JPS63203636A - ハロゲン化芳香族化合物のフツ素化方法 - Google Patents
ハロゲン化芳香族化合物のフツ素化方法Info
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- JPS63203636A JPS63203636A JP62035880A JP3588087A JPS63203636A JP S63203636 A JPS63203636 A JP S63203636A JP 62035880 A JP62035880 A JP 62035880A JP 3588087 A JP3588087 A JP 3588087A JP S63203636 A JPS63203636 A JP S63203636A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、医薬、農薬等の中間体として有用なるフッ素
化芳香族化合物を得るための／＼ロゲン化芳香族化合物
のフッ素化方法に関するものである。
化芳香族化合物を得るための／＼ロゲン化芳香族化合物
のフッ素化方法に関するものである。
［従来の技術１
ハロゲン化芳香族化合物にアルカリ金属フッ化物を作用
させて塩素や臭素原子等のハロゲン原子−をフッ素原子
と交換させるフッ稟化反応は古くから知られている。こ
れらの反応は、一般的には、ジメチルスルホキシド、ス
ルホラン等の非プロトン性極性溶媒中で行われる。また
、反応速度を高めるために、４級アンモニウム塩やホス
ホニウム塩笠の化合物を添加している例もある。
させて塩素や臭素原子等のハロゲン原子−をフッ素原子
と交換させるフッ稟化反応は古くから知られている。こ
れらの反応は、一般的には、ジメチルスルホキシド、ス
ルホラン等の非プロトン性極性溶媒中で行われる。また
、反応速度を高めるために、４級アンモニウム塩やホス
ホニウム塩笠の化合物を添加している例もある。
［発明の解決しようとする問題点１
ベンゼン環にニトロ基、シアノ基又は、トリフルオロメ
チル基等のような電子吸引基を有するハロゲン化芳香族
化合物は、電子吸引基に対してオルト位又は、バラ位の
ハロゲン原子が活性化されているため、非プロトン性極
性溶媒中、ＫＦと反応しハロゲン原子のフッ素置換が起
こることはよく知られている。しかしながら、電子吸引
基が存在しない場合には、フッ素置換は困難とされてい
る。このような活性の小さいハロゲン原子をフッ素置換
しようという場合には、４級アンモニウム塩やホスホニ
ウム塩の存在下にＫＦでフッ素置換すると反応速度が向
上するということも知られている。しかしながら、アン
モニウム塩は、 １５０℃以Ｅの温度では分解するため
これ以上の温度でのフッ素化反応には使用することがで
きない、ホスホニウム塩は２００℃まで使用可能である
が、アンモニウム塩より添加効果は小さく、活性の低い
ハロゲン原子をフッ素置換することは困難であるなど欠
点がある。
チル基等のような電子吸引基を有するハロゲン化芳香族
化合物は、電子吸引基に対してオルト位又は、バラ位の
ハロゲン原子が活性化されているため、非プロトン性極
性溶媒中、ＫＦと反応しハロゲン原子のフッ素置換が起
こることはよく知られている。しかしながら、電子吸引
基が存在しない場合には、フッ素置換は困難とされてい
る。このような活性の小さいハロゲン原子をフッ素置換
しようという場合には、４級アンモニウム塩やホスホニ
ウム塩の存在下にＫＦでフッ素置換すると反応速度が向
上するということも知られている。しかしながら、アン
モニウム塩は、 １５０℃以Ｅの温度では分解するため
これ以上の温度でのフッ素化反応には使用することがで
きない、ホスホニウム塩は２００℃まで使用可能である
が、アンモニウム塩より添加効果は小さく、活性の低い
ハロゲン原子をフッ素置換することは困難であるなど欠
点がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、従来技術が有していた反応速度が小さいこと
、高温で反応することができないという問題点を解決す
べくなされたものであり、フッ素原子以外のハロゲン原
子を少なくとも１個有するハロゲン化芳香族化合物の前
記ハロゲン原子をアルカリ金属フッ化物を用いてフッ素
置換せしめるハロゲン化芳香族化合物のフッ素化方法に
於て、前記フッ素置換反応を下記一般式（Ｉ）で示され
るピリジニウム化合物の存在下に行うことを特徴とする
ハロゲン化芳香族化合物のフッ素化方法に関するもので
ある。
、高温で反応することができないという問題点を解決す
べくなされたものであり、フッ素原子以外のハロゲン原
子を少なくとも１個有するハロゲン化芳香族化合物の前
記ハロゲン原子をアルカリ金属フッ化物を用いてフッ素
置換せしめるハロゲン化芳香族化合物のフッ素化方法に
於て、前記フッ素置換反応を下記一般式（Ｉ）で示され
るピリジニウム化合物の存在下に行うことを特徴とする
ハロゲン化芳香族化合物のフッ素化方法に関するもので
ある。
（式中Ｒ１は３級アミノ基、Ｒ２は炭素数３以上のアル
キル基を示す、） 出発原料のハロゲン化芳香族化合物は、芳香核に少なく
とも１つの塩素、臭素等のフッ素原子以外のハロゲン原
子を有する化合物である。
キル基を示す、） 出発原料のハロゲン化芳香族化合物は、芳香核に少なく
とも１つの塩素、臭素等のフッ素原子以外のハロゲン原
子を有する化合物である。
特に少なくとも１個の塩素原子及び／または臭素原子を
有する誘導体が好ましい、このハロゲン化芳香族化合物
は、フッ素原子以外のハロゲン原子と共に少なくとも１
個のフッ素原子を有していてもよい、電子吸引基として
は、例えばニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、トリ
フルオロメチル基等がある１本発明の特徴は、これら電
子吸引基のない化合物であっても容易にフッ素化が可能
な点である。このようなハロゲン化芳香族化合物の具体
例は、１，２．３−トリクロロベンゼン等のクロロベン
ゼン類、メタクロロベンゾニトリル等のクロロベンゾニ
トリル類。
有する誘導体が好ましい、このハロゲン化芳香族化合物
は、フッ素原子以外のハロゲン原子と共に少なくとも１
個のフッ素原子を有していてもよい、電子吸引基として
は、例えばニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、トリ
フルオロメチル基等がある１本発明の特徴は、これら電
子吸引基のない化合物であっても容易にフッ素化が可能
な点である。このようなハロゲン化芳香族化合物の具体
例は、１，２．３−トリクロロベンゼン等のクロロベン
ゼン類、メタクロロベンゾニトリル等のクロロベンゾニ
トリル類。
３．４−ジクロロベンゾトリフルオリド、 ２，３，４
．５−テトラクａロベンゾトリフルオリド等のクロロベ
ンゾニリルオリド類、３．４−ジクロロニトロベンゼン
、 ２，３．４−トリクロロニトロベンゼン等のニトロ
ベンゼン類等を挙げることができる。
．５−テトラクａロベンゾトリフルオリド等のクロロベ
ンゾニリルオリド類、３．４−ジクロロニトロベンゼン
、 ２，３．４−トリクロロニトロベンゼン等のニトロ
ベンゼン類等を挙げることができる。
本発明により、ハロゲン化芳香族化合物のフッ素原子以
外のハロゲン原子がフッ素原子に置換される。フッ素原
子以外のハロゲン原子を２個以上有する場合、その１個
のみをフッ素層Ｆに置換することも、２個以Ｅ全部をフ
ッ素原子に置換することもできる。フッ素置換の程度は
１反応温度１反応時間、その他のフッ素化条件により調
部することができる。
外のハロゲン原子がフッ素原子に置換される。フッ素原
子以外のハロゲン原子を２個以上有する場合、その１個
のみをフッ素層Ｆに置換することも、２個以Ｅ全部をフ
ッ素原子に置換することもできる。フッ素置換の程度は
１反応温度１反応時間、その他のフッ素化条件により調
部することができる。
本発明に用いるピリジニウム化合物は、下記一般式（Ｉ
）で表すことができる。
）で表すことができる。
式中Ｒ１は３級アミ７基、Ｒ２は炭素数３以とのアルキ
ル基を示す、Ｒ１は好ましくは を表す、但し、）７３．）７４はそれぞれアルキル基を
表すかまたはＲ３とＲ４で環を形成してもよい。
ル基を示す、Ｒ１は好ましくは を表す、但し、）７３．）７４はそれぞれアルキル基を
表すかまたはＲ３とＲ４で環を形成してもよい。
Ｒ３，Ｒ１１がそれぞれアルキル）＆を表す場合、それ
は炭Ｊ数１〜１２のフルキレン基が適ちである、特に
１〜６のアルキル基が好ましい、この場合、Ｒ３，Ｒ４
は同一のアルキル基であることが特に好ましい、 Ｒ３
とＲ４で環を形成する場合、それは窒素原子と共に５〜
７員環の複素環を形成する炭素ａ４〜６のフルキレン基
が好ましく、特にピペリジン環を形成するペンタメチレ
ン基が好ましい、さらに、この複素環を形成するアルキ
レンツ人には、アルキル基等の置換基を有していてもよ
い、また、Ｒ２は炭素数４〜１２．特に５〜８の分岐状
、または直鎖状アルキル基が好ましい。
は炭Ｊ数１〜１２のフルキレン基が適ちである、特に
１〜６のアルキル基が好ましい、この場合、Ｒ３，Ｒ４
は同一のアルキル基であることが特に好ましい、 Ｒ３
とＲ４で環を形成する場合、それは窒素原子と共に５〜
７員環の複素環を形成する炭素ａ４〜６のフルキレン基
が好ましく、特にピペリジン環を形成するペンタメチレ
ン基が好ましい、さらに、この複素環を形成するアルキ
レンツ人には、アルキル基等の置換基を有していてもよ
い、また、Ｒ２は炭素数４〜１２．特に５〜８の分岐状
、または直鎖状アルキル基が好ましい。
本発明において添加するピリジニウム化合物はＴｅｔｒ
ａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ２５．３３８３（
１９８４）に報告されている方法によって得ることがで
きる０例えば、以下の反応により得ることができる。
ａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ２５．３３８３（
１９８４）に報告されている方法によって得ることがで
きる０例えば、以下の反応により得ることができる。
昆
？Ｈ３
ＣＨｉＳ０３ＣＩ２Ｇ−ＣＨ３
昆
フッ素化反応は無溶媒あるいは非プロトン性極性溶媒体
中、前記一般式ＣＩ）で示されるピリジニウム化合物の
存在下、ハロゲン化芳香族化合物にアルカリ金属フッ化
物を作用させて行うことができる。溶媒としては、ジメ
チルスルホキシド、スルホラン、トメチル−２−ピロリ
ドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホン、アセ
トニトリル、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ベンゾ
ニトリル等を用いることができる。アルカリ金属フッ化
物としては、取扱が容易で実用と商業的に容易に入手で
きるフッ化カリウム、特にスプレー乾燥した微粒子状フ
ッ化カリウムが好ましい、フッ化カリウムの使用九」は
ハロゲン化芳香族化合物のフッ素置換するべきハロゲン
原子に対し、０．５〜１０倍、好ましくは１．１〜２倍
モルの範囲が過ちである。前記一般式（Ｉ）で示される
ピリジニウム化合物の使用埴は、原料のハロゲン化芳香
族化合物に対し０．００１−１．０重量部、好ましくは
、０．０１〜０．１重縫部が適当である。
中、前記一般式ＣＩ）で示されるピリジニウム化合物の
存在下、ハロゲン化芳香族化合物にアルカリ金属フッ化
物を作用させて行うことができる。溶媒としては、ジメ
チルスルホキシド、スルホラン、トメチル−２−ピロリ
ドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホン、アセ
トニトリル、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ベンゾ
ニトリル等を用いることができる。アルカリ金属フッ化
物としては、取扱が容易で実用と商業的に容易に入手で
きるフッ化カリウム、特にスプレー乾燥した微粒子状フ
ッ化カリウムが好ましい、フッ化カリウムの使用九」は
ハロゲン化芳香族化合物のフッ素置換するべきハロゲン
原子に対し、０．５〜１０倍、好ましくは１．１〜２倍
モルの範囲が過ちである。前記一般式（Ｉ）で示される
ピリジニウム化合物の使用埴は、原料のハロゲン化芳香
族化合物に対し０．００１−１．０重量部、好ましくは
、０．０１〜０．１重縫部が適当である。
本発明の反応温度は、１００〜３００℃の範囲が適当で
あり、好ましくは１３０〜２５０℃の反応温度が望まし
い０水反応の反応圧力は、常圧あるいは、 「ｌ熱発生
圧力下、更に窒素のような不活性ガスによる加圧下で行
ってもよい０反応時間は１反応器度および原料によって
異なるが、２〜５０時間が適当である。
あり、好ましくは１３０〜２５０℃の反応温度が望まし
い０水反応の反応圧力は、常圧あるいは、 「ｌ熱発生
圧力下、更に窒素のような不活性ガスによる加圧下で行
ってもよい０反応時間は１反応器度および原料によって
異なるが、２〜５０時間が適当である。
一般にハロゲン交換反応は、できるだけ無水の条件下で
行うことが反応速度を高めるため、また副反応を避ける
ために好ましい０水反応で用いるフッ化カリウム、溶媒
等はいずれも吸湿性が高いため、反応前に十分に脱水す
ることが好ましい０本発明方法に従って得た反応生成物
から、ろ過、溶媒留去、抽出、蒸留等の通常の分離操作
を経て、容易に極めて高収率で目的物質のフッ素化芳香
族化合物を得ることができる。
行うことが反応速度を高めるため、また副反応を避ける
ために好ましい０水反応で用いるフッ化カリウム、溶媒
等はいずれも吸湿性が高いため、反応前に十分に脱水す
ることが好ましい０本発明方法に従って得た反応生成物
から、ろ過、溶媒留去、抽出、蒸留等の通常の分離操作
を経て、容易に極めて高収率で目的物質のフッ素化芳香
族化合物を得ることができる。
以下、本発明の実施例についてさらに具体的に説明する
。
。
［実施例］
実施例１
２００１オートクレーブに１．２．３−トリクロロベン
ゼン５０ｇ （Ｑ、２７５ｍｏｌ）とスプレー乾燥フッ
化カリウム５０ｇ （０，８８２鳳ｏ１）とＮ−ネオペ
ンチル−４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピリ
ジニウムクロリド２．５ｇ、 これに溶媒としてスル
ホラン１００ｇを仕込、激しく攪拌しながら２１０℃で
３０時間反応させた０反応液をガスクロで分析したとこ
ろ、原料の反応率３０％、ｌ、３−ジクロロ−２−フル
オロベンゼンへの選択率９１％であった。
ゼン５０ｇ （Ｑ、２７５ｍｏｌ）とスプレー乾燥フッ
化カリウム５０ｇ （０，８８２鳳ｏ１）とＮ−ネオペ
ンチル−４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピリ
ジニウムクロリド２．５ｇ、 これに溶媒としてスル
ホラン１００ｇを仕込、激しく攪拌しながら２１０℃で
３０時間反応させた０反応液をガスクロで分析したとこ
ろ、原料の反応率３０％、ｌ、３−ジクロロ−２−フル
オロベンゼンへの選択率９１％であった。
比較例１
トネオペンチルー４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチルアミノ
）−ピリジニウムクロリドを添加しないこと以外は実施
例１と同様の条件で反応器に仕込、激しく攪拌しながら
、 ２５０℃で３０時間反応させた０反応液をガスクロ
で分析したところ、原料の反応率は１％以下であった。
）−ピリジニウムクロリドを添加しないこと以外は実施
例１と同様の条件で反応器に仕込、激しく攪拌しながら
、 ２５０℃で３０時間反応させた０反応液をガスクロ
で分析したところ、原料の反応率は１％以下であった。
実施例２
還流コンデンサーを備えた２００１ガラス反応器に、メ
タクロロベンゾニトリル２０ｇ（０，１４５ｍａｌ）、
スプレー乾燥Ｋ Ｆ １Ｂ、９ｇ（０，２９１ｍｏｌ）
、スルホラン５０ｇ、トネオペンチルー４−（Ｎ’
、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピリジニウムクロリド１ｇ
を仕込。
タクロロベンゾニトリル２０ｇ（０，１４５ｍａｌ）、
スプレー乾燥Ｋ Ｆ １Ｂ、９ｇ（０，２９１ｍｏｌ）
、スルホラン５０ｇ、トネオペンチルー４−（Ｎ’
、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピリジニウムクロリド１ｇ
を仕込。
２３０℃で１０時間反応させた０反応液をガスクロで分
析したところ、原料の反応率３５％、メタフルオロベン
ゾニトリルへの選択率８９％であった。
析したところ、原料の反応率３５％、メタフルオロベン
ゾニトリルへの選択率８９％であった。
実施例３
２００１オートクレーブに３，４−ジクロロベンゾトリ
フルオリド５０ｇ （０，２３２９ｍｏｌ）、スプレー
乾燥Ｋ Ｆ２７ｇ（０，４８８ｍｏｌ） 、 スルホラ
ン１００ｇ、トネオペンチルー４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジ
メチルアミノ）−ピリジニウムクロリド２ｇを仕込、激
しく攪拌しながら、１８０℃で１５時間反応させた０反
応液をガスクロで分析したところ、３，４−ジフルオロ
ベンゾトリ７オリドへの選択率２２％、残りは３−ジク
ロロ−４−フルオロベンゾトリフルオリドであった。
フルオリド５０ｇ （０，２３２９ｍｏｌ）、スプレー
乾燥Ｋ Ｆ２７ｇ（０，４８８ｍｏｌ） 、 スルホラ
ン１００ｇ、トネオペンチルー４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジ
メチルアミノ）−ピリジニウムクロリド２ｇを仕込、激
しく攪拌しながら、１８０℃で１５時間反応させた０反
応液をガスクロで分析したところ、３，４−ジフルオロ
ベンゾトリ７オリドへの選択率２２％、残りは３−ジク
ロロ−４−フルオロベンゾトリフルオリドであった。
実施例４
２００１ オートクレーブに２．３，４．５−テトラク
ロロベンゾトリフルオリド２０ｇ （０，０７０ｍａｌ
）、スプレー乾燥Ｋ Ｆ ２４．５ｇ（０，４２２ｓ＋
ｏｌ） 、スルホラン５０ｇ 、ネオペンチル−４−（
Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピリジニウムクロリ
ド２ｇを仕込、激しく攪拌しながら １８０℃で９時間
反応させた０反応液をガスクロで分析したところ、原料
の反応率 １００％、２，３Ｌ４，５−テトラクロロベ
ンゾトリフルオリドへの選択率１４％、５−クロロ−２
，３，４−トリフルオロベンゾリフルオリドへの選択率
４３％、３．５−ジクロロ−２，４−ジフルオロベンゾ
トリフルオリドへの選択率１１％であった。
ロロベンゾトリフルオリド２０ｇ （０，０７０ｍａｌ
）、スプレー乾燥Ｋ Ｆ ２４．５ｇ（０，４２２ｓ＋
ｏｌ） 、スルホラン５０ｇ 、ネオペンチル−４−（
Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピリジニウムクロリ
ド２ｇを仕込、激しく攪拌しながら １８０℃で９時間
反応させた０反応液をガスクロで分析したところ、原料
の反応率 １００％、２，３Ｌ４，５−テトラクロロベ
ンゾトリフルオリドへの選択率１４％、５−クロロ−２
，３，４−トリフルオロベンゾリフルオリドへの選択率
４３％、３．５−ジクロロ−２，４−ジフルオロベンゾ
トリフルオリドへの選択率１１％であった。
実施例５
還流コンデンサーを備えた２００１ガラス製反応器に３
，４−ジクロロニトロベンゼン５０ｇ、スプレー乾燥Ｋ
Ｆ２０ｇ 、 Ｎ−（２−エチル−ヘキシルアミノ）
−４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチル）−ピリジニウムクロ
リド２６５ｇ、それにスルホランＩＱＯｇを仕込、激し
く攪拌しながら １９０℃で１５時間反応させた０反応
液をガスクロで分析したところ、原料の反応４＜ｔｔ
１０（１％、３，４−ジフルオロ乎トロベンゼンへの
選択率は２３％、３−クロロ−４−フルオロニトロベン
ゼンへの選択率は５２％であった。
，４−ジクロロニトロベンゼン５０ｇ、スプレー乾燥Ｋ
Ｆ２０ｇ 、 Ｎ−（２−エチル−ヘキシルアミノ）
−４−（Ｎ’ 、Ｎ’−ジメチル）−ピリジニウムクロ
リド２６５ｇ、それにスルホランＩＱＯｇを仕込、激し
く攪拌しながら １９０℃で１５時間反応させた０反応
液をガスクロで分析したところ、原料の反応４＜ｔｔ
１０（１％、３，４−ジフルオロ乎トロベンゼンへの
選択率は２３％、３−クロロ−４−フルオロニトロベン
ゼンへの選択率は５２％であった。
実施例６
還流コンデンサーを備えた２００１ガラス製反応器に２
．３．４−）ジクロロニトロベンゼン５０ｇ、スプレー
乾燥Ｋ Ｆ２Ｏ，、Ｎ−ネオペンチル−４−（Ｎ’ 、
Ｎ’−ジブチルアミノ）−ピリジニウムクロリド２．５
ｇ、それにスルホラン１００ｇを仕込、激しく攪拌しな
がら１５０℃で１２時間反応させた０反応液をガスクロ
で分析したところ、原料の反応率ｔ＊ ｔｏｏ％、 ２
，３．４−）リフルオロニトロベンゼンへの選択率１ｓ
％、３−クロロ−２，４−ジフルオロニトロベンゼンへ
の選択率は、４６％であった。
．３．４−）ジクロロニトロベンゼン５０ｇ、スプレー
乾燥Ｋ Ｆ２Ｏ，、Ｎ−ネオペンチル−４−（Ｎ’ 、
Ｎ’−ジブチルアミノ）−ピリジニウムクロリド２．５
ｇ、それにスルホラン１００ｇを仕込、激しく攪拌しな
がら１５０℃で１２時間反応させた０反応液をガスクロ
で分析したところ、原料の反応率ｔ＊ ｔｏｏ％、 ２
，３．４−）リフルオロニトロベンゼンへの選択率１ｓ
％、３−クロロ−２，４−ジフルオロニトロベンゼンへ
の選択率は、４６％であった。
比較例２
トネオペンチルー（Ｎ’、Ｎ’−ジメチルアミノ）−ピ
リジニウムクロリドをテトラブチルホスホニウムクロリ
ドに代えた以外は、実施例３と同様の条件で反応器に仕
込、激しく攪拌しながら、１８５℃で１５時間反応させ
た０反応液をガスクロで分析したところ３，４−ジフル
オロベンゾトリフルオリドへの選択率２％、残りは３−
クロロートフルオロベンゾトリフルオリドであった。
リジニウムクロリドをテトラブチルホスホニウムクロリ
ドに代えた以外は、実施例３と同様の条件で反応器に仕
込、激しく攪拌しながら、１８５℃で１５時間反応させ
た０反応液をガスクロで分析したところ３，４−ジフル
オロベンゾトリフルオリドへの選択率２％、残りは３−
クロロートフルオロベンゾトリフルオリドであった。
比較例３
Ｎ−（２−エチル−ヘキシルアミノ）−４−（Ｎ’ 、
Ｎ’ジメチル）ピリジニウムクロリドをテトラメチルホ
スホニウムクロリドに代えた以外は、実施例５と同様の
条件で反応器に仕込、激しく攪拌しながら、 １５０℃
で１０時間反応させた０反応液をガスクロで分析したと
ころ、主生成物は３−クロロ−４−フルオロニトロベン
ゼンであす、３．４−ジフルオロニトロベンゼンへの選
択率は１％以下であった。さらに反応温度を １９０℃
まで上げ、反応を続けたが、これ以Ｅ反応は進行しなか
った。
Ｎ’ジメチル）ピリジニウムクロリドをテトラメチルホ
スホニウムクロリドに代えた以外は、実施例５と同様の
条件で反応器に仕込、激しく攪拌しながら、 １５０℃
で１０時間反応させた０反応液をガスクロで分析したと
ころ、主生成物は３−クロロ−４−フルオロニトロベン
ゼンであす、３．４−ジフルオロニトロベンゼンへの選
択率は１％以下であった。さらに反応温度を １９０℃
まで上げ、反応を続けたが、これ以Ｅ反応は進行しなか
った。
［発明の効果１
本発明におけるピリジニウム化合物は、耐熱性が高いた
めに分解することなく２００℃以上におけるフッ素化反
応が可能であり、それだけ収率の高いフッ素化反応を実
施することができる。さらに、従来の４級アンモニウム
塩やホスホニウム塩等に比べ、極めてフッ素化活性が高
く、高収率でフッ素化物を得ることができる。
めに分解することなく２００℃以上におけるフッ素化反
応が可能であり、それだけ収率の高いフッ素化反応を実
施することができる。さらに、従来の４級アンモニウム
塩やホスホニウム塩等に比べ、極めてフッ素化活性が高
く、高収率でフッ素化物を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フッ素原子以外のハロゲン原子を少なくとも１個有する
ハロゲン化芳香族化合物の前記ハロゲン原子をアルカリ
金属フッ化物を用いてフッ素置換せしめるハロゲン化芳
香族化合物のフッ素化方法に於て、前記フッ素置換反応
を下記一般式（ I ）で示されるピリジニウム化合物の
存在下に行うことを特徴とするハロゲン化芳香族化合物
のフッ素化方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼−−−−−（ I ） （式中Ｒ＾１は３級アミノ基、Ｒ＾２は炭素数３以上の
アルキル基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62035880A JPS63203636A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | ハロゲン化芳香族化合物のフツ素化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62035880A JPS63203636A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | ハロゲン化芳香族化合物のフツ素化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63203636A true JPS63203636A (ja) | 1988-08-23 |
Family
ID=12454314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62035880A Pending JPS63203636A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | ハロゲン化芳香族化合物のフツ素化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63203636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0506200A1 (en) * | 1991-03-27 | 1992-09-30 | Dowelanco | A process for the preparation of o-chlorofluorobenzene |
| CN107311869A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-11-03 | 浙江解氏新材料股份有限公司 | 3,4,5‑三氟硝基苯的制备方法 |
| CN107325001A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-11-07 | 浙江解氏新材料股份有限公司 | 2,3,4‑三氟硝基苯的制备方法 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62035880A patent/JPS63203636A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0506200A1 (en) * | 1991-03-27 | 1992-09-30 | Dowelanco | A process for the preparation of o-chlorofluorobenzene |
| CN107311869A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-11-03 | 浙江解氏新材料股份有限公司 | 3,4,5‑三氟硝基苯的制备方法 |
| CN107325001A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-11-07 | 浙江解氏新材料股份有限公司 | 2,3,4‑三氟硝基苯的制备方法 |
| CN107311869B (zh) * | 2017-06-14 | 2019-11-08 | 浙江解氏新材料股份有限公司 | 3,4,5-三氟硝基苯的制备方法 |
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