JPS63204254A - ホトレジストの現像方法 - Google Patents
ホトレジストの現像方法Info
- Publication number
- JPS63204254A JPS63204254A JP3728987A JP3728987A JPS63204254A JP S63204254 A JPS63204254 A JP S63204254A JP 3728987 A JP3728987 A JP 3728987A JP 3728987 A JP3728987 A JP 3728987A JP S63204254 A JPS63204254 A JP S63204254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- formulas
- photoresist
- surfactant
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン含有ポジ形ホトレジストの現像方法に
関する。
関する。
ＬＳＩの高集積化にともない従来の単層レジストでは現
像限界が明らかになり、レジストを単層ではなく多層化
することにより、膜厚が厚くしかも微細な高形状比パタ
ーンを形成する方法が提案されている。すなわち、第１
層目に有機高分子の厚膜を形成し、その上の第２層に薄
膜のレジスト材料層を形成したのち、第２のレジスト材
料に高エネルギ線を照射し、現像する。得られるパター
ンをマスクとして第１の有機高分子を酸素プラズマエツ
チング（０２ＲＩＥ）で異方エツチングすることにより
高形状比のパターンを得ようとするものである（リン、
ソリッドステートテクノロジー 第２４巻 第３７ペー
ジ（’１９８１）参照〉。
像限界が明らかになり、レジストを単層ではなく多層化
することにより、膜厚が厚くしかも微細な高形状比パタ
ーンを形成する方法が提案されている。すなわち、第１
層目に有機高分子の厚膜を形成し、その上の第２層に薄
膜のレジスト材料層を形成したのち、第２のレジスト材
料に高エネルギ線を照射し、現像する。得られるパター
ンをマスクとして第１の有機高分子を酸素プラズマエツ
チング（０２ＲＩＥ）で異方エツチングすることにより
高形状比のパターンを得ようとするものである（リン、
ソリッドステートテクノロジー 第２４巻 第３７ペー
ジ（’１９８１）参照〉。
この場合、第２のレジスト材料は０２ＲＩＥ耐性が高く
なければならないので、シリコン含有ポリマを用いるこ
とが提案されている。たとえば、シロキザンボリマを変
性することによりアルカリ水溶液とし、それに０−キノ
ンジアジド化合物を添加したポジ形ボトレジスト（特願
昭６１−６５１２３〉は、０２ＲＩＥ耐性が高く、アル
カリ現像が可能なため現用プロセスとの整合性が良い。
なければならないので、シリコン含有ポリマを用いるこ
とが提案されている。たとえば、シロキザンボリマを変
性することによりアルカリ水溶液とし、それに０−キノ
ンジアジド化合物を添加したポジ形ボトレジスト（特願
昭６１−６５１２３〉は、０２ＲＩＥ耐性が高く、アル
カリ現像が可能なため現用プロセスとの整合性が良い。
しかし、従来の現像液を用いた現像方法ではシリコン含
有ポリマの撥水性のため、レジストプロファイルおよび
寸法制御精度が著しく低下する欠点があった。これを解
決するためにアルカリ濃度を高くしたり、現像液の温度
を高めたり、現像時間を長くしたりすると、未照射部の
膜減り量が増加してしまう問題があった。
有ポリマの撥水性のため、レジストプロファイルおよび
寸法制御精度が著しく低下する欠点があった。これを解
決するためにアルカリ濃度を高くしたり、現像液の温度
を高めたり、現像時間を長くしたりすると、未照射部の
膜減り量が増加してしまう問題があった。
本発明は、現像工程において現像液のシリコン含有レジ
ストに対する親和性を高めて、１μｍ以下のパターン形
成を高い精度で行う現像方法を提供することを目的とす
る。
ストに対する親和性を高めて、１μｍ以下のパターン形
成を高い精度で行う現像方法を提供することを目的とす
る。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は下記一般式（Ｉ）’、（ＩＩ）は置換炭化水素
を示す。〕、カルボキシル基の中から選ばれた１種を示
し、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ／ 、 Ｒ
ＬＬおよびＲ″′は、同一または異なり、水素、アルキ
ル基およびフェニル基よりなる群から選択した１種の基
を示し、Ｊ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ノ
１ｍが同時にＯになることはない。） で表わされるアルカリ可溶性シロキサンポリマのいずれ
かの群より選択された１種以上と、０−キノンジアジド
化合物とからなるポジ形ホトレジストの現像方法におい
て、水酸化第４級アンモニウム塩基を主体とした有機ア
ルカリ水溶液中に界面活性剤を添加した現像液を使用す
ることを特徴とする。
を示す。〕、カルボキシル基の中から選ばれた１種を示
し、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ／ 、 Ｒ
ＬＬおよびＲ″′は、同一または異なり、水素、アルキ
ル基およびフェニル基よりなる群から選択した１種の基
を示し、Ｊ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ノ
１ｍが同時にＯになることはない。） で表わされるアルカリ可溶性シロキサンポリマのいずれ
かの群より選択された１種以上と、０−キノンジアジド
化合物とからなるポジ形ホトレジストの現像方法におい
て、水酸化第４級アンモニウム塩基を主体とした有機ア
ルカリ水溶液中に界面活性剤を添加した現像液を使用す
ることを特徴とする。
水酸化４級アンモニウム塩基系の現像液は、ＮａＯＨ等
のメタル系現像液に比べてシリコン含有レジストに対す
る親和性が良いが、十分でなく露光部において現像液が
浸透しにくい問題があるので、界面活性剤の添加が必要
となる水酸化第４級アンモニウム塩基としてはテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
エチルアンモニウムが使用可能であり、界面活性剤とし
ては脂肪酸エチレンオキサイド付加物、高級アルコール
エヂレンオキザイド付加物、アルキルフエノ−ルエチレ
ンオキサイド付加物、多価アルコールエチレンオキサイ
ド付加物、ポリプロピレングリコール、ポリエチレング
リコールなど非イオン系の界面活性剤が有効である。
のメタル系現像液に比べてシリコン含有レジストに対す
る親和性が良いが、十分でなく露光部において現像液が
浸透しにくい問題があるので、界面活性剤の添加が必要
となる水酸化第４級アンモニウム塩基としてはテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
エチルアンモニウムが使用可能であり、界面活性剤とし
ては脂肪酸エチレンオキサイド付加物、高級アルコール
エヂレンオキザイド付加物、アルキルフエノ−ルエチレ
ンオキサイド付加物、多価アルコールエチレンオキサイ
ド付加物、ポリプロピレングリコール、ポリエチレング
リコールなど非イオン系の界面活性剤が有効である。
シリコン含有レジストの現像液中の水酸化第４級アンモ
ニウムｔ！Ｗの濃度は０．５〜５ｗｔ％が有効であり１
．シリコーンポリマの溶解性により変化させる。また界
面活性剤の濃度は０．０１〜ｉｗｔ％が有効である。
ニウムｔ！Ｗの濃度は０．５〜５ｗｔ％が有効であり１
．シリコーンポリマの溶解性により変化させる。また界
面活性剤の濃度は０．０１〜ｉｗｔ％が有効である。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
「実施例１」
アルカリ可溶性シロキサンポリマと０−ナフトキノンジ
アジド化合物とからなるホトレジストをＳＬ基板上に０
．５μｍμｍビスピンコード。８０°Ｃ，２０分のプリ
ベークを行ったのち露光、現像した。現像液としてはテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．５％水溶液
を用い、界面活性剤としてポリエチレングリコールを０
．０１〜１％（水溶液に対する重量％）添加したものを
使用した。
アジド化合物とからなるホトレジストをＳＬ基板上に０
．５μｍμｍビスピンコード。８０°Ｃ，２０分のプリ
ベークを行ったのち露光、現像した。現像液としてはテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．５％水溶液
を用い、界面活性剤としてポリエチレングリコールを０
．０１〜１％（水溶液に対する重量％）添加したものを
使用した。
感度と解像性の目安となるγ値（コントラスト）の関係
を界面活性剤を添加しないものと比較して表１に示す。
を界面活性剤を添加しないものと比較して表１に示す。
ポリエチレングリコールの添加量が増加するに伴い、感
度およびγ値も向上する傾向のあることがわかる。しか
し、添加量が約０．５％で特性は飽和する傾向にあり、
それ以上添加するとγ値は逆に低下する傾向を示した。
度およびγ値も向上する傾向のあることがわかる。しか
し、添加量が約０．５％で特性は飽和する傾向にあり、
それ以上添加するとγ値は逆に低下する傾向を示した。
これは露光部だけでなく未露光部の溶解性も良くなった
ためと考えられる。
ためと考えられる。
縮小投影露光機（ＮＡ＝０．３５）を用いて解像性評価
を行った結果、ポリエチレングリコールを添加しない現
像液で現像した場合、１．０μｍ幅のパターンが解像限
界であったが、０．３％ポリエチレングリコールを添加
した場合、０．６μｍ幅のパターンが解像できた。
を行った結果、ポリエチレングリコールを添加しない現
像液で現像した場合、１．０μｍ幅のパターンが解像限
界であったが、０．３％ポリエチレングリコールを添加
した場合、０．６μｍ幅のパターンが解像できた。
「実施例２」
実施例１と同様の方法で感度とγ値を測定した。
界面活性剤の添加量は０．３％とした。界面活性剤はす
べて三洋化成■製のものを使用した。
べて三洋化成■製のものを使用した。
評価結果を表２に示すが、いずれも界面活性剤を添加し
ない現像液による現像よりも感度および解像性ともに向
上していることがわかる。界面活性剤の種類については
殆んど違いが認められなかった。
ない現像液による現像よりも感度および解像性ともに向
上していることがわかる。界面活性剤の種類については
殆んど違いが認められなかった。
Ｃ表 １〕
〔表 ２〕
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、シリコン含有ポジ形ボ
トレジストの規像方法において、現像液の有機アルカリ
水溶液に界面活性剤を添加したことを特徴とし、現像液
のレジストに対する親和性が向上したため、１μｍ以下
のパターン形成を高精度でできる利点がある。
トレジストの規像方法において、現像液の有機アルカリ
水溶液に界面活性剤を添加したことを特徴とし、現像液
のレジストに対する親和性が向上したため、１μｍ以下
のパターン形成を高精度でできる利点がある。
Claims (3)
- （１）下記一般式（ I ）および（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼〔Ｒは炭化水素あるいはは
置換炭化水素を示す。〕、カルボキシル基の中から選ば
れた１種を示し、同じであつても異なつていてもよい。 Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、同一または異なり、水素、
アルキル基およびフェニル基よりなる群から選択した１
種の基を示し、ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示
し、ｌ、ｍが同時に０になることはない。） で表わされるアルカリ可溶性シロキサンポリマの１種以
上と、ｏ−キノンジアジド化合物とからなるポジ形ホト
レジストの現像方法において、水酸化第４級アンモニウ
ム塩基を主体とした有機アルカリ水溶液中に界面活性剤
を添加した現像液を使用することを特徴とするホトレジ
ストの現像方法。 - （２）水酸化第４級アンモニウム塩基がテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシドである特許請求の範囲第１項記
載のホトレジストの現像方法。 - （３）界面活性剤が脂肪酸エチレンオキサイド付加物、
高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフ
ェノールエチレンオキサイド付加物、多価アルコールエ
チレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコール、
ポリエチレングリコールの中から選ばれた１種以上であ
る特許請求の範囲第１項記載のホトレジストの現像方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3728987A JPS63204254A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | ホトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3728987A JPS63204254A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | ホトレジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204254A true JPS63204254A (ja) | 1988-08-23 |
Family
ID=12493549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3728987A Pending JPS63204254A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | ホトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204254A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63231331A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| JPH05142785A (ja) * | 1990-08-29 | 1993-06-11 | Hoechst Ag | 照射された感放射線ポジ作動性およびネガ作動性および反転性の複写層用現像液組成物およびかかる層の現像法 |
| US9989852B2 (en) * | 2013-07-02 | 2018-06-05 | Toray Industries, Inc. | Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3728987A patent/JPS63204254A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63231331A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| JPH05142785A (ja) * | 1990-08-29 | 1993-06-11 | Hoechst Ag | 照射された感放射線ポジ作動性およびネガ作動性および反転性の複写層用現像液組成物およびかかる層の現像法 |
| US9989852B2 (en) * | 2013-07-02 | 2018-06-05 | Toray Industries, Inc. | Positive photosensitive resin composition, cured film formed by curing same, and optical device equipped with same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950002874B1 (ko) | 광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체 | |
| US4914006A (en) | Positive resist quaternary ammonium hydroxide containing developer with cationic and nonionic surfactant | |
| CN100454143C (zh) | 正型抗蚀剂组合物 | |
| EP1257879B1 (en) | Radiation sensitive copolymers, photoresist compositions thereof and deep uv bilayer systems thereof | |
| US6225019B1 (en) | Photosensitive resin, resist based on the photosensitive resin, exposure apparatus and exposure method using the resist, and semiconductor device obtained by the exposure method | |
| CN110114723A (zh) | 化学放大型正型光致抗蚀组合物以及使用了其的图案形成方法 | |
| JPH09244261A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR950001004B1 (ko) | 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법 | |
| KR20140097133A (ko) | 하이브리드 포토레지스트 조성물 및 그것을 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR101057605B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
| JPS63204254A (ja) | ホトレジストの現像方法 | |
| JPH02217855A (ja) | ネガ型電子線レジスト組成物 | |
| JP2005157352A (ja) | 有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法 | |
| JP3438103B2 (ja) | 感光性組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
| WO1992008166A1 (en) | Contrast enhancement of non-amplified alkali developable photoresists | |
| US7261994B2 (en) | Positive resist composition | |
| JPS62191849A (ja) | 放射線感応性樹脂組成物 | |
| JP2002202605A (ja) | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP4023867B2 (ja) | レジスト用感光性樹脂組成物 | |
| JPH06348036A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP4271490B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JP2626068B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| EP1586005A2 (en) | High sensitivity resist compositions for electron-based lithography | |
| JPH11119433A (ja) | ＡｒＦ用化学増幅系ネガ型レジスト | |
| JPH05341516A (ja) | ポジ型レジスト組成物 |