻線(7b)を本発明のように設けると、前述のよ
うに励磁電流として第5図の電流I n 1(ti時)
が必要となるので、B11□のループのものをそのまま
利用すると磁束振巾はΔB□のようになり、IQlとI
tに電流の飽和が表われ、鉄損の増大その他の不都合が
生ずる。
鉄心にギャップを設けて第6図の8)1.のようにすれ
ば以上の障害は除去される。
ちなみに   ΔB□=ΔB、=ΔB3でその振幅中の
絶対値は同一である。
「発明の効果」 以上のように従来スイッチング電源の高周波化の大きな
障害は、スナバ回路のコンデンサの充放電による損失の
増大であったが、本発明によれば(1)(2)式の対比
でみられるように極めて微小のコンデンサによってVQ
Pは効果的に抑制され、またこれは負荷電流の影響も小
さいので第8図のよ・うなりランプ回路も省略できる等
の利点があり、1000にHzのPWMの高周波コンバ
ータが可能となり実用に供して効果甚大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による全波出力型ホワードコンバータの
一実施例を示す電気回路図、第2図は2次巻線の配線図
、第3図は本発明の特性図、第4図は第1図の等価回路
図、第5図は電圧、電流波形図、第6図はB−H特性図
、第7図は従来の代表的ホワードコンバータの電気回路
図、第8図および第9図はそれぞれ従来の他の例を示す
電気回路図、第10図は第8図の等価回路図、第11図
は第8図の電圧、電流波形図である。 (1)・・・開閉素子(MO8型FET)、(2)・・
・巻線、(3)・・・ダイオード、(4)・・・ろ波回
路、(5)・・・コンデンサ、(6)−1次巻線、(7
) (7a) (7b) −2次巻線、(8)−・・ス
ナバ回路、(9) (12)・・・ダイオード、 (1
0)(14)・・・抵抗、(11) (13)・・・コ
ンデンサ、(15) (16)・・・入力端子、(17
)・・・主変圧器、(18) (19) (20) (
21)・・・結合点、(21)・・・中性点、(22)
 (23)・・・ダイオード、(24) (25)・・
・転流ダイオード、(26) (27)・・・チョーク
コイル、(28) (29)・・・出力端子、(30)
・・・検出増幅回路、 (31)・・・アイソレータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力電源側に主変圧器の1次巻線と開閉素子とを
    直列に結合し、前記主変圧器の2次巻線に整流回路と濾
    波回路を結合し、その出力電圧を検出増幅して前記開閉
    素子の時比率を制御するようにしたホワードコンバータ
    において、前記主変圧器はギャップを有する鉄心と、中
    性点で2分割した2組の巻線が各組毎に交互に配列する
    ように両端部を交互に結合した2次巻線とを具備し、前
    記中性点を一方の出力端とし、前記2次巻線の両端部に
    それぞれダイオードを接続し、前記ダイオードの出力側
    と中性点との間にさらにそれぞれダイオードを結合し、
    それぞれのダイオードの出力側にそれぞれチョークコイ
    ルを接続し、これらの2個のチョークコイルの出力側を
    共通に結合して、この結合点を他方の出力端とするとと
    もに中性点の出力側との間にコンデンサを挿入してなる
    ことを特徴とする全波出力型ホワードコンバータ。
JP62033117A 1987-02-16 1987-02-16 全波出力型ホワ−ドコンバ−タ Expired - Lifetime JPH07112349B2 (ja)

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