JPS63206709A - 埋込み型シングルモ−ド光導波路の製造方法 - Google Patents
埋込み型シングルモ−ド光導波路の製造方法Info
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- JPS63206709A JPS63206709A JP62039891A JP3989187A JPS63206709A JP S63206709 A JPS63206709 A JP S63206709A JP 62039891 A JP62039891 A JP 62039891A JP 3989187 A JP3989187 A JP 3989187A JP S63206709 A JPS63206709 A JP S63206709A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン交換法による埋込み型シングルモード
光導波路作製方法に関し、特に電界印加を必要としない
シングルモード光導波ＰｒＴ’Ａ造方法に関する。
光導波路作製方法に関し、特に電界印加を必要としない
シングルモード光導波ＰｒＴ’Ａ造方法に関する。
ムや光センサ−システムには、分岐合流や分波合波など
のために種々のシングルモード光デバイスが必要となる
。これらのデバイスをガラス基板上に作製する方法とし
ては、いくつかのイオン交換法が知られている。しかし
、実用上の効果を考えると、ガラス基板導波路は埋込み
型であって、しかもシングルモードファイバとの直接結
合の効率が良いように電界分布がほぼ一致したものが望
ましい。従来公知の技術で上述の導波路を作製できる方
法に近いものとしては、コ段Ｎ電界印加イオン交換法が
あった。この方法は、ガラス基板の上に金属などのマス
ク膜を積層した後、導波路の形状にパターニングし、電
界を印加した状態で溶融塩と接触させ該基板の表面付近
に屈折率の高い部分を形成し、次いでマスクを除去した
のち第２回目のイオン交換をするものである。
のために種々のシングルモード光デバイスが必要となる
。これらのデバイスをガラス基板上に作製する方法とし
ては、いくつかのイオン交換法が知られている。しかし
、実用上の効果を考えると、ガラス基板導波路は埋込み
型であって、しかもシングルモードファイバとの直接結
合の効率が良いように電界分布がほぼ一致したものが望
ましい。従来公知の技術で上述の導波路を作製できる方
法に近いものとしては、コ段Ｎ電界印加イオン交換法が
あった。この方法は、ガラス基板の上に金属などのマス
ク膜を積層した後、導波路の形状にパターニングし、電
界を印加した状態で溶融塩と接触させ該基板の表面付近
に屈折率の高い部分を形成し、次いでマスクを除去した
のち第２回目のイオン交換をするものである。
上記の方法については例えばＳｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒ
ｌａｇ社刊の［Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ０ｐｔｉｃｓ
Ｊ第１１頁に記験されているＨ、 Ｌｉ１ｉｅｎｈｏｆ
らの論文に詳しく説明されている。
ｌａｇ社刊の［Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ０ｐｔｉｃｓ
Ｊ第１１頁に記験されているＨ、 Ｌｉ１ｉｅｎｈｏｆ
らの論文に詳しく説明されている。
また特公昭ｌ１ｌ−ｊ９７３号公報には、２段階のイオ
ン交換を行なってガラス基板中に、断面上で中心より周
辺に向かって徐々に屈折率の減少する光伝送路をつくる
方法が示されている。
ン交換を行なってガラス基板中に、断面上で中心より周
辺に向かって徐々に屈折率の減少する光伝送路をつくる
方法が示されている。
電界印加を用いた導波路作製方決では、ガラス基板表裏
に接触させる溶炉′塩にうまく電界をかける必要があり
、イオン交換工程が複雑になるという問題点があった。
に接触させる溶炉′塩にうまく電界をかける必要があり
、イオン交換工程が複雑になるという問題点があった。
また特公昭ｌＡｌ−３９７３号公報には、押込み型の導
波路の断面を円形ないし楕円形にするための条件、さら
にはシングルモード導波ｔとすることについて具体的に
示していない。
波路の断面を円形ないし楕円形にするための条件、さら
にはシングルモード導波ｔとすることについて具体的に
示していない。
本発明は、電界印加を必要としない簡単な熱イオン交換
法で、断面が円形ないし楕円形に近い埋込み型シングル
モード光導波路を製造する方法を新規に提供しようとす
るものである。
法で、断面が円形ないし楕円形に近い埋込み型シングル
モード光導波路を製造する方法を新規に提供しようとす
るものである。
上記問題点を解決するために、本発明はイオン交換の工
程を第１段及び第２段とも熱イオン交換とし、さらに埋
込み型の断面が円形ないし楕円形に近い導波路を実現す
るために必要とされるイオン交換条件を第１段及び第２
段に対して明確に定めた。
程を第１段及び第２段とも熱イオン交換とし、さらに埋
込み型の断面が円形ないし楕円形に近い導波路を実現す
るために必要とされるイオン交換条件を第１段及び第２
段に対して明確に定めた。
すなわち、第１の熱イオン交換時の実効イオン交換定Ｎ
ＤＩとイオン交換時間ｔ１との積Ｄｌｔｌを、！ ＜Ｄ
ｉ ｔｌ＜３０ とし、 第２の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ２とイオ
ン交換時間ｔ２との！ｔｉＤｚｔ２を、０．６＜Ｄ２ｔ
２＜０．７ｊＸＤｌｔｌとする。
ＤＩとイオン交換時間ｔ１との積Ｄｌｔｌを、！ ＜Ｄ
ｉ ｔｌ＜３０ とし、 第２の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ２とイオ
ン交換時間ｔ２との！ｔｉＤｚｔ２を、０．６＜Ｄ２ｔ
２＜０．７ｊＸＤｌｔｌとする。
本発明に使用できるイオン交換用イオンとしては１価の
アルカリイオ＞ｆ５ＪちＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｏｓイ
オンの他１価のＴＡ’イオン及びＡｇイオンがある。
アルカリイオ＞ｆ５ＪちＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｏｓイ
オンの他１価のＴＡ’イオン及びＡｇイオンがある。
またイオン交換用マスクとしてはＴｉ＋ｉの他、５ｉ０
２などの誘電体Ｗｉ膜が使用できる。
２などの誘電体Ｗｉ膜が使用できる。
ガラス基板と溶融塩との間のイオン交換はイオンの実効
的交換定数りと実効的交換時間ｔの積Ｄｔで指定するこ
とができる。ここで言う実効的交換定数とは、２種のイ
オン間で交換が行われた時に、一方のイオンの移動が拡
散方程式で記述されるとした場合の見かけ上の拡散定数
である。
的交換定数りと実効的交換時間ｔの積Ｄｔで指定するこ
とができる。ここで言う実効的交換定数とは、２種のイ
オン間で交換が行われた時に、一方のイオンの移動が拡
散方程式で記述されるとした場合の見かけ上の拡散定数
である。
一般に実効的交換室ｖｋＤは温度の関数であるから、Ｄ
ｉ積は厳密には積分で求められるものである。
ｉ積は厳密には積分で求められるものである。
そして第１段、第２段のイオン交換処理におけるＤｉ積
を前述した範囲内とすることにより、断面が円形に近い
シングルモード光導波路が得られる。
を前述した範囲内とすることにより、断面が円形に近い
シングルモード光導波路が得られる。
第１図は本発明の一実施例を段階的に示す断面図である
。
。
ｌはガラス基板であり、イオン交換用に１価イオンとし
てＮａ及びＫを合計／ Ｊ ｍｏｄｅ％含有し、５１０
ｇ、ＢｇＯ３を主たる網目形成酸化物とした研磨済みの
高品質ガラス板から成る。
てＮａ及びＫを合計／ Ｊ ｍｏｄｅ％含有し、５１０
ｇ、ＢｇＯ３を主たる網目形成酸化物とした研磨済みの
高品質ガラス板から成る。
ガラス基板ｌの片面にスパッタ法で厚さ１μｍ程度のＴ
１膜から成る被＠膵２ａを蒸着し、この被覆膜Ｊａにフ
ォトリングラフィとエツチング工程により所定の導波路
パターンの開口２Ｃを形成してマスク膜２ｂとする。
１膜から成る被＠膵２ａを蒸着し、この被覆膜Ｊａにフ
ォトリングラフィとエツチング工程により所定の導波路
パターンの開口２Ｃを形成してマスク膜２ｂとする。
上記のマスク膜２ｂを施したガラス基板ｌは第１の溶計
塩＜＜ａ中に浸漬して第１段の熱イオン交換処理を行な
う。
塩＜＜ａ中に浸漬して第１段の熱イオン交換処理を行な
う。
図外の電気炉内に置かれたるつぼ３中に保持されている
第１の溶融塩ダａは、ガラス基板ｌの、マスク膜ｘｂｙ
ｃ設けられた開ロコＣ付近の屈折率を増加させるために
用いるもので、７価のイオンからなる群より選ばれた少
なくとも１つの第１のイオンを含有する溶融塩である。
第１の溶融塩ダａは、ガラス基板ｌの、マスク膜ｘｂｙ
ｃ設けられた開ロコＣ付近の屈折率を増加させるために
用いるもので、７価のイオンからなる群より選ばれた少
なくとも１つの第１のイオンを含有する溶融塩である。
この溶融塩ダａとしては硫酸塩または硝酸塩の他に１イ
オン交換を均一にするため、またガラス基板の損傷を防
ぐために必要に応じて塩化塩が添加される。
オン交換を均一にするため、またガラス基板の損傷を防
ぐために必要に応じて塩化塩が添加される。
上記の第２段熱イオン交換処理を終えた後、基板ｌの表
面からマスク膜２ｂを除去し、このマスク膜を除去した
基板ｌを第２の溶融塩ｌＩｂ中に浸漬して第２段熱イオ
ン交換処理を行なう。
面からマスク膜２ｂを除去し、このマスク膜を除去した
基板ｌを第２の溶融塩ｌＩｂ中に浸漬して第２段熱イオ
ン交換処理を行なう。
第２溶融廖Ｉｌｂは、ガラス基板ｌの表面付近の屈折率
を減少させるために用いるもので、７価のイオンからな
る群より選ばれた少なくとも１つの第２のイオンを含有
する溶融塩である。
を減少させるために用いるもので、７価のイオンからな
る群より選ばれた少なくとも１つの第２のイオンを含有
する溶融塩である。
ここで、第１のイオンと第一のイオンはガラス基板ｌに
対して屈折率を変化させる作用が、少なくとも互いに反
対でなければならない。
対して屈折率を変化させる作用が、少なくとも互いに反
対でなければならない。
上記の第２段熱イオン交換処理を終了した後、ガラス基
板ｌ内に埋込み型の導波路部５が形成される。
板ｌ内に埋込み型の導波路部５が形成される。
上述の実施例においては、第１のイオンとしてＴｌイオ
ンが、第２のイオンとしてにイオンが用いられた。第１
の溶融塩＋ａはＴｌイオンを含有する硝酸塩、第２の溶
融塩＋ｂはにイオンを含有する硫酸塩である。イオン交
換を行なう温度は、イオン交換定数が大きく、シかもガ
ラス基板ｌに反りなどの変形が生じないガラス転移点付
近の１Ｍ度に設定した。
ンが、第２のイオンとしてにイオンが用いられた。第１
の溶融塩＋ａはＴｌイオンを含有する硝酸塩、第２の溶
融塩＋ｂはにイオンを含有する硫酸塩である。イオン交
換を行なう温度は、イオン交換定数が大きく、シかもガ
ラス基板ｌに反りなどの変形が生じないガラス転移点付
近の１Ｍ度に設定した。
次に本発明におけるイオン交換条件について詳しく説明
する。
する。
ガラス基板と溶融塩との間のイオン交換は、イオンの実
効的交換定ＰＤと実効酌交ν時間ｔとの＠Ｄｔで指定す
ることができる。
効的交換定ＰＤと実効酌交ν時間ｔとの＠Ｄｔで指定す
ることができる。
ここで言う実効的交換定数とは、２種のイオン間で交換
が行われた時に、一方のイオンの移動が拡散方程式で記
述されるとした場合の見かけ上の拡散定数である。
が行われた時に、一方のイオンの移動が拡散方程式で記
述されるとした場合の見かけ上の拡散定数である。
一般に実効的交換定数りは温度の関数であるから、ｆａ
ｔ稍は厳密には積分で求められるものである。
ｔ稍は厳密には積分で求められるものである。
実施例においては、第１表に示す組合せで第１段及び第
２段のイオン交換条件を実談じた（条件はＤｔ積で表す
）。
２段のイオン交換条件を実談じた（条件はＤｔ積で表す
）。
第１表に示したように、試料厘／〜ｊでは導波路断面の
寸法が長軸／ｌＩ−、？／μｍ１短軸、ｒ−１３μｍで
あるものが得られる。
寸法が長軸／ｌＩ−、？／μｍ１短軸、ｒ−１３μｍで
あるものが得られる。
この導波路寸法において最大屈折率差をｏ、ｏｏｑ程度
に設定すると導波路がシングルモードとなり、しかもシ
ングルモード７アイパに対し比較的結合効率を良くする
ことができる。
に設定すると導波路がシングルモードとなり、しかもシ
ングルモード７アイパに対し比較的結合効率を良くする
ことができる。
試料屋６では導波路寸法が大きすぎシングルモード導波
路にすることが困難である。
路にすることが困難である。
試料屋７〜ＩＯでは第２段のイオン交換が進みすぎ、導
波路寸法が小さくなると同時に、第１のイオンの最大濃
度領域が著しく小さくなってしまう。
波路寸法が小さくなると同時に、第１のイオンの最大濃
度領域が著しく小さくなってしまう。
即ち、試料Ａ／から＆６までは導波路の断面形状が概ね
適しているのに対し、試料Ａ７からＡ ／ ０までは全
て不適当となった。
適しているのに対し、試料Ａ７からＡ ／ ０までは全
て不適当となった。
第２図に試料Ａｊで得られた導波路部５の屈折率分布を
示す。
示す。
実験条件の組合せを図表示すると第ＪｒｇＪのようにな
る。図中の○印、Δ印、Ｘ印はそれぞれ「適」、「やや
不適」、「不適」を表している。
る。図中の○印、Δ印、Ｘ印はそれぞれ「適」、「やや
不適」、「不適」を表している。
第１段イオン交換のＤｔは３以上でないと導波ト；の断
面寸法が小さすぎ（長軸がＩＯμｍＨ度以下となる）、
また３０以下でないと大きすぎる。
面寸法が小さすぎ（長軸がＩＯμｍＨ度以下となる）、
また３０以下でないと大きすぎる。
また第２段イオン交換のＤｔは第１段のＤｔの７！％よ
り小さくないと導波路部が実質上消失してしまうし、ま
た０、６より小さいと第２段イオン交換の効果がない、
すなわち埋込み型にならず半円形に近い導波路となって
しまう。
り小さくないと導波路部が実質上消失してしまうし、ま
た０、６より小さいと第２段イオン交換の効果がない、
すなわち埋込み型にならず半円形に近い導波路となって
しまう。
従って、第１の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ
１とイオン交換時間ｔｌとの積Ｄｉ ｔｌを、３くＤｌ
ｔｌく３Ｑ とし、第２の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ２
とイオン交換時間ｔ２の積Ｄ２ｔ２を、０．６ ＜ｐ２
ｔ２＜０．７！；ＸＤｌｔ、１とすることが必要である
。
１とイオン交換時間ｔｌとの積Ｄｉ ｔｌを、３くＤｌ
ｔｌく３Ｑ とし、第２の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ２
とイオン交換時間ｔ２の積Ｄ２ｔ２を、０．６ ＜ｐ２
ｔ２＜０．７！；ＸＤｌｔ、１とすることが必要である
。
さらに望ましくは、第１のイオン交換においてｊ ＜Ｄ
ｌｔｌ ＜、 ／ ｊの条件を満たすことが推奨される
。
ｌｔｌ ＜、 ／ ｊの条件を満たすことが推奨される
。
以上で埋込み型で円形ないし楕円形の導波路が得られる
が、さらにシングルモード導波路とするためには、導波
路の屈折率差が０．００Ｊ〜ｏ、ｏｏｓである必要があ
ることが実験よりわかった。
が、さらにシングルモード導波路とするためには、導波
路の屈折率差が０．００Ｊ〜ｏ、ｏｏｓである必要があ
ることが実験よりわかった。
なお、導波路の断面寸法が大きい場合は屈折率差は小さ
いこと、また導波路の断面寸法が小さい場合は屈折率差
は大きいことが、シングルモードファイバとの電界分布
マツチングの点で望ましい。
いこと、また導波路の断面寸法が小さい場合は屈折率差
は大きいことが、シングルモードファイバとの電界分布
マツチングの点で望ましい。
一般的には、望ましい導波路パラメータは、大体長軸径
１０−．２０μｍ１短軸、ｒ−ｔｓμｍ１屈折率差０．
００Ｊ〜ｏ、ｏｏｓである。
１０−．２０μｍ１短軸、ｒ−ｔｓμｍ１屈折率差０．
００Ｊ〜ｏ、ｏｏｓである。
そして所定の屈折率差をつけるためには、ガラス基板の
アルカリ含有量と溶融塩組成を選択する必要がある。一
般にガラス基板のアルカリ含有量が多い場合には、溶融
塩組成の中の屈折率への寄与穴なるイオンの含有量を少
なくすることが望ましい。反対に、ガラス基板のアルカ
リ含有量が少ない場合には、溶融塩組成の中の屈折率へ
の寄与穴なるイオンの含有量を多くすることが望ましい
。
アルカリ含有量と溶融塩組成を選択する必要がある。一
般にガラス基板のアルカリ含有量が多い場合には、溶融
塩組成の中の屈折率への寄与穴なるイオンの含有量を少
なくすることが望ましい。反対に、ガラス基板のアルカ
リ含有量が少ない場合には、溶融塩組成の中の屈折率へ
の寄与穴なるイオンの含有量を多くすることが望ましい
。
−例として、導波路径／ｆＸ１０μｍ１屈折率差ｏ、ｏ
ｏＩＩが推奨される。
ｏＩＩが推奨される。
本発明によれば、従来不可能であった熱イオン交換法に
よる埋込み型シングルモード導波路が実現できる。
よる埋込み型シングルモード導波路が実現できる。
本発明方法は電界印加を必要としないのでイオン交換が
非常に簡単になるという利点のほか、電界印加法で発生
しがちなガラス表面のｔｋｌｆＭや導波路の不均一性が
減らせるという利点もある。
非常に簡単になるという利点のほか、電界印加法で発生
しがちなガラス表面のｔｋｌｆＭや導波路の不均一性が
減らせるという利点もある。
従って、本発明による埋込み型シングルモード光導波路
の製造方法は安価な大量生産に極めて適している。
の製造方法は安価な大量生産に極めて適している。
第１図は本発明の一実施例を段階的に示す艶面図、第Ｊ
ＩｉＵは本発明方法で得られるイオン交換導波路のイオ
ン濃度分布の一例を示す断面図、第３図は第１段及び第
２段の実効イオン交換定数とイオン交換時間の積と導波
路寸法の適、不適を示す図である。 ｌ・・・・・・ガラス基板 コｂ・・・・・・マスク膜
２Ｃ・・・・・・導波路パターン開口 ≠ａ・・・・・・第１の溶融塩 ｑｂ・・・・・・第２
の溶＃！埴よ・・・・・・導波路 第１図 第２図
ＩｉＵは本発明方法で得られるイオン交換導波路のイオ
ン濃度分布の一例を示す断面図、第３図は第１段及び第
２段の実効イオン交換定数とイオン交換時間の積と導波
路寸法の適、不適を示す図である。 ｌ・・・・・・ガラス基板 コｂ・・・・・・マスク膜
２Ｃ・・・・・・導波路パターン開口 ≠ａ・・・・・・第１の溶融塩 ｑｂ・・・・・・第２
の溶＃！埴よ・・・・・・導波路 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）イオン交換用イオンとして１価のアルカリイオン
及び１価のＴｌイオン及びＡｇイオンからなる群より選
ばれた１価イオンを含んだガラス基板にイオン交換制御
用のマスク膜を形成する工程と、該マスク膜に所定の導
波路パターンを形成する工程と、該ガラス基板の屈折率
を変える第１の１価イオンを少なくとも１種含有する溶
融塩中に該ガラス基板を高温時に浸漬し第１の熱イオン
交換をする工程と、該ガラス基板の屈折率を該第１のイ
オンとは反対の方向に変化させる第２の１価イオンを少
なくとも１種含有する溶融塩中に、前記マスクを除去し
たガラス基板を高温時に浸漬し第２の熱イオン交換をす
る工程とからなる２段階熱イオン交換法であって、第１
の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ＿１とイオン
交換時間ｔ＿１の積Ｄ＿１・ｔ＿１を ３≦Ｄ＿１ｔ＿１≦３０ とし、第２の熱イオン交換時の実効イオン交換定数Ｄ＿
２とイオン交換時間ｔ＿２の積Ｄ＿２ｔ＿２を０．６≦
Ｄ＿２ｔ＿２≦０．７５×Ｄ＿１ｔ＿１とした埋込み型
シングルモード光導波路の製造方法。 - （２）前記第１の１価イオンがＴｌ又はＣｓイオンの少
なくとも１つが含まれるイオンであり、該第２の１価イ
オンがＮａ又はＫイオンの少なくとも１つが含まれるイ
オンである特許請求の範囲第１項記載の埋込み型シング
ルモード光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62039891A JPS63206709A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 埋込み型シングルモ−ド光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62039891A JPS63206709A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 埋込み型シングルモ−ド光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63206709A true JPS63206709A (ja) | 1988-08-26 |
| JPH0462644B2 JPH0462644B2 (ja) | 1992-10-07 |
Family
ID=12565591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62039891A Granted JPS63206709A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 埋込み型シングルモ−ド光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63206709A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5125946A (en) * | 1990-12-10 | 1992-06-30 | Corning Incorporated | Manufacturing method for planar optical waveguides |
| US5139556A (en) * | 1990-03-07 | 1992-08-18 | Cselt - Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of adjusting the operation characteristics of integrated optical devices |
| US5160360A (en) * | 1989-11-06 | 1992-11-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing low-loss embedded waveguide |
| US5359682A (en) * | 1990-03-07 | 1994-10-25 | Cselt-Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of adjusting the operation characteristics of integrated optical devices |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP62039891A patent/JPS63206709A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160360A (en) * | 1989-11-06 | 1992-11-03 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing low-loss embedded waveguide |
| US5139556A (en) * | 1990-03-07 | 1992-08-18 | Cselt - Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of adjusting the operation characteristics of integrated optical devices |
| US5359682A (en) * | 1990-03-07 | 1994-10-25 | Cselt-Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of adjusting the operation characteristics of integrated optical devices |
| US5125946A (en) * | 1990-12-10 | 1992-06-30 | Corning Incorporated | Manufacturing method for planar optical waveguides |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462644B2 (ja) | 1992-10-07 |
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