JPS632058A

JPS632058A - 超薄膜積層構造層を有する光受容部材

Info

Publication number: JPS632058A
Application number: JP61146358A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Ishihara; 俊一石原; Keishi Saito; 恵志斉藤; Kozo Arao; 荒尾　浩三
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-06-23
Filing date: 1986-06-23
Publication date: 1988-01-07
Anticipated expiration: 2012-01-16
Also published as: JP2572574B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
、特に改善された表面層を有する光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

゛従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材と
しては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部
材と比較して優れているのに加えて、ビッカース硬度が
高く、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５
４−８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報
にみられるようなシリコン原子（Ｓｉ）を母体とする非
晶質材料、いわゆるアモルファスシリコン（以後、「ａ
−８ｉｊと呼称する。）から成る光受容部材が注目され
ている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上にａ−８１，
特に好ましくは水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）
の少なくともいずれか一方を含有するａ−８ｌ（以後、
［ａ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。〕で構成され
、光導仏性を有する感光層を有するものであるところ、
該感光層が帯電処理を受けた際に表面から感光層に電荷
が注入されるのを阻止する電荷注入阻止層として、また
、該感光層の耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧
性、使用環境特性および耐久性等を向上せしめることに
より画像欠陥を防止する層として、高抵抗で光を透過す
る非晶質材料で構成された表面層を該感光層上に積層す
ることが知られている。そして該表面層として、酸素原
子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から
選ばれる少なくとも一種を比較的高濃度に有するａ−８
ｔ〔以後、「ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）　
Ｊと表記する。〕を使用することが提案されている。

ところがａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成
される表面層は、高抵抗であるため、繰り返しの帯電及
び画像露光により、表面層の表面に残留電位を生ずる場
合があり、該残留電位が画像欠陥をひきおこしてしまう
という問題がある。また、ａ−８ｔ　（０，Ｃ，Ｎ）　
（Ｈ，Ｘ）で構成される表面層を設けても、長時間の耐
久により核層の有する画像欠陥防止層としての機能が低
下し、画像欠陥を生じてしまうという問題もある。

さらに、ａ−３ｔ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成
される表面層は、シリコン原子を供給する原料ガス（Ｓ
ｉＨ４ガス等）と、酸素原子、炭素原子又は窒素原子を
供給する原料ガス（ＣＨ４ガス、ＮＯガス、　Ｎ２ガス
、Ｎ　Ｈｓガス及びこれらの混合ガス等）とを混合し、
グロー放電分解法によシ、感光層上に適当な厚さに積層
されるのが通常であるが、このようにして作製された高
抵抗な表面層は、欠陥準位を生じやすく、該欠陥準位の
発生が、耐久での画像欠陥や、残留電位の原因となって
いるという問題もある。

また、上述の類の光受容部材は、いずれにしろ所謂多Ｒ
４構成のものであって、その製造には一般にプラズマＣ
ＶＤ法による堆積膜形成装置が至適なものとして採用さ
れている。そして所望のそうした光受容部材を製造する
に当っては、−般には各々の層毎に至適な成膜秦件を設
定し、その条件に従って層形成操作を各別に行われてい
る。したがって従来のプラズマＣＶＤ法による装置によ
っては、上述の電荷注入阻止層に係る問題の解決は、当
該層の形成工程の操作に問題解決の条件を設定し、その
条件に従って当該層の成膜操作を実施することにより行
われることから、それに引き続く層形成の操作を更に複
雑にしてしまい、所望の多層構成の光受容部材の効率的
に量産するとなると装置自体の改良が要求されるところ
である。

〔発明の目的〕

本発明は、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成されるに係る上述
の問題を解決して所望機能を奏するものにした、電子写
真用感光体等に用いられる光受容部材を提体することを
目的とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、欠陥準位を有きずして、
長時間の耐久によっても画像欠陥を生じない優れた機能
を奏する表面層を有する光受容部材を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、残留′電位の問題が殆んどなく、
画像欠陥の問題がなくして、改善された電気的耐圧性を
有する電子写真用光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来のａ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る感光層を少なくとも有する電子写真用感光体等に用い
られる光受容部材及びその製造装置について、前述の諸
問題を克服して上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、先ず前記光受容部材について、その感光層とし
て、構成原子の少なくとも一部が異なる少なくとも２種
の超薄膜層を複数回積層されてなるもので構成されたも
のを使用した場合、表面層としての前述の諸問題を解決
し、長時間の耐久によっても画像欠陥や残留電位の発生
がない光受容部材が得られるという知見を得た。

即ら、ａ−８ｔ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる高抵抗な非晶質材料は、ａ　　Ｓ　ｉ（Ｈ＋　Ｘ　
）　で構成される非晶質材料よりもバンドギャップが拡
大することを本発明者らは事実として確認しているとこ
ろ、該ａ−８ｔ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる超薄膜と、ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）
とはフェルミレベルまたは／及びバンドギャップが異な
る非晶質材料で構成される超薄膜とを複数回積層した超
１璋膜＠層構造を有する表面層を用いた場合、ａ−８ｔ
　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）からなる単層構造の表面
層を用いた場合に比較して、欠陥準位の発生を著しく減
少させうることを見い出した。

ところで、こうした超薄膜積層構造膜に、該層とは別の
機能を奏する膜を積層すると、例えばそれを電子写真感
光体に供する場合、前記超薄膜積層構造膜と該膜層に隣
接する別の膜層との界面に電荷輸送に対する障壁が生じ
、光照射後の残留電位が大きくなる等の問題がしばしば
生じる。

本発明者らはこうした背景にあって問題を解決すべく鋭
意研究を重ね、上述する知見を得た。

即ち、本丸切者らは、形成する超薄膜積層構造物につい
て、その形成過程で構成超薄膜層のＪ−厚を積層するに
つれて変化（厚→薄又は薄→厚）させること、又は／及
び前記構成超薄膜層の少なくとも一つの構成元素につい
て、その超薄膜層中での構成比を、核層に隣接する他の
超薄膜層中での前記構成元素の構成比に近づくようにす
ることによって、第３（ａ）乃至（ｆ）図の模式図に示
すごときエネルギーバンドが得られるように試みた。な
お、第３図において、縦軸は電子のエネルギー、横軸は
層厚を示している。

図示においては、超薄膜積層構造の全体にわたってか、
或いは層界面についてか、或いはまた層界面の領域につ
いての変化を示している。

第３（ａ）図の場合は層厚について調整したものであり
、第３（ｂ）図の場合は層の構成元素の構成比について
調整したものであり、第３（ｃ）図は前記層厚（第３（
ａ）図）十前記構成比（第３（ｂ）図）について調整し
たものである。第３（ｄ）図の場合はドーパント（Ｐ）
について調整したものであり、第３（ｅ）図の場合はド
ーパ／）（Ｐ、ｎ）について調整したものであり、第３
（ｆ）図の場合は層界面での構成元素について調整（連
続変化）したものである。

以上のように超薄膜積層構造にしたところ、該構造体は
、電流を流すと電荷の捕獲、角結合、蓄積を減少させる
ことがわかった。このことはとりもなおさずそれを電子
写真感光体に供する場合、残留電位の減少、そして光感
度の上昇をもたらすことを意味する。

本発明は、上述の実験的に確認された知見に基づいて完
成せしめたものであり、長時間の耐久によっても画像欠
陥を生ずることのない、安定した所望特性を発揮する光
受容部材を提供するものである。

以下、図示の実施例により本発明の内容をより詳しく説
明する。なお、光受容部材について図示する例は電子写
真用のものではあるが、本発明はこれにより限定される
ものではない。

第１（Ａ）乃至（０図は、本発明の電子写真用光受容部
材の層構成の典型的な例を模式的に示した図でおる。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体１０１上に、電荷注入
阻止層１０２、感光層１０３及び表面層１０４をこの順
に設けたものである。

第１　（Ｂ）図に示す例は、支持体１０１上に、長波長
吸収層１０５、電荷注入阻止層１０２、感光層１０３及
び表面層１０４をこの順に設けたものであり、該別にお
いては長波長吸収層１０５及び電荷注入阻止層１０２の
順序を入れかえることもできる。

第１　（０図に示す例は、支持体１０１上に、電荷注入
阻止層と長波長吸収層とを兼ねそなえた層１０６、感光
層１０３及び表面層１０４をこの順に設けたものである
。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎｉ　Ｃｒ。

ステンレス、ｈｅ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、
　Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＪ
３　％Ｃｒ　、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ５Ｔａ％
Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎｔ）ｓ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（
Ｉｎ２Ｏ：＋＋　Ｓｎｏｗ　）等から成る薄膜を設ける
ことによって導電性を付与し、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＪ　
、　Ａｇ　、　Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、　ＣｒｌＭｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ。

Ｔ＃、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は無端ベルト状又は円筒状とし、
その厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適
宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場
曾には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で
可能な限り薄くすることができる。

しかしながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

本発明の光受容部材において、支持体１０１と感光層１
０３の間に設けられる電荷注入阻止層１０２は、感光層
１０３が帯電処理を受けた際に支持体側から感光層１０
３中に電子が注入されることを阻止するために設けられ
る層であり、該電荷注入阻止層１０２は、ａ−８ｔ、又
は多結晶シリコン（以後、ｒ　ｐｏ−ｇｙ−８ｉＪと呼
称する。）、あるいは両者を含むいわゆる非単結晶シリ
コン（以後、ｌ’−Ｎｏｎ−８ｉＪと呼称する。）〔な
お、微結晶質７リコンと通称されるものはａ−８ｉに分
類される。〕に、ｐ型不純物またはｎ型不純物と、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくと
も一種とを含有せしめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層中に含有せしめる第■族原子としては
、具体的には、Ｂ（硼素）、Ｍ（アルミニウム）、Ｇａ
（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、π（タリウム）等
を用いることができるが、特に好ましいものはＢ１Ｇａ
である。また第■族原子としては、具体的には、Ｐ（燐
）、Ａｓ　（砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビ
スマス）等を用いることができるが、特に好ましいもの
はＰ、　Ａｓである。そして感光層１０２中に含有せし
める第■族原子又は第Ｖ族原子の量は、３〜５　Ｘ　１
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、　　好ましくは５０〜１
×１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１×１０
２〜５×ｌＯ３１０３ａｔｏ　ｐｐｍ　とすることが望
ましい。

また、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれ
る少なくとも一種を含有せしめることにより、支持体と
の密着性を向上せしめるとともに、高暗抵抗化を図かる
効果が奏される。

そしてこれらの原子を電荷注入阻止層１０２中に含有せ
しめる量は、０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、好ま
しくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉ　ｃ％、最適には
０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい
。

更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止層１０３の層
厚は、３００人〜１０μ、好ましくは４００人〜８μ、
最適には５００人〜５μとするのが望ましい。

ところで、本発明における電荷注入阻止層１０３は、前
述のごとく第■族原子又は第■族原子と、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種と
を含有するＮｏｎ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　（以後、「Ｎ
ｏｎ−８１Ｍ　（０，Ｃ，Ｎ）（ＨｚＸ）と呼称する。

〕、即ち、ａ−８ｉＭ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）又はｐ
ａ−ｅ’ｌ１−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）ある
いは両者の混合物で構成されるものであるが、ｐｏ２ｙ
−８ｔ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を
形成するについては種々の方法があり、例えば次のよう
な方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｎｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃に
約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２０
分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の感光層１０３は、ａ−８ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成され、光導仏性を有する層であって、核層に
はさらに、第■族原子又は第■族原子又は／及び酸素原
子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少な、くと
も−種を含有せしめることができる。

感光層１０３中に含有せしめるハロゲン原子■としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして感光層１０３中に含有せしめる水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原子
とノ・ロゲン原子の量の和（ＨｚＸ）は、好ましくは１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは５〜３０　ａ
ｔｏｍｉ　ｃ％とするのが望ましい。

また、感光層１０３中に、第■族原子又は第Ｖ族原子を
含有せしめる目的は、感光層１０３の伝導性を制御する
ことにある。このような第■族原子及び第■族原子とし
ては、前述の電荷注入阻止層１０２中に含有せしめるも
のと同様のものを用いることができるが、感光層１０３
に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０２に含有
せしめたものとは逆の極性のものを含有せしめるか、あ
るいは電荷注入阻止層１０２に含有せしめたものと同極
性のものを核層１０２に含有される量より一段と少ない
量にして含有せしめることができる。感光層１０３中に
含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量は、１×１
σ３〜ｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５
×１０〜５Ｘ１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適にはＩ
　Ｘ　１０’　〜２　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃｐｐｍと
することが望ましい。

また、感光層１０３中に、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめる目
的は、感光層１０３の高暗抵抗化をはかるとともに、感
光層１０３の膜品質を向上せしめることにある。そして
、感光層１０３に含Ｍせしめるこうした原子の量は、Ｉ
　Ｘ　１０−３〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは２
　Ｘ　１０−３〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には３　Ｘ
　１０　〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う会費があ
り、通常は３〜１００μどするが、好ましくは５〜８０
μ、最適には７〜５０μとする。

本発明の光受容部材の表面層１０４は、前述のごとく、
本発明の特徴とする点であって、ａ−８ｔ（０，Ｃ，Ｎ
）　（Ｈ，Ｘ）で構成される高抵抗な非晶質材料であ°
す、ａ　−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる超薄膜とａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）と
はフェルミレベルまたは／及びバンドギャップの異なる
非晶質材料で構成される超薄膜層とが交互に複数回積層
されてなる超薄膜積層構造を有する層である。そして該
超薄膜積層構造層を構成する夫々の超薄膜の膜厚は、１
０〜１５０人、好ましくは１０〜１００人、最適には１
５〜８０人とすることが望ましい。

また、懺面層１０４中に含有せしめる酸素原子、炭素原
子又は窒素原子の量の増加に伴って、前述の緒特性は向
上するが、多すぎると層品質が低下し、電気的および機
械的特性も低下する。

こうしたことから、これらの原子の量は、０．００１〜
９０　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜９０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ％とするの
が望ましい。

また、本発明の光受容部材において、表面層１０４の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定きれるもの
であるが、表面層に含有せしめる構成原子の量、あるい
は表面層に要求される特性に応じて相互的かつ有機的関
連性の下に決定する必要がある。更に生産性や量産性も
加味した経済性の点においても考慮する必狭もある。こ
うしたことから、本発明の光受容部材の表面層の層厚は
、３　Ｘ　１０’−３〜３０μよ）好ましくは４　Ｘ　
１０−３〜２０μ　、特に好ましくは５×１０〜１０μ
とする。

本発明の光受容部材においては、ａ　　５ｉ（ＯｎＣ，
Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される表面層１０４を前述のご
とき超薄膜積層構造層とすることが必要とされるが、前
述の感光層１０３及び／又は電荷注入阻止層についても
超薄＃構造層とすることができる。

即ち、本発明の光受容部材の感光層１０３は第１族原子
又は第■族原子を含有するａ−８ｉ　（Ｈ。

Ｘ）（以後、ｒ　ａ−８ｉＭ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する
。

（但し、Ｍは第■族原子又は第Ｖ族原子を宍わす。）〕
で構成されていてもよく、あるいはａ−８ｉ　（０，Ｃ
，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成されていてもよく、さらには
第■族原子又は第Ｖ族原子を含有するａ　−８ｔ　（０
，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）　（以後、ａ−８ｉＭ（０，Ｃ
，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕で構成されていても
よいものであるが、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感
光層中に、こうしたシリコン原子以外の構成原子を含有
せしめる場合、構成原子の少なくとも一部が異なる超薄
膜を少なくとも２種類以上複数回積層した超薄膜積層構
造とすることにより、バンドギャップを調整することが
できる。

このところについて第５（５）、　（Ｂ）図を用いて説
明する。

第５（Ａ）、（Ｂ）図はエネルギーバンドの説明図であ
り、図中、ＥＦはフェルミエネルギー、ＥＣは伝導帯端
エネルギー、胸は価電子帯端エネルギー、Ｅ３はバンド
ギャップを表わしている。

第５（ＡＪ図は、バンドギャップの異なる二種の超薄膜
を積層した場合を説明する図である。即ち、ａ　−Ｓ　
ｉ（Ｈｖ　Ｘ　）中に窒素原子、炭素原子及び窒素原子
の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめた場合に
は、ａ−８１（Ｌ　Ｘ　）よりもバンドギャップが拡大
することを本発明者らは事実として確認しているところ
、更に次のところも確認し、例えば該ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成される超薄膜とａ−８ｔ　（０，Ｃ，Ｎ）　（
Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜のように、バンドギャップ
の異なる超薄膜層を積層すると、狭いバンドギャップを
有する超薄膜層で、量子効果により、図中破線で示すが
如き、サブバンドが形成される。該サブバンドは、伝導
帯及び価電子帯の端部よりもエネルギー的に高い位置に
形成され、その結果、超薄膜層を積層した感光層のバン
ドギャップは、単層構造の感光層の場合よりも広がるこ
ととなる。そして、第５ａ３）図は、ｐ型不純物を含有
するａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層（以後「
ｐ型超薄膜層」と称する。）と、ｎ型不純物を含有する
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成きれる超薄膜層（以後「ｎ型
超（ｌＩ膜層」と称する。）とを交互に積層した場合を
説明する図である。

この場合には、伝導帯側では、ｐ型超薄膜層ではさまれ
たｎ型超薄膜層で、量与効果により伝導奇瑞エネルギー
ＥＣよりも高いエネルギー側にサブバンドが形成される
。また同様に、価電子帯側では、ｐ型超薄膜層において
価電子帯端エネルギーＥｖよりも高いエネルギー側に量
与効果によるサブバンドが形成される。それぞれのサブ
バンドは、伝導帯側ではｐ型超薄膜層へ、また価電子帯
側ではｎ型超薄膜層へしみたしが生じる。その結果、光
吸収は、伝導帯のサブバンドと、価電子帯のしみだした
サブバンドの間で生じるため、ｐ型超薄膜層とｎ型超薄
膜層とを積層した感光層のバンドキャップは、それぞれ
ｐ型超薄膜層及びｎ型超博膜層固有のバンドキャップよ
りも狭くなることとなる。

以上のことから具体的には、感光層１０３を例えば、ａ
−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層とａ−ＳｉＭ（
Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層とを交互に複数回積層し
た超薄膜積層構造層、又は、ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される超薄膜層とａ−３ｔ（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ
）で構成される超薄膜構造層とを交互に複数回積層した
超薄膜積層構造層、あるいは、ａ　−ＳｉＭ　（Ｈ，Ｘ
　）で構成される超薄膜層とａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）
　（Ｈ，Ｘ）で構成される超薄膜層とを交互に複数回積
層した超薄膜積層構造層とすることができる。

また同様に、本発明の光受容部材の電荷圧入阻止層１０
２もまた、少なくとも構成原子の一部が異なる超薄膜を
少なくとも２棟頌以辷複数回積層してなる超薄膜積層構
造層とすることができる。例えば具体的には、電荷注入
阻止効果を奏する第１族原子又は第■族原子を含有する
Ｎｏｎ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成される超？４膜と、支
持体との密着効果及び高暗抵抗化等の効果を奏するＮｏ
ｎ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される超
薄膜とを、交互に複数回積層してなるものとすることが
できる。電荷注入阻止層１０２として、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子を含有せしめた場合の欠点として、欠
陥準位の発生を招きやすく、該欠陥準位の発生が第１族
原子又は第■族原子のドーピング効果を阻害することが
知られているが、電荷注入阻止層を上述のごとき超薄膜
積層構造とすることにより、こうした欠点のない、すぐ
れた電荷注入阻止効果を奏するものとすることが可能と
なるものである。

本発明の光受容部材における長波長吸収層１０５は、支
持体上、あるいは電荷注入阻止層１０３上に設けらｎる
ものであって、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原子
（Ｓｎ）の少なくとも一方を含有するＮｏｎ−３ｉ　（
Ｈ，Ｘ）　　（以後、Ｎｏｎ−８ｔ　（Ｇｅ、　Ｓｎ）
　（Ｈ＋　Ｘ）　　と呼称する。〕で構成されている。

該長波長吸収層１０５は、ゲルマニウム原子又はスズ原
子の少なくとも一方を含有せしめることにより、半導体
レーザー等の長波長光源を用いた場合において、感光層
１０２では殆んど吸収しきれない長波長側の光を、核層
１０５で実質的に完全に吸収することができるようにな
り、このことにより、支持体１０１表面からの反射によ
って生ずる干渉を防止することができるものである。長
波長側の光を吸収するために核層１０５に含有せしめる
ゲルマニウム原子又はスズ原子の量は、１〜９．５　Ｘ
　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、好ましくはＩ　Ｘ　
１０２〜９　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃＰＰｍｓ最適に
は５　Ｘ　１０〜８　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とするのが望ましい。

また、該長波長吸収層１０５の層厚は、３００人〜１０
μ、好ましくは４００　Ａ〜８μ、最適には５００　Ａ
〜５μとすることが望ましい。

更に、該長波長吸収層１０５を電荷圧入阻止層としての
機能を兼ねそなえた層とする場合にあっては、ゲルマニ
ウム原子又はスズ原子と、第■族原子又は第■族原子と
、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種とを含有するＮｏｎ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される層とすればよい。

次に、本発明の超Ｎ膜積層構造層を有する光受容部材を
製造するのに適した、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置について、図面により詳しく説明するが、本発明
はこれらによって限定されるものではない。

第２図は、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の典型例を模式的に示す図であって、第２ＣＡＪ図
は装置全体の縦断面略図、嬉２の）図は装置全体の横断
面略図である。

第２図において、２０１は、表面にシリコン原子を母体
とするアモルファス膜を形成するための、アルミニウム
製支持体ドラムである。（以下、単に「ドラム」と称す
。）ドラム２０１は回転部ｆｄＪ機構２０２によって中
心軸を軸として回転するようになっており、ドラム２０
１の内部には、加熱用ヒーター２０３を配置する。該加
熱用ヒーター２０３は、成膜前にドラムを所定温度に加
熱したり、成膜中にドラムを所定温度に保持したり、あ
るいは成膜後にアニール処理するのに用いる。

２０４は、カソード電極であり、アノード電極であるド
ラム２０１と同軸型の対向電極をなしている。２０５は
高周波電源で、カソード電極２０４に高周波電力を供給
し、アースされているアノード電極であるドラム２０１
との間で放電を生起せしめるものである。２０６．　２
０７は碍子でありアノード電極２０１とカソード電極２
０４を絶縁している。

カソード電極２０４と碍子２０６．　２０７で形成され
る気密性反応室内は、排気パルプ２０９．　２１０を介
して排気装置２０８により排気される。２１１゜２１２
は排気パルプ２０９．　２１０の直前に設けられた真空
計である。

ドラム２０１を配置した成膜空間には、ガス導入制御の
ための電磁弁２１３．　２１４をそれぞれ介して、多数
の原料ガス噴出孔を■する原料ガス供給管２１５．　２
１６により、原料ガスが供給されるようにされておシ、
該原料ガス供給管２１５゜２１６の他端は、原料ガスボ
ンベ２１７〜２２５゜２２７〜２３５に連通している。

原料ガスボンベ２１７〜２２５．　２２７〜２３５には
夫々原料ガスが密封されており、例えばガスボンベ２１
７　、　２２７　Ｋは５ＩＨ４ガス、ガスボンベ２１８
．　２２８にはＨ２ガス、ガスボンベ２１９．　２２９
にはＣＨ４ガス、ガスボンベ２２０．　２３０にはＧ　
ｅ　Ｈ４ガス、ガスボンベ２２１、　２３１にはＮ２ボ
ンベ、ガスボンベ２２２．２３２にはＮＯガス、ガスボ
ンベ２２３．　２３３にはＢ２Ｈ８ガス、ガスボンベ２
２４．　２３４にはＰＨｓガス、ガスボンベ２２５．　
２３５にはＳｉＦ＜　ガスが夫々密封されている。ガス
ボンベ２１７〜２２５　、２２７〜２３５には夫々パル
プ２１７ａ〜２２５ａ　、　　２２７ａ〜２３５ａが設
けられており、ガス圧力レギュレタ−２１７ｂ〜２２５
ｂ　、　２２７ｂ　〜２３５ｂ　１流入バルブ２１７　
ｃ　〜２２５ｃ。

２２７ｃ〜２３５ｃ、マスフロコントローラー２１７ｄ
〜２２５ｄ　、　２２７ｄ　〜２３５ｄ　、及び流出パ
ルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　２２７ｅ〜２３５ｅを介
して夫々原料ガス供給管２１５．　２１６に原料ガスを
供給するようにされている。

昼周波屯源２０５．マスフローコントローラー２１７ｄ
〜２２５ｄ、　　２２７ｄ〜２３５ｄ　、ガス流入パル
プ２１７ｅ　〜２２５ｅ　、　　２２７ｅ　〜２３５ｅ
　、電磁弁２１３．２１４、排気バルブ２０９．　２１
０はマイクロコンピュータ−（不図示）に接続され、ガ
ス流量、ガスの流入の制御、反応室内のガスの排気、及
びＲＦ電界の印加は、マイクロコンピュータ−に入力さ
れている所定のプログラムで制御できるようになってい
る。

かくなる構成の不発明のプラズマＣＶＤ装置の操作につ
いて、その概略を以下に記載する。

ガスポ／ぺ２１７〜２２５．　２２７〜２３５のパルプ
２１７ａ〜２２５ａ　、　　２２７ａ〜２３５ａが閉じ
、さらに流入パルプ２１７ｃ〜２２５ｃ　、　　２２７
ｃ〜２３５ｃ及び流出パルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　
　２２７ｅ〜２３５ｅが開き、排気パルプ２１０を開い
て反応室及び％原料ガス供給用配管内をターボ分子ポン
プ２１２により真空排気し、真空度が約５Ｘ１０ｔｏｒ
ｒＫなった時点で流出パルプ２１７８〜２２５ｅ　、　
　２２７ｅ〜２３５ｅを閉じる。

次にドラム２０１　％−加熱ヒーター２０３で５０〜４
００℃の所定温度になる１で加熱する。

続いて、ガスボンベ２１７．　２２７よりＳ　ｉ　Ｈ４
ガス、同２１８．　２２７よりＨ２ガス、同２１９．　
２２９よりＣＨ４ガス、同２２０．　２３０よりＧｅＨ
４ガス、同２２１、　２３１よりＮ２ガス、同２２２．
　２３２よりＮ。

ガス、ｉｍｌ　２２３　、　２３３よりＨ２ガスで３０
００ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ１ｌガス（以下ｒＢ２Ｈ
６／Ｈｚガス」と表記する。）、同２２４．　２３４よ
り、Ｈ２ガスで３０００ｐｐｍに希釈されたＰＨ３ガス
（以下ｒ　ＰＨ３／Ｈ２ガス」と表記する。）、同２２
５．　２３５よりＳ　ｉ　Ｆ　４ガスを、各々バルブ２
１７ａ〜２２５ａ　、　２２７ａ〜２３５ａを開き、圧
力レギュレータ２１７ｂ〜２２５ｂ　、　２２７ｂ〜２
３５ｂ　　により２〜に調整した後、流入パルプ２１７
ｃ〜２２５ｃ　、　　２２７ｃ〜２３５ｃを除々に開い
てマスフローコントローラー２１７ｄ〜２２５ｄ、　　
２２７ｄ〜２３５ｄ　　内に夫々流入させる。引きつづ
き、膜の形成に必要な原料ガスの流出パルプを徐々に開
けて、ドラム２０１とカソード電極２０４の間に形成さ
れた領域に、原料ガス導入管２１５．　２１６より流入
させる。このとき、各領域における原料ガスの流量が所
定の値になるようにマスフロ−コントローラー２１７ｄ
〜２２５ｄ、　　２２７ｄ〜２３５ｄを設定する。真空
計２１１の値が所望の値になるヨウ排気バルブ２０９の
開口をマイクロコンピュータ−からの出力により調整す
る。そして、ドラム２０１の温健が所定の温度に設定さ
れていることを確認し、ドラムを回転させた後、高周波
電源２０５によりカソード電極２０４に高周波電力を供
給し、ドラム２０１とカソード電極２０４との間にグロ
ー放電を生起せしめ、プラズマ状態を形成する。

ヒーター２０３により５０〜４００°Ｃの所定の温度に
加熱されたドラム２０１の弐面専入ガスの種類及び流量
をマイクロコンピュータ−によυ制御しながら、原料ガ
スを反応室内に流入する。

圧力調整を行ないつつ、所定の時間ＲＦｍ界を印加し、
電界を切る。ガスの排気を異なる組成のガスで行なうこ
とにより、ドラム表面にＡ層とＢ層とが交互に積層され
る。

Ａ層及びＢ層の層厚は、各単層の成膜時間、流入ガスの
流量、あるいはＲＦＩＩｔ源パワー全パワーることによ
り、所望の値のものが祷られる。

ドラム表面に形成された超薄膜構造の膜厚が所定の値に
なったところで高周波電源を止めて放′電を中止し、流
出パルプ２１７ｅ〜２２５ｅ　、　２２７ｅ〜２３５ｅ
を閉じる。

以上の操作により超薄膜積層構造層の形成を行なうが、
超薄膜積層構造層以外の層を形成するには、電源のオン
オフ、ガスの流入・排出をくりかえさず、同じ混合比の
混合ガスを必要な流量だけ流入して所定の時間ＲＦ電界
を印加し、上述と同様の操作を行なえばよい。この際、
夫々の層を形成する際に必要な原料ガスの流出バルブ以
外の流出パルプを全て閉じることはいうまでもなく、ま
た、夫々の層を形成する際、前層の形成に使用した原料
ガスが反応室内、及び流出パルプから反応室内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出パルプを
閉じて、排気パルプ２０９．　２１０を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう。

第２（Ａ）図の堆積膜形成装置を用いて、超薄膜積層構
造を気体状原料ガスと該気体状原料ガスを酸化する気体
状ハロゲン系酸化剤との酸化反応によって形成するには
、気体状原料ガスとハロゲン系酸化剤とを別々のガス導
入管で堆積室２０４へ導入し、堆積室内で１硬化反応さ
せる。その場合気体状原料ガスの流量をマイクロコンピ
ュータ−により制御して構成原子比の異なる超′＃膜を
所望の回数堆積させ、超薄膜積層構造を得る。

この徊合気体状原料ガスとしては、水素化ケイ素化合物
、水素化ゲルマニウム化合物、水素化スズ化合物、水素
化炭素化合物等が使用できる。

ハロゲン系酸化剤としてはＦ２１　（Ｊｈ＋　　Ｂｒ２
＋ＦＣ−ｅ等のハロゲンガスが使用できる。

気体状原料ガスに酸素官有化合物、■、ｖ族化合物等を
添加しても良い。

〔実施例〕

以下、実施例１〜１５により本発明についてより詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。

実施例１第２図に示した製造装置を用いて、シリンダー状Ｍ基体
表面に、第１表に示す層形成条件で層形成を行ない、第
１ａ３）図に示す層構成の電子写真用光受容部材を得た
。

成膜操作にあって、第４層の初めの９周期においては、
Ａ、Ｂの各層を３久よりそれぞれ１．５人ずつ周期をく
り返すにしたがい増加させ、最終的に３０人の周期にし
た。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
■５．ＯＫＶで０．３秒間コロナ帯電を行ない、直ちに
光像を照射した。光像の照射はタングステンランプ光源
を用い、０．７−ｇｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテス
トチャートを通して行なった。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤で該光受容部材表面をカ
スケード現像することにより、該光受容部材表面上に良
好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■５．　
ＯＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写したところ、解像
力に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が
得られた。

また、残留電位は、周期の補正を行なうことなく作成し
た光受容部材に比べ１０％程度の減少がみられた。

実施例２層形成条件を第２表に示す条件とした以外はすべて実施
例１と同様にして、第１ＣＡ）図に示す層構成の電子写
真用光受゛谷部材を得た。

なお成膜操作における第３層の初めの１０周期において
Ｂ層のＣＨ４の量はゼロから出発して６０　ＳＣＣＭす
つ周期を條り返すにしたがい増加させ、最終的に６０Ｏ
Ａになるようにした。

得られた光受容部材を用いて、実施例１と同様の方法で
コロナ帯電、タングステンランプによる光像照射、現像
、転写を行なったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良好な、鮮明な高濃匿の画像が得られた。

第３層の初めの１０周期でＢ層の構成原子の調整を行な
わないで作成した電子写真用光受容゛　部材に比べ残留
区位が２０％減少していた。

実施例３〜６第４層形成時の層形成条件を第３表に示す条件とした以
外はすべて実施例１と同様にして、電子写真用光受容部
材を得た。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調再
現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第４Ｎ１形成時の周期補正をしなかった光受容部
材に比べ残留電位は大きく低下してい実施例７〜９第２層形成時の層形成条件を第４表に示す条件とした以
外はすべて実施例１と同様にして、電子写真用光受容部
材を得た。

また、第４層形成開始時に周期補正を行わなかった光受
容部材に比べ、残留電位は大きく低実施例１Ｏ〜１２第１層形成時の層形成条件を第５表に示す条件とした以
外はすべて実施例２と同様にして、電子写真用光受容部
材を得た。

得られた夫々の光受容部材を用いて、実施例１と同様に
して、１ωｊ像形成を行なった（但し、実施例１０にお
いては、帯電をｅ帯電とし、■・荷電性の現像剤を用い
て現像し、ｅ帯電により転写した。）ところ、解像力に
優れ、階調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得ら
れた。

また、第３層の初めの１０周期でＢ層の構成原子の調整
を行わないで作成した電子写真用光受容部材に比べ残留
電位Ｖ′ｉ著しく低下していた。

実施例１３層形成条件を第６表に示す条件とし、更に第３層の終り
の１０周期の形成時、Ａ層のＳｉＨ４の量及びＢ層のＣ
Ｈ４の量を変化させて、５ｉ（Ａ成分）およびＣ（Ｂ成
分）が第４図に示す如くに変化するようにした以外はす
べて実施例１と同様にして第１（４）図に示すｔ子与真
用光受容部材を得た。

得られた光受容部材を用いて、実施％Ｊ　１と同様にし
て画像形成を行なったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第３層形成時における構成原子の調整を行わない
で作成した光受容部材に比べ残留電位は著しく低下して
いた。

実施例１４第２ＣＡ）図に示す装置の原料ガス供給管２１５及び２
１６とガス制御バルブ２１３及び２１４との間にそれぞ
れ石英の反応管をとりつけ、その外側にマイクロ波が印
加できるように４彼管をとりつけた。導波管には２．４
５ＧＨｚのマイクロ波電源がとりつけられ、石英の反応
管にマイクロ波電界が印加され、石英の反応管中にガス
を流すことによりプラズマが発生され、プラズマで発生
されたラジカルが反応室内に導入されてドラムシリンダ
ー上に成膜が行われる。このときＲＦ’に源２０５はと
りはられれている。

また原料ガス供給管２１５．　２１６の構】青は、ラジ
カルの供給に適した構造になおした。また原料ガス供給
管２１５．　２１６の配置は２つのガス供給管２１５．
　２１６より吹き出したラジカルが、ドラムシリンダー
上であわさるような配置においた。

上記のように改造した装置を用い第７表の条件で電子写
真用光受容部材を作な−した。

第３層の初めの１０周期においては、超薄膜構造の各周
期が４人から４λずつ増えていくように成膜時間を調整
し、またＢ層のＣ２Ｆ６を３ＳＣＣＭに始まってａＳＣ
ＣＭずつ増えるように流量を調整した。

得られた電子写真用光受容部材を用いて、実施例１と同
様にして画壇形成を行なったところ、解像力に優れ、階
調再現性の良好な、鮮明な高濃度の画像が得られた。

また、第３層の初めの１０周期での周期補正及び構成原
子補正を行わなくして得た光受容部材と比較したところ
、残′ｔＩＩ亀位は５０％も減少していた。

実施例１５第２（４）図に示す装置のドラムシリンダ２０１の上側
にＡ＆Ｏｓの窓をとりつけ、その窓の上に円形の導波管
をとりつけた。円形の導波管には２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波電源がとりつけられ、反応室内にマイクロ波の電
界が印加され、ガスを流すことによりブ２ズマが発生さ
れる。もちろんこのときＲＦ電源２０５はとりはられれ
ている。

第８表の条件で電子写真用光受容部材を得た。

このとき第３　Ｊｆｆｉの初め１０周期において、Ｂ層
においてＣＨ４の流値を初め４　ＳＣＣＭより１周期ご
とに４　ＳＣＣＭずつ増加はせ、超格子構造膜を作成し
た。

得られた光受容部材を、帯電露光実験装置に設置して、
■５．ＯＫＶで０．３秒間コロナ帯電を行ない、直ちに
光像を照射した。光像の照射はタングステンランプ光源
を用い、０．７−ｅｕｘ・ｓｅｃの光量を透過型のテス
トチャートを通して行なった。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤で該光受容部材表面をカ
スケード現像することにより、該光受容部材表面上に良
好なトナー画像を得た。次いで該トナー画像を■５．Ｏ
Ｋ￥のコロナ帯電で転写紙上に転写したところ、いずれ
も、解像力に優れ、階調再現性の良好な、鮮明な鍋濃度
の画像が得られた。

また、第３層の初めの１０周期でのＢ層の構成原子の調
整を行わないで作成した電子写真用光受容部材と比較し
たところ、残留α位は１５％減少した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成の典型的１例を
模式的Ｙこ示した図である。第２図は、本発明の光受容
部材全製造するための装置の典型的実施例を模式的に示
す図であり、回国は横断面略図、（Ｂ）図は縦断面略図
である。第３図は超薄膜積層構造層におけるエネルギー
バンドの模式的説明図である。第４図は、超薄、膜積層
構造層の構成元素の分布の説明図である。第５図は感光
層のエネルギーの模式的説明図である。第１図について、１０１・・・支持体、１０２・・・電荷注入阻止層、１
０３・・・感光１−１１０４・・・表面１峠、１０５・
・・長波長吸収層を兼ねた電荷注入阻止層、１０６・・
・長波長吸収層第２図について、２０１・・・ドラム、２０２・・・回転機構、２０３・
・・加熱用ヒーター、２０４・・・カソード電極、２０
５・・・高周波電源、２０６．　２０７・・・碍子、２
０８．　２１２・・・排気装置、２０９．　２１０・・
・排気パルプ、２１１・・・真空計、２１３、　２１４
・・・パルプ、２１５．　２１６・・・原料ガス供給管
、２１７〜２２５．　２２７〜２３５・・・原料ガスボ
ンベ、２１７ａに２２５ａ　、　　２２７ａ〜２３５ａ
・・・パルプ、２１７ｂ〜２２５ｂ、　　２２７ｂ〜２
３５ｂ・・・ガス圧カレギュレター、２１７ｃ〜２２５
ｃ　、　　２２７ｃ〜２３５ｃ・・・流入パルプ、２１
７ｄ〜２２５ｄ、　　２２７ｄ〜２３５ｄ・・・マス７
０コントローラー、２１７ｅ　〜２２５ｅ　、　　２２
７ｅ　〜２３５ｅ・・・流出パルプ、２３６．　２３７
・・・排気口。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
料で構成される感光層と、シリコン原子と酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種と
を含有する非晶質材料で構成される表面層とをこの順に
少なくとも有する光受容部材であって、前記表面層が、
構成原子または構成原子比の異なる二種の超薄膜を複数
回交互に積層させた層領域（Ａ）と、単一の薄膜からな
る層領域（Ｂ）を有していて、層領域（Ａ）と層領域（
Ｂ）の界面近傍で、前記超薄膜の層厚が前記界面近傍以
外の層領域（Ａ）を構成する前記超薄膜の層厚より薄い
ことを特徴とする超薄膜積層構造を有する光受容部材。
（２）前記の界面近傍の層領域（Ａ）を構成する超薄膜
の層厚が、前記層領域（Ｂ）に向って次第に薄くなるよ
うに形成されたものである、特許請求の範囲第（１）項
に記載された光受容部材。
（３）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
料で構成される感光層と、シリコン原子と酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種と
を含有する非晶質材料で構成される表面層とをこの順に
少なくとも有する光受容部材であって、前記表面層が少
なくとも一種の構成原子または構成原子比の異なる二種
の超薄膜を複数回交互に積層させた層領域（Ａ）と、単
一の薄膜からなる層領域（Ｂ）を有していて、層領域（
Ａ）と層領域（Ｂ）の界面近傍で、前記二種の超薄膜の
平均の層構成比が、前記の界面近傍以外の層領域（Ａ）
の前記二種の超薄膜の平均原子構成比と層領域（Ｂ）の
構成原子比の中間の値であることを特徴とする超薄膜積
層構造を有する光受容部材。
（４）前記の界面近傍で、前記層領域（Ａ）の二種の超
薄膜の平均の構成原子比が層領域（Ａ）から層領域（Ｂ
）に向って層領域（Ｂ）の構成原子比に次第に近づくよ
うに変化している、特許請求の範囲第（３）項に記載さ
れた光受容部材。