JPS6083949A

JPS6083949A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS6083949A
Application number: JP58189596A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Yukihiko Onuki; 大貫　幸彦; Shigeru Ono; 茂大野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-10-11
Filing date: 1983-10-11
Publication date: 1985-05-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）’３が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電側斜に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

しかし乍ら、従来のａ−３ｔ　で構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環
境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合的
な特性向上を図る必要があるという、更に改良される可
き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる。或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−３ｌは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロダンラングや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸収
されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支持体
自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が高い
場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉が起
って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射スポットを小さく
する程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場合
には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該府中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よυの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よシ取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８１材料そのものの特性改良が計られる一方
で、光導電郵相を設計する際に、上記した様な間′題の
総てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、８−８１に
就で電子写真用像形成部材や同体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（均又はハロダン原子（
３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス
側斜、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化ア
モルファスシリコン、或いはハロダン含有水素化アモル
フｌスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ　ａ
−８ｔ（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成される装置
電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構成を、以
後に説明される様に特定化して設計されて作成された光
導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかシでなく
、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において
凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部拐として
著しく優れた特性を有していること、及び長波長側に於
ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点
に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に開側を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好す電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ｒル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領
域（Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され
光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持′体側
より順に設けられた層構成の第一の層と、シリコン原子
と窒素原子を含む非晶質側斜で構成された第二の層とで
構成された光受容層とを有し、前記第１の層領域中（Ｇ
）に伝導性を支配する物質が含有され、前記第一の層に
は炭素原子が含有されていることを特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部羽は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
朋が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電的特性として
の支持体１０１の上に、第一の１１）１０２と第二のＪ
］Ｉｆ）　１０３とを有し、該第二０層（ＩＩ）　１０
３は自由表面１０６を一方の端面に有している０第一の
層（１）　１０２は、支持体１０１側よりケ゛ルマニウ
ム原子と、必要に応じて、シリコン原子、水素原子、ハ
ロダン原子（３）の中の少なくとも１つを含有する非晶
質材料（以後ｒ　ａ　−Ｇｅ（Ｓ＋　＋Ｈ＋Ｘ）　Ｊと
略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）　１０４と
、ａ−８ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性を有する第２
の層領域（Ｓ）１０５とが順に積層された層構造を有す
る。

第１の層領域（Ｇ）　１０４中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０４の層厚方向及
び支持体１０１の表面と平行な面内方向に連続的で均一
に分布した状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）　１
０４中に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）　１０４に伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有されておシ、第１の層領域（Ｇ）　１０４に所
望の伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）　１０４に含有
される伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層領域
（Ｇ）　１０４の全層領域に刃側なく均一に含有されて
も良く、或いは、第１の層領域（Ｇ）　１０４の一部の
層領域に偏在する様に含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層領
域（Ｇ）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ　）は、第１の層領域（Ｇ）の端
部層領域として設けられるのが望ましいものである。殊
に、第１の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域として
前記層領域（ＰＮ　）が設けられる場合には、該層領域
（ＰＮ　）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びそ
の含有量を所望に応じて適宜選択することによって支持
体から第一の層（１）中への特定の極性の電荷の注入を
効果的に阻止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、第一の層（１）の一部を構成
する第１の層領域（Ｇ）中に、前記した様に該層領域（
Ｇ）の全域に刃側なく、或いは層厚方向に偏在する様に
含有させるものであるが、更には、第１の層領域（Ｇ）
上に設けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ
）を含有させても良いものである。

第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質（
Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、
第２の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類や
その含有量、及びその含有の仕方が適宜状められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有さ藺る場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質を
含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に刃側なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が
含有されている層領域とが、互いに接触する様に設ける
のが望ましい。又、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域
（Ｓ）とに含有される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域
（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種
類であっても良く、又、その含有量は各層領域に於いて
同じでも異っていても良い。

しかし乍ら、本発明に於いては、各層領域に含有される
前記物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、
第１の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は
、箪気的特性の異なる３類の物質（Ｃ）を、所望の各層
旬域に夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも第一の層（１）を構成す
る第１の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させることにより、該物質（Ｃ）の含有され
る層領域〔第１の層領域（Ｇ）の一部又は全部の層領域
のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制
御することが出来るものであるが、この様な物質として
は、所謂、半導体分野で云われる不純物を挙けることが
出来、本発明に於いては、形成される第一の層（１）を
構成するａ−Ｇｅ　（８１。

Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及
びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙けることが出来
る。具体的にはｐ型不純物としては、周期律表第■族に
層する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｚ
（アルミニウム）、Ｇａ（カリウム）、Ｉｎ（インジウ
ム）、Ｔｚ（クリウム）等があシ、殊に好適に用いられ
るのはＢ、Ｇａである。ｎｆｉ不純物としては、周期律
表第■族に属する原子（麺■族原子）、例えば、Ｐ（燐
）。

Ａｓ　（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、ａＳ（ビスマス
）等であシ、殊に、好適に用いられるのはＰ’、Ａｓで
ある。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ　）に於けるその含有量は、該層領
域（ＰＮ　）に要求される伝導特性、或いは該層領域（
ＰＮ　）が支持体に直に接触して設けられる場合には、
その支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ、）に直に接触して設けられる他
の層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量
が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ　）中に含有される伝導
特性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましく
は０１０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ、
より好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最適には１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｌｃ　
ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ｐＮ　）に於ける該物質（Ｃ）の含有量
を、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ
好適には５　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には
、１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって
、例えば、該含有させる物質が前記のｐ型不純物の場合
には、第二の層（Ｉｔ）の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に支持体側からの第一の層（１）中への電子
の注入を効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質が前記のｎ型不純物の場合には、第二の層（Ｉ
Ｉ）の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持
体側から第一の層（１）中への正孔の注入を効果的に阻
止するととが出来る０上記の様な場合には、前述したように、前記層領域（ｐ
Ｎ　）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ
　）に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導
型の極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物
質（Ｃ）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導
型を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（Ｐ
Ｎ　）に含有させる実際の量よシも一段と少ない量′に
して含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
　）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは０．
００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好適
には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　％最適
には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、第一の層（１）中に、一方の極性の
伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領
域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物
質を含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該
接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰り、例
えば、第一の層（１）中に、前記のｐ型不純物を含有す
る層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に
接触する様に設けて、所謂ｐ−ｎ接合を形成して空乏層
を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に第一０層（１）を形成す
ることによって、可視光領域を含む比較的短波長から比
較的短波長迄の全領域の波長の光に対して、光感度が優
れている光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（
Ｓ）との間に於ける親和性に優れ半導体レーザ等を使用
した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れ
ない長波長側の光を、第１の層領域（Ｇ）に於いて実質
的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射に
よる干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）にシリコン原子が含有される場合には、該第１の層領
域゛（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材
料の夫々がシリコン原子という共通の構成要素を有して
いるので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充
分成されている。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、好
ましくは１〜１０　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、よ
り好ましくは１００〜９．５　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ、最適には５００〜８　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので、形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必快がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ、は、〜
４０μ、最適には５０Ｘ〜３０μとされるのが望ましい
。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（Ｔ、＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と第一の層（１）層全体に要求される特゛性との
相互間の有機的関連性に基づいて、光導電部材の層設計
の際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（’ｒ、、　＋
Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、よ
シ好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるの
が望ましい。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはｉ　Ｔｎ／Ｔ≦０．９、最適に
はＴｉ＋／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ
Ｂ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢ
としては成可く薄くされるのが望喧しく、好ましくは３
０μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ
以下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（１）との間の密着性の
改良を図る目的の為に、第一の層（Ｉ）中には、炭素原
子が含有される。第一の層（１）中に含有される炭素原
子は、第一の層（Ｉ）の全層領域に刃側なく含有されて
も良いし、或いは、第一の層（１）の一部の層領域のみ
に含有させて偏在させても良又、炭素原子の分布状態は
分布濃度Ｃ（Ｃ）が、第一の層（１）の層厚方向に於い
ては、均一であっても不均一であっても良い。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）に設けられる炭素原子
の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向
上を主たる目的とする場合には、第一の層（１）の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と第一の層（りとの
間の密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には
、第一の層（１）の支持体側端部層領域（Ｅ）を占める
様に設けられる。

前者の場合、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に図る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
１）の第二の層（１）側に於いて比較的低濃度に分布さ
せるのか、或いは、第一の層（１）の第二の層（ＩＩ）
側の表層領域には、炭素原子を積極的には含有させない
様な炭素原子の分布状態を層領域（Ｃ）中に形成すれば
良い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
Ｃ）に含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｃ）自
体に要求される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支持体に
直に接触′して設けられる場合には、該支持体との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適
宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他のＪ層領域の特性や、該他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭
素原子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、好寸しくはｏ、ｏｏｉ〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、よシ好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍｉ
ｃ　％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）が第一のＷＩ（１）の全
域を占めるか、或いは、第一の層（１）の全域を占めな
くとも、層領域（Ｃ）の層厚Ｔｃの第一の層（１）の層
厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（Ｃ）に
含有される炭素原子の含有量の上限は、前記の値より充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｃ）の１８厚Ｔｃが第一の
層（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上と
なる様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原
子の量の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　
％以下、よシ好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが望まし
い。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は炭素原子の分布濃
度Ｃ（Ｃ）を、縦軸は、層領域（Ｃ）の層厚を示し、Ｉ
Ｂは支持体側の層領域（Ｃ）の端面の位置を、１１は支
持体側とは反対側の層領域（Ｃ）の端面の位置を示す。

即ち、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）はｔＢ側よシ
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）が形成される表面と該層領域（Ｃ）の表面とが接
する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、炭素原子の分
布′濃度Ｃ（Ｃ）がＣ１なる一定の値を取シ乍ら炭素原
子が形成される層領域（Ｃ）に含有され、位置ｔ１よシ
は濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に
減少されている。界面位置ｔＴにおいては炭素原子の分
布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有゛される炭素原子
の分布濃度Ｃ（Ｃ）は位置ｔＢよ多位置ｔ７に到るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔｓ　Ｊニジ位置ｔ２までは炭
素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ６と一定値とされ、
位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減
少さｉｌｌ、位置ｔ７において、分布濃度Ｃ（Ｃ）は実
質的に零とれている（ここで実質的に零とは検出限界量
未満の場合である）。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は位ｔ
ｔｔｎｊ：り位置ｔＴに到るまで、濃度ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位ｆｆ１ｔＴにおいて実質的に零と
されている。

第６図に示す例においては、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と一
定値であシ、位置ｔ７においては濃度ＣＩＯされる。位
置ｔ３と位置ｔ−ｒとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位１にｔ’ｔ７に至るまで減少さ凡て
いる。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃ（Ｃ）は位
置ｔｎ　、１ニジ位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を
取シ、位置ｔ４よ多位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２よシ誤度
−３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
る寸で、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度ＣＩ４より
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢよ多位置ｔ５に至るまでは
炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は、濃度Ｃ１６より濃度Ｃ
ｚｓ’にで一次関数的に減少され、位ｉｔｓと位置ｔ７
との間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が示
されている。

第１０図に示される例においては、炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｃ）は位置ｔｎにおいて濃度Ｃ１７であシ、位置ｔ
６に至るまではこの濃度Ｃ１７よシ初めはゆりく）と減
少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて
位置ｔ６では濃度−８とされる。位置ｔ６と位置ｔ７と
の間においては、初め急激に減少されて、その後は、緩
かに徐々に減少されて位置ｔ７で濃度Ｃ１９となり、位
置を丁と位置１．との間では、極めてゆっ〈シと徐々に
減少されて位置１Ｂにおいて、濃度ＣＨに至たる。位置
ｔ８と位置１１の間においては、濃度Ｃ２０よシ実質的
に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減少さ
れている。

以上、第２図乃至第１０図にょ）、層領域（Ｃ）中に含
有される炭素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の高い部分を有し、界
面ｔＴ側においては、前記分布布濃度Ｃ（Ｃ）は支持体
側に較べて可成り低くされた部分を有する炭素原子の分
布状態が層領域（Ｃ）に設けられている。

本発明において、第一の層（１）を（１４成する炭素原
子の含有される層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側
の方に炭素原子が比較的高濃度で含有されている局在領
域（Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、
この場合には、支持体と第一の層（１）との間の密着性
をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌｔ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の／ｌ）に要求される特
性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として、炭素原子の分布濃度（Ｃ）の最大
値Ｃｍａｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐ
ｍ以上、より好蒲には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となυ得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（１Ｂから５
μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｍａｘが
存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（Ｉ）中に含有
されるハロダン原子（３）としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙けられ、殊にフッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−Ｇｅ　（ｓｉ　＋１（＋Ｘ）で構
成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、ａ−Ｇｅ　（８
ｋ　＋ｔＬＸ　）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形
成するには、例えばゲルマニウム原子（Ｇｏ）を供給し
得るＧｏ供給用の原料ガスと、必衰に応じて、シリコン
原子（Ｓｔ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと水素
原子（Ｉ（）導入用の原料ガス又は／及びハロダン原子
（３）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上にａ−Ｇｅ（８１，■、Ｘ　）からなる層
を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する
場合には、例えばＡｒ　ｌ　）Ｉｅ　等の不活性ガス又
はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で８
１で構成されたターゲット、或いは、該ターゲットとＧ
ｏで構成されたターゲットの二枚を使用して、又は、Ｓ
ｌとＧｅの混合されたターゲットを使用して、必俄に応
じてＨｅ　、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｏ供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（員又は／及
びハロダン原子（３）導入用のガスをスパッタリング用
の塩Ｓ室に導入し、所望のガスのグ２ズマ雰囲気を形成
すると共に、前記Ｇｏ供給用の原料ガスのガス流量を所
望の変化率曲紳に従って制御し乍ら、前記のターグット
をスパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ダルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（Ｅ　Ｂ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが
出来る。

本発明において使用されるＳｌ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉ２１（６。

５１３ＨＢ　、５ｉ４ＨＨ）等のガス状態の又はガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙けられ、殊に、層作成作粟時の取扱い易さ、Ｓ
１供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、５１２Ｈ６が好ま
しいものとして挙けられる。

Ｇｅ供給用の原を１ガスと成シ得る物質としては、Ｇｅ
Ｈ４＋　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５ＫＢ　、Ｇｅ４Ｈ１ｏ　、
Ｇｅ５Ｊ２　。

Ｇｅ６Ｈ４４、Ｇｅ７Ｈ１６，ＧｅＢＨｌＢ　＊　Ｇ（
１９ＩＩ２０　切のガス状態の又はガス化し得る水素化
ケ゛ルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等の点で、ＧｅＨ４ｒ　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈａが好
ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原ｙＰ
４ガスとして有効なのは、シ＜のハロゲン化合物が挙げ
られ、例えばハロダンガス、ハロダン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

又、更には、シリコン原子とハロダン原子とを構成云素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用しく４）るハロダン化合物と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロ）ｆ　ンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　
ＣｌＦ５　。

ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　、　ＩＦ３　＊　ＩＦ７　、
　’ＩＯＡ　、　ＩＢｒ　＠のハロゲン間化合物を挙げ
ることが出来る。

ハロゲン原“子を含む硅素化合物、所謂、ハロダン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ＳＦ４　ｒ　Ｓｉ２Ｆ６　＃　５ｉＣ１４，ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ　−８ＩＧｅ
がら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｌ供給
用の原料ガスとなるハロダン化硅素と、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムと、Ａｒ。

Ｈ２＋　Ｈｅ等のガス等を、所定の混合比とガス流量に
なる様にして第１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導
入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰
囲気を形成することによって、Ｉツ「望の支持体上に第
１の層領域（Ｇ）を形成しイ４↓るものであるが、水素
原子の導入割合の制御を−Ｊ−容易になる様に計る為に
これ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化
合物のガスも所望邦混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独様のみでなく所定の混合比で検数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンシレーティング法の何れの場
合にも、形成される層中にハロダン原子を導入するには
、前記のハロダン化合物又は前記のハロダン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いはＭｉ］記したシラン類又
は／及び水素化ダルマニウム等のガス類をスノやツタリ
ング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気
を形成してやれば良い。

本発明においては、ノ・ロケ゛ン原子導入用の原料ガス
として上記されたノ・ログン化合物或いはノ・ログンを
含む硅素化合物が有効なものとして使用されるものであ
るが、その他に、ＨＦ　、　ＨＣＩ　、　ＨＢｒ。

ＨＩ　、等のハロダン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、５ＩＨ
２Ｉ２　。

５ｉＨ２Ｃｔ２　ｒ　５ｉＨＣｔ３　、５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ＩＨＢｒ５等のノ１０ダ、置換水素化硅素、及び
ＧｅＨＦ３　、　Ｇｅ１２Ｈ６。

ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨ２ＣＡ２　
、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨ２ＣＡ２　、　ＧｅＨＢｒ３ウムＧｅＨ工５　、
　Ｇｅ１２Ｈ６、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ノ・ロダン化ケ
゛ルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとする・
・ログン化物、ＧｅＦ４　ｒＧｅＣＬ４　＋　ＧｅＢｒ
４　、　ＧｅＩ４　＋　ＧｅＦ２　＋　ＧａＣｌ２　、
　ＧｅＢｒ２＋ＧｅＩ２等のハロダン化ゲルマニウム、
等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１
の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の物質の中水素原子を含むノ・ログン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にノ・ログン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
ノ・ログン導入用の原料とじて使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他に１（２、或いはＳｉＨ４、５ｉ２Ｈ６゜
５ｉ５ＨＱ・Ｓ　ｉ　４Ｈ１，等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のダルマニウム又はダルマニウム化合物と、
或いは、Ｇｅｔ（４＊　Ｇｅ１２Ｈ６＋　Ｇｅ５Ｈｓ　
、　ＧＩＩ４Ｈ１０＋”５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、’Ｇ
ｅ７Ｉ（１６１Ｇ６８Ｂ＋８　ｒ　Ｇｅ９Ｈ２０叫の水
素化ゲルマニウムと８１を供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部拐の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（）００開
、又は・・ログン原子（３）の量、又は水素原子と７・
ログン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１
−４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０
　ａｔｏｍｉｃチ、最適には（１，１〜’ｌ　５　ａｔ
ｏｍｉｃ　％とされるのが望せしい。

中に含有される水素原子（９）又は／及びノ・ログン原
子（３）の量を制御するには、例えば支持体温度又は／
及び水素原子（ロ）、或いはノ・ログン原子（３）を含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入
する量、放電電力等を制御してやれば良い。

本発明に於−かて、ａ　−８１（Ｈ＋　Ｘ　）で４Δ成
される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第
１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中よシ、Ｇ
供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発・′物質
〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発物質（Ｕ）　）を使
用して、第１の層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方
法と条件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例えはグロー放
電法、スｉ！　ツタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空准積法によって成さ
れる。例えは、グロー放電法によって、ａ−８ｉ　（Ｉ
ｆ、Ｘ）で構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するに
は、基本的には前記したシリコン原子（ｓＢを供給し得
るＳｔ供給用の原料ガ゛スと共に、必要に応じて水素原
子０）導入用の又は／及びハロゲン原子００導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位薗に設置
されである所定の支持表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｌで構成されたターグットをス・セッタリングする際
、水素原子（）Ｉ）又は／及びノ・ログン原子（３）導
入用のガスをスノ＋　ツタリング用の堆積室に導入して
おけば良い。

第一の層（１）を構成する層領域（ＰＮ　）中に、伝導
特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは
第■族原子を構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有さ
れた層領域（ＰＮ　）を形成するには、層形成の際に、
第ＤＩ族原子導入用の出発物質或いは第■族原子導入用
の出発物質をガス状態で堆８ｉ室中に第一の／ｌ）を形
成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望捷しい
。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的に
は、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０＋
　Ｂ５Ｈ９１Ｂ５ＨＬ＋　＋　８６ＨｊＯｔ　Ｂ６Ｈ１
２１Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ５　、　ＢＣｔ５
　、　ＢＢｒ３等のハロダシ化硼素等が挙けられる。コ
ノ化、ＡｌＣｌ３．　ＧａＣｌ３　、　Ｇａ（ＣＨ３）
５ＩｎＣ４５＊　ＴｉＣｌ２等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３　。

ＰＦ５　、　ＰＧＡ１　、　ＰＣｌ３　、　ＰＢｒ３　
、　ＰＢｒ３　、　ＰＨ５等のハロダン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５゜ＡｓＣｌ３．　Ａｓ
Ｂｒ３　、　ＡｓＦ５　、　ＳｂＨ３、ＳｂＦ５　、　
ＳｂＦ５　。

５ｂＣＬ５　、５ｂＣ７５、ＢｉＨ３，Ｂ１Ｃ２３、Ｂ
ＩＢｒ３等も第■族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙けることが出来る。

本発明に於いて、第一の層（１）に炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層（１）の形成の
際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第一の層（１
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（１）形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに、炭素原子導入用の出
発物質が加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物
質としては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（ロ）又は及びハロダン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とす
る原料ガスと、炭素伸子（Ｃ）及び水素原子（Ｉ（）を
（１゛η成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混
合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）ｌ炭素
原子（Ｃ）及び水素原子（６）の３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｉ−］
）とを構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素叫が挙けら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、エタｙ　（Ｃ２Ｈ６）　ｌプロパン（Ｃ５ＨＢ）　
、　ｎ　−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）　、−２ンタン（
Ｃ５Ｈ１２）　、エチレン系炭化水素としては、エチレ
ン（Ｃ２”４）１ノロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１
（Ｃ４Ｈ８）　＋　フチｙ−２（Ｃ４Ｈ８）１インブチ
レン（Ｃ４Ｈ８）　＋ペンテン（ＣｓＨｌｏ）、アセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　＋
メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）　＋ブテン（Ｃ４Ｈ６）
等が挙げられる。

これ晴の他にＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、５ｔ（ＣＨ５）４　、　Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等
のケイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更
に酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る
。酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入
用の原料ガスとしては、例えば、酸素（０２）　、オゾ
ン（Ｏｘ）　、−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒素（Ｎ２０）　、
三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）　＋四三酸化窒素（Ｎ２０４
）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）　＋三酸化窒素（ＮＯｓ
）　、シリコン原子（Ｓｔ）と酸素原子（０）と水素原
子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（
Ｈ３Ｓ　ＩＱｓ　ｉＨ３）　。

トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＪ）等の低
級シロキサン等を挙げることが出来る。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする、或いはＮとＨとを
構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）＋アンモニア（ＮＦ
２　）　＋ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水素
（ｍｑ５　）　＋アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、　）
等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化
物等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒
素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ５Ｎ　）　ｒ
　四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロダン化窒素化合物を
挙げることが出来る・スパッタリング法によって、炭素原子を含有する層領域
（Ｃ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエー
ハー又はＣウェーハー又はＳｉとＣが混合されて含有さ
れているウェーッ・−をターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
えば良い０例エバ、Ｓｌウェーハーをターゲットとして
使用すれば、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロダン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じ
て稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い〇又、別には、ＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、ス・千ツター用のガスとしての稀釈ガスの雰
囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって成される。炭素原子
導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で
示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、ス
パッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る
〇本発明に於いて、第一の層（Ｉ）の形成の際に１炭素
原子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域
（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚
方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐ
ｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域１ンを形成す
るには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）を変
化させるべき炭素原子導入用の出発物質のガスを、その
ガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら
、堆積室内に導入することによって成される。

例えば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられ
ている何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けら
れた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作
を行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必
要はなく例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場合
、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向で
変化させてＡ炭素原子の層厚方向の所望の分布状、ｄ　
（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成するには、第
一には、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを例えばＳｔ
とＣとの混合されたターゲットを使用するのであれば、
ＳｉとＣとの混合比をターゲットの層厚方向に於いて、
予め変化させておくことによって成される。

本発明に於いて、形成される第一の層（Ｉ）を構成する
第二の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％　、よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
ｃＪ、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（１）１０２上に形成される第二の層（ＩＤ１０３は自
由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性
、電気的耐圧性、使用環境特性。

耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる
。

又、本発明に於いては、第一の層（１）１０２と第二の
層（ＩＩ）１０３とを構成する非晶質材料の各々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので、積層
界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている
。

本発明に於ける第二の層（Ｉ［）は、シリコン原子（Ｓ
ｔ）と窒素原子（Ｎ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後、ｒ　ａ−（Ｓ　ｉ　ＸＮ１−Ｘ）ｙ（Ｈ＋　Ｘ）　
１−　ｙ　’と記す。但し、Ｏ＜Ｘ　ｔ　ｙ＜１　）で
構成される。

ａ−（８１ｘＮ１−ｘ）、（Ｈ，Ｘ）１−、で構成され
る第二の層（ＩＩ　）　（Ｄ　形成ハ？ロー放電法、ス
・ぐツタリング法。

エレクトロンビーム法等によって成される。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
１作製される光導電部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有す
る光導電部材を製造するための作製条件の制御が比較的
容易である、シリコン原子と共に窒素原子及びハロダン
原子を、作製する第二の層（Ｉｔ）中に導入するのが容
易に行える等の利点からグロー放電法或はス、４１　ツ
タ−リング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（１）を形
成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（ＩＩ）を形成するには
ａ　（Ｓ　ｉ　ＸＮ１　＋　ｘ）ｙ　（Ｈ＋　Ｘ）　１
−　ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所
定量の混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆
積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起さ
せることでガスグラズマ化して、前記支持体上に既に形
成されである第一の層（１）上にａ−（ｓｔＸＮｌ−ｘ）、（ｕ、ｘ）、−ｙを堆積させ
れば良い０本発明に於いて、ａ　−（８４ＸＮ１−Ｘ）
ｙ（Ｉ（、Ｘ）４．形成用の原料ガスとしては、シリコ
ン原子（”’）＋窒素原子（Ｎ）、水素原子（Ｈ）　＋
　”ロケ゛ン原子（３）の中の少なくとも一つを構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用され得る。

ｓｉ、Ｎ、Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばｓｊを構成原子と
する原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料が、スと、必
′要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｎ
及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＮ及びＸを
構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比
で混合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガス
と、８１、Ｎ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又
は、Ｓｉ　、　Ｎ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｔとＨとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＮを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層（［）中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Ｃ１゜Ｂｒ、Ｉであ
り、殊にＦ　、　Ｃ１が望ましいものである。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）を形成するのに有効
に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常
圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

第二の層（Ｉｆ）を上記の非晶質材料で構成する場合の
層形成法としてはグロー放電法、スパッターリング法、
イオンインシランチージョン法、イオンブレーティング
法、エレクトロンビーム法等が挙げられる。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
１作製される光導電部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有す
る光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である、シリコン原子と共に窒素原子１必要に応じて
水素原子やハロダン原子を作製する第二の層（ｎ）中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法或
いはスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とス・ぐツタ−
リング法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）
を形成しても良い。

グロー放電法によって、ａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第二の層（■）を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びノ・ロダン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の第一の層（１）上にａ−８ＩＮ
（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層（ｎ）を形成させれば良い
。

又、スパッタリング法で第二の層（ｎ）を形成する場合
には、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｌで
構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（
Ｈ）導入用の又は／及びノ・ロダン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導
入してやれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとして５１３
Ｎ４で構成されたターゲットか、或いはＳｔで構成され
たターゲットと５１３Ｎ４で構成されたターゲットの二
枚か、又はＳｉと５１３Ｎ４とで構成されたターゲット
を使用することで形成される第二の層（Ｉｔ）中へ窒素
原子（Ｎ）を導入することが出来る。この際、前記の窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスを併せて使用すればその
流量を制御することで第二の層（ＩＩ）中に導入される
窒素原子（Ｎ）の量を任意に制御することが容易でちる
。

第二の層（Ｉｆ）中へ導入される窒素原子（Ｎ）の含有
量は、窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスが堆積室中へ導
入される際の流量を制御するか、又は窒素原子（Ｎ）導
入用のターゲット中に含有される窒素原子（Ｎ）の割合
を、該ターゲットを作成する際に調整するか、或いは、
この両者を行うことによって、所望に従って任意に制御
することが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、ＳｉＨ４，Ｓ１□Ｈ６，Ｓｔ、Ｈ８
゜５１４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に′、層作成作業の扱い易さ、ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして
挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二の層（Ｉｔ）中にＳ
ｉと共にＨも導入し得る。

Ｓ１供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては１
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（３）を含む硅
素化合物、所謂、ハロダン原子で置換されたシラン訪導
体、具体的には例えばＳｉＦ４，５ｔ２Ｆ６゜５ｉＣＡ
４．　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅累が好ましいものと
して挙げることが出来る。

更には、５ＩＨ２Ｆ２．５ＩＲ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃｔ２
，５ｉＨＣ６３゜５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いはガス
化し得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物も有効な第二の層（Ｉｔ）の形成の為のｓｉ供給用の
出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択により
て、形成される第二の層（１）中にＳｉと共にＸを導入
することが出来る。

上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン化硅素化
合物は、第二の層（Ｉ［）の形成の際に層中にハロゲン
原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子（ロ）も導入されるので、本
発明においては好適なハロダン原子（Ｘ）導入用の出発
物質として使用される。

本発明において第二の層（ＩＩ）を形成する際に使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に・例えば）フッ
素、塩素、臭累、ヨウ素のハロダンガス、ＢｒＦ　、　
ＣｔＦ　ＨＣｌＦ３＋　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３＋ＩＦ
３．　ＩＦ、　、　ＩＣ１、ＩＢｒ等のハｔｌｌグン間
化合物、ＨＦ　、　ＨＣ！　、　ＨＢｒ　、　ＨＩ等の
ハロゲン化水素を挙げることが出来る。

第二の層（ＩＩ）を形成する際に使用される窒素原子（
Ｎ）導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮと■（
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＵ３）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）。

アジ化水素（ＮＨ，）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４
Ｎ３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及び
アジ化物等の窒素化合物を挙げることが出来る。

この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ
３Ｎ　）　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のノ・ロダン化
窒素化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の層（Ｉｔ）をグロー放電法又は
スノソツターリング法で形成する際に使用される稀釈ガ
スとしては、所謂、希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、
　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（ｎ）は、その要求される特性
が所望通シに与えられるように注意深く形成される。

即ち、８１　、　Ｎ１必要に応じてＨ又は／及びＸを構
成原子とする物質は、その作成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取択電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（
ＳｉＸＮ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−。

が形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が
厳密に成される。例えば、第二の層（ＩＩ）を電気的耐
圧性の向上を主な目的として設けるにはａ−（ｓｔｘＮ
、−ｘ）ｙ（ａ、ｘ）１−ｙは使用環境に於いて電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＩＩ）が設けられる場合には、上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ
−（ＳｔｘＮｌ−ｘ）ｙ（ＨＩＸ）１−。

が作成される。

第一の層（１）の表面にａ−（Ｓ　ｉ　ｘＮ　１−ｘ）
ｙ（ＨＩＸ）１−ｙか′ｅ！Ａａ＆ス母包屡もｔ矢の表
面にシ傘渓−銭いい鴇ざＮ犠から成る第二の層ＣＩ＋）
を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する重要な因子であって、本発明
に於いては、目的とする特性を有するａ−（ｓｔＸＮ、
−Ｘ）ｙ（Ｈ＋ｘ）１−ｙが所望通シに作成され得る様
に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の眉（Ｉ［）の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、第二の層（１）の形成が実行されるが、好ま
しくは２０〜４００℃、よシ好適には５０〜３５０℃、
最適には１００〜３ＱＯ℃とされるのが望ましい。第二
の層（ｎ）の形成には、層を構成する原子の組成比の微
妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易で
ある事等のために、グロー放電法やスパッターＩＪ　７
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の
層（ｎ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電・ぐワーが作成されるａ−（Ｓ　Ｉ
　ＸＮ　１−Ｘ）ｙ　（Ｈ＋　Ｘ）　１−　ｙの特性を
左右する重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
−（ｓｉｘＮｌ−、）ｙ（ＨＩＸ）１−ｙが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件としては好ま
しくは１．０〜３００Ｗ、よシ好適には２．０〜２５０
Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるのが望ましいも
のである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒ。

よ）好適には、０．１〜Ｑ、５Ｔｏｒｒ程度とされるの
が望ましい。

本発明に於いては第二の層（ｎ）を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性の
ａ−（ＳｉｘＮ、−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−。

から成る第二の層（ｎ）が形成される様に、相互的有機
的関連性に基づい”Ｃ各層作成ファクターの最適値が決
められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる窒素原子の量は、第二の層（ＩＩ）の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二
の層（ＩＩ）が形成される重要な因子である。

本発明に於゛ける第二の層（ｎ）に含有される窒素原子
の量は、第二の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の種類
及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもの
でちる。

即ち、前記一般式ａ−（ＳＩＸＮｌ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−、で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と窒素原子とで構成される非晶質側斜（以後、ｒ　
ａ−ｓｔ、Ｎ１−、ＬＪと記す・但し、０（ａ（１）、
シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓｌｂ”１−ｂ）ｃＨｌ−０
」と記す。

但しＸ　Ｏ〈ｂ、ｃ〈１）、シリコン原子と窒素原子と
ハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、ｒａ−（ｓｔ、Ｎ１−、入（ＨＩＸ）
１−０」と記す＠但しＯ＜ｄ、ｅく１）、に分類される
。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）がａ−８ｉａＮ１−＆
で構成される場合、第二の層（ｎ）に含有される窒素原
子の量は、好ましくは１×ｌＯ〜６０ａｔｏｍｉｃチ、
よ多好適には１〜５０　ａｔｏｍｌｃ％、最適にはｌＯ
〜４５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。即ち、先
のａ−８Ｉ　Ｎ　のａの表示で行えば、ａが好ましくは
ａ　＋−ａ０．４〜０．９９９９９、よシ好適には０．５〜０．９
９、最適には０．５５〜０．９である。

本発明に於いて、第二の層（１）がａ−（ＳｉｂＮｌ−、）ｅ馬−０で構成される場合、第
二の層（１０に含有される窒素原子の量は、好ましくは
Ｉ　Ｘ　１０−３〜５５ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好
ましくは１〜５５ａｔｏｍＳｃチ、最適には１０〜５０
　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい。水素原子の
含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔＯｍｌＣ％、
よシ好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃチ、最適には５
〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲に水素原子含有量がある場合に形成される光導電
部材は、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ
得る・即ち、先のａ　””’ｂＮ１−ｂ）ｃＨｌ−ｃの表示で
行えば、ｂが好ましくは０．４５〜０．９９９９９、よ
り好適には０．４５〜０．９９、最適には０．１５〜０
．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、よシ好適には
０，６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５である
のが望ましいＯ第二の層（ｎ）が、ａ−（８１，Ｎ、−
ｄ）、（Ｈ，Ｘ）、−、で構成される場合には、第二の
層（Ｉｔ）中に含有される窒素原子の含有量としては、
好ましくは１×１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ係、よ）
好適には１〜９０　ａｔｏｍｉ　ｃチ、最適には１０〜
５５　ａｔｏｍｌｃ　％とされるのが望ましい。ハロゲ
ン原子の含有量としては、好ましくは１〜２０　ａｔｏ
ｍｉｃチ、より好適には１〜１８ａｔｏｍｉｃ饅、最適
には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ係とされるのが望ましく、
これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成さ
れる光導電部材を実際面に充分適用させ得るものである
。必要に応じて含有される水素原子の含有量としては、
好ましくは１９　ａ　ｔｏｍｌ　ｃｑ６以下、より好適
には１３　ａｊｏｍｉｃ’Ｊ以下とされるのが望ましい
。

即ち、先のａ　（ＳｉｄＮｌ−４）ｅ（ＨＩＸ）４−６
のｄ、ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは０．４〜Ｑ、
９９９９９、よシ好適には０．４〜０．９９、最適には
０．４５〜０．９、ｅが好ましくは０．４〜０．９９９
９９、好適には０．４０〜０．９９、最適には０．４５
〜０．９であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（■）の層厚の数範囲は、本発
明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（Ｉｆ）の層厚は、該層（ＩＩ）中に含有
される窒素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に
於いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要があ
る。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．００５〜ｌＯμとされるのが望ま
しい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ。

Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、月？リエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリ
′プロピレン、ポリ塩化ビニルポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ｆラスセラミック。

紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、
好適には少なくともその一方の表面を導電処理され、該
導電処理された表面側に他の層が設けられるのが望まし
い。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｔ’ｔ　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎ
ｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　。

Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ５，５ｎ０２　、　ＩＴ
Ｏ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が付与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａ
ｔ、　Ａｇ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ。

Ｎｉ　、　Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　。

ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写
真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。

支持体の厚さは、所望通シの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。しかし乍ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、好ましくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部月の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す０図中の
１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の光導電
部材を形成するための原料ガスが密封されておシ、その
１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈されたＳｉ
Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉ　Ｈａ　／
　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈された
ＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４７’
）ｆｓト略ス。）がンペ、１１０４はＨｅで稀釈さし’
ｃＢ２Ｉ（６ガス（純度９’９．９９　％、以下Ｂ２Ｈ
６／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はｃ２Ｈ４ガス（
純度９９．９９９％）＆ｙぺ、１１０６はＨ２ガス（純
度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ１１ｏ２〜１１ｏ６のパルプ、１１２２〜１１２６
リークパルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入パルプ１１１２〜１１１６流出パルプ１１１７
〜１１２１、補助パルプ１１３２．１１３３が開かれて
いることを確認して先づメインパルプ１１３４を開いて
反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する・次に真
空計１１３６の読みが約５刈ｏ−６ｔｏ　ｒｒになった
時点で補助パルプ１１３２，１１３３、流出パルプ１１
１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よ’
ｆ）　Ｓ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅガス、ガスｚ７ペ１１ｏ３よ
シＧｅｌＩ４／Ｈｅガス、ｆ！Ｘｄ？７へ１１０４！　
ｊｌ）　Ｂ２Ｈ６／Ｈｅ　、ガス、ガスボンベ１１０５
よ、Ｄ　Ｃ２Ｈ４ガスヲノクルプ１１２２〜１１２５を
開いて出口圧ゲージ１１２７〜１１３ｏの圧をｌ’に９
７ｃｍ”に調整し、流入パルプ１１１２〜１１１５ヲ徐
々ＫＩＪｆｆて、マスフロコｙ）ｏ−ラ１１０７〜１１
１０内に夫々流入させる。引き続いて流出パルプ１１１
７〜１１２０．補助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々
のガスを反応室１１０１に流入させる。このときの５ｉ
Ｈａ／Ｈｅガス流量とＧｅＨａ／Ｈｅガス流量とＢ２Ｈ
６／Ｈｅガス流量とｃ２Ｈ４ガス流量との比が所望の値
になるように流出パルプ１１１７〜１１２ｏを調整し、
又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように真
空計１１３６の読みを見ながらメインパル７’１１３４
の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒ
ーター１１３８にょシ５ｏ〜４００　℃の範囲の温度に
設定されていることを確認された後、電源１１４０を所
望の電力に設定して反応室１１ｏ１内にグロー放電を生
起させ所望時間グロー放電を維持して基体１１３７上に
所望層厚に、硼素原子（Ｂ）と炭素原子（Ｃ）とが含有
され、ａ−８ＩＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成された層領域（Ｂ
、Ｃ）が形成される。

層領域ＣＢ＋Ｃ）が所望層厚に形成された段階に於いて
、流出パルプ１１１８，１１１９．１１２０の夫々を完
全に閉じること、及び必要に応じて放電条件を変えるこ
と以外は、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放
電を維持することで前記層領域（Ｂ、Ｃ）上に、硼素原
子（Ｂ）、炭素原子（Ｃ）及びゲルマニウム原子（Ｇｅ
）が含有されていない、ａ−８ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成され
た層領域（Ｓ）が形成されて、第一の層（Ｉ）の形成が
終了される。

上記の第一の層（Ｉ）の形成の際に、該層形成開始後、
所望の時間が経過した段階で、堆積室へのＢ　２Ｈｂ／
Ｈｅガス或いはＣ２Ｈ４ガスの流入を止めることによっ
て１硼素原子の含有された層領域（Ｂ）及び炭素原子の
含有された層領域（Ｃ）の各層厚を任意に制御すること
が出来る。

又、所望の変化率曲線に従って、堆積室１１０１へのＣ
２Ｈ４ガスのガス流量を制御することによって層領域（
Ｃ）中に含有される炭素原子の分布状態を所望通シに形
成することが出来る。

上記の様にして所定層厚に形成された第一０層（Ｉ）上
に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層ＣＩ）の
形成の際と同様なパルプ操作によって、例えばＳｉＨ４
ガス、　ＮＨ３の夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガス
で稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起さ
せることによって成される。

第二の層（ＩＩ）中にハロダン原子を含有させるには、
例えばＳｉＦ４ガスと０２馬ガス、或いは、これにＳｉ
Ｈ４，ガスを加えて上記と同様にして第二の層（ＩＩ）
を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助ノ々
ルゾ１１３２，１１３３を開いてメインパルプ１１３４
を全開して系内な一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行うＯ第二の層（Ｉｆ）中に含有される窒素原子の
量は、例えば、グロー放電による場合は５ＩＨ４ガスと
、ＮＨ３ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を
所望に従って変えるか、或いは、スノＲツターリングで
層形成する場合には、ターゲットを形成する際シリコン
ウニハト窒化シリコン板のスパッタ面積比率を変えるか
、又はシリコン粉末と窒化シリコン粉末の混合比率を変
えてターゲットを成型することによって所望に応じて制
御す、ることか出来る。

第二の層（ｎ）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）の量
は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えばＳｉＦ４ガ
スが反応室１１０１内に導入される際の流量を調整する
ことによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する・実施例１第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た〇こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ　ｓ、　ｏ　ｋｖで０．３ａｅｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、２　ｔｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテ
ストチャートを通して照射させた◇その後直ちに、ｅ荷
電性の現像剤（トナーとキャリアーを含む）を像形成部
材表面をカスケードすることによって、像形成部材表面
上に良好なトナー画像を得た。像形成部材上のトナー画
像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で転写紙上に転写した
断電解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。

実施例２第１１図に示した製造装置によシ、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行りて電子
写真用像形成部材を得九〇こうして得られた像形成部材
に就いて、帯電極性と現像剤の荷電極性の夫々を実施例
１と反対にした以外は実施例１と同様の条件及び手順で
転写紙上に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得
られ六〇実施例３第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得九〇こうして得られた像形成部材
に就いて、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に
画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例４実施例１に於いて、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈ
ｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるダル
マニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外は
、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を夫々作
成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示す様に変
える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形成
部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第６表乃至第８表に示す各条件で層形成を行
って電子写真用像形成部材の夫々（試料点６０１，６０
２，６０３）を得た。

こうして得られた像形成部材の夫々を、帯電露光実験装
置に設置しθ０．５ｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、２ｔｕｘ−８ｅｃの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を各像形成部材表面をカスケードすることによ
って、各像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。

各像形成部材上のトナー画像を、ｅ５．ＯｋＶのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７第１１図に示した製造装置によシ、第９表及び第１０表
に示′す各条件にした以外は実施例１と同様にして、層
形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ　７
０１．７０２　）を得た。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られ友。

実施例８第１１図に示し７’ｃ＃！造装置にょシ、第１１表乃至
第１５表に示す条件にした以外は実施例１と同様にして
、層形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（試料点
８０１〜８０５）を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた〇実施例９実施例１に於いて、光源をタングステンランプの代シに
８１０　ｎｍのＱａＡ１１系半導体レーデ（１０ｍＷ）
を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同
様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件
で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１０第二の層（Ｉｆ）の作成条件を第１６表に示す各条件に
した以外は、実施°例２〜８の各実施例と同様の条件と
手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａｌ２
−２０１〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３０８
．・、１２−８０１〜１２−８０１１Ｃ＋５６個の試料
）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、ｅ５ｋＶで０．２ａｅｃ間コロナ
帯電を行い、光像を照射した・光源はタングステンラン
グを用い、光量は１．　Ｏｔｕｘ−ｓｅｃとした０潜像
は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、極め
て良好なものであった。

転写されないで電子写真用像形成部材上に残ったトナー
は、ゴムシレーげによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰シ返し１０万回以上行っても、いず′れの
場合も画像の劣化は見られなかったＯ各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第１６Ａ表に示す。

実施例１１第二の層（Ｉｔ）の形成時、ＡｒとＮＨ，の混合ガスと
シリコンウェハと窒化シリコンのターゲツト面積比を変
えて、第二の層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と窒素原
子の含有量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。こうして
得られた像形成部材の夫々につき〜実施例１に述べた如
き、作像、現像。

クリーニングの工程を約５万回繰シ返した後画像評価を
行ったところ第１７表の如き結果を得た。

実施例１２第二の層（ＩＩ）の層の形成時、５ＩＨ４ガスとＮＨ３
ガスの流量比を変えて、第二の層（ｎ）に於けるシリコ
ン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は実施例
１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に
述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰シ返した
後、画像評価を行ったところ、第１８表の如き結果を得
た。

実施例１３第二の層Ｃｍ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４
ガス、　ＮＨ，ガスの流量比を変えて、第二の層（Ｉｆ
）に於けるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成
部材の夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材
につき実施例１に述べた如き作像、現像、クリーニング
の工程を約５万回繰シ返した後、画像評価を行ったとこ
ろ第１９表の如き結果を得た◎ 実施例１４第二の層（Ｉ［）の層厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成し九〇実
施例１に述べた如き、作像、現像。

クリーニングの工程を繰シ返し第２０表の結果を得た。

第２０表以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：グルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・約
２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｏ）非含有層・・・約２
５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ反応時反応室内圧：　０．３’　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（へ
）中の炭素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１
１図は、実施例に於いて本発明の光導電部材を作製する
為に使用された装置の模式的説明図である。１００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）　１０３・・・第二の層ω）１０４
・・・第１の層領域（Ｇ）１０５・・・第２０層領域（
Ｓ）１０６・・・自由表面 −一一一−Ｃ（Ｃ）しくＣノＬ（（＋〕 −Ｃ（Ｃ）一一〇　（Ｃ）手続補正書昭和５９年／７月２１！３、？ｌｉ正をする者１１９件との関係　出　願　人４、代理人住　所　東京都１代ｌ」区丸の内２丁目６番２号丸の内
へ重洲ビル３３０明ａ、１．’：の元１１，１ζ：ｉ’
：１５°ｉ−ユツ１の欄補　正　書２日本願明細書中下記事項を補正いたします。記１、第６０頁９行目にｒ　１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊとあるをｒ　１
０〜５５　ａｔｏｍｉｃ％」と訂正する。２、第６０頁１８行目にｒ　Ｏ，１５〜０．９」とめるをｒ　Ｏ，４５〜０，９」と訂正する。３、第６１貞３〜４行目にｒ　Ｉ　Ｘ　１０　〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊとあ
るをｒ　ｌＸ１０　〜６０ａｔｏｍｉｃ％　Ｊト訂正す
る。４、第６１頁４〜５行目に１１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊ　トあるを１”　１
〜６０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊと訂正する。５、第６１頁１８行目に［０，４〜０．９９９９９　Ｊとあるを「０．８〜０．
９９　Ｊと訂正する。６、第６１頁１８行目にｒ　Ｏ，４０〜０．９９　Ｊとらるをｒｏ、８２〜０．９９　Ｊと訂正する。７、第６１頁１９行目にｒｏ、４５〜０．９」とあるをｒＯ，８５〜０．９８　Ｊと訂正する。８、第９０頁「第１６表」中ｒ１２−２Ｊ欄の「流敗比
又はＩＪｉＪ積比」項に「Ｓｉウェハ：窒化シリコン−１：　３０　Ｊとあるを１”　Ｓｉウェハ：窒化シリコン−１：６０Ｊと訂正す
る。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電部材用の支持体と、該支持体上にゲルマニ
ウム原子を含む非晶質材料で構成された第１０層領域（
Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側よシ順
に設けられた層構成の第一の層と、シリコン原子と窒素
原子を含む非晶質材料で構成された第二の層とを有し、
前記第１の層領域（Ｇ）に伝導性を支配する物質が含有
され、前記第一の層には炭素原子が含有されている事を
特徴とする光導電部材。
（２）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
（３）　第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の
少なくともいずれか一方にハロダン原子が含有されてい
る特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光導電部材
。
（４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に層する
原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
（５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に層する
原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。