JPS63211142A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63211142A JPS63211142A JP4301487A JP4301487A JPS63211142A JP S63211142 A JPS63211142 A JP S63211142A JP 4301487 A JP4301487 A JP 4301487A JP 4301487 A JP4301487 A JP 4301487A JP S63211142 A JPS63211142 A JP S63211142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- recording medium
- layer
- substrate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体に係り、より詳しくは光磁気記
録層の下地層に関する。
録層の下地層に関する。
近年、ａ気配り媒体と同随に情報を繰り返し書き換え可
能な記録媒体として、光磁気記録媒体が実用化されよう
としている。
能な記録媒体として、光磁気記録媒体が実用化されよう
としている。
第３＠は従来知られている光磁気記録媒体の一例を示す
断面図であって、基板ｉｔの信号パターン１２形成面に
、ＳｉＮ、Ｓｉｎ、ＡＩＮ、ＺｎＳ等から成るエンハン
スｖａ１３、光磁気記録Ｍ （ｌｄｉ性層）１４、及び
保護層１５を順次１層して成る（特開昭５８−７３０３
０）。
断面図であって、基板ｉｔの信号パターン１２形成面に
、ＳｉＮ、Ｓｉｎ、ＡＩＮ、ＺｎＳ等から成るエンハン
スｖａ１３、光磁気記録Ｍ （ｌｄｉ性層）１４、及び
保護層１５を順次１層して成る（特開昭５８−７３０３
０）。
この光磁気記録媒体は、前記各層１３，１４゜１５を成
膜した後、室温にて前記光磁気記録Ｊｉ！ｙ１４に一定
の方向の一様な磁界をかけて、初期化、即ち前記光磁気
記録層１４の磁化の方向を一定の方向に揃えるための処
理が行われる。
膜した後、室温にて前記光磁気記録Ｊｉ！ｙ１４に一定
の方向の一様な磁界をかけて、初期化、即ち前記光磁気
記録層１４の磁化の方向を一定の方向に揃えるための処
理が行われる。
前記のようにし・て磁化状態の初期化が行われた光磁気
記録層１４に高集束化されたレーザビームを照射すると
、核部が当該光磁気記録材料のキュリ一温度以上に加熱
され、レーザビーム照射部の磁化が失われる。そこで、
外部より初期化された磁化の方向と逆向きの磁界をかけ
ることによって反転磁区（磁気ドメイン）を形成するこ
とができる。従って、この反転磁区を情報信号の１ビツ
トに対応することによって、情報を記録することができ
る。また、前記光磁気記録層の磁化の方向によって当該
光磁気記録層に照射された再生用レーザビームの反射光
の偏光角度が変化する（カー効果）ので、これを情報と
して読み出すことによって情報の再生を行うことができ
る。
記録層１４に高集束化されたレーザビームを照射すると
、核部が当該光磁気記録材料のキュリ一温度以上に加熱
され、レーザビーム照射部の磁化が失われる。そこで、
外部より初期化された磁化の方向と逆向きの磁界をかけ
ることによって反転磁区（磁気ドメイン）を形成するこ
とができる。従って、この反転磁区を情報信号の１ビツ
トに対応することによって、情報を記録することができ
る。また、前記光磁気記録層の磁化の方向によって当該
光磁気記録層に照射された再生用レーザビームの反射光
の偏光角度が変化する（カー効果）ので、これを情報と
して読み出すことによって情報の再生を行うことができ
る。
然るに、前記したような構造の光磁気記録媒体は、第２
図に示すように、初期化の際の磁気光学特性（カーヒス
テリシスループ）の角型性が悪く。
図に示すように、初期化の際の磁気光学特性（カーヒス
テリシスループ）の角型性が悪く。
しかも保磁力が大きいという問題がある。磁気光学特性
の角型性が悪い光磁気記録層は、初期化された光磁気記
録媒体の磁化の方向が不均一になり易く、再生信号のＣ
／Ｎ比が劣化するという問題を生ずる。特に１例えば１
２インチの光磁気ディスクのように広い光磁気記録層を
有する光磁気記録媒体の場合には、光磁気記録層の全域
に一様な磁界をかけることは困難であるため、取上の如
き問題が顕著になる。また、保磁力が大きい光磁気記録
層は、記録の安定性の点では優れるが、その反面、初期
化の際に大きな磁場を必要とし、初期化の処理効率が悪
いという問題を生じる。
の角型性が悪い光磁気記録層は、初期化された光磁気記
録媒体の磁化の方向が不均一になり易く、再生信号のＣ
／Ｎ比が劣化するという問題を生ずる。特に１例えば１
２インチの光磁気ディスクのように広い光磁気記録層を
有する光磁気記録媒体の場合には、光磁気記録層の全域
に一様な磁界をかけることは困難であるため、取上の如
き問題が顕著になる。また、保磁力が大きい光磁気記録
層は、記録の安定性の点では優れるが、その反面、初期
化の際に大きな磁場を必要とし、初期化の処理効率が悪
いという問題を生じる。
本発明の目的は、磁気光学特性の角型性に優れ、かつ比
較的小さな磁界を作用することによって容易に光磁気記
録層を初期化可能な光磁気配［Ｃ体を提供するにある。
較的小さな磁界を作用することによって容易に光磁気記
録層を初期化可能な光磁気配［Ｃ体を提供するにある。
本願発明者は、実験の結果、光磁気記録層の磁気光学特
性の角型性及び保磁力の大きさは、光磁気記録層の下地
の種類によって影響を受け、ある物質にて下地層を形成
すると磁気光学特性の角型性が改善され、保磁力を小さ
くすることができるという事実を知得した。
性の角型性及び保磁力の大きさは、光磁気記録層の下地
の種類によって影響を受け、ある物質にて下地層を形成
すると磁気光学特性の角型性が改善され、保磁力を小さ
くすることができるという事実を知得した。
本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであって
、光磁気記録層の下地層を、チタン、スカンジウム、バ
ナジウム、アルミニウム、シリコン、ゲルマニラＡ、Ｔ
ｉ○、Ａ１ｚＯりから選択された物質にて形成したこと
を特徴とするものである。
、光磁気記録層の下地層を、チタン、スカンジウム、バ
ナジウム、アルミニウム、シリコン、ゲルマニラＡ、Ｔ
ｉ○、Ａ１ｚＯりから選択された物質にて形成したこと
を特徴とするものである。
第１図は本発明にかかる光磁気記録媒体の膜構成を模式
的に示す断面図であって、■は基板、２は信号パターン
、３はエンハンス膜、４は下地層。
的に示す断面図であって、■は基板、２は信号パターン
、３はエンハンス膜、４は下地層。
５は光磁気記録層（磁性膜）、６は保護層を示している
。
。
基板ｌは、例えばガラス、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）、ポリカーボネー）−（ＰＣ）。
ＰＭＭＡ）、ポリカーボネー）−（ＰＣ）。
エポキシなどの透明物質をもって構成されており、その
片面にプリグループやプリピット等の信号パターン２が
転写されている。前記信号パターン２の転写手段として
は、基板材料によって適宜の手段を採ることがでる。例
えば、基板１がガラスなどのセラミックスやエポキシな
どの熱硬化性の樹脂によって形成される場合には、スタ
ンパと呼称される金型と基板ｌとの間で光硬化性樹脂を
展伸し、スタンパにカッティングされた信号パターンを
基板１に転写する所１１１２Ｐ法が適する。また、基板
１がＰ Ｍ Ｍ ＡやＰＣ等の熱可塑性＠脂によって形
成される場合には、射出成形によって基板の成形と同時
に信号パターンの転写を行う方法が適する。さらに、基
板１がエポキシ等の熱硬化性樹脂によって形成される場
合には、注型法によって基板の成形と同時に信号パター
ンの転写を行う方法を適用することもできる。
片面にプリグループやプリピット等の信号パターン２が
転写されている。前記信号パターン２の転写手段として
は、基板材料によって適宜の手段を採ることがでる。例
えば、基板１がガラスなどのセラミックスやエポキシな
どの熱硬化性の樹脂によって形成される場合には、スタ
ンパと呼称される金型と基板ｌとの間で光硬化性樹脂を
展伸し、スタンパにカッティングされた信号パターンを
基板１に転写する所１１１２Ｐ法が適する。また、基板
１がＰ Ｍ Ｍ ＡやＰＣ等の熱可塑性＠脂によって形
成される場合には、射出成形によって基板の成形と同時
に信号パターンの転写を行う方法が適する。さらに、基
板１がエポキシ等の熱硬化性樹脂によって形成される場
合には、注型法によって基板の成形と同時に信号パター
ンの転写を行う方法を適用することもできる。
エンハンス膜３は、再生用レーザビームを後に詳述する
光磁気記録層４との間で複数回反射させることによって
、見掛は上のカー回転角を大きくするためのものであっ
て１例えば５ｊ−Ｎ、Ｓｉｎ。
光磁気記録層４との間で複数回反射させることによって
、見掛は上のカー回転角を大きくするためのものであっ
て１例えば５ｊ−Ｎ、Ｓｉｎ。
ＡＩＮ、 ＺｎＳ、 ５ｉ３ＮＪ 、 ＴｉＯ、Ａｌ、
＝０９などのＭ電体を、前記基板１の信号パターン２形
成面に約８００人〜９００人の厚さに積層して成る。
＝０９などのＭ電体を、前記基板１の信号パターン２形
成面に約８００人〜９００人の厚さに積層して成る。
このエンハンス膜３の形成手段としては、公知に厘する
任意の薄膜形成手段を用いることができるが、広範囲の
物質を成膜できる等の理由から、スパッタリングが特に
適する。
任意の薄膜形成手段を用いることができるが、広範囲の
物質を成膜できる等の理由から、スパッタリングが特に
適する。
下地層４は、チタン、スカンジウム、バナジウム、アル
ミニウム、シリコン、ゲルマニウム。
ミニウム、シリコン、ゲルマニウム。
ＴｉＯ、Ａｌｚ Ｏｑから選択された物質によって形成
されろ。この下地層４の膜厚は、後に詳述する光磁気記
録層５の磁気光学特性及び記＠感度に重大な影響を及ぼ
す、即ち、この下地層４の膜厚が薄すぎると光磁気記録
層５の磁気光学特性の改善にほとんど効果がなく、反対
に厚すぎると記録用レーザビームを照射したときの熱が
下地層４を伝って逃げるため、記録感度が劣化する６実
験によると、約１０人〜２００人程度にすることが特に
好ましい、但し、前記エンハンス膜３として丁１０また
はＡ １２０３ を用い、かつ下地層４としてこれと
同種の物質を用いる場合には、エンハンス膜３及び下地
層４の合計した厚さを約８００人〜０００人に調整する
ことによって、見掛は上の記録感度を向上することがで
き、かつ放熱による記録感度の低下も防止することがで
きる。この下地層４の成膜に当っても、公知に居する任
意の薄膜形成手段を用いることができるが、スパッタリ
ングが特に適する。
されろ。この下地層４の膜厚は、後に詳述する光磁気記
録層５の磁気光学特性及び記＠感度に重大な影響を及ぼ
す、即ち、この下地層４の膜厚が薄すぎると光磁気記録
層５の磁気光学特性の改善にほとんど効果がなく、反対
に厚すぎると記録用レーザビームを照射したときの熱が
下地層４を伝って逃げるため、記録感度が劣化する６実
験によると、約１０人〜２００人程度にすることが特に
好ましい、但し、前記エンハンス膜３として丁１０また
はＡ １２０３ を用い、かつ下地層４としてこれと
同種の物質を用いる場合には、エンハンス膜３及び下地
層４の合計した厚さを約８００人〜０００人に調整する
ことによって、見掛は上の記録感度を向上することがで
き、かつ放熱による記録感度の低下も防止することがで
きる。この下地層４の成膜に当っても、公知に居する任
意の薄膜形成手段を用いることができるが、スパッタリ
ングが特に適する。
光磁気記録層５は５例えばＧ ｄ Ｆ ｅ 、 Ｔ ｂ
Ｆ ｅ 。
Ｆ ｅ 。
Ｉ） ｙ Ｆ ｅ 、 Ｇ ｄ Ｃｏ 、 Ｔ ｂ Ｃ
９、Ｄ ｙ Ｃｏなどの非晶質２元合金、 Ｇ ｄ Ｔ
ｂ Ｆ ｅ 、 Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｃｏ 、 Ｔ ｂ
Ｄ ｙ Ｆ ｅ 、 Ｔ ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＤｙＦｅＣｏなどの非晶質３元合金、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏなどの非晶質
４元合金、それにこれらの非晶質合金を適宜！ｊｔＷｊ
シたものなど、公知に属する任意の光磁気記録材料を用
いて形成することができる。この光磁気記録層５は、前
記下地層４上に３００人〜１５００人の厚さに形成され
る。この光磁気記録Ｎ５の成膜に当っても、公知に属す
る任意の薄膜形成手段を用いることができるが、スパッ
タリングが特に適する。
９、Ｄ ｙ Ｃｏなどの非晶質２元合金、 Ｇ ｄ Ｔ
ｂ Ｆ ｅ 、 Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｃｏ 、 Ｔ ｂ
Ｄ ｙ Ｆ ｅ 、 Ｔ ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＤｙＦｅＣｏなどの非晶質３元合金、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏなどの非晶質
４元合金、それにこれらの非晶質合金を適宜！ｊｔＷｊ
シたものなど、公知に属する任意の光磁気記録材料を用
いて形成することができる。この光磁気記録層５は、前
記下地層４上に３００人〜１５００人の厚さに形成され
る。この光磁気記録Ｎ５の成膜に当っても、公知に属す
る任意の薄膜形成手段を用いることができるが、スパッ
タリングが特に適する。
保護層６は１例えばＳｉｎ、ＳｉＯご、ＡＩＮ。
ＺｉＳ＋ ＳｉＮなど、空気中の水分などを透過しない
材ｆ’）をもって前記光磁気記録層５上に形成されろ。
材ｆ’）をもって前記光磁気記録層５上に形成されろ。
この保ＪＦ！ｊ６も、スパッタリングなどの公知に属す
るＲ膜形成手段を用いて形成することができ、前記光磁
気記録層５上に約１５００人の厚さに形成されろ。
るＲ膜形成手段を用いて形成することができ、前記光磁
気記録層５上に約１５００人の厚さに形成されろ。
以下、前記実施例の効果を、下地層４が形成されていな
い従来例との比較において説明する。
い従来例との比較において説明する。
第２図は本案品及び従来品のカーヒステリシスループを
示すグラフであって、横軸に磁場の大きさく＋＜Ｏｅ）
を、縦軸にレーザビームを照射することによって検出さ
れるカー回転角（ｄｅｇ、 ）が目盛られている。この
グラフから明らかなように、本案品はカーヒステリシス
ループの立上がり及び立下がりが従来品に比べてシャー
プになって角型性が向−卜しており、また、磁気反転を
生ずる磁場の大きさも従来品に比べて１７３〜１／４に
低下している。
示すグラフであって、横軸に磁場の大きさく＋＜Ｏｅ）
を、縦軸にレーザビームを照射することによって検出さ
れるカー回転角（ｄｅｇ、 ）が目盛られている。この
グラフから明らかなように、本案品はカーヒステリシス
ループの立上がり及び立下がりが従来品に比べてシャー
プになって角型性が向−卜しており、また、磁気反転を
生ずる磁場の大きさも従来品に比べて１７３〜１／４に
低下している。
従って、本案品の光磁気記録媒体は、初期化に際して前
記光磁気記録Ｆｆ！Ｉ５の磁化の向きを小さな磁場で一
定方向に揃えることができ、磁化の向きの不均一による
ＣＮ比の劣化を生じることもない。
記光磁気記録Ｆｆ！Ｉ５の磁化の向きを小さな磁場で一
定方向に揃えることができ、磁化の向きの不均一による
ＣＮ比の劣化を生じることもない。
尚、前記実施例においては、基板の信号パターン形成面
にエンハンス膜と下地層と光磁気記録層と保護層とを順
次積層した場合について説明したが１本発明の要旨は光
磁気記録層の下地層として特定の物質を用いたことを特
徴とするものであって、膜描造が前記のものに限定され
るものではない。例えばエンハンス膜を有しないもの、
エンハンス膜に代えて、またはエンハンス膜とともに基
板の信号パターン形成面に非透水性の保護層を形成した
ものなど、他の膜ｖｔ造を有する光磁気記録媒体に適用
することができる。
にエンハンス膜と下地層と光磁気記録層と保護層とを順
次積層した場合について説明したが１本発明の要旨は光
磁気記録層の下地層として特定の物質を用いたことを特
徴とするものであって、膜描造が前記のものに限定され
るものではない。例えばエンハンス膜を有しないもの、
エンハンス膜に代えて、またはエンハンス膜とともに基
板の信号パターン形成面に非透水性の保護層を形成した
ものなど、他の膜ｖｔ造を有する光磁気記録媒体に適用
することができる。
また、前記実施例に掲げた膜厚を示す数値は。
本発明の実施の一例を示すものであって１本発明の要旨
がこれに限定さＪＬるものでないことは勿論である。
がこれに限定さＪＬるものでないことは勿論である。
さらに、本発明の光磁気記録媒体には、デイスり状光磁
気記録媒体のほかカード状光磁気記録媒体など、任意の
光磁気記録媒体を含むことは勿論である。
気記録媒体のほかカード状光磁気記録媒体など、任意の
光磁気記録媒体を含むことは勿論である。
以上説明したように、光磁気記録層の下地層とり、てチ
タン、スカンジウム、バナジウム、アルミニウム、シＩ
Ｊコン、ゲルマニウム、Ｔ ｉ Ｏ、Ａ Ｌ ｚＣｌ
３を用いると、カービステリシスループの角型性が向上
するとともに保磁力が低下し、光磁気記録層の初期化が
容易となり、かつ初期化された光磁気記録層の磁化の向
きが均一になってＣＮ比を向上することができる。
タン、スカンジウム、バナジウム、アルミニウム、シＩ
Ｊコン、ゲルマニウム、Ｔ ｉ Ｏ、Ａ Ｌ ｚＣｌ
３を用いると、カービステリシスループの角型性が向上
するとともに保磁力が低下し、光磁気記録層の初期化が
容易となり、かつ初期化された光磁気記録層の磁化の向
きが均一になってＣＮ比を向上することができる。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の断面図。
第２図は本発明の効果５ｉ−説明するグラフ、第３図は
従来の光磁気記録媒体のｎ造を示す断面図であ机
従来の光磁気記録媒体のｎ造を示す断面図であ机
Claims (5)
- （１）基板上に光磁気記録層を備えてなる光磁気記録媒
体において、前記光磁気記録層の下地に、チタン、スカ
ンジウム、バナジウム、アルミニウム、シリコン、ゲル
マニウム、ＴｉＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３から選択された少な
くとも１種類の物質から成る下地層を形成したことを特
徴とする光磁気記録媒体。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体にお
いて、前記基板上に前記下地層を直接形成し、その下地
層上に前記光磁気記録層を積層したことを特徴とする光
磁気記録媒体。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体にお
いて、前記基板上にエンハンス膜と前記下地層と前記光
磁気記録層を順次積層したことを特徴とする光磁気記録
媒体。 - （４）特許請求の範囲第３項記載の光磁気記録媒体にお
いて、前記エンハンス膜として、ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ａｌ
Ｎ、ＺｎＳ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＴｉＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３
から選択された少なくとも１種類の物質を用いたことを
特徴とする光磁気記録媒体。 - （５）特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体にお
いて、前記下地層の厚さを１０Å乃至２００Åとしたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4301487A JPS63211142A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4301487A JPS63211142A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211142A true JPS63211142A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12652125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4301487A Pending JPS63211142A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63211142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223044A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-09-05 | Casio Comput Co Ltd | 光熱磁気記録媒体 |
| US5521006A (en) * | 1992-10-29 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP4301487A patent/JPS63211142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223044A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-09-05 | Casio Comput Co Ltd | 光熱磁気記録媒体 |
| US5521006A (en) * | 1992-10-29 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
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