JPS63211076A - パタ−ン検査装置 - Google Patents
パタ−ン検査装置Info
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- JPS63211076A JPS63211076A JP62042671A JP4267187A JPS63211076A JP S63211076 A JPS63211076 A JP S63211076A JP 62042671 A JP62042671 A JP 62042671A JP 4267187 A JP4267187 A JP 4267187A JP S63211076 A JPS63211076 A JP S63211076A
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- Japan
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- pattern
- circuit
- image processing
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、予じめ設計値(数値)で与えられたパターン
情報、例えば、パターンの製作に用いられる設計データ
やホトマスク等の手本パターンのm形に関し、特に、実
際の検査対象であるパターンに類似の、緩和された基準
パターンの整形に関するO 〔従来の技術〕 検査の対象となる被検査パターンは、露光・エツチング
プロセス等が原因で、検査の基準である手本パターンに
比べて角部に丸みが生じていたり、あるいはパターン線
巾が変化していたりすることがある。この場合、正常な
被検査パターンであっても不良な被検査パターンである
と誤判定してしまう。
情報、例えば、パターンの製作に用いられる設計データ
やホトマスク等の手本パターンのm形に関し、特に、実
際の検査対象であるパターンに類似の、緩和された基準
パターンの整形に関するO 〔従来の技術〕 検査の対象となる被検査パターンは、露光・エツチング
プロセス等が原因で、検査の基準である手本パターンに
比べて角部に丸みが生じていたり、あるいはパターン線
巾が変化していたりすることがある。この場合、正常な
被検査パターンであっても不良な被検査パターンである
と誤判定してしまう。
前記RMを解決する手段として従来技術では、特開昭6
0−113102号記載のように、上記した差異を補正
するため、手本パターンに以下に示す画像処理を施し、
被検査パターンに似せた処理パターンを作っている。
0−113102号記載のように、上記した差異を補正
するため、手本パターンに以下に示す画像処理を施し、
被検査パターンに似せた処理パターンを作っている。
従来技術の画像処理法は、第2図に示す様に1NXN個
の画素の配置21のうち周辺部22の各画素内容(1又
は0)の総和値Sを求め、予め定められた少(とも1つ
の値にと比較し、その結果によ)てNXN個の画素の配
置21の中心23の内容20を修正する方法である。こ
れにより、手本パターンの角部・線太り部(II細り部
)を被検査パターンに似せていた。
の画素の配置21のうち周辺部22の各画素内容(1又
は0)の総和値Sを求め、予め定められた少(とも1つ
の値にと比較し、その結果によ)てNXN個の画素の配
置21の中心23の内容20を修正する方法である。こ
れにより、手本パターンの角部・線太り部(II細り部
)を被検査パターンに似せていた。
第2図では手本パターン24のハツチング部分が1であ
り、その外側が0である。もし、s<k(h−6)のと
きに中心画素23をOICするという条件を与えである
ならば、B−5なので中心画素23は1から0に変更さ
れるのである。
り、その外側が0である。もし、s<k(h−6)のと
きに中心画素23をOICするという条件を与えである
ならば、B−5なので中心画素23は1から0に変更さ
れるのである。
第3図は上記画像処理を用いた従来技術を示すブロック
図である。
図である。
手本パターンになる設計データはテープ31に格納され
ている。テープ31のデータはパターン発生回路52に
よりて2饋化されたデータパターンになり、画像処理回
路16へ入力される。画像処理回路16では上記した画
像処理が行なわれ、処理された手本パターンは比較面#
818へ入力される。一方、被検査パターンである測定
対象11の像は集光レンズ12を通過後、センナ15
K結像する。センサ15で得られた画像情報は2値化回
路14で2値データに変換され、比較回路18へ入力さ
れる。比較回路18では、処理された手本パターンと比
較され、欠陥判定が行なわれるのである。
ている。テープ31のデータはパターン発生回路52に
よりて2饋化されたデータパターンになり、画像処理回
路16へ入力される。画像処理回路16では上記した画
像処理が行なわれ、処理された手本パターンは比較面#
818へ入力される。一方、被検査パターンである測定
対象11の像は集光レンズ12を通過後、センナ15
K結像する。センサ15で得られた画像情報は2値化回
路14で2値データに変換され、比較回路18へ入力さ
れる。比較回路18では、処理された手本パターンと比
較され、欠陥判定が行なわれるのである。
上記従来技術は、手本パターンとして第4図(α)の様
なパターン角部が直角である設計データパターンを第4
図(b)の様なパターン角部が1画素欠落した被検査パ
ターンと比較検査することを目的に。
なパターン角部が直角である設計データパターンを第4
図(b)の様なパターン角部が1画素欠落した被検査パ
ターンと比較検査することを目的に。
考案されたもので、第4図(、)の様な数画素にわたっ
て丸みのある手本パターンについては考慮されていなか
った。
て丸みのある手本パターンについては考慮されていなか
った。
第4図(Q)の手本パターンで、上記従来技術を適用し
た場合を考えてみる(N−8)。予め定めた値kに対し
て前記総和値Sの条件がS<kの場合に中心の内容Xを
0にするという事にする。k −1〜7の場合は角部の
検出が出来ず、k−8の場合は画素41−αと画素41
−bが0になるだけなので、角部の形状が変形してしま
う。更に、k −9〜16の場合はパターンの角部と直
線部の区別がつかなくなり、処理が出来ない。結局、手
本パターン第4図(C)を都合よく変形する条件は存在
しない。以上はN−5の場合であるが、他の場合も同様
に不都合が生じる。
た場合を考えてみる(N−8)。予め定めた値kに対し
て前記総和値Sの条件がS<kの場合に中心の内容Xを
0にするという事にする。k −1〜7の場合は角部の
検出が出来ず、k−8の場合は画素41−αと画素41
−bが0になるだけなので、角部の形状が変形してしま
う。更に、k −9〜16の場合はパターンの角部と直
線部の区別がつかなくなり、処理が出来ない。結局、手
本パターン第4図(C)を都合よく変形する条件は存在
しない。以上はN−5の場合であるが、他の場合も同様
に不都合が生じる。
そもそも設計データは希望するパターンを生成するため
のものであり、必要とするパターンに応じて角部形状が
数画素にわたりて丸みを帯びている場合もあり、従来例
のように直角の角部を対象とするだけでは手本パターン
を検査パターンに似せる事が難しく、従って検査装着の
誤判定が増加する。
のものであり、必要とするパターンに応じて角部形状が
数画素にわたりて丸みを帯びている場合もあり、従来例
のように直角の角部を対象とするだけでは手本パターン
を検査パターンに似せる事が難しく、従って検査装着の
誤判定が増加する。
更に実際のエツチングプロセスでは、上記した他に第5
図に示す様に手本パターンの突き出た角部A51は被検
査パターンの突き出た角部B 52の様に縮むのに対し
て、手本パターンの引っ込んだ角部C53は被検査パタ
ーンの引っ込んだ角部D54の様に伸びるが、従来技術
では両者のパターンを同時に処理させる事が原理上不可
能である。
図に示す様に手本パターンの突き出た角部A51は被検
査パターンの突き出た角部B 52の様に縮むのに対し
て、手本パターンの引っ込んだ角部C53は被検査パタ
ーンの引っ込んだ角部D54の様に伸びるが、従来技術
では両者のパターンを同時に処理させる事が原理上不可
能である。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、手
本パターンをその形状によらずに全て被検査パターンに
似せることの出来る画像処理法を用いることにより、如
何なる被検査パターンとも精度良く比較検査できる微細
パターン検査装置を提供することである。
本パターンをその形状によらずに全て被検査パターンに
似せることの出来る画像処理法を用いることにより、如
何なる被検査パターンとも精度良く比較検査できる微細
パターン検査装置を提供することである。
上記目的は、第2図に示したNXN個の配置21のうち
、周辺部22だゆではなく、内部の画素を含めた全ての
画素の0の数と1の数との多数決によりて中心23の0
,1を決定する方法を用いれば達成される。
、周辺部22だゆではなく、内部の画素を含めた全ての
画素の0の数と1の数との多数決によりて中心23の0
,1を決定する方法を用いれば達成される。
本発明では1つの画素の0,1を決定するのに使用する
画素が面全体になるので、前記第4図の手本パターン第
41ffl(Q)のようにパターンが既に丸みを帯びて
いる場合においても、該パターンを被検査パターンの形
状に極めて近い形状に変形させる事が出来るので、設計
データやマスク等の手本パターンに関わらすに比較検査
が出来、被検査パターンの良否を判定する際の誤判定を
少な(することが出来る。
画素が面全体になるので、前記第4図の手本パターン第
41ffl(Q)のようにパターンが既に丸みを帯びて
いる場合においても、該パターンを被検査パターンの形
状に極めて近い形状に変形させる事が出来るので、設計
データやマスク等の手本パターンに関わらすに比較検査
が出来、被検査パターンの良否を判定する際の誤判定を
少な(することが出来る。
以下添付の図面に示す実施例により、具体的に説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。手
本パターンである測定対象11の像は、集光レンズ12
を通過後、センサ15上に結像すゐセンサ15で得られ
た画像情報は2値化回路14で2値データに変換される
。手本パターンを入力する場合はスイッチ15は画像処
理回路16側に接続される。この場合、2値データは画
像処理回路16によって被検査パターンに似たものにな
り、イメージメモリ17に格納される。
本パターンである測定対象11の像は、集光レンズ12
を通過後、センサ15上に結像すゐセンサ15で得られ
た画像情報は2値化回路14で2値データに変換される
。手本パターンを入力する場合はスイッチ15は画像処
理回路16側に接続される。この場合、2値データは画
像処理回路16によって被検査パターンに似たものにな
り、イメージメモリ17に格納される。
また、被検査パターンは同様にセンサ13に入力され、
2値化回路14で2値データに変換される。
2値化回路14で2値データに変換される。
被検査パターンの場合はスイッチ15は直接比較回路1
8に接続される。比較回路18では被検査パターンの2
値データがイメージメモリ17のデータと比較され、欠
陥判定が行なわれる。
8に接続される。比較回路18では被検査パターンの2
値データがイメージメモリ17のデータと比較され、欠
陥判定が行なわれる。
第6図に本発明による画像処理法で実際に行なわれる画
像処理の一例を示す。ホトマスクの手本パターン61を
含んだデータパターンのうち、ある一つの中心画素62
−αから半径rの円63に含まれる画素領域64のうち
1の画素数と0の画素数とを較べ、1の画素数が多げれ
ば中心画素62−aは1に、逆に0の画素数が多ければ
中心画素62−αは0忙することにする。中心画素62
−aをf −タパターン中の全ての画素にあてはめて、
各々上記と同様な処理を行なプ。第5図では半径r”A
5画素の場合を示してあり、特に第5図の場合の画素領
域64については0の画素数17個で1の画素数20個
であり、1の画素数が多いので中心画素62−(Lは1
になる。同様にして全ての画素を中心画素にあてはめて
処理すると画素62−bは0、画素62−Cは1、画素
62−dは0となり、パターン形状61は破線65で示
した様に角部が丸められる。
像処理の一例を示す。ホトマスクの手本パターン61を
含んだデータパターンのうち、ある一つの中心画素62
−αから半径rの円63に含まれる画素領域64のうち
1の画素数と0の画素数とを較べ、1の画素数が多げれ
ば中心画素62−aは1に、逆に0の画素数が多ければ
中心画素62−αは0忙することにする。中心画素62
−aをf −タパターン中の全ての画素にあてはめて、
各々上記と同様な処理を行なプ。第5図では半径r”A
5画素の場合を示してあり、特に第5図の場合の画素領
域64については0の画素数17個で1の画素数20個
であり、1の画素数が多いので中心画素62−(Lは1
になる。同様にして全ての画素を中心画素にあてはめて
処理すると画素62−bは0、画素62−Cは1、画素
62−dは0となり、パターン形状61は破線65で示
した様に角部が丸められる。
上記した処理は、円の半径rを変化させることにより、
付与する丸め址を自由に設定することが出来る。
付与する丸め址を自由に設定することが出来る。
更に、第7図にパターン形状を踪太りゃ種細りさせる必
要が有る場合を示す。半径rの円65に含まれる画素領
域64の5ち、基準にする1の画素数と0の画素数の割
合を1:1以外の必要な値に定めておけば良い。第7図
において手本パターン61に対して半径j −m X5
画素の円63に含まれる画素領域64のうち、1の画素
数が24以上ならば中心画素62は1にし、逆に00画
素数が14以上ならば中心画素62は0にする事にする
と、手本パターン61は線細りした形状71になる。
要が有る場合を示す。半径rの円65に含まれる画素領
域64の5ち、基準にする1の画素数と0の画素数の割
合を1:1以外の必要な値に定めておけば良い。第7図
において手本パターン61に対して半径j −m X5
画素の円63に含まれる画素領域64のうち、1の画素
数が24以上ならば中心画素62は1にし、逆に00画
素数が14以上ならば中心画素62は0にする事にする
と、手本パターン61は線細りした形状71になる。
本実施例によれば、プリント板等の611[[1パター
ン検査において、プリント板が製造行程で角丸みや線太
り(細り)を生じる事に対して、設計データパターンや
マスクパターンを修正して微細パターンに合わせて比較
検査する事が出来る。
ン検査において、プリント板が製造行程で角丸みや線太
り(細り)を生じる事に対して、設計データパターンや
マスクパターンを修正して微細パターンに合わせて比較
検査する事が出来る。
本実施例では半径rの円63に含まれる画素領域64を
一例とした。これは画像処理に等方性を持たせ、パター
ンの方向によらずに一様な処理効果を持たせるためのも
のであるが、一つの領域を持りたものであれば、特に円
65に含まれる様な領域ではなく、他の形状であっても
構わないのはもちろんである。
一例とした。これは画像処理に等方性を持たせ、パター
ンの方向によらずに一様な処理効果を持たせるためのも
のであるが、一つの領域を持りたものであれば、特に円
65に含まれる様な領域ではなく、他の形状であっても
構わないのはもちろんである。
また、第1図で入力する手本パターンはセンサ13によ
るものばかりではなく、設計データでありても構わない
。
るものばかりではなく、設計データでありても構わない
。
第8図は今回発明した画像処理回路16の一実一施例で
ある。
ある。
パターン発生回路又は他の画像入力部から出力されるパ
ターン信号はシフトレジスタ列81 K入力され、続い
て画像切り出し回路82 K入力される。画像切り出し
回路82から指定した領域によって切り出された画素の
データは加算回路83へ送られ、加算結果となつて出力
される。この加算結果は比較器で予めセットされている
数値と比較され、その結果に基づき中心画素52の値が
決定されるわげである。
ターン信号はシフトレジスタ列81 K入力され、続い
て画像切り出し回路82 K入力される。画像切り出し
回路82から指定した領域によって切り出された画素の
データは加算回路83へ送られ、加算結果となつて出力
される。この加算結果は比較器で予めセットされている
数値と比較され、その結果に基づき中心画素52の値が
決定されるわげである。
第9図は今回発明した画像処理回路16のもう一つの実
施例である。
施例である。
第8図と同様にして画像切り出し回路82から切り出さ
れた画素のデータによってアナログスイッチ91が1の
数分だけ閉じ、端子h−A′の電圧レベル92が決まる
。この電圧レベル92によって中心画素52の値が決定
されるわけである。
れた画素のデータによってアナログスイッチ91が1の
数分だけ閉じ、端子h−A′の電圧レベル92が決まる
。この電圧レベル92によって中心画素52の値が決定
されるわけである。
本発明によればプリント板等の微細パターン検査で、誤
判定の少ない検査装置を提供する事が出来る。
判定の少ない検査装置を提供する事が出来る。
第1図は微細パターン検査装置の構成を示すブロック図
、第2図は従来の画像処理技術を説明するための図、第
3図は微細パターン検査装置の構成を示すfs2のブロ
ック図、第4図は従来の画像処理技術を説明するための
第2の図、第5図は従来の画像処理を説明するための#
!3の図、第6図は本発明に係る画像処理技術を説明す
るための図、第7図は本発明に係る画像処理技術で義細
り作用を発揮できることを説明するための図、第8図は
本発明に係る画像処理回路の第1の実施例を示す図、第
9図は本発明に係る画像処理回路の第2の実施例を示す
図である。 16・・・画像処理回路、 62・・・中心画素、 64・・・画素領域。 第1vA 熟2(!1 嶌5国 め4I!1 第6目 島6目 晃7の
、第2図は従来の画像処理技術を説明するための図、第
3図は微細パターン検査装置の構成を示すfs2のブロ
ック図、第4図は従来の画像処理技術を説明するための
第2の図、第5図は従来の画像処理を説明するための#
!3の図、第6図は本発明に係る画像処理技術を説明す
るための図、第7図は本発明に係る画像処理技術で義細
り作用を発揮できることを説明するための図、第8図は
本発明に係る画像処理回路の第1の実施例を示す図、第
9図は本発明に係る画像処理回路の第2の実施例を示す
図である。 16・・・画像処理回路、 62・・・中心画素、 64・・・画素領域。 第1vA 熟2(!1 嶌5国 め4I!1 第6目 島6目 晃7の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、検査の基準になるパターンと検査対象のパターンと
を比較照合して欠陥検出を行なうパターン検査装置にお
いて、 検査の基準になるパターン上に円板に対応した画素領域
を指定し、当該領域内の多数決論理処理を行う画像処理
機能を有するパターン検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62042671A JPS63211076A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | パタ−ン検査装置 |
| US07/154,239 US4962541A (en) | 1987-02-27 | 1988-02-10 | Pattern test apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62042671A JPS63211076A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | パタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211076A true JPS63211076A (ja) | 1988-09-01 |
Family
ID=12642490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62042671A Pending JPS63211076A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | パタ−ン検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4962541A (ja) |
| JP (1) | JPS63211076A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04169803A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-17 | Hitachi Ltd | 検査方法及びその装置 |
| JP2006350680A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像処理装置、および画像処理方法、並びにコンピュータ・プログラム |
Families Citing this family (17)
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| US5475766A (en) * | 1991-09-05 | 1995-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus with corner rounding of reference pattern data |
| JP3237928B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | パターン検査方法及び装置 |
| DE4232704C2 (de) * | 1992-09-30 | 1995-04-20 | Hell Ag Linotype | Verfahren und Schaltungsanordnung zur elektronischen Retusche von Bildern |
| US5307421A (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a synthesized reference image for the inspection of objects and apparatus for performing the same |
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