JPS63215064A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS63215064A JPS63215064A JP62049276A JP4927687A JPS63215064A JP S63215064 A JPS63215064 A JP S63215064A JP 62049276 A JP62049276 A JP 62049276A JP 4927687 A JP4927687 A JP 4927687A JP S63215064 A JPS63215064 A JP S63215064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer line
- diffusion layer
- semiconductor substrate
- imaging device
- impurity diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は受光素子として光導電体膜を用いた２次元面体
撮像装置に関し、特に受光部の余剰信号電荷が撮像画面
に悪影響を与えるのを取シ除くための新規なる構造を有
する固体撮像装置に関するものである。
撮像装置に関し、特に受光部の余剰信号電荷が撮像画面
に悪影響を与えるのを取シ除くための新規なる構造を有
する固体撮像装置に関するものである。
従来の技術
図２は従来の光導電膜積層型２次元面体撮像装置の１絵
索の等価回路七その駆動時のポテンシャル分布を概略的
に示したものである。
索の等価回路七その駆動時のポテンシャル分布を概略的
に示したものである。
ここで３１は半導体基板で、３２は信号蓄積用ダイオー
ドで半導体基板３１と反対の導電形の不純物で形成され
ている。３３は読み出しゲートチャネル、３４は電荷転
送ラインで、３２ 、３３ 。
ドで半導体基板３１と反対の導電形の不純物で形成され
ている。３３は読み出しゲートチャネル、３４は電荷転
送ラインで、３２ 、３３ 。
３４で１個のＭＯＳトランジスタ３７を形成する。
３６は光導電体膜、３６は電荷転送ライン３４の転送電
極で、同時に読み出しＭＯＳ）ランジスタ３７のゲート
電極も兼ねる。φＶは上記転送電極３６に印加されるク
ロックパルスで、ＶＴは上記光導電体膜３６に印加され
るバイアス電圧である。
極で、同時に読み出しＭＯＳ）ランジスタ３７のゲート
電極も兼ねる。φＶは上記転送電極３６に印加されるク
ロックパルスで、ＶＴは上記光導電体膜３６に印加され
るバイアス電圧である。
Ｃｆは光導電体膜３６の容量、Ｃ，は蓄積ダイオード３
２の接合容量、ＣＰは蓄積ダイオード３２と転送電極３
６間の寄生容量である。
２の接合容量、ＣＰは蓄積ダイオード３２と転送電極３
６間の寄生容量である。
ここで従来の素子の動作を簡単に説明する。入射信号光
は、半導体基板上に形成された光導電体膜３６で光電変
換された後、ダイオード３２に蓄積される。そして、チ
ャネル３３を介して蓄積ダイオード３２から垂直の転送
ライン３４へ読み出される。次に垂直の転送ラインを介
して水平の転送ラインに読み出され、最後に外部回路に
出力として取シ出される。
は、半導体基板上に形成された光導電体膜３６で光電変
換された後、ダイオード３２に蓄積される。そして、チ
ャネル３３を介して蓄積ダイオード３２から垂直の転送
ライン３４へ読み出される。次に垂直の転送ラインを介
して水平の転送ラインに読み出され、最後に外部回路に
出力として取シ出される。
次に駆動ポテンシャルの説明を行なう。ここで、読み出
しゲート下の電位はφＶパルスが０ＦＦＯ時はψＲ−Ｏ
ＦＦで、φＶパルス中の転送パルス力ＯＮの時はψＡ、
ＯＮ で、読み出しパルスがＯＮの時はψＲ−Ｒである
。同様に転送ラインの電位も、φＶパルスがＯＦＦの時
はψ５−ＯＦＦで、φＶパルス中の転送パルスがＯＮの
時はψ５−ＯＮ で、読み出−しパルスがＯＮの時は
ψＳ−Ｒである。ここで受光部側の最大信号電荷量は、 Ｑｐ ＋＋ｍａｘ ＝Ｃｔ ” ７′ｖＫｎｅｅ
’・・・・・０）Ｃｔ＝Ｃｆ−ｔ−Ｃｐ＋Ｃ。
しゲート下の電位はφＶパルスが０ＦＦＯ時はψＲ−Ｏ
ＦＦで、φＶパルス中の転送パルス力ＯＮの時はψＡ、
ＯＮ で、読み出しパルスがＯＮの時はψＲ−Ｒである
。同様に転送ラインの電位も、φＶパルスがＯＦＦの時
はψ５−ＯＦＦで、φＶパルス中の転送パルスがＯＮの
時はψ５−ＯＮ で、読み出−しパルスがＯＮの時は
ψＳ−Ｒである。ここで受光部側の最大信号電荷量は、 Ｑｐ ＋＋ｍａｘ ＝Ｃｔ ” ７′ｖＫｎｅｅ
’・・・・・０）Ｃｔ＝Ｃｆ−ｔ−Ｃｐ＋Ｃ。
Ｃｆ ：光導電体膜容量
Ｃｐ：寄生容量
Ｃｊ ：接合容量
′ｖＫｎｅｅ ：光導電体膜の光電変換特性が最良とな
る初期膜バイア スミ圧 と考えられる。一方、垂直の走査回路の最大取扱い電荷
量はＱＳＨＣである。一般に、垂直の走査回路に電荷転
送素子を用いた光導電体膜積層型固体撮像装置において
は、 ’ｐ−ｍａｘ ＞ＱＳＷ：： ””’
１２）すなわち、受光部側の信号電荷量が転送電荷量よ
シ大きいという関係にある。
る初期膜バイア スミ圧 と考えられる。一方、垂直の走査回路の最大取扱い電荷
量はＱＳＨＣである。一般に、垂直の走査回路に電荷転
送素子を用いた光導電体膜積層型固体撮像装置において
は、 ’ｐ−ｍａｘ ＞ＱＳＷ：： ””’
１２）すなわち、受光部側の信号電荷量が転送電荷量よ
シ大きいという関係にある。
発明が解決しようとする問題点
（１）受光部の信号電荷を全て走査回路に読み込と場合
において、強い入射光で受光部の信号電荷量が走査回路
の取シ扱い電荷量よシ大きくなった時、走査回路に読み
込まれた受光部の全信号電荷は走査回路の転送ライン上
にあふれ出し、この結果、撮像画面上では縦に白線の伸
びが発生する。
において、強い入射光で受光部の信号電荷量が走査回路
の取シ扱い電荷量よシ大きくなった時、走査回路に読み
込まれた受光部の全信号電荷は走査回路の転送ライン上
にあふれ出し、この結果、撮像画面上では縦に白線の伸
びが発生する。
俊）受光部の信号電荷を最大でも転送ラインの取扱い電
荷量だけ読み込む場合において、強い入射光で受光部の
信号電荷量が走査回路の取り扱い電荷量より大きくなっ
た時、１回目の読み込みでは受光部の全信号電荷を読み
出すことができないため、信号電荷の積み残しが発生す
る。
荷量だけ読み込む場合において、強い入射光で受光部の
信号電荷量が走査回路の取り扱い電荷量より大きくなっ
た時、１回目の読み込みでは受光部の全信号電荷を読み
出すことができないため、信号電荷の積み残しが発生す
る。
この結果、撮像画面上では残像が発生する。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、光導電体膜積層型
固体撮像装置の、受光部の余剰信号電荷が撮像画面上に
与える影響を除去する新規なる構造の固体撮像装置を提
供せんとするものである。
固体撮像装置の、受光部の余剰信号電荷が撮像画面上に
与える影響を除去する新規なる構造の固体撮像装置を提
供せんとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、信号電荷の蓄積ダ
イオードと転送ラインの両方に、各々の電位をクリップ
する機能を設けるものである。すなわち、半導体基板上
に、不純物濃度が薄く、拡散層が浅い第１のウェル領域
と不純物濃度が濃く、拡散層が深い第２のウェル領域を
形成する。そして、両ウェル領域に、走査回路としてＩ
Ｌ−ＣＯＤを用いた光導電膜積層型固体撮像素子を形成
する。その際、蓄積ダイオード部を第１のウェル領域に
形成し、走査回路の他の部分は第２のウェル領域に形成
する。更に、転送ラインに隣接して、蓄積ダイオードと
同一の導電形を有する不純物拡散層によるドレイン部を
設け、このドレイン部はゲートを介して転送ラインと接
続されている。そして、ドレイン部には外部から任意の
バイアスが印加される。
イオードと転送ラインの両方に、各々の電位をクリップ
する機能を設けるものである。すなわち、半導体基板上
に、不純物濃度が薄く、拡散層が浅い第１のウェル領域
と不純物濃度が濃く、拡散層が深い第２のウェル領域を
形成する。そして、両ウェル領域に、走査回路としてＩ
Ｌ−ＣＯＤを用いた光導電膜積層型固体撮像素子を形成
する。その際、蓄積ダイオード部を第１のウェル領域に
形成し、走査回路の他の部分は第２のウェル領域に形成
する。更に、転送ラインに隣接して、蓄積ダイオードと
同一の導電形を有する不純物拡散層によるドレイン部を
設け、このドレイン部はゲートを介して転送ラインと接
続されている。そして、ドレイン部には外部から任意の
バイアスが印加される。
また、転送ラインの転送電極は、蓄積ダイオードからの
読み出し電極と、転送ラインからドレイン部への接続ゲ
ートの電極も兼ねる。
読み出し電極と、転送ラインからドレイン部への接続ゲ
ートの電極も兼ねる。
基板とウェル領域の間にも任意のバイアスが印加される
。
。
作 用
基板とウェル領域間に逆バイアス電位を印加することに
より、蓄積ダイオードの信号電荷の蓄積に伴なう電位上
昇を制御できる。また、蓄積ダイオードから信号電荷を
読み出しゲートを介して転送ラインに読み出す。そして
、転送ラインの取扱い電荷量以上の読み出された信号電
荷は、接続ゲートを介して、転送ラインからドレインに
吸収される。
より、蓄積ダイオードの信号電荷の蓄積に伴なう電位上
昇を制御できる。また、蓄積ダイオードから信号電荷を
読み出しゲートを介して転送ラインに読み出す。そして
、転送ラインの取扱い電荷量以上の読み出された信号電
荷は、接続ゲートを介して、転送ラインからドレインに
吸収される。
実施例
本発明の一実施例を第１図（ａ）に示し、その動作を第
１図（ｂ）を用いて説明する。第１図（ａ）は、本実施
例の光導電膜積層型２次元面体撮像装置の１絵素の等何
回路で、第１図（ｂ）はその駆動時のポテンシャル分布
を概略的に示したものである。
１図（ｂ）を用いて説明する。第１図（ａ）は、本実施
例の光導電膜積層型２次元面体撮像装置の１絵素の等何
回路で、第１図（ｂ）はその駆動時のポテンシャル分布
を概略的に示したものである。
ここで１は半導体基板、２は上記基板１と反対の導電形
を有するｗｅｌｌ１層、３も同じく上記基板１と反対の
導電形を有するｗｅｌ１層で、ｗｅｌ１層２はｗｅｌ１
層３と比較し、不純物濃度が薄く、ｗｅｌ１層の厚みが
小さい。４は信号蓄積用ダイオードで上記ｗｅｌ１層２
の中に形成され、ｗｅｌｌ 層と反対の導電形の不純物
拡散層で形成されている。６は読み出しゲートチャネル
、６は電荷転送ラインで、４．５．６で１個のＭＯＳ）
ランジスタ９を形成する。７はクリップゲートチャネル
、８はクリップドレインで、６，７．８で１個のＭＯＳ
トランジスタ１０を形成する。ここ−で、上記不純物拡
散層５，６，７．８は全て上記ｗｅｌｌ１層３の中に形
成される。１１は光導電体膜、１２は電荷転送ライン６
の転送電極で、同時に読み出しＭＯＳ）ランジスタ９と
、クリップＭＯ８）ランジスタ１゜のゲート電極も兼ね
る。
を有するｗｅｌｌ１層、３も同じく上記基板１と反対の
導電形を有するｗｅｌ１層で、ｗｅｌ１層２はｗｅｌ１
層３と比較し、不純物濃度が薄く、ｗｅｌ１層の厚みが
小さい。４は信号蓄積用ダイオードで上記ｗｅｌ１層２
の中に形成され、ｗｅｌｌ 層と反対の導電形の不純物
拡散層で形成されている。６は読み出しゲートチャネル
、６は電荷転送ラインで、４．５．６で１個のＭＯＳ）
ランジスタ９を形成する。７はクリップゲートチャネル
、８はクリップドレインで、６，７．８で１個のＭＯＳ
トランジスタ１０を形成する。ここ−で、上記不純物拡
散層５，６，７．８は全て上記ｗｅｌｌ１層３の中に形
成される。１１は光導電体膜、１２は電荷転送ライン６
の転送電極で、同時に読み出しＭＯＳ）ランジスタ９と
、クリップＭＯ８）ランジスタ１゜のゲート電極も兼ね
る。
φＶは上記転送電極１２に印加されるクロックパルスで
、Ｖ７は上記光導電体膜１１に印加されるバイアス電圧
である。Ｃｉは上記光導電体膜１１の膜容量、Ｏｊは上
記蓄積ダイオード４の接合容量、Ｃｐは上記蓄積ダイオ
ード４と上記転送電極１２間の寄生容量である。ｖＣＤ
は上記クリップドレイン８のバイアス電位、ｖｓｕｂは
上記基板１と上記ｗｅｌ１層２，３間の逆バイアス電位
である。
、Ｖ７は上記光導電体膜１１に印加されるバイアス電圧
である。Ｃｉは上記光導電体膜１１の膜容量、Ｏｊは上
記蓄積ダイオード４の接合容量、Ｃｐは上記蓄積ダイオ
ード４と上記転送電極１２間の寄生容量である。ｖＣＤ
は上記クリップドレイン８のバイアス電位、ｖｓｕｂは
上記基板１と上記ｗｅｌ１層２，３間の逆バイアス電位
である。
ここで本発明の実施例の動作を第１図すを用いて説明す
る。各々の部分の駆動ポテンシャルは、以下の様になる
。読み出しゲート６下の電位は〜パルスがＯＦＦの時は
ψＲ−ＯＦＦで、φＶパルス中の転送パルスがＯＮの時
はψＲ−ＯＮ、読み出しパルスがＯＮの時はψＲ−Ｒで
ある。同様に、転送ライン６の電位も１各々１ψ５−Ｏ
ＦＦ＃ψ５−ＯＮｓψＳ−Ｒで１クリツプゲート７下の
電位も、各々、ψＣ−０ＦＦ ＝ψＣ−０Ｎ、ψＣ−Ｒ
である０ ここで動作を簡単に説明する。入射信号光は、光導電体
膜１１で光電変換され、次に蓄積ダイオード４に蓄積さ
れる。一定の蓄積時間後、読み出しパルスがＯＮするこ
とにより、蓄積信号電荷Ｑｐが、転送ライン６に読み出
される。その際、転送ラインの取扱い電荷量０５）ｆＣ
よ）も大きい分の電荷（Ｑｐ ＱＳＨＣ）は、クリッ
プゲート７を介して、クリップドレイン８に吸収される
。この時、ψＨ，ＨＳψｃ−ｍ ＜ ｖＣＤ
−°０の電位関係を満たす様に電位設定をする。
る。各々の部分の駆動ポテンシャルは、以下の様になる
。読み出しゲート６下の電位は〜パルスがＯＦＦの時は
ψＲ−ＯＦＦで、φＶパルス中の転送パルスがＯＮの時
はψＲ−ＯＮ、読み出しパルスがＯＮの時はψＲ−Ｒで
ある。同様に、転送ライン６の電位も１各々１ψ５−Ｏ
ＦＦ＃ψ５−ＯＮｓψＳ−Ｒで１クリツプゲート７下の
電位も、各々、ψＣ−０ＦＦ ＝ψＣ−０Ｎ、ψＣ−Ｒ
である０ ここで動作を簡単に説明する。入射信号光は、光導電体
膜１１で光電変換され、次に蓄積ダイオード４に蓄積さ
れる。一定の蓄積時間後、読み出しパルスがＯＮするこ
とにより、蓄積信号電荷Ｑｐが、転送ライン６に読み出
される。その際、転送ラインの取扱い電荷量０５）ｆＣ
よ）も大きい分の電荷（Ｑｐ ＱＳＨＣ）は、クリッ
プゲート７を介して、クリップドレイン８に吸収される
。この時、ψＨ，ＨＳψｃ−ｍ ＜ ｖＣＤ
−°０の電位関係を満たす様に電位設定をする。
読み出しが終了後、転送ライン６上に読み出された信号
電荷は、転送パルスのＯＮ、ＯＦＦの繰り返しによって
、水平の転送ラインまで転送され、最後に外部回路に出
力として取り出される。信号電荷の転送の際、強い入射
光によって発生した過剰電荷が転送ラインに流入しない
様に、ψＲ，ＯＮ＜ψＩＩｕｂ −
−（４）の電位関係になる様、ｖ、ｕｂ電位を設定する
。
電荷は、転送パルスのＯＮ、ＯＦＦの繰り返しによって
、水平の転送ラインまで転送され、最後に外部回路に出
力として取り出される。信号電荷の転送の際、強い入射
光によって発生した過剰電荷が転送ラインに流入しない
様に、ψＲ，ＯＮ＜ψＩＩｕｂ −
−（４）の電位関係になる様、ｖ、ｕｂ電位を設定する
。
発明の効果
強い入射光で、受光部の信号電荷量が転送ラインの取扱
い電荷量より大きくなった場合でも、本実施例では以下
の効果がある。すなわち、受光部の信号電荷を全て転送
ラインに読み込む方式をとるので、過剰信号電荷の積み
残しがなく、それによる残像が撮像画面上では発生しな
い。そして、受光部の信号電荷を全て転送ラインに読み
込む際、転送ラインの取扱い電荷量ＱＳＨＣ以上の過剰
信号電荷は、クリップゲートを介して、クリップドレイ
ンに吸収される。その為、転送ライン上に過剰信号電荷
があふれ出すことに起因する撮像画面上の縦の白線の伸
びが解消される。さらに、信号電荷の転送中の受光部の
、強い入射光による電位の上昇が、縦型ＶＯＤ構造の■
８ｕｂ電位によって、転送ラインのＯＮレベル以下に規
制されるので、転送ラインに流入しない。その為、撮像
画面上のスミア−現象が解消される。
い電荷量より大きくなった場合でも、本実施例では以下
の効果がある。すなわち、受光部の信号電荷を全て転送
ラインに読み込む方式をとるので、過剰信号電荷の積み
残しがなく、それによる残像が撮像画面上では発生しな
い。そして、受光部の信号電荷を全て転送ラインに読み
込む際、転送ラインの取扱い電荷量ＱＳＨＣ以上の過剰
信号電荷は、クリップゲートを介して、クリップドレイ
ンに吸収される。その為、転送ライン上に過剰信号電荷
があふれ出すことに起因する撮像画面上の縦の白線の伸
びが解消される。さらに、信号電荷の転送中の受光部の
、強い入射光による電位の上昇が、縦型ＶＯＤ構造の■
８ｕｂ電位によって、転送ラインのＯＮレベル以下に規
制されるので、転送ラインに流入しない。その為、撮像
画面上のスミア−現象が解消される。
この様に、本発明により、光導電膜積層型固体撮像装置
の強い入射光による過剰信号電荷が撮像画面上に与える
悪影響を取シ除くことができる。
の強い入射光による過剰信号電荷が撮像画面上に与える
悪影響を取シ除くことができる。
第１図（ａ） 、 ｔｂ＞は本発明の一実施例に於ける
１絵素の等価格回路図および駆動時のポテンシャル分布
図、第２図（ａ） ｐ Ｃ”）は従来の１絵素の等何回
路Ｚおよび駆動時のポテンシャル分布図である。 １・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１のｗｅＡ
１層、３・・・・・・第２のｗｅｌＬＲ層、４・・・・
・・蓄積ダイオード、８・・・・・クリップドレイン、
９・・・・・・読み出しトランジスタ、１０・・・・・
・クリップトランジスタ、１１・・・・・・光導電体膜
、ｖＣＤ・・・・・−クリップドレインバイアス、ｖｇ
ｕｂ・・・・・・基板バイアス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １／Ｔ 第２図 ■千
１絵素の等価格回路図および駆動時のポテンシャル分布
図、第２図（ａ） ｐ Ｃ”）は従来の１絵素の等何回
路Ｚおよび駆動時のポテンシャル分布図である。 １・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１のｗｅＡ
１層、３・・・・・・第２のｗｅｌＬＲ層、４・・・・
・・蓄積ダイオード、８・・・・・クリップドレイン、
９・・・・・・読み出しトランジスタ、１０・・・・・
・クリップトランジスタ、１１・・・・・・光導電体膜
、ｖＣＤ・・・・・−クリップドレインバイアス、ｖｇ
ｕｂ・・・・・・基板バイアス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １／Ｔ 第２図 ■千
Claims (1)
- 第１の半導体基板上に、上記第１の半導体基板と導電形
が反対で不純物濃度が薄く、拡散層が浅い第１のウェル
領域と、不純物濃度が濃く、拡散層が深い第２のウェル
領域よりなる第２の半導体基板を形成し、上記第２の半
導体基板上に、光信号を電気信号に変換する光導電体膜
と、上記光導電体膜と電気的に接続し、上記光導電体膜
で発生する光信号電荷を蓄積する上記第２の半導体基板
と反対の導電形を有する第１の不純物拡散層と、上記第
１の不純物拡散層の信号電荷を受け外部回路に転送する
転送ラインよりなる固体撮像装置であって、上記第２の
半導体基板と反対の導電形を有する第２の不純物拡散層
を、上記転送ラインに隣接して設け、上記転送ラインの
転送電極が、上記転送ラインと上記第２の不純物拡散層
とで形成されるトランジスタのゲート電極を兼用し、上
記第１の不純物拡散層が、上記第１のウェル領域に形成
され、他の構成要素は上記第２のウェル領域に形成され
、上記、第２の不純物拡散層に任意のバイアスを印加し
、上記第１の半導体基板と上記第２の半導体基板の間に
、任意のバイアスが印加されることを特徴とする固体撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049276A JPS63215064A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049276A JPS63215064A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215064A true JPS63215064A (ja) | 1988-09-07 |
Family
ID=12826327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62049276A Pending JPS63215064A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63215064A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201400A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | リコーイメージング株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62049276A patent/JPS63215064A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201400A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | リコーイメージング株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
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