JPS63211242A - カルビノ−ル誘導体の製造法 - Google Patents

カルビノ−ル誘導体の製造法

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JPS63211242A
JPS63211242A JP62044760A JP4476087A JPS63211242A JP S63211242 A JPS63211242 A JP S63211242A JP 62044760 A JP62044760 A JP 62044760A JP 4476087 A JP4476087 A JP 4476087A JP S63211242 A JPS63211242 A JP S63211242A
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滋 鳥居
Hideo Tanaka
秀雄 田中
Shiro Yamashita
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカルビノール詐導体の製造法に関するものであ
り、更に詳しくはケトン又はアルデヒドとハロゲンを含
有でる有機化合物との反応によりカルビノール誘導体を
製造でる方法に関fるものである。
従来の技術と問題点 従来、一般式 〔式中R1及びR2は水素、C5〜C20の直鎖或いは
分岐のアルキル基、03〜CI6の脂環式基。
C3〜C2oの側鎖を少なくとも1つ44′する03〜
Cの脂環式基、02〜C20の直鎖或いは分岐の不飽和
炭化水素基、アリール基、複素環免、アラルキル基を示
し、同一であっても異なり℃い℃もよ(、炭素鎖又はヘ
テロ原子を會む炭素鎖で場?形成してもよい。さらにこ
れらは置換基な有していてもよい。置換基としては水酸
基、保護さねた水【5ν基、アシルオキシ基、ハロゲン
、C1〜C5のFN鎖或いは分岐のアルキル基、 C2
〜C6の直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基、アラルキ
ル基。
アミノ基、C,−C5の直鎖或いは分岐のアルキル基で
置換されたアミノ基、保護さ4たアミノ基。
ニトロ基、保護されたチオール基、カルボキシルS、 
保護されたカルボキシル基、スルホン酸基。
保護すれたスルホン酸基、シアノ基であり、当該置換基
の数は1〜5であり、これらは同一であつ℃も異なつ1
い℃もよい。m、nは1〜3の整数でm+n=4であり
、Xは弗素、塩素、臭素、沃素のいす4かで、Yは弗素
、塩素、臭素、沃素のいずrかで、X及びYが同一であ
る場合を含む。
またmが6の場合Yは水素、カルボキシル基、保護され
たカルボキシル基、アミr基、シアノ基のいずれかの場
合を含む。〕で表わされるカルビノール篩導体は例えば
特開昭51−125252号の如<トリハロゲノ了セト
アルデヒドを用いる方法や Angew、 Chetn
、 Int、 1. gngl、 、 16 。
57 (1977)、 Tetrahedron Le
tt、、 1521(1978)、J、Org、Cbe
m、、  50.2527(1985)等に呵己載さt
ているように電解法によって製造されている。しかし前
者の方法は特殊な機造の原料を必要とし、また後者の方
法は特殊な装置を必要とするために汎用性に欠けること
及び設備のト持管即が簡単でないこと等の欠点を有して
おり、更に収率か必−Cしも高くなく副生物が生成でろ
ために目的物負の分離精製が困難である場合がある。
発明の目的 本発明の目的は前記の方法(よらずして、安全かつ簡便
な操作で収率よくカルビノール錦導体を製造でる方法を
提供することKある。
発明の内容 本発明は一般式 〔式中R1及びR2は前記と同意義。〕 で表わさfす
るケトン又はアルデヒドを極性溶媒中、鉛化合物及び鉛
よりイオン化傾向の大きい金属の存在下で一般式 %式%([1) 〔式中X、Y、m、nは前記と同意義。〕で表わされる
fr合物と反応させることを%りと′fる−〔式中R’
 、R2,X、Y、m、n  ktaE)::、、同意
義。〕で表わさrるカルビノール誘導体の製造法である
。このカルビノール誘導体は、医薬、農薬等の中間原料
とじ℃重要な化合物であり、fllえはピレスロイド系
殺虫剤の原料である菊酸必導体或いは消炎剤等の原料と
し℃有用なアリール酢酸誘導体に誘導される。
不発111F渚等は従来法によらずに、一般式(1)で
表わされるケトン又はアルデヒドと一般式(II)で表
わされるハロゲンを含有する化合物?反応させて一般式
(1)で表わさtするカルビノール誘導体の製造な鎮意
検討した結果、鉛が優ねた還元剤であることを見出し1
本発明を完成でろに至った。即ち1本発明によ4ば一般
式(it)で表わさiろカルビノール誘導体は一般式(
1)で表わされるケトン又はアルデヒドを極性港媒中、
鉛化合物及び鉛よりイオン化傾向の大きい金属の存在下
で一般式(jl)で表わさt′Iるハロゲンな含有でる
化合物と反応させることにより副生vmな伴うことなく
高収率でかつ簡便な操作で製造される。
本発明においてR1及びR2は水g、 c、〜C2゜の
直鎖或いは分岐のアルキル基、03−Cl6の脂環式基
−CI ”C20の側鎖な少なくとも1つ有イろC3=
CI6の脂環式基、C2〜C2oの直鎖或いは分岐の不
飽和炭化水素基、アリール基、複素点基、アラルキル’
lfs?示し、同一であつ℃も異なっていてもよく、炭
素鎖又はペテロ原子を含む炭素鎖で還を形成し℃もよい
。さらにこれらは置換基を有し℃いてもよい。C1〜C
2oの直鎖或いは分岐のアルキル基の具体例としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、t−ブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル
。
オクチル、デシル、ドデンル基8 tX/挙げる・こと
ができる、、03〜CI6の脂環式基の具体例としては
。
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル。
シクロヘキシル、シクロオクチル、シクafシル。
シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル
、シクロへブテニル、シクロオクテニル。
シクロオクタジ′エニル基等を挙げることができる。
01〜C20の側鎖な少なくとも1つljfる03〜C
1,の脂環式基の具体伊tとし′Cは、1−メチルシク
ロプロピル、2−メチルシクロプロピル、2.2−ジメ
チルシクロプロピル、3−メチルシクロブチル、1−メ
チルシクロインチル、2−メチルシクロはンチル、3−
メチルシクロはンチル、3−エチルシクロペンチル、3
−t−7’チルシクaインチル、4−インフロビルシク
ロヘキシル、4−t−ブチルシクロヘキシル基等を挙げ
ることができる。02〜C2oの@鎖酸いは分岐の不胞
相炭イじ水素基の具体例としては、ビニル、エチニル、
1−フロベニル、2−プロはニル、2−メチル−1−フ
ロベニル、2−メチル−2−プロペニル、フロビニル、
5−ブテニル、フチニル+インテニル。
Rンタジエニル、−<ブテニル、ヘギセニル、ヘキシニ
ル、ヘプテニル、ヘプテニルあオ、クチニル。
オクチニル、9−デセニル、フレニル、ケラニル基等を
挙げろことができる。アリール基としてはフェニル基又
は多核芳香族炭化水素基であり、多核芳香族炭化水素基
の具体例としてはα−ナフナル、β−ナフチル、アント
ラニル、ピレニ/I/基等を挙げろことかで#る。機素
環基としては酸素。
室累、硫黄原子等を含む環状基を絣げることbtでき、
そのg体例としてはテトラヒドロフリル、フリル、〜テ
トラヒドロピラニル、ピラニル、ピロリル、ピイリノニ
ル、ピリジル、オキサシリル、モルホリニル、テトラヒ
ドロチェニル、チェニル。
チアジアゾリル、トリアゾリル、チアゾリル、トリアゾ
リル、テトラゾリル基等を挙げることができる。アラル
キル基の具体例としてはベンジル。
フェネチル、フェニルフチル、ジフェニルメチル。
ト17zニルメチル、ナフチルメチル、ナフチルエチル
等!−挙げることができる。また炭素鎖又はへテロ原子
を含む炭#、鎖で吠を形成でる場合〔−(CH2)k−
:)、 kげ2〜16であり一〇)(2−1fiに代わ
りct素、窒素、硫黄等のへテロ原子が入る場釡がた、
る。
またこれらt紀R1及びR2の111換幕としては水酸
基、保護された水酸基、アシルオキシ基、ハ0ゲン、 
C,−C5の直鎖或いは分岐のアルキル基、02〜C6
の直鎖或いは分岐の不飽相炭(t’水素基、アラルキル
基、アミノ基、 C,〜C5の直鎖或いは分岐のアルキ
ル基で置換されたアミノ基。
保護さ名た丁ミノ基、ニトロ基、保獲されたチオール基
、カルボキシル基、保膿されたカルホキクル基、スルホ
ン酸基、保護されたスルホン酸基。
シアノ基であり、当該置換苓の数は1〜5であり。
これらは同一であっても異なっていてもよい。水酸基の
保陸基としては1例えばメチル、エチル。
プロピル、イソプロピル、ブチル基等の低級アル* ル
基、 ml、イ+@グリーネ(Theodora w、
Greene)著ノ@Protective GrOu
pS in or、gantcSynthesis ”
 (A Weiley−IntersctencePu
blication、  1981 )の第2章にe載
の水酸基の保持基を挙げることができる。了シルオキシ
基の具体例としてはホルミルオキシ、アセチルオキシ、
プロピオニルオキシ、バレリルオキシ。
ベンゾイルオキシ、トルオイルオキシ、フロイルオキシ
基等を挙げることができる。ハロゲンとし℃は弗禦、塩
素、臭素、沃素を挙げることができる。C3〜C5の直
@或いは分岐のアルキル基としてはメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル。
ブチル、t−ブチル、了ミル、イソアミル基等が例示さ
4る。02〜C6の直鎖或いは分岐の不飽和炭イヒ水素
幕としては例えばビニル、エチニル。
プロペニル、フチニルあヘキセニル768?、”7ラル
キル基とし℃は例えはベンジル、フエふチル。
フェニルプロビル、フェニルブチル、ジフェニルメチル
基等を挙げろことかできろ。アミノ基に置換したC8〜
C5の直鎖或いは分岐のアルキル基の例としてはメチル
、エチル、プロピル、インクロビル。ブチル、t−ブチ
ル、アミル、イソアミル基等が挙けられる、アミノ基の
保ζ基としては同、1:11鮪の第7章に記載のアミノ
基の保持基を為けることができろ。チオールの保護基と
し、ではメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
争ル。
t−ブチル、アミル、イソアミル基等の01〜C5のア
ルキル基、7エ二ル、ベンジル、フェネチル基を例示で
ることができろ。カルボキシル基の保持基とし℃は同上
置局のag5−H,に記載のカルボキシル基の保護基な
挙げろことができろ。スルホン酸基の保珈基としてはメ
チル、エチル、プロピル。
イソクロビル。ブチル、t−ブチル、アミル、イソアミ
ル基等のアルキル基、フェニル、ベンジル。
フェネチル基等のアラルキル基等を挙げシ1ことができ
る。
唸たこれfO)X;tに前記の置換基が置換したものの
具体例としては、一般式 〔式中R3は水素又はIII記のカルボン酸保饅基〕で
表わされろ基な1例として挙げることができる。
また一般式 %式%() におけるXは弗素、塩素、臭素、沃素のいずれかで、Y
は弗素、塩素、臭素、沃51cc>いずれかであり、そ
の具体例としては 0G14.CBr4゜CCI、Br
、001□Br2.C0IBr3.CC;13F。
CG12F2.CGIFl、CBr5F、CBr2F2
゜CBrF’   0013I等を挙けることb′−で
きる。ま3 + たmが3の場合、Yは水素、カルボキシル苓、保みされ
たカルホキシル亀、アミド幕、シアノ基のいずれかであ
り、その具体例とじ1はC)1013゜CG13COO
H,CBr30008.0013COOC)13゜OF
 GOOC;H3,G013G00)’h、C,03−
3C;0OCfl□ph。
ccl coNh2、GにIAOON<GH3)2.0
013ON等な挙けることができる。
本発明において一般式(1しの化合物は一般式(1)で
表わさr【るケトン又はアルデヒドに対し℃当曾用いr
ばよいのであるが、やや過3ilK、用いた万が好1V
;来が得られ、好ましい使用範囲はケトン又はアルデヒ
ド1当IK対して1〜4当量であろう次に本発明(用い
る溶媒としては極性溶媒が好ましく1例えはアルコール
類、エーテル類、ニトリル類、アミド類等、具体的には
メタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、了セト
ニトリル。
ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノン。
ジメチルスルホキシド等が挙げらj、これらが単独又は
混合物で使用される。また必要に応じ℃水が含有さ4て
い℃もよい。特に好ましいものとり。
てはジメチルホルムアミドが挙げられ、その使用量は箱
に制限はないが、少なくと本原料物質が完全に溶wff
るーで)ることか好ましい。しかし特にそf1堤下であ
っても反応は進行でるので問題はないが操作が行いにく
くなるか或いは収率が低F−r不等の輝点が生する場合
がある。
本発明に中いる鉛化合物は鉛の原子価が0価。
2 (i[!+又け4mjのいt′ハでもよく、またこ
fI G’)化合物は水和物の形態であってもよい。例
えば弗化鉛。
堵イζ鉛、臭fヒ鉛、沃仕鉛薯のノ・ロゲンfF j’
A、硝酸鉛、併醜鉛、過塩素酸鉛、ホク#鉛、炭#鉛、
リン酸鉛等の宝1機酸鉛、酢酸鉛、シュウ酸鉛、ステア
リ〉・酸鉛等の脂肪酸鉛、e化鉛、水酸イ1°鉛及びこ
jらの鉛化合物とエチレンジアミンテトラ酢酸又はニト
リロトリ酢酸等のキレート剤からなる各e鉛銘体等が使
用し、v#るものとして挙げろjる。
こねらの鉛化合物は単秒又は2811板上混合して使用
fシ)ことができるが1時に好ましいものは弗(i鉛、
塩化鉛、臭化鉛、沃化鉛等のハロゲン化鉛である。こj
らの鉛(ヒ合物の使用量は原料物置のケトン又&エアル
テヒド1当量に対して0.01〜0.5学修が好ましく
、o、oi当量より少ない場合は効果が少なく、0.5
当量より多い場合は効jIi、VC変わりはないものの
経済的でない。
また本発明に用いる鉛よりイオンイヒ額向の大きい金属
としては、アルミニウム、鉄、ニッケル。
錫、コバルト、マグネシウム、亜鉛のいす4か曖いはこ
れらの混合物が挙げらr+るが、特に好ましいものはア
ルばニウムである。使用に際してこれらの金属の形ぜ:
には特に制限はなく、粉状、板状。
箔状、 JJ、伏、針伏等神々な形状で用いることがで
きる。またその便用址は原料物質のケトン又はアルデヒ
ド1当量に対して0.6〜4当量の順目であることが好
ましく、0.3当量未満では反応の進行が遅(なるか反
応が小まってしまい、4当iiu上では経済的でない上
、に副反応が生じ収率が低下でる。
不方法においてはり上の浴妊及び触媒の存在が必須であ
り、そのいす4が欠け℃も本発明の目的を達成fること
ができない。
本発明における反応温度は、原料物實、溶媒及び触媒に
より好ましい範囲が変化でるが0通常0〜100℃の範
囲で行うのが好ましい。
以上記した通り不発明は鉛化合物、鉛よりイオン化畑向
の大きい金属及び溶媒の相乗効果により温和な条件下で
収率よくカルビノール肪導体を製造する方法を提供fる
ものである。
実施例 以下に実施例を記し1本発明なより具体的に説明でる。
実施例1 丸底フラスコに臭化鉛184m9(0,5ミリモル)と
細かに切ったアルミはく150■(5,5ミリモル)を
とり、これにジメチルホルムアミド10m1゜インズア
ルデヒド530#(5ミリモル)、四塩化炭素1.39
 F(9ミリモル)を加え、室温下で6.5時間がきま
ぜ℃反応を行った。反応終了後。
反応液に水10dを加え酢酸エチルで抽出した。
その抽出液は飽和重曹水及び飽和食塩水で洗渉し。
無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、allMfると
油状物が1.2?得られた。このものをシリカゲルカラ
ムを用い℃精製′fることにより油状のフェニルトリク
ロルメチルカルビノールが1. I P (収率95%
)得ら4た。このもののNMRスRクトルはその構造と
よく一致し℃いた。
’H−NMR< CDCl5) δ3.50(brs、1)1.OH)、5.10(S。
IH,0H−0)、7.15−7.70(m、5H。
ph)n 実施例2〜13 (1)       (II)           
(腸]第1表に示で条件以外は実施例1の方法と同条件
下で反応を行い、第1表に記載の生成物を高収率、高遠
択畠で得た。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中R^1及びR^2は水素、C_1〜C_2_0の
    直鎖或いは分岐のアルキル基、C_3〜C_1_6の脂
    環式基、C_1〜C_2_0の側鎖を少なくとも1つ有
    するC_3〜C_1_6の脂環式基、C_2〜C_2_
    0の直鎖或いは分岐の不飽和炭化水素基、アリール基、
    複素環基、アラルキル基を示し、同一であつても異なつ
    ていてもよく、炭素鎖又はヘテロ原子を含む炭素鎖で環
    を形成してもよい。さらにこれらは置換基を有していて
    もよい。置換基としては水酸基、保護された水酸基、ア
    シルオキシ基、ハロゲン、C_1〜C_5の直鎖或いは
    分岐のアルキル基、C_2〜C_6の直鎖或いは分岐の
    不飽和炭化水素基、アラルキル基、アミノ基、C_1〜
    C_5の直鎖或いは分岐のアルキル基で置換されたアミ
    ノ基、保護されたアミノ基、ニトロ基、保護されたチオ
    ール基、カルボキシル基、保護されたカルボキシル基、
    スルホン酸基、保護されたスルホン酸基、シアノ基であ
    り、当該置換基の数は1〜5であり、これらは同一であ
    つても異なつていてもよい。〕で表わされるケトン又は
    アルデヒドを極性溶媒中、鉛化合物及び鉛よりイオン化
    傾向の大きい金属の存在下で一般式 C_X_mY_n(II) 〔式中m、nは1〜3の整数でm+n=4であり、Xは
    弗素、塩素、臭素、沃素のいずれかで、Yは弗素、塩素
    、臭素、沃素のいずれかで、X及びYが同一である場合
    を含む。またmが3の場合Yは水素、カルボキシル基、
    保護されたカルボキシル基、アミド基、シアノ基のいず
    れかの場合を含む。〕で表わされる化合物と反応させる
    ことを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中R^1、R^2、X、Y、m、nは前記と同意義
    。〕で表わされるカルビノール誘導体の製造法。
  2. (2)鉛よりイオン化傾向の大きい金属がアルミニウム
    、鉄、ニッケル、錫、コバルト、マグネシウム、亜鉛の
    いずれか或いはこれらの混合物である特許請求の範囲第
    1項記載の製造法。
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