JPS63210164A - 半導体素子保護用組成物 - Google Patents
半導体素子保護用組成物Info
- Publication number
- JPS63210164A JPS63210164A JP4380287A JP4380287A JPS63210164A JP S63210164 A JPS63210164 A JP S63210164A JP 4380287 A JP4380287 A JP 4380287A JP 4380287 A JP4380287 A JP 4380287A JP S63210164 A JPS63210164 A JP S63210164A
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- JP
- Japan
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- composition
- polyamic acid
- component
- solvent
- semiconductor element
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子保護用組成物に関し、さらに詳しく
は接着性および濡れ拡がり性のいずれにも優れたポリイ
ミド樹脂膜を半導体素子上に形成させ、α線によるソフ
トエラーを防止することのできる半導体素子保護用組成
物に関する。
は接着性および濡れ拡がり性のいずれにも優れたポリイ
ミド樹脂膜を半導体素子上に形成させ、α線によるソフ
トエラーを防止することのできる半導体素子保護用組成
物に関する。
従来、ＭＯＳメモリ、ＣＯＤ素子等の半導体素子のα線
によるソフトエラーを防止するため、α線源であるウラ
ン、トリウム等の放射性元素が含まれず、かつα線の遮
蔽能力に優れているポリイミド前駆樹脂組成物が保護膜
に用いられている。
によるソフトエラーを防止するため、α線源であるウラ
ン、トリウム等の放射性元素が含まれず、かつα線の遮
蔽能力に優れているポリイミド前駆樹脂組成物が保護膜
に用いられている。
しかしながら、半導体の高集積化に伴って素子面積が大
型化しており、従来のポリイミド前駆樹脂組成物から形
成される保護膜は、濡れ拡がり性が良好でないため、素
子全面を均一な膜厚で覆うことば回能であり、また熱応
力により半導体素子とポリイミド樹脂膜との界面部から
剥離する現象もみられた。これらの結果、従来のポリイ
ミド前駆樹脂組成物を用いる場合には、α線が半導体素
子中のメモリセルに侵入してソフトエラーの発生が起こ
りやすいという欠点があった。
型化しており、従来のポリイミド前駆樹脂組成物から形
成される保護膜は、濡れ拡がり性が良好でないため、素
子全面を均一な膜厚で覆うことば回能であり、また熱応
力により半導体素子とポリイミド樹脂膜との界面部から
剥離する現象もみられた。これらの結果、従来のポリイ
ミド前駆樹脂組成物を用いる場合には、α線が半導体素
子中のメモリセルに侵入してソフトエラーの発生が起こ
りやすいという欠点があった。
一般にポリイミド前駆樹脂組成物の濡れ拡がり性を改良
する方法としては、（１）ポリアミド酸の粘度をできる
だけ低減させる方法、（２）半導体素子上に塗布するポ
リアミド酸の量を増加させる方法、（３）ポリアミド酸
の製造に低表面張力溶媒を使用する方法、（４）ポリア
ミド酸溶液に界面活性剤を添加する方法（特開昭６１−
２６２４８号公報）等が知られている。
する方法としては、（１）ポリアミド酸の粘度をできる
だけ低減させる方法、（２）半導体素子上に塗布するポ
リアミド酸の量を増加させる方法、（３）ポリアミド酸
の製造に低表面張力溶媒を使用する方法、（４）ポリア
ミド酸溶液に界面活性剤を添加する方法（特開昭６１−
２６２４８号公報）等が知られている。
しかしながら、（１）の方法では半導体素子上に塗布し
たポリアミド酸が流出する危険があり、低粘度化の方法
にも限界がある。
たポリアミド酸が流出する危険があり、低粘度化の方法
にも限界がある。
（２）の方法では（１）の方法と同様に半導体素子上に
塗布したポリアミド酸の流出、また膜厚が厚くなるため
熱処理中の熱応力による半導体素子にクラックの発生、
金属細線のポンデイングパツドからの断線、ポリイミド
樹脂膜の半導体素子の界面部からの剥離等の欠点がある
。
塗布したポリアミド酸の流出、また膜厚が厚くなるため
熱処理中の熱応力による半導体素子にクラックの発生、
金属細線のポンデイングパツドからの断線、ポリイミド
樹脂膜の半導体素子の界面部からの剥離等の欠点がある
。
（３）の方法では使用する溶媒または溶媒組成の混合割
合により、ポリイミド前駆樹脂組成物の貯蔵安定性が悪
く、ゲル化したり、またポリイミド前駆体との熔解性が
低下して白化する等の欠点がある。
合により、ポリイミド前駆樹脂組成物の貯蔵安定性が悪
く、ゲル化したり、またポリイミド前駆体との熔解性が
低下して白化する等の欠点がある。
（４）の方法では界面活性剤を添加すると接着性が著し
く低下し、ポリイミド樹脂膜が半導体素子から剥離した
り、また多量に界面活性剤を添加するとポリアミド酸が
白濁する等の欠点がある。
く低下し、ポリイミド樹脂膜が半導体素子から剥離した
り、また多量に界面活性剤を添加するとポリアミド酸が
白濁する等の欠点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除去して接着性
および濡れ拡がり性のいずれにも優れたポリイミド樹脂
膜を半導体素子上に形成させ、α線によるソフトエラー
を防止することのできる半導体素子保護用組成物を提供
することにある。
および濡れ拡がり性のいずれにも優れたポリイミド樹脂
膜を半導体素子上に形成させ、α線によるソフトエラー
を防止することのできる半導体素子保護用組成物を提供
することにある。
本発明は（ａ）芳香族ジアミン、ジアミノシロキサンお
よび芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて得ら
れるシロキサン結合を含むポリアミド酸ならびに（ｂ）
フッ素系界面活性剤を含有してなる半導体素子保護用組
成物に関する。
よび芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて得ら
れるシロキサン結合を含むポリアミド酸ならびに（ｂ）
フッ素系界面活性剤を含有してなる半導体素子保護用組
成物に関する。
本発明で用いられるポリイミド前駆樹脂組成物は、（ａ
）芳香族ジアミン、ジアミノシロキサンおよび芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を反応させて得られるシロキサ
ン結合を含むポリアミド酸ならびに（ｂ）フッ素系界面
活性剤を含有する。
）芳香族ジアミン、ジアミノシロキサンおよび芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を反応させて得られるシロキサ
ン結合を含むポリアミド酸ならびに（ｂ）フッ素系界面
活性剤を含有する。
芳香族ジアミンとしては、例えば４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテル、４．４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４．４′−ジアミノジフェニルサルファイド、ベン
ジジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジア
ミン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレ
ンジアミン等が挙げられる。これらの化合物は単独でま
たは２種以上混合して用いられる。
フェニルエーテル、４．４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、４．４′−ジアミノジフェニルサルファイド、ベン
ジジン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジア
ミン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレ
ンジアミン等が挙げられる。これらの化合物は単独でま
たは２種以上混合して用いられる。
ポリアミド酸にシロキサン結合を導入するために用いら
れるジアミノシロキサンは、例えば一般式 （式中Ｒ１およびＲ２は２価の炭化水素残基、Ｒ３、Ｒ
４、ＲｈおよびＲ６は１価の炭化水素残基、Ｒ１とＲ２
は同一でも異なってもよ＜Ｒａ−Ｒ６も同一でも異なっ
てもよく、ｍは１以上の整数を意味する）で表わされ、
例えば次式で示される化合物等が挙げられる。これらの
化合物は単独でまたは２種以上混合して用いられる。
れるジアミノシロキサンは、例えば一般式 （式中Ｒ１およびＲ２は２価の炭化水素残基、Ｒ３、Ｒ
４、ＲｈおよびＲ６は１価の炭化水素残基、Ｒ１とＲ２
は同一でも異なってもよ＜Ｒａ−Ｒ６も同一でも異なっ
てもよく、ｍは１以上の整数を意味する）で表わされ、
例えば次式で示される化合物等が挙げられる。これらの
化合物は単独でまたは２種以上混合して用いられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えばピロ
メリット酸二無水物、３．３’、４．４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、３．３’。
メリット酸二無水物、３．３’、４．４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、３．３’。
４．４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
シクロペンクンテトラカルボン酸二無水物、１．２，５
．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２．
３． ５． ６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、３． ４． ９． １０−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物あるいは４．４°−スルホニルシフタル酸二無
水物等が挙げられる。これらの化合物は単独でまたは２
種以上混合して用いられる。
シクロペンクンテトラカルボン酸二無水物、１．２，５
．６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２．
３． ５． ６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、３． ４． ９． １０−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物あるいは４．４°−スルホニルシフタル酸二無
水物等が挙げられる。これらの化合物は単独でまたは２
種以上混合して用いられる。
シロキサン結合を含むポリアミド酸は前記芳香族ジアミ
ンおよび前記ジアミノシロキサンを、前記芳香族テトラ
カルボン酸二無水物と溶媒中で反応させて得られる。
ンおよび前記ジアミノシロキサンを、前記芳香族テトラ
カルボン酸二無水物と溶媒中で反応させて得られる。
この際用いられる溶媒としては、例えばＮ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ｎ−ブチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート、テトラヒドロピラ
ン−２−メタノール、ジアセトンアルコール等が挙げら
れる。これらの溶媒は単独でまたは２種以上混合して用
いられる。
−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ｎ−ブチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブアセテート、テトラヒドロピラ
ン−２−メタノール、ジアセトンアルコール等が挙げら
れる。これらの溶媒は単独でまたは２種以上混合して用
いられる。
本発明に用いられる樹脂組成物において、ジアミノシロ
キサンの配合割合は、芳香族ジアミンおよびジアミノシ
ロキサンの総モル量に対して０．１〜１０モル％が好ま
しく、０．５〜５モル％が特に好ましい。
キサンの配合割合は、芳香族ジアミンおよびジアミノシ
ロキサンの総モル量に対して０．１〜１０モル％が好ま
しく、０．５〜５モル％が特に好ましい。
本発明に用いられるフッ素系界面活性剤としては、パー
フルオロアルキルエチレンオキシド付加物が好ましく、
例えばＳ−１４５（旭硝子社製商品名）、Ｆ−１４２Ｄ
、Ｆ−１，４２、Ｆ−１４１（大日本インキ化学工業社
製商品名）等が用いられる。
フルオロアルキルエチレンオキシド付加物が好ましく、
例えばＳ−１４５（旭硝子社製商品名）、Ｆ−１４２Ｄ
、Ｆ−１，４２、Ｆ−１４１（大日本インキ化学工業社
製商品名）等が用いられる。
フッ素系界面活性剤の配合割合は、組成物の濡れ拡がり
性およびポリアミド酸の溶解性から前記ポリアミド酸に
対して０．０５〜０．２重量％の範囲が好ましく、０．
０８〜０．１５重量％の範囲がより好ましい。
性およびポリアミド酸の溶解性から前記ポリアミド酸に
対して０．０５〜０．２重量％の範囲が好ましく、０．
０８〜０．１５重量％の範囲がより好ましい。
本発明になる半導体素子保護用組成物は、前記シロキサ
ン結合を含むポリアミド酸と、フッ素系界面活性剤とを
含有し、その使用に際しては溶媒が用いられる。この際
用いられる溶媒としては、前記シロキサン結合を含むポ
リアミド酸および前記フッ素系界面活性剤のいずれをも
溶解するものが用いられ、例えば前記シロキサン結合を
含むポリアミド酸の製造に際して用いられる溶媒が用い
られる。溶媒の量はシロキサン結合を含むポリアミド酸
の濃度が５〜２５重量％となる範囲が好ましい。
ン結合を含むポリアミド酸と、フッ素系界面活性剤とを
含有し、その使用に際しては溶媒が用いられる。この際
用いられる溶媒としては、前記シロキサン結合を含むポ
リアミド酸および前記フッ素系界面活性剤のいずれをも
溶解するものが用いられ、例えば前記シロキサン結合を
含むポリアミド酸の製造に際して用いられる溶媒が用い
られる。溶媒の量はシロキサン結合を含むポリアミド酸
の濃度が５〜２５重量％となる範囲が好ましい。
本発明になる半導体素子保護用組成物を製造するに際し
ては、まずシロキサン結合を含むポリアミド酸を製造す
る。シロキサン結合を含むポリアミド酸は公知の方法に
より、例えば芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとを
前記溶媒に熔解させ、これに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を加えて、好ましくは８０℃以下、より好ましく
は室温付近またはそれ以下の温度で攪拌反応させること
により得られる。この際芳香族ジアミンおよびジアミノ
シロキサンの総量を、芳香族テトラカルボン酸二無水物
の量とほぼ等モル量とすることが好ましい。
ては、まずシロキサン結合を含むポリアミド酸を製造す
る。シロキサン結合を含むポリアミド酸は公知の方法に
より、例えば芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとを
前記溶媒に熔解させ、これに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を加えて、好ましくは８０℃以下、より好ましく
は室温付近またはそれ以下の温度で攪拌反応させること
により得られる。この際芳香族ジアミンおよびジアミノ
シロキサンの総量を、芳香族テトラカルボン酸二無水物
の量とほぼ等モル量とすることが好ましい。
次いでこのようにして得られるシロキサン結合を含むポ
リアミド酸を溶媒の存在下で、好ましくは５０〜８０℃
の温度で攪拌して使用上適切な粘度に調整した後、予め
前記溶媒により１０ＭＮ％またはそれ以下の濃度に希釈
したフッ素系界面活性剤を室温またはそれ以下の濃度で
添加し、攪拌混合することにより本発明になる組成物が
得られる。
リアミド酸を溶媒の存在下で、好ましくは５０〜８０℃
の温度で攪拌して使用上適切な粘度に調整した後、予め
前記溶媒により１０ＭＮ％またはそれ以下の濃度に希釈
したフッ素系界面活性剤を室温またはそれ以下の濃度で
添加し、攪拌混合することにより本発明になる組成物が
得られる。
このようにして得られる組成物を半導体素子上に塗布す
るに際しては、シリンジ容器を用いるポツティング処理
が行なわれる。前記組成物をシリンジ容器に充裟して室
温で３０〜６０分間放置する。また真空脱泡により前記
樹脂組成物中の気泡を充分脱泡させることも行なわれる
。次いでシリンジ容器をディスペンサー（例えば武蔵エ
ンジニアリング社製、ＭＬ−５０５）のアダプターに設
置し、通常窒素を送って一定のガス圧に調整（半導体素
子にポツティング処理）する。塗布量は、例えば４−
ＯＸ ９． Ｑ ｍ１１の半導体素子においては２０〜
３０ｍｇとすることが好ましい。
るに際しては、シリンジ容器を用いるポツティング処理
が行なわれる。前記組成物をシリンジ容器に充裟して室
温で３０〜６０分間放置する。また真空脱泡により前記
樹脂組成物中の気泡を充分脱泡させることも行なわれる
。次いでシリンジ容器をディスペンサー（例えば武蔵エ
ンジニアリング社製、ＭＬ−５０５）のアダプターに設
置し、通常窒素を送って一定のガス圧に調整（半導体素
子にポツティング処理）する。塗布量は、例えば４−
ＯＸ ９． Ｑ ｍ１１の半導体素子においては２０〜
３０ｍｇとすることが好ましい。
ポツティング処理後、硬化炉または温風式乾燥器に投入
し、好ましくは１００°Ｃで９０分間乾燥後、好ましく
は２００〜２５０℃で３０〜６０分間、さらに３５０〜
４００°Ｃで３０〜９０分間加熱して脱水閉環させると
、ポリイミド樹脂膜を半導体素子上に形成させて半導体
装置が得られる。
し、好ましくは１００°Ｃで９０分間乾燥後、好ましく
は２００〜２５０℃で３０〜６０分間、さらに３５０〜
４００°Ｃで３０〜９０分間加熱して脱水閉環させると
、ポリイミド樹脂膜を半導体素子上に形成させて半導体
装置が得られる。
従来のポリイミド前駆樹脂組成物から形成される保護膜
は、濡れ拡がり性が良好でないため、面積６０ｍｒｒｒ
の半導体素子上に５０■ボツテイング処理する場合には
素子コーナ一部まで完全に覆うことはできなかったが、
本発明になる組成物は４５■ボツテイング処理で熱応力
による剥離もなく、半導体素子上を完全に覆うことがで
き、濡れ拡がり性が優れている。
は、濡れ拡がり性が良好でないため、面積６０ｍｒｒｒ
の半導体素子上に５０■ボツテイング処理する場合には
素子コーナ一部まで完全に覆うことはできなかったが、
本発明になる組成物は４５■ボツテイング処理で熱応力
による剥離もなく、半導体素子上を完全に覆うことがで
き、濡れ拡がり性が優れている。
本発明になる半導体素子保護用組成物は、シロキサン結
合の存在により接着性に優れ、またフッ素系界面活性剤
の添加により濡れ拡がり性にも極めて優れたものである
。この組成物を脱水閉環させてポリイミド樹脂膜をＭＯ
Ｓメモリ、ＣＣＤ素子等の半導体素子上に形成させた半
導体装置は特にα線の防止を必要とする大型素子の場合
に有用なものである。
合の存在により接着性に優れ、またフッ素系界面活性剤
の添加により濡れ拡がり性にも極めて優れたものである
。この組成物を脱水閉環させてポリイミド樹脂膜をＭＯ
Ｓメモリ、ＣＣＤ素子等の半導体素子上に形成させた半
導体装置は特にα線の防止を必要とする大型素子の場合
に有用なものである。
以下、本発明を実施例により詳説する。
実施例Ｉ
Ｎ−メチル−２−ピロリドン８５．０ ｇに、４゜４′
−ジアミノジフェニルエーテル２．２９０ｇ。
−ジアミノジフェニルエーテル２．２９０ｇ。
パラフェニレンジアミン２．８８６ｇ、１．３−ビス（
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．０４８
ｇおよび３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物１１．２７６ｇを加え、２５゛Ｃで６時間
反応後、８０°Ｃで６時間攪拌して粘度を７０ポアズに
調製した。
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．０４８
ｇおよび３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物１１．２７６ｇを加え、２５゛Ｃで６時間
反応後、８０°Ｃで６時間攪拌して粘度を７０ポアズに
調製した。
得られたシロキサン結合を含むポリアミド酸溶液１００
ｇに、フッ素系界面活性剤であるＦ−１４２Ｄ（大日本
インキ化学工業社製）０．０８ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン０．７２ ｇに溶解させた溶液を添加し、室温
で１時間攪拌溶解させて組成物を得た。
ｇに、フッ素系界面活性剤であるＦ−１４２Ｄ（大日本
インキ化学工業社製）０．０８ｇをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン０．７２ ｇに溶解させた溶液を添加し、室温
で１時間攪拌溶解させて組成物を得た。
この組成物を、洗浄したシリンジ容器に充填し、室温で
３０分間放置後、ディスペンサー（武威エンジニアリン
グ社製ＭＬ−５０５）の接続アダプターに設置して窒素
ガス加圧により、４．５ Ｘ １３゜０１１サイズの半
導体素子上にポリアミド酸を４０噌ボツテイング処理し
た。
３０分間放置後、ディスペンサー（武威エンジニアリン
グ社製ＭＬ−５０５）の接続アダプターに設置して窒素
ガス加圧により、４．５ Ｘ １３゜０１１サイズの半
導体素子上にポリアミド酸を４０噌ボツテイング処理し
た。
ポツティング処理後、湿度６０％および温度２３℃の雰
囲気下に３０分間放置して窒素雰囲気のオーブン中で１
００ ′ｃで９０分間、次いで２００℃で３０分間、さ
らに３５０℃で６０分間加熱処理してポリイミド樹脂か
らなる表面保護膜を半導体素子上に形成させた。
囲気下に３０分間放置して窒素雰囲気のオーブン中で１
００ ′ｃで９０分間、次いで２００℃で３０分間、さ
らに３５０℃で６０分間加熱処理してポリイミド樹脂か
らなる表面保護膜を半導体素子上に形成させた。
この組成物は、前記半導ｖト素子のコーナ一部まで完全
に濡れ拡がり、しかも保護膜を金属針で強制的に引っか
いても半導体素子界面から剥離することがなく、接着性
が良好なものであった。
に濡れ拡がり、しかも保護膜を金属針で強制的に引っか
いても半導体素子界面から剥離することがなく、接着性
が良好なものであった。
実施例２
Ｎ−メチル−２−ピロリドンとＮ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドとの総量に対して前者が７０重量％および後者が
３０重量％の混合溶媒８５ｇに、４．４１−シア、ミノ
ジフェニルエーテル６．０３０ｇ、１，３−ビス（アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．３９４ｇ、
ピロメリット酸二無水物３．４６０ ｇおよび３，３°
、４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
５．１１０ ｇを加え、２５℃で５時間反応後、８０℃
で６時間攪拌して粘度を６０ポアズに調製した。
アミドとの総量に対して前者が７０重量％および後者が
３０重量％の混合溶媒８５ｇに、４．４１−シア、ミノ
ジフェニルエーテル６．０３０ｇ、１，３−ビス（アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．３９４ｇ、
ピロメリット酸二無水物３．４６０ ｇおよび３，３°
、４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
５．１１０ ｇを加え、２５℃で５時間反応後、８０℃
で６時間攪拌して粘度を６０ポアズに調製した。
得られたシロキサン結合を含むポリアミド酸溶液１００
ｇに、フッ素系界面活性剤であるＳ−１４５（固形分濃
度３０重量％、旭硝子社製）０．１０ｇをＮ−メチル−
２−ピロリドン０．２０ ｇに溶解させた溶液を添加し
、室温で１時間攪拌熔解させて組成物を得た。
ｇに、フッ素系界面活性剤であるＳ−１４５（固形分濃
度３０重量％、旭硝子社製）０．１０ｇをＮ−メチル−
２−ピロリドン０．２０ ｇに溶解させた溶液を添加し
、室温で１時間攪拌熔解させて組成物を得た。
この組成物を用い、実施例１と同様にしてポツティング
処理および熱処理を行なってポリイミド樹脂からなる表
面保護膜を半導体素子上に形成させた。
処理および熱処理を行なってポリイミド樹脂からなる表
面保護膜を半導体素子上に形成させた。
この表面保護膜は極めて良好な接着性を示し、用いた組
成物は良好な濡れ拡がり性を示した。
成物は良好な濡れ拡がり性を示した。
比較例１
フッ素系界面活性剤であるＦ−１４２Ｄを添加せず、そ
の他は実施例１と同様に処理して得られた組成物は、濡
れ拡がり性が不充分であり、４．５Ｘ １３． Ｑ ｎ
ｉサイズの半導体素子のコーナ一部までポリイミド樹脂
保護膜で完全に覆われなかった。
の他は実施例１と同様に処理して得られた組成物は、濡
れ拡がり性が不充分であり、４．５Ｘ １３． Ｑ ｎ
ｉサイズの半導体素子のコーナ一部までポリイミド樹脂
保護膜で完全に覆われなかった。
比較例２
Ｎ−メチル−２−ピロリドン８５．０ ｇに、４゜４′
−ジアミノジフェニルエーテル６、０７４ ｇおよび３
．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物８．９２６ ｇを加え、２５℃で６時間反応後、８０
℃で６時間攪拌して粘度を７０ポアズに調製した。
−ジアミノジフェニルエーテル６、０７４ ｇおよび３
．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物８．９２６ ｇを加え、２５℃で６時間反応後、８０
℃で６時間攪拌して粘度を７０ポアズに調製した。
得られたポリアミド酸溶液１００ｇに、フッ素系界面活
性剤であるＦ−１４２Ｄ（大日本インキ化学工業社製）
０．０８ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン０．７２ ｇ
に熔解させた溶液を添加し、室温で１時間攪拌熔解させ
て組成物を得た。
性剤であるＦ−１４２Ｄ（大日本インキ化学工業社製）
０．０８ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン０．７２ ｇ
に熔解させた溶液を添加し、室温で１時間攪拌熔解させ
て組成物を得た。
この組成物を用い、実施例１と同様にしてポツティング
処理および熱処理を行なってポリイミド樹脂からなる表
面保護膜を半導体素子上に形成させた。
処理および熱処理を行なってポリイミド樹脂からなる表
面保護膜を半導体素子上に形成させた。
この組成物は濡れ拡がり性には優れているが、得られた
表面保存膜について実施例１と同様にして接着性を調べ
たところ、半導体素子界面からポリイミド樹脂膜が剥離
し、接着性が不充分なものであった。
表面保存膜について実施例１と同様にして接着性を調べ
たところ、半導体素子界面からポリイミド樹脂膜が剥離
し、接着性が不充分なものであった。
、−ｍ−・、。
手続補正書（自発）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）芳香族ジアミン、ジアミノシロキサンおよび
芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて得られる
シロキサン結合を含むポリアミド酸ならびに（ｂ）フッ
素系界面活性剤を含有してなる半導体素子保護用組成物
。 ２、フッ素系界面活性剤の配合割合を、ポリアミド酸に
対して０．０５〜０．２重量％とした特許請求の範囲第
１項記載の半導体素子保護用組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4380287A JPS63210164A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体素子保護用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4380287A JPS63210164A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体素子保護用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210164A true JPS63210164A (ja) | 1988-08-31 |
Family
ID=12673877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4380287A Pending JPS63210164A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体素子保護用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63210164A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03168214A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0573278A3 (ja) * | 1992-06-03 | 1994-04-06 | Nippon Oil Co Ltd | |
| JPH06184305A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 部分イミド化したポリアミド酸組成物の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP4380287A patent/JPS63210164A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03168214A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0573278A3 (ja) * | 1992-06-03 | 1994-04-06 | Nippon Oil Co Ltd | |
| JPH06184305A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 部分イミド化したポリアミド酸組成物の製造方法 |
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