JPS63208220A - 集束イオンビ−ム照射方法 - Google Patents
集束イオンビ−ム照射方法Info
- Publication number
- JPS63208220A JPS63208220A JP62040230A JP4023087A JPS63208220A JP S63208220 A JPS63208220 A JP S63208220A JP 62040230 A JP62040230 A JP 62040230A JP 4023087 A JP4023087 A JP 4023087A JP S63208220 A JPS63208220 A JP S63208220A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- application
- irradiation
- ion
- sample
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集束イオンビームを用いた絶縁膜。
半絶縁膜で覆われた試料の局所的なエツチング。
デボジョンにおいて好適な集束イオンビーム照射方法に
関する。
関する。
集束イオンビーム装置においては、イオン打込み、リソ
グラフィ、加工など種々の応用に応じて、所望のイオン
種で所望のイオン量を試料の所望の局所部にイオン照射
する。従来のイオンビーム照射方法では、試料表面が絶
縁性（又は抵抗）が高い膜で覆われている場合は、特開
昭５８−３３８３７号に記載のように試料に照射された
電荷が逃げにくく、イオンビーム°を連続的に照射し続
けると、その部分に電荷が蓄積され帯電する。そのため
イオンビームは試料照射直前で曲げられ、誤った位置に
照射されたり、又試料が半導体素子である場合は、試料
表面と素子内部とで局所的な放電現象が起き、素子機能
が劣下、損傷したりし易いという問題があった。
グラフィ、加工など種々の応用に応じて、所望のイオン
種で所望のイオン量を試料の所望の局所部にイオン照射
する。従来のイオンビーム照射方法では、試料表面が絶
縁性（又は抵抗）が高い膜で覆われている場合は、特開
昭５８−３３８３７号に記載のように試料に照射された
電荷が逃げにくく、イオンビーム°を連続的に照射し続
けると、その部分に電荷が蓄積され帯電する。そのため
イオンビームは試料照射直前で曲げられ、誤った位置に
照射されたり、又試料が半導体素子である場合は、試料
表面と素子内部とで局所的な放電現象が起き、素子機能
が劣下、損傷したりし易いという問題があった。
本発明の目的は、照射効率、つまりスループットをあま
り落すことなく、かつイオン照射による電荷蓄積効果を
緩和する方法を提供することにある。
り落すことなく、かつイオン照射による電荷蓄積効果を
緩和する方法を提供することにある。
上記目的はイオンビームの照射を一定照射量毎に照射休
止期間を設けたこと、さらにイオン照射部が複数個ある
場合、それぞれのイオン照射量を多数回に分け、複数個
の照射部を並列処理することにより、個々のイオン照射
部に、イオンの照射と休止の時間を交互につくり出すこ
とにより達成される。さらにイオン照射部の輪郭部分か
ら中心に向かってスパイラル形状に照射することにより
達成される。
止期間を設けたこと、さらにイオン照射部が複数個ある
場合、それぞれのイオン照射量を多数回に分け、複数個
の照射部を並列処理することにより、個々のイオン照射
部に、イオンの照射と休止の時間を交互につくり出すこ
とにより達成される。さらにイオン照射部の輪郭部分か
ら中心に向かってスパイラル形状に照射することにより
達成される。
〔作用〕
休止時間に照射中に蓄積した電荷を自然漏洩させたり、
あるいは、電子を外部から供給して電荷を中和したりす
ることが可能となる。
あるいは、電子を外部から供給して電荷を中和したりす
ることが可能となる。
また、ビーム照射部の輪郭部分からビームを照射するこ
とにより、輪郭部分では電荷蓄積の影響を受けずに正確
な位置にビームの照射ができ、輪郭部分の内側では、輪
郭部分に電荷蓄積が生じても、イオンビームはビーム照
射部の中心方向に曲げられるので、電荷蓄積の影響によ
るビーム照射部の外側への移動は生じない。
とにより、輪郭部分では電荷蓄積の影響を受けずに正確
な位置にビームの照射ができ、輪郭部分の内側では、輪
郭部分に電荷蓄積が生じても、イオンビームはビーム照
射部の中心方向に曲げられるので、電荷蓄積の影響によ
るビーム照射部の外側への移動は生じない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本発
明においては、集束イオンビーム１で絶縁膜で覆われた
試料３の表面の３個所４〜６のビーム照射部を照射する
。又、本実施例では、電子ビーム２で電子を供給してい
る。集束イオンビームは、３０ＫｅＶＧａ＋ビームで、
ビーム径は約０．５ μｍ、ビーム電流は１ｎＡである
。電子ビームは、１０〜２００ ｅ Ｖ 、ビーム電流
は約０．５ｎＡである。本実施例においては、３箇所の
照射部４〜６の個々を６０ｍ５ｅｃずつ照射し、各部に
ついては、６０ｍ５ｅｃ照射、１２０ｍ５ｅｃ休止の１
８０１１ｓｅｃサイクルで１０００回のイオン照射を行
なった。全ての照射時間は約３分である。ビーム照射位
置と照射時間の制御はコンピュータを用いて行なった０
本発明により、ビーム照射位置ずれは。
明においては、集束イオンビーム１で絶縁膜で覆われた
試料３の表面の３個所４〜６のビーム照射部を照射する
。又、本実施例では、電子ビーム２で電子を供給してい
る。集束イオンビームは、３０ＫｅＶＧａ＋ビームで、
ビーム径は約０．５ μｍ、ビーム電流は１ｎＡである
。電子ビームは、１０〜２００ ｅ Ｖ 、ビーム電流
は約０．５ｎＡである。本実施例においては、３箇所の
照射部４〜６の個々を６０ｍ５ｅｃずつ照射し、各部に
ついては、６０ｍ５ｅｃ照射、１２０ｍ５ｅｃ休止の１
８０１１ｓｅｃサイクルで１０００回のイオン照射を行
なった。全ての照射時間は約３分である。ビーム照射位
置と照射時間の制御はコンピュータを用いて行なった０
本発明により、ビーム照射位置ずれは。
従来の連続照射方法のものと比べて、±１μｍから±０
．４ μｍ程度に改善することができた。
．４ μｍ程度に改善することができた。
又、試料が高抵抗の酸化膜（Ｓ ｉ Ｏｘ ）を表面膜
としてもつシリコン素子の場合、その深穴加工において
、従来方法では約１０％の素子機能の劣下や損傷が生じ
ていたが、本発明により、２％以下に低減できた。
としてもつシリコン素子の場合、その深穴加工において
、従来方法では約１０％の素子機能の劣下や損傷が生じ
ていたが、本発明により、２％以下に低減できた。
本実施例は、イオン照射部に電子も供給した場合である
が、電荷蓄積の緩和効果については、電子を供給しない
場合も同様な効果が得られたが。
が、電荷蓄積の緩和効果については、電子を供給しない
場合も同様な効果が得られたが。
その効果の大きさは、特に絶縁性の高い試料に対しては
電子も供給した方が大きかった。
電子も供給した方が大きかった。
次に、他の実施例を第２図に示す。本発明において、集
束イオンビーム１を絶縁膜で覆われた試料３の表面のビ
ーム照射部４に照射する。そのビーム照射の方向７が、
ビーム照射部４の輪郭部分から中心に向かってスパイラ
ル形状になるようにビームを照射する。ビーム照射の制
御はコンピュータで行なった。
束イオンビーム１を絶縁膜で覆われた試料３の表面のビ
ーム照射部４に照射する。そのビーム照射の方向７が、
ビーム照射部４の輪郭部分から中心に向かってスパイラ
ル形状になるようにビームを照射する。ビーム照射の制
御はコンピュータで行なった。
集束イオンビームは、Ｇａ＋ビームで加速電圧３０ Ｋ
Ｖ、ビーム径約０．５ μｍ、ビーム電流１ｎＡであ
る。本実施例において、ビーム照射部を６０ｓｅｃ照射
した。従来、ビームの照射はラスク走査で行なっていた
が、本発明によりビーム照射の位置ずれは、±１μｍか
ら±０．４ μｍ程度に改善することができた。
Ｖ、ビーム径約０．５ μｍ、ビーム電流１ｎＡであ
る。本実施例において、ビーム照射部を６０ｓｅｃ照射
した。従来、ビームの照射はラスク走査で行なっていた
が、本発明によりビーム照射の位置ずれは、±１μｍか
ら±０．４ μｍ程度に改善することができた。
次に、さらに他の実施例について示す。本発明において
、集束イオンビームを絶縁膜で覆われた試料の表面のビ
ーム照射部に照射する。ビームは３０ｋＶ Ｇａ＋で、
ビーム径、約０．５ μｍ、ビーム電流２ｎＡである
。本実施例において、ビーム照射および休止時間はいず
れも２００ ｍ５ｅｃであり、ビーム電流を実効的に５
０％に下げてビーム照射を行なった。本発明により、ビ
ーム照射の位置ずれは、±１．５μｍから±０．４μｍ
に改善することができた。ただし、本実施例の場合、照
射のスループットは約５０％低下する。
、集束イオンビームを絶縁膜で覆われた試料の表面のビ
ーム照射部に照射する。ビームは３０ｋＶ Ｇａ＋で、
ビーム径、約０．５ μｍ、ビーム電流２ｎＡである
。本実施例において、ビーム照射および休止時間はいず
れも２００ ｍ５ｅｃであり、ビーム電流を実効的に５
０％に下げてビーム照射を行なった。本発明により、ビ
ーム照射の位置ずれは、±１．５μｍから±０．４μｍ
に改善することができた。ただし、本実施例の場合、照
射のスループットは約５０％低下する。
本発明によれば、集束イオンビームを絶縁膜。
半絶縁膜で覆われた試料を照射する場合、スループット
をあまり落すことなく、電荷蓄積効果による照射ビーム
の位置ずれや、試料が半導体素子の場合は、その素子機
能の劣下や損傷を緩和することができるので、このよう
な試料の集束イオンビームによる局所的なエツチングや
デポジションなどの高信頼性において効果がある。
をあまり落すことなく、電荷蓄積効果による照射ビーム
の位置ずれや、試料が半導体素子の場合は、その素子機
能の劣下や損傷を緩和することができるので、このよう
な試料の集束イオンビームによる局所的なエツチングや
デポジションなどの高信頼性において効果がある。
第１図および第２図は本発明の集束イオンビーム照射方
法を説明する斜視図である。 １・・・集束イオンビーム、２・・・電子ビーム、３・
・・試料、４〜６・・・ビーム照射部。 第 １ 図 ス ２ 図
法を説明する斜視図である。 １・・・集束イオンビーム、２・・・電子ビーム、３・
・・試料、４〜６・・・ビーム照射部。 第 １ 図 ス ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、集束イオンビームを絶縁膜あるいは半絶縁膜で覆わ
れた試料に照射する方法において、ビーム照射を一定照
射量毎に照射休止時間を設けたことを特徴とする集束イ
オンビーム照射方法。 ２、試料上のイオン照射すべき複数個の局所部のイオン
照射量を多数回に分けて、該複数個の局所部を並列にイ
オン照射することにより照射休止時間を設けたことを特
徴とした特許請求の範囲第１項記載の集束イオンビーム
照射方法。 ３、試料のイオン照射部に電子も供給することを特徴と
した特許請求の範囲第１項記載の集束イオンビーム照射
方法。 ４、集束イオンビームを絶縁膜あるいは半絶縁膜で覆わ
れた試料に照射する方法において、試料上の照射部を照
射部の輪郭部分から中心方向にスパイラル形状にイオン
を照射することを特徴とする集束イオンビーム照射方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040230A JP2845871B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | イオンビーム照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040230A JP2845871B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | イオンビーム照射方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208220A true JPS63208220A (ja) | 1988-08-29 |
| JP2845871B2 JP2845871B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=12574931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040230A Expired - Lifetime JP2845871B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | イオンビーム照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845871B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275462A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Toppan Printing Co Ltd | 電子ビームレジストのパターン形成方法 |
| JPH0316125A (ja) * | 1989-03-30 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007123071A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4881094A (ja) * | 1972-01-31 | 1973-10-30 | ||
| JPS61248346A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-05 | マイクリオン・コーポレイション | 集束イオンビーム処理装置 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62040230A patent/JP2845871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4881094A (ja) * | 1972-01-31 | 1973-10-30 | ||
| JPS61248346A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-05 | マイクリオン・コーポレイション | 集束イオンビーム処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0316125A (ja) * | 1989-03-30 | 1991-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02275462A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Toppan Printing Co Ltd | 電子ビームレジストのパターン形成方法 |
| JP2007123071A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2845871B2 (ja) | 1999-01-13 |
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