JPS63215549A - Electric resistor and manufacture - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線基板等に
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及び。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a thick film type electrical resistor provided on a fixed chip resistor or a circuit wiring board, etc., and particularly to a thick film type electrical resistor that can be obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere. Possible electrical resistors and.
その製造方法に関する。It relates to its manufacturing method.
従来の技術
電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行なわれているが、電子機器の
小型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高
めることができる回路基板が多く用いられるようになっ
てきた。Conventional technology The electrical circuits of electronic devices are often constructed by mounting various electrical elements such as resistors, capacitors, diodes, and transistors on circuit boards, but as electronic devices become smaller, these Circuit boards that can further increase the packaging density of electrical elements have come into widespread use.
これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。The resistors installed on these circuit boards are either thick film resistors formed by printing and baking resistor material paste directly onto the circuit, or a pair of electrodes formed at both ends of a square plate-shaped ceramic chip. There are also fixed chip resistors in which the thick film resistor is formed so as to span both electrodes.
このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば1500℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にAgあるいはAg−Pd等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばRuO□を抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで750〜850°(4’焼付け、さらに必要
に応してトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり
方が一般的である。Conventionally, in order to provide such a thick film resistor on a circuit board,
For example, a conductive material paste such as Ag or Ag-Pd is applied to the surface of an alumina substrate obtained by firing at around 1500°C, and after baking, a paste containing RuO□ as a resistor material is applied by screen printing, etc. It is common practice to apply the film, then bake it at 750 to 850° (4'), and then adjust the resistance value by trimming or the like if necessary.
しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。However, in recent years, electronic devices have become lighter, thinner, and smaller.
The demand for lower costs has become even stronger, and efforts are being made to further reduce the size and cost of circuit boards.
前者の小型化のための具体的な対応としては、第1に回
路基板の多層化、第2に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化する例としては、AgあるuN&
:!Ag−Pd系等の導体材料ペーストを印刷したセラ
ミックグリーンシート(生シート)を積層、圧着した後
、大気中800〜1)00℃で同時焼成して得られる多
層配線基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例と
しては、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグ
リーンシート上にさらにRuO□系抵抗系材抗体材料ペ
ーストし、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成し
て得られる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。As concrete measures to reduce the size of the former, firstly, the circuit board is multilayered, and secondly, the resistor is built inside. Examples of multilayer circuit boards include Ag uN &
:! A multilayer wiring board obtained by laminating and crimping ceramic green sheets (raw sheets) printed with a conductive material paste such as Ag-Pd type, and then simultaneously firing in the atmosphere at 800 to 1)00 °C, and An example of internally incorporating a resistor is obtained by further applying RuO□-based resistance material antibody material paste on a ceramic green sheet printed with the conductor material paste, laminating and crimping in the same manner as above, and then co-firing. Multilayer wiring boards with built-in resistors are known.
また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、AgあるいはAg−Pd系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なNiあるいはCu等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、800〜1)00℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配!ll?1基板が実用化さ
れている。また、特開昭56−153702号公報に記
載されているように、Mo5iz−TaSi2及びガラ
スからなる抵抗体材料を、m (C1)導体を有するア
ルミナ基板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体
等も知られている。In addition, as a specific measure to reduce the cost of the latter, in place of expensive noble metal conductor materials such as Ag or Ag-Pd materials, inexpensive base metal conductor materials such as Ni or Cu can be used. Green ceramics are heated at 800 to 1) 00°C in a neutral or reducing non-oxidizing atmosphere such as nitrogen gas or hydrogen-containing nitrogen gas that can avoid high resistance due to oxidation. Multi-layered layout obtained by simultaneous firing! Ill? One board has been put into practical use. Furthermore, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-153702, a resistor material made of Mo5iz-TaSi2 and glass is coated on an alumina substrate having an m (C1) conductor, and the thickness obtained by heat treatment is Film resistors and the like are also known.
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、Ru0z系抵抗体材料は窒素ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としての特性を示さなくなる。Problems to be Solved by the Invention However, in order to reduce the size and cost of circuit boards at the same time, Ru0z-based resistor materials have problems when co-fired with green ceramics in a nitrogen gas or hydrogen-containing nitrogen gas atmosphere. A reduction reaction occurs, and the resistance value decreases, so that it no longer exhibits characteristics as a resistor.
また、MoSi、−TaSiz及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、MoSi□−Ta
Sizの分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭50−198703号公報に記載されているよ
うに、MoS i z−弗化金属塩(例えば弗化カルシ
ウム)及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例か知ら
れており、これについては上記のような焼成時の反りや
ふくれは見られない。Furthermore, when a resistor material made of MoSi, -TaSiz, and glass is co-fired with a green ceramic sheet in a non-oxidizing atmosphere, the fired body may warp due to differences in the expansion and contraction rates of the two, and the MoSi□ -Ta
There is a problem that gas is generated due to the decomposition reaction of Siz, which tends to cause blistering in the fired product. In order to improve this, as described in JP-A-50-198703, there is a known example in which a resistor material made of MoS i z-metal fluoride (e.g. calcium fluoride) and glass is used. There is no warping or blistering during firing as mentioned above.
しかしながら、このMoS i z−弗化金属及びガラ
スよりなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗
布し、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、95%相対
湿度中に1000時間放置すると、5〜10%の抵抗値
の増加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすこ
とができない。However, the thick film resistor obtained by applying this MoS i z -metal fluoride and glass resistor material to a green ceramic sheet and co-firing it exhibits a An increase in resistance value of ~10% was observed, and the desired function as a resistor could not be performed.
また、上記の従来の電気抵抗体は、その抵抗値の温度変
化係数が1000 ppm/ ”Cよりは小さくならず
、精密な動作を必要とする回路の抵抗体素子としては問
題があった。Further, the above-mentioned conventional electric resistor has a temperature change coefficient of resistance value not smaller than 1000 ppm/''C, which is problematic as a resistor element for a circuit that requires precise operation.
そこで、本願と同日の他の出願で、固定チップ抵抗器に
使用できるのみならず卑金属導体を用いた回路基板に設
けて積層し、これを焼成して多層基板に内装化しても抵
抗値の安定な電気抵抗体を得られることを示した。Therefore, in another application filed on the same day as this application, we proposed that not only can it be used as a fixed chip resistor, but it can also be mounted on a circuit board using a base metal conductor, laminated, fired, and incorporated into a multilayer board to maintain a stable resistance value. It was shown that it is possible to obtain an electrical resistor.
しかしながら、この電気抵抗体の抵抗値の温度変化係数
をさらに小さくすることが望まれていた。However, it has been desired to further reduce the temperature change coefficient of the resistance value of this electrical resistor.
本発明の目的は、固定チップ抵抗器あるいは一般の回路
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層し、多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、その抵抗の温度変化係数を小さくすること
のできる電気抵抗体を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electrical resistor that can not only be used in fixed chip resistors or general circuit boards, but also can be laminated with base metal conductor materials and incorporated into multilayer boards, and which The object of the present invention is to provide an electrical resistor that can reduce the coefficient of change.
また、本発明の他の目的は、上記電気抵抗体の特性を向
上させることのできる製造法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a manufacturing method that can improve the characteristics of the electrical resistor.
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、ジルコニウム
及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩と、アルカリ土
類金属の弗化物を含有する焼成体を有することを特徴と
する電気抵抗体を提供するものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention is characterized by having a fired body containing a molybdate of zirconium and/or hafnium and a fluoride of an alkaline earth metal. The object of the present invention is to provide an electrical resistor.
また、本発明は、主成分にジルコニウム及び/又はハフ
ニウムのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくと
も一種と、アルカリ土類金属の弗化物を主成分に含有す
る抵抗体材料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗
体材料を用いて焼成し、ジルコニウム及び/又はハフニ
ウムのモリブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を
含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ることを特徴と
する電気抵抗体の製造方法を提供するものである。Further, the present invention heat-treats a resistor material containing as a main component at least one of zirconium and/or hafnium molybdate and its precursor, and an alkaline earth metal fluoride, and An electric resistor comprising firing a resistor material obtained by heat treatment to obtain a fired body containing a zirconium and/or hafnium molybdate and an alkaline earth metal fluoride. A method for manufacturing a resistor is provided.
次に本発明の詳細な説明する。Next, the present invention will be explained in detail.
本発明におけるジルコニウム及び/又はハフニウムのモ
リブデン酸塩には、例えばZrMozOい)1fMOz
Os等の単独物質あるいはこれらの混合物が例示される
。またこれらの金属の複数からなるモリブデン酸塩も使
用でき、例えば
(Zr、 Hf、 )Mow’s、但しx +y =1
等が例示され、これらは単独あるいは複数、さらには前
記の各単独物質、混合物質と混合して用いられる。The molybdate of zirconium and/or hafnium in the present invention includes, for example, ZrMozO) 1fMOz
Examples include a single substance such as Os or a mixture thereof. Molybdates consisting of multiple of these metals can also be used, for example (Zr, Hf, ) Mow's, where x + y = 1
These are exemplified, and these can be used alone or in combination with the above-mentioned individual substances or mixed substances.
このようなジルコニウム及び/又はハフニウムのモリブ
デン酸塩は、それぞれの金属の酸化物と酸化モリブデン
(Mob、)の熱処理によって合成することができるが
、その前駆体を用いて熱処理することにより合成するこ
ともできる。Such zirconium and/or hafnium molybdates can be synthesized by heat treatment of oxides of the respective metals and molybdenum oxide (Mob), but they can also be synthesized by heat treatment using their precursors. You can also do it.
本発明においてはバインダーを用いることが好ましく、
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一般
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Pbff0a 、Big
h3、Snug、CdOのような酸化物は、これらを含
む抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還元
されて金属化することがあり、この金属は抵抗値を変化
させるので、このようなことが起こることが好ましくな
い場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好ましい
。In the present invention, it is preferable to use a binder,
Examples of this include glass, and the glass used is generally known glass, and is not limited to glasses with a specific composition, such as Pbff0a, Big
Oxides such as h3, Snug, and CdO may be reduced and metallized when the resistor material containing them is fired in a non-oxidizing atmosphere, and this metal changes the resistance value. If such occurrence is undesirable, it is preferable not to contain these oxides.
ガラス成分としては、5iOz1B!o3、ZnO、C
aO1SrO5Zr02などが好ましく、これらの酸化
物の組成比は、
Si0□12〜33 重量%
Btus 20〜35 重量%
ZnO又は5r013〜33 重量%CaO10〜2
5 重量%
Zr0z 15〜45 重量%
が好ましい。The glass component is 5iOz1B! o3, ZnO, C
aO1SrO5Zr02 etc. are preferable, and the composition ratio of these oxides is: Si0□12-33 wt% Btus 20-35 wt% ZnO or 5r013-33 wt% CaO10-2
5% by weight Zr0z 15-45% by weight is preferred.
これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、1200〜1500℃の
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し′、
急冷させ、ガラス粗粉を得る。In order to manufacture glass from a composition of these oxides, the respective oxides are weighed and mixed to achieve the above composition ratio. This mixture is placed in a crucible and melted at a temperature of 1200 to 1500°C, and then the molten liquid is poured into water, for example.
Rapidly cool to obtain coarse glass powder.
この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度(例えば10μm以下)になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。Glass powder is obtained by pulverizing this coarse powder to a desired particle size (for example, 10 μm or less) using a pulverizing means such as a ball mill or a vibration mill.
前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い。例えばCaO(酸化カル
シウム)はCaC0z(炭酸カルシウム) 、BJz(
酸化硼素)はホウ酸(HzBOs)の熱処理により得ら
れるので、CaO、Bz(hの一部又はその全部の代わ
りにそれぞれCaC0* 、II□B03を用いること
ができる。その他の成分の酸化物についても同様である
。In the above, a mixture of pure oxides was used, but the glass is not limited to this, as long as the result is a mixture of each oxide. It may be melted to make glass. For example, CaO (calcium oxide) is CaC0z (calcium carbonate), BJz (
Since boron oxide) can be obtained by heat treatment of boric acid (HzBOs), CaC0* and II□B03 can be used in place of part or all of CaO and Bz(h, respectively. Regarding oxides of other components The same is true.
また、本発明において用いられるアルカリ土類金属の弗
化物は、Meを金属としたときMeFzの一般式で表さ
れ、Meとしてアルカリ土類金属、すなわちMg、 C
a、 Sr、 Baを用い、これらの各金属塩の一種又
は二種以上を混合して用いることが好ましい。Further, the alkaline earth metal fluoride used in the present invention is represented by the general formula MeFz when Me is a metal, and Me is an alkaline earth metal, that is, Mg, C
It is preferable to use one kind or a mixture of two or more of these metal salts.
しかし、これらアルカリ土類金属の弗化物に限らず、他
の金属の弗化物も使用できる。However, not only these alkaline earth metal fluorides but also other metal fluorides can be used.
上記のようにして得られるジルコニウム及び/又はハフ
ニウムのモリブデン酸塩、ガラス粉末及びアルカリ土類
金属等の弗化物は混合され、そのまま抵抗体材料として
用いても良いが、これを熱処理して粉砕したものを抵抗
体材料とすることがこれを焼成して得た抵抗体の抵抗温
度特性の上で好ましい。この熱処理温度としては、80
0℃〜1200℃が好ましく、これより外れると抵抗体
材料を電気抵抗体に加工する各工程の作業条件等による
組成比の微妙な変動に対し、出来上がった抵抗体の抵抗
値が影響を受は易く、所望の抵抗値を安定して得ること
が難しい。この熱処理は非酸化性雰囲気が望ましく、窒
素ガスその他年活性ガスのみならず、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスを用いることが好ましい。The zirconium and/or hafnium molybdates, glass powder, and alkaline earth metal fluorides obtained as described above may be mixed and used as a resistor material as is, but they may be heat-treated and pulverized. It is preferable to use this material as a resistor material in view of the resistance temperature characteristics of a resistor obtained by firing it. The heat treatment temperature is 80
A temperature of 0°C to 1200°C is preferable; if the temperature is outside this range, the resistance value of the finished resistor will not be affected by slight fluctuations in the composition ratio due to work conditions in each step of processing the resistor material into an electrical resistor. It is difficult to stably obtain a desired resistance value. This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere, and it is preferable to use not only nitrogen gas and other active gases, but also a mixed gas containing hydrogen gas.
抵抗体材料の各成分の組成比は、ジルコニウム及び/又
はハフニウムのモリブデン酸塩40〜95重量%、ガラ
ス粉末4,5〜59.5重量%、アルカリ土類金属の弗
化物0.5〜30重量%が好ましい。この範囲よりジル
コニウム及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩が少な
過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して出来上がった電気
抵抗体の抵抗値が高くなり過ぎ好ましくない場合があり
、また、逆にジルコニウム及び/又はハフニウムのモリ
ブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な過ぎると焼成時の焼
結性が悪くなり回路基板に安定に保持できないことがあ
る。しかし、抵抗体を回路基板を積層して埋め込むよう
な場合にはジルコニウム及び/又はハフニウムのモリブ
デン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物が上記範囲より
多く、100%でも良い。The composition ratio of each component of the resistor material is 40 to 95% by weight of zirconium and/or hafnium molybdate, 4.5 to 59.5% by weight of glass powder, and 0.5 to 30% by weight of alkaline earth metal fluoride. Weight percent is preferred. If the content of zirconium and/or hafnium molybdate is too low and the content of glass is too high, the resistance value of the fired electrical resistor may become too high, which is undesirable. Alternatively, if the amount of hafnium molybdate is too large and the amount of glass is too small, the sinterability during firing may deteriorate and it may not be possible to stably hold it on a circuit board. However, when the resistor is embedded in a laminated circuit board, the amount of zirconium and/or hafnium molybdate and alkaline earth metal fluoride may be greater than the above range, and may be 100%.
また、アルカリ土類金属の弗化物は0.5重量%より少
な過ぎても、30重量%より多過ぎても出来上がった電
気抵抗体の温度変化係数が±500 ppm/’cより
大きくなり、好ましくない場合がある。しかし、この範
囲以外のものも抵抗の温度変化係数の改善が見られる範
囲で使用できる。Furthermore, even if the alkaline earth metal fluoride is less than 0.5% by weight or more than 30% by weight, the temperature change coefficient of the finished electrical resistor will be greater than ±500 ppm/'c, which is preferable. There may be no. However, materials outside this range can also be used as long as the temperature change coefficient of resistance is improved.
このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定チップ
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成するが、この塗布を行うために
例えばシルクスクリーン印刷ができるようにこれら抵抗
体材料粉末にビヒクルが混合され塗液が調整される。こ
のビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなものが
好ましく、このためには有機物ビヒクル、すなわち有機
溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて可塑剤、
分散剤等の各種添加剤を加えたものが好ましい。この有
機溶剤にはプチルカービトールアセテート、プチルカー
ビトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂としてはエ
チルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルローズ誘導
体、その他の樹脂が挙げられる。To create a resistor for a fixed chip resistor or a thick film resistor from the resistor material powder obtained in this way, for example, the resistor material powder is applied to a ceramic green sheet and fired. In order to carry out this coating, a vehicle is mixed with these resistor material powders to prepare a coating liquid so that, for example, silk screen printing can be performed. This vehicle is preferably one that can be burned out in the pre-firing stage, and for this purpose, the resin is dissolved or dispersed in an organic vehicle, that is, an organic solvent, and if necessary, a plasticizer,
It is preferable to add various additives such as a dispersant. Examples of the organic solvent include butyl carbitol acetate, butyl carbitol, and turpentine oil, and examples of the resin include cellulose derivatives such as ethyl cellulose and nitrocellulose, and other resins.
この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用する有機溶剤、樹脂等により変わるが、有機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が20〜50重量%、後者が80
〜50重量%が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。The usage ratio of this organic vehicle and the resistor material powder varies depending on the organic solvent, resin, etc. used, but the usage ratio of the organic solvent and resin is 20 to 50% by weight for the former and 80% for the latter.
~50% by weight is suitable. These components are made into a paste using a mixing means such as a three-roll mill or a sieve.
このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、さらに後述の処理を施されて抵抗体が作成され
るが、この基板にはセラミックグリーンシートを導体材
料や抵抗体材料とともに焼成して作成するもののみなら
ず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、これにさ
らに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する方法で
も良い。The resistor material paste obtained in this way is applied to a substrate and further processed as described below to create a resistor.This substrate is coated with a ceramic green sheet that is fired together with conductor material and resistor material. In addition to the method in which a ceramic green sheet is fired in advance, a resistor material and a conductor material are further applied thereto, and then fired.
これらは積層体を形成する場合にも適用できる。These can also be applied when forming a laminate.
前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム(A l t(h)35〜45重景%、酸化
珪素(Sin2)25〜35重量%、酸化硼素(B、0
ff)10〜15重量%、酸化カルシウム(Cab)
7〜13重量%、酸化マグネシウム(MgO) 7〜1
0重量%等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機
物ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクタ
ーブレード等によりシート化したものが挙げられる。こ
の際、ジルコニウム及び/又はハフニウムのモリブデン
酸塩にガラスを併用しないときは、前記セラミックグリ
ーンシートにガラス分を多く含ませガラスを併用したと
同様の効果を出すようにしても良い。The ceramic green sheet includes, for example, aluminum oxide (Alt(h) 35-45% by weight, silicon oxide (Sin2) 25-35% by weight, boron oxide (B, 0% by weight),
ff) 10-15% by weight, calcium oxide (Cab)
7-13% by weight, magnesium oxide (MgO) 7-1
For example, a slurry prepared by mixing 0% by weight of an oxide mixture of ceramic constituents with an organic vehicle using a ball mill or the like may be formed into a sheet using a doctor blade or the like. At this time, when glass is not used in combination with zirconium and/or hafnium molybdate, the ceramic green sheet may contain a large amount of glass to produce the same effect as when glass is used in combination.
前記有機物ビヒクルには、アクリル酸エステル等のアク
リル樹脂、ポリビニルブチラール等の樹脂、グリセリン
、フタル酸ジエチル等の可塑剤、カルボン酸塩等の分散
剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成される。The organic vehicle is comprised of an acrylic resin such as an acrylic ester, a resin such as polyvinyl butyral, a plasticizer such as glycerin or diethyl phthalate, a dispersant such as a carboxylic acid salt, and a solvent such as water or an organic solvent.
上記抵抗体材料ペーストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、400〜500℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。The resistor material paste is applied to a ceramic green sheet by means such as silk screen printing,
After drying, it is preferable that the resin component is decomposed and burned by heat treatment at 400 to 500°C.
この際、同時にNiあるいはCu等の卑金属導体材料あ
るいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。At this time, a paste of a base metal conductor material such as Ni or Cu or a noble metal conductor material such as Ag or Ag-Pd is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating film, and the paste is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating. will be processed.
このNiあるいはCu等の卑金属導体材料あるいはAg
又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組成物とし
ては、各々の金属粉末98〜85重量%にガラスフリフ
トを2〜15重量%加えたものが例示される。This base metal conductor material such as Ni or Cu or Ag
Alternatively, a paste composition of Ag-Pd noble metal conductor material is exemplified by adding 2 to 15 weight % of glass flift to 98 to 85 weight % of each metal powder.
このようにしてセラミックグリーンシートに抵抗体材料
及び/又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。In this way, the resistor material and/or conductor material is incorporated into the ceramic green sheet, but in the case of a fixed chip resistor, only the surface of this unfired substrate is incorporated, and in the case of a thick film resistor of a multilayer substrate, the resistor material and/or the conductor material are incorporated into the ceramic green sheet. The body material and conductor material assembled in an unfired state are further laminated to form a predetermined circuit, and then fired. By this firing, the conductor material and/or the thick film resistor material can be made into a fired body at the same time as the substrate.
この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば800℃〜1)00℃
、0.5時間〜2時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他年活性ガス、これらに水素ガス
を含存させた混合ガスも用いられる。また、Ag又はA
g−Pdの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。In this case, when a base metal conductor material such as Ni or Cu is used as the conductor material, it is preferable to sinter it in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the resistance value from increasing due to oxidation, and the sintering temperature is as follows: For example, 800℃ to 1) 00℃
, 0.5 hours to 2 hours. As the non-oxidizing atmosphere, nitrogen gas, other active gases, and mixed gases containing these gases and hydrogen gas may also be used. Also, Ag or A
When g-Pd noble metal conductor material is used, it can also be fired in an oxidizing atmosphere such as air.
前記のようにして導体及び/又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ックや歪、ふくれを生じることがないとともに、抵抗体
は高湿度雰囲気中に1000時間以上放置されてもその
抵抗値が±2%以内の変化に抑制され、その高い信頼性
を確保することができるとともに、抵抗値の温度変化係
数も例えば±500ppI1)/ ’c以下にすること
ができる。これは抵抗体が導体及び焼成基板と良くマツ
チングするためと、ジルコニウム及び/又はハフニウム
のモリブデン酸塩及びアカリ土頚金属の弗化物とガラス
の焼成体からなる抵抗体の独特の耐湿性に基づくものと
考えられるが詳細は明らかでない。A circuit wiring board incorporating a conductor and/or a resistor is completed as described above, but cracks, distortions, and distortions may occur not only between the fired board and the conductor but also between the fired board and the resistor due to firing. In addition to not causing blistering, the resistance value of the resistor is suppressed to change within ±2% even if it is left in a high humidity atmosphere for more than 1000 hours, ensuring high reliability. The temperature change coefficient of the value can also be set to, for example, ±500 ppI1)/'c or less. This is due to the resistor's good matching with the conductor and fired substrate, and the unique moisture resistance of the resistor, which is made of a fired body of zirconium and/or hafnium molybdate, alkali metal fluoride, and glass. It is thought that this is the case, but the details are not clear.
なお、xvA回折分析により前記抵抗体中にジルコニウ
ム及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩とアルカリ土
類金属の弗化物を認めることができる。In addition, zirconium and/or hafnium molybdate and alkaline earth metal fluoride can be recognized in the resistor by xvA diffraction analysis.
本発明においては、上記の如(ジルコニウム及び/又は
ハフニウムのモリブデン酸塩を用いても良いが、このジ
ルコニウム及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩の代
わりに熱処理によりジルコニウム及び/又はハフニウム
のモリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全部用いるこ
ともできる。In the present invention, a molybdate of zirconium and/or hafnium may be used as described above, but instead of the molybdate of zirconium and/or hafnium, a molybdate of zirconium and/or hafnium may be used by heat treatment. It is also possible to use some or all of the precursors.
これらのいずれの場合もガラスと混合して熱処理したも
のを粉砕し、抵抗体材料とす、ることが好ましいが、こ
の熱処理を行わず上述の有機物ビヒクル等と混合して作
成したペーストを例えばグリーンセラミックシートに塗
布してから、有機物除去の加熱処理を経て焼成し、直接
抵抗体を作成することもできる。In any of these cases, it is preferable to mix it with glass and heat treat it, then crush it and use it as a resistor material. It is also possible to directly create a resistor by applying it to a ceramic sheet, then heating it to remove organic matter, and then firing it.
また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料がジル
コニウム及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩及びア
ルカリ土類金属の弗化物とともに結果的に焼成される状
態におかれれば良く、これらの酸化物の前駆体をジルコ
ニウム及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩及び/又
はその前駆体、アルカリ土類金属の弗化物とともにこの
酸化物の一部又は全部を上述したようにペースト状態に
し、これを基板に塗布して有機物の燃焼、その後の焼成
のいずれの過程で上記のガラス成分からなるガラスにな
り、これとジルコニウム及び/又はハフニウムのモリブ
デン酸塩及び/又はその前駆体と、アルカリ土類金属の
弗化物と焼成されことにより抵抗体を作製できるもので
あれば良い。例えば、ガラスの材料の成分であるCaO
(酸化カルシウム)はCaCO5(炭酸カルシウム)の
加熱、B20ff(酸化硼素)はホウ酸(H2BO3)
の加熱から得られるので、CaO、BzO*の一部又は
全部の代わりにそれぞれCaC0= 、HJ(hを用い
ることができる。In addition, the glass may be placed in a state where the mixed material of oxides constituting it is fired together with zirconium and/or hafnium molybdate and alkaline earth metal fluoride, and these oxides A precursor of zirconium and/or hafnium molybdate and/or its precursor, a part or all of this oxide together with an alkaline earth metal fluoride are made into a paste state as described above, and this is applied to a substrate. In the process of combustion of organic matter and subsequent firing, a glass consisting of the above glass components is formed, which is combined with molybdate of zirconium and/or hafnium and/or its precursor, and fluoride of alkaline earth metal. Any material may be used as long as it can be fired to produce a resistor. For example, CaO, which is a component of glass materials,
(Calcium oxide) is heating CaCO5 (calcium carbonate), B20ff (boron oxide) is boric acid (H2BO3)
Therefore, CaC0= and HJ(h can be used instead of part or all of CaO and BzO*, respectively.
本発明における抵抗体材料とはその処理の過程で結果的
にジルコニウム及び/又はハフニウムのモリブデン酸塩
とガラスとアルカリ土類金属の弗化物を主成分にするも
のであれば良い。The resistor material used in the present invention may be one whose main components are zirconium and/or hafnium molybdate, glass, and alkaline earth metal fluoride as a result of the treatment process.
実施例 次に本発明の詳細な説明する。Example Next, the present invention will be explained in detail.
実施例1
酸化物に換算して表1に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。Example 1 Each component was weighed and mixed to have the composition shown in Table 1 in terms of oxide.
表1 表中、単位は重量%。Table 1 In the table, the unit is weight%.
ガラス八、ガラスBのそれぞれの混合物を各別にアルミ
ナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにポットミルの中に入れ、アルミナポールで24
時間粉砕し、粒径10μm以下のガラス粉末を得た。The respective mixtures of Glass 8 and Glass B were individually melted at 1400° C. in an alumina crucible, and the melts were poured into water and rapidly cooled. Take out this quenched material, put it in a pot mill with ethanol, and use an alumina pole for 24 hours.
The glass powder was pulverized for a period of time to obtain a glass powder with a particle size of 10 μm or less.
また、酸化モリブデンとジルコニウムの酸化物からジル
コニウムのモリブデン酸塩を得た。Additionally, zirconium molybdate was obtained from molybdenum oxide and zirconium oxide.
次に、前記で得たガラスA、ガラスBのそれぞれのガラ
ス粉末と前記で得たジルコニウムのモリブデン酸塩及び
アルカリ土類金属の弗化物を表2に示す割合になるよう
に秤量し、混合した。Next, the glass powders of Glass A and Glass B obtained above, the zirconium molybdate and the alkaline earth metal fluoride obtained above were weighed and mixed in the proportions shown in Table 2. .
表2(ジルコニウムのモリプデ1と弗化物を併用する場
合)(XMI)表 2(7′jき)
前記各試料を窒素(Nz) 98.5 vo1%、水素
(H2)1.5 vo1%のガス雰囲気中、1000℃
、1時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにボッ
トミルにて粉砕し、乾燥して10μ閾以下のガラスとモ
リブデン酸塩と弗化物の熱処理粉末の抵抗体材料粉末を
得た。Table 2 (When using zirconium molypide 1 and fluoride together) (XMI) Table 2 (7'j) 1000℃ in gas atmosphere
The powder was heat-treated for 1 hour, and then ground with ethanol in a bot mill and dried to obtain a resistor material powder of glass, molybdate, and fluoride heat-treated powder having a size of 10 μm or less.
次に各試料の抵抗体材料粉末100重量部に有機物ビヒ
クル(プチルカービトール90重量部、エチルセルロー
ズ10重量部)25重量部を加え、ロールミルで混合し
、抵抗体材料ペーストを得た。Next, 25 parts by weight of an organic vehicle (90 parts by weight of butyl carbitol, 10 parts by weight of ethyl cellulose) were added to 100 parts by weight of the resistor material powder of each sample and mixed in a roll mill to obtain a resistor material paste.
一方、A ’l tO+ 40.0重量%、SiO□3
5.0重量%、Ih0s13.0重量%、Ca07.0
重量%、MgO5,0重量%からなるセラミック原料粉
末100重量部にボリビニルブチラール8重量部、フタ
ル酸ジエチル8重量部、オレイン酸0.5重量部、アセ
トン10重量部、イソプロピルアルコール20重量部及
びメチルエチルケトン20重量部を加えてボールミルに
より混合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドク
ターブレード法により厚さ200μmの長尺のセラミッ
クグリーンシートを作製した。°このセラミンクグリー
ンシートから縦9鰭横9n+のグリーンシート片と、縦
6s■横9鰭のグリーンシート片とを切り抜いた。On the other hand, A'ltO+ 40.0% by weight, SiO□3
5.0% by weight, Ih0s13.0% by weight, Ca07.0
% by weight, 100 parts by weight of a ceramic raw material powder consisting of 5.0 parts by weight of MgO, 8 parts by weight of polyvinyl butyral, 8 parts by weight of diethyl phthalate, 0.5 parts by weight of oleic acid, 10 parts by weight of acetone, 20 parts by weight of isopropyl alcohol, and 20 parts by weight of methyl ethyl ketone was added and mixed in a ball mill to prepare a slurry, and after defoaming treatment, a long ceramic green sheet with a thickness of 200 μm was prepared using a doctor blade method. A green sheet piece with a length of 9 fins and a width of 9n+ and a green sheet piece with a length of 6 s and a width of 9 fins were cut out from this ceramic green sheet.
次に第1図に示す如く、前記の縦9龍横91mのグリー
ンシート片l上に銅粉末95重量部、ガラスフリフト5
重量部に、有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール2
0重量部、エチルセルロース5重量部を加え、これらを
三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシル
クスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて厚
膜導体材料塗膜2を形成した。次いで、前記で得た抵抗
体材料ペーストを前記グリーンシート片1に前記と同様
にシルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥さ
せて抵抗体材料塗膜3を形成した。Next, as shown in FIG.
Butylcarpitol 2 is added to the weight part as an organic vehicle.
A conductor material paste prepared by adding 0 parts by weight and 5 parts by weight of ethyl cellulose and mixing them using a three-roll mill was silk screen printed and dried at 125° C. for 10 minutes to form a thick conductor material coating film 2. Next, the resistor material paste obtained above was silk screen printed on the green sheet piece 1 in the same manner as described above, and dried at 125° C. for 10 minutes to form a resistor material coating film 3.
次にグリーンシート片1上に前記で得た縦6 mm横9
關のグリーンシート片4を図示鎖線で示すように重ね、
100℃、150Kg/cjで熱圧着する0次いで、こ
れを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃で加熱
してグリーンシート片1.4、導体材料塗膜2、抵抗体
材料塗膜3のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させる
。Next, on green sheet piece 1, the length 6 mm and width 9 obtained above are
Stack the green sheet pieces 4 on top as shown by the chain lines in the diagram,
This is then heat-bonded at 100°C and 150kg/cj at 400-500°C in an oxidizing atmosphere such as air to form green sheet piece 1.4, conductor material coating 2, and resistor material coating 3. Decompose and burn each residual organic matter.
このようにして有機物を除去した後、N、 9B、5v
o1%、Hz 1.5 vo1%の混合ガス中で、95
0℃、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーンシー
ト片1の焼成体の磁器層1asグリ一ンシート片4の焼
成体の磁器層4aの間に導体材料塗膜2の焼成体の厚膜
導体2a、抵抗体材料塗膜3の焼成体の厚膜抵抗体3a
を有する多層セラミック基板を完成させた。この多層基
板には、後述する第3図、第4図に示されるような反り
、ふくれは見られなかった。After removing organic matter in this way, N, 9B, 5v
o1%, Hz 1.5 vo1% mixed gas, 95
After firing at 0°C for 1 hour, as shown in FIG. Thick film conductor 2a, thick film resistor 3a of fired body of resistor material coating 3
We have completed a multilayer ceramic substrate with In this multilayer substrate, no warpage or bulges as shown in FIGS. 3 and 4, which will be described later, were observed.
このようにして得られた焼成体(試料N01)の多層セ
ラミック基板を層方向に研摩して抵抗体層を露出させ、
この露出した抵抗体層をX線回折(Cuにα線)により
分析し、得られた結果を第5図に示す、これにより供試
体中のモリブデン酸塩の種類及び弗化物の種類を確認す
ることができた。The multilayer ceramic substrate of the fired body (sample N01) thus obtained was polished in the layer direction to expose the resistor layer,
This exposed resistor layer was analyzed by X-ray diffraction (alpha rays for Cu), and the obtained results are shown in Figure 5, which confirms the type of molybdate and fluoride in the specimen. I was able to do that.
次にこの多層セラミック基板3aの25℃における抵抗
値(Rzs)と、125℃に加熱したときの抵抗値(R
,□、)をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度
係数(TCP)を次式により求めた。Next, the resistance value (Rzs) of this multilayer ceramic substrate 3a at 25°C and the resistance value (Rzs) when heated to 125°C are calculated.
, □, ) were measured using a digital multimeter, and the temperature coefficient of resistance (TCP) was determined using the following equation.
2に示した。Shown in 2.
また、上記で得られた多層セラミック基板を60℃、9
5%相対湿度のもとに1000時間放置した後の25℃
の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表2に示
す。In addition, the multilayer ceramic substrate obtained above was heated at 60°C for 9
25℃ after 1000 hours under 5% relative humidity
Table 2 shows the results of measuring the resistance value and calculating the rate of change.
なお、各試料磁の試料からアルカリ土類金属の弗化物を
除いた試料を用いて作られた電気抵抗体のそれぞれにつ
いて上記と同様に測定し、求めた結果を表2の試料魔に
対応させてそれぞれ表3に示す。In addition, each electrical resistor made using a sample from which the alkaline earth metal fluoride was removed was measured in the same manner as above, and the obtained results were compared to the sample magnets in Table 2. are shown in Table 3.
実施例2
実施例1において、ジルコニウムのモリブデン酸塩の代
わりにハフニウムのモリブデン酸塩を用いた以外は同様
にして表4に示す抵抗体材料から多層セラミック基板を
作製し、実施例1と同様にR□、TCP 、抵抗値変化
率を求め表4に示す。Example 2 A multilayer ceramic substrate was fabricated from the resistor materials shown in Table 4 in the same manner as in Example 1, except that hafnium molybdate was used instead of zirconium molybdate. R□, TCP, and resistance change rate were determined and shown in Table 4.
なお、上記と同様にアルカリ土類金属の弗化物を除いた
抵抗体材料を用いて多層セラミック基板を作製し、上記
と同様に測定した測定値、計算値を上記と同様に試料N
o、を対応させて表5に示す。Note that a multilayer ceramic substrate was fabricated using a resistor material excluding the alkaline earth metal fluoride in the same manner as above, and the measured values and calculated values were measured in the same manner as above for sample N.
o, are shown in Table 5 in correspondence.
実施例3
実施例1において、ジルコニウムのモ177’7’7酸
塩のジルコニウムの一部をハフニウムルで置換した表6
に示すモリブデン酸塩を使用した以外は同様にしてこの
表6に示す抵抗体材料から多層セラミック基板を作製し
、実施例1と同様にR□、TCR、抵抗値変化率を求め
これらを表6に示す。Example 3 In Example 1, part of the zirconium in the zirconium mo177'7'7 salt was replaced with hafnium. Table 6
A multilayer ceramic substrate was fabricated from the resistor materials shown in Table 6 in the same manner except that the molybdate shown in Table 6 was used, and R□, TCR, and rate of change in resistance were determined in the same manner as in Example 1. Shown below.
なお、実施例3において、アルカリ土類金属の弗化物を
含まない表6の各試料に対応する抵抗体材料を用いた以
外は同様にして多層セラミック基板を作製し、実施例1
と同様にR2S、TCR、抵抗値変化率を求めこれらを
試料No、を対応させて表7に示す。In addition, in Example 3, a multilayer ceramic substrate was produced in the same manner as in Example 1, except that the resistor material corresponding to each sample in Table 6, which does not contain alkaline earth metal fluoride, was used.
Similarly, R2S, TCR, and resistance change rate were determined and shown in Table 7 in correspondence with the sample number.
実施例4
実施例1において、ジルコニウムのモリブデン酸塩の代
わりにジルコニウム、ハフニウムのモリブデン酸塩の2
種以上の混合物を用いた以外は同様にして表8に示す抵
抗体材料から多層セラミック基板を作製し、実施例1と
同様にR2,、TCP、抵抗値変化率を求めこれらを表
8に示す。Example 4 In Example 1, zirconium and hafnium molybdates were used instead of zirconium molybdates.
A multilayer ceramic substrate was fabricated from the resistor materials shown in Table 8 in the same manner except that a mixture of at least one species was used, and R2, TCP, and resistance change rate were determined in the same manner as in Example 1 and these are shown in Table 8. .
なお、実施例4において、アルカリ土類金属の弗化物を
含まない表8の各試料に対応する抵抗体材料を用いた以
外は同様にして多層セラミック基板を作製し、実施例1
と同様にLs、TCP、抵抗値変化率を求め、これらを
試料No、を対応させて表9に示す。In addition, in Example 4, a multilayer ceramic substrate was produced in the same manner as in Example 1, except that the resistor material corresponding to each sample in Table 8, which does not contain alkaline earth metal fluoride, was used.
Similarly, Ls, TCP, and resistance change rate were determined, and these are shown in Table 9 in correspondence with the sample number.
実施例5
実施例1において、モリブデン酸塩、アルカリ土類金属
の弗化物及びガラス粉末の混合物について窒素(Nz)
98.5vo1%、水素(Hz) 1.5vo1%の
ガス雰囲気中、1000℃、1時間の熱処理を行わなか
った以外は同様にして表13に示す抵抗体材料から多層
セラミック基板を作成し、実施例1と同様にRzs 、
TCP 、抵抗値変化率を求め表10に示す。Example 5 In Example 1, nitrogen (Nz) for the mixture of molybdate, alkaline earth metal fluoride and glass powder
A multilayer ceramic substrate was prepared from the resistor materials shown in Table 13 in the same manner as above, except that no heat treatment was performed at 1000°C for 1 hour in a gas atmosphere of 98.5vo1%, hydrogen (Hz) 1.5vo1%. As in Example 1, Rzs,
TCP, the resistance value change rate was determined and shown in Table 10.
なお、図示省略したが、前記それぞれの実施例の焼成体
についてX線回折分析によりモリブデン酸塩の種類、弗
化物の種類を確認できる。Although not shown, the type of molybdate and the type of fluoride can be confirmed by X-ray diffraction analysis of the fired bodies of each of the examples.
表 3(ジルコニウムのモリブデン酸塩と弗化物を併用
しない場合)14(ハフニウムのモリブデン酸塩と弗化
物を併用する場合)αmの表 4(二とブき)
表 5(ハフニウムのモリブデン酸塩に弗化物を併用し
ない場合)表 6(ジルコニウム、ハフニウムのモリブ
デン酸塩と弗化物とを併用した場合)0コ鮒13R7(
おの弗lヒ物のない場合)
表 8(ジルコニウム、ハフニウムのモリブデン酸塩の
混合物と弗(ヒ物を併用する場合) C;t81M%+
)表 9(2旧の弗(ヒ物のない場合)
表10(モリブデン酸塩と弗「ヒ物とガラスの熱処理が
ない場合)(XJM’■比較例1 (MoSiz−Ta
Sfzガラス系抵抗体材料)MoSiz 16重量部、
Tacit 9重量部の混合物を空中1400℃で加熱
し、その生成物をエタノールとともにボットミル中アル
ミナポールで24時間粉砕し、乾燥させて10μm以下
の微粉末を得た。このようにして得た微粉末25重量部
に対し、BaO、Btus、MgO、CaO、StO□
からなるガラスフリフト75重量部と、有機物ビヒクル
(ブチルカルピトール20重世部、エチルセルロース5
重量部)25重量部とを加え、ロールミルで混合して抵
抗体材料ペーストを得た。Table 3 (When zirconium molybdate and fluoride are not used together) 14 (When hafnium molybdate and fluoride are used together) αm Table 4 (Second) Table 5 (When hafnium molybdate and fluoride are used together) (When fluoride is not used in combination) Table 6 (When zirconium or hafnium molybdate and fluoride are used together) 0 Carp 13R7 (
Table 8 (Mixture of molybdates of zirconium and hafnium and fluoride (when used in combination with agar) C; t81M%+
) Table 9 (2 old fluorocarbons (without arsenic material) Table 10 (molybdate and fluorocarbons) (no heat treatment of arsenic material and glass) (XJM'■Comparative example 1 (MoSiz-Ta
Sfz glass resistor material) MoSiz 16 parts by weight,
A mixture of 9 parts by weight of Tacit was heated in air at 1400° C., and the product was ground with ethanol in an alumina pole in a Bottle mill for 24 hours and dried to obtain a fine powder of 10 μm or less. BaO, Btus, MgO, CaO, StO□
and an organic vehicle (20 parts of butyl calpitol, 5 parts of ethyl cellulose).
25 parts by weight) were added and mixed in a roll mill to obtain a resistor material paste.
この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例1と同様
にして多層セラミック基板を得た。A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used.
その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理してを機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第3図に示すように反りが見られ、
また、Mo5iz 、TaSiの分解反応で5iOz気
体が発生することにより第4図に示すようにふくれが生
じ、実用に供することができなかった。なお、llaは
上記磁器層1a、 14aは上記磁器層4a、13aは
上記厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、厚膜抵
抗体である。As a result, we formed a resistor material coating on a ceramic green sheet, heat-treated it, removed the material, and fired it simultaneously, and found that both fired bodies had different expansion and contraction rates. As a result, warping can be seen as shown in Figure 3.
Furthermore, 5iOz gas was generated by the decomposition reaction of Mo5iz and TaSi, causing blistering as shown in FIG. 4, making it impossible to put it to practical use. Note that lla is the ceramic layer 1a, 14a is the ceramic layer 4a, and 13a is the ceramic layer and thick film resistor corresponding to the thick film resistor 3a, respectively.
比較例2(MoSi、−BaF、ガラス系抵抗体材料)
MoSiz 70重量部、BaFz 20重量部と、5
iOz、Zn、Zr0z、Ca0z、Alt03からな
るガラスフリフト10重量部とをボールミルで混合し、
得られた粉末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中1200
℃で熱処理した後、これをエタノールとともにボットミ
ル中アルミナボールで24時間粉砕し、乾燥させて10
μm以下の微粉末を得た。Comparative example 2 (MoSi, -BaF, glass-based resistor material)
70 parts by weight of MoSiz, 20 parts by weight of BaFz, and 5
Mixing with 10 parts by weight of glass lift consisting of iOz, Zn, Zr0z, Ca0z, Alt03 in a ball mill,
The obtained powder was heated at 1200 °C in an argon (Ar) gas atmosphere.
After heat treatment at ℃, it was ground with ethanol in an alumina ball in a bot mill for 24 hours, dried and
A fine powder of µm or less was obtained.
この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例1と同様
にして多層セラミック基板を得た。A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used.
この多層セラミック基板の厚膜抵抗体についても実施例
1と同様にして求めたRzs 、TCP及び抵抗値の変
化率を表1)に示す。Table 1) shows the Rzs, TCP, and rate of change in resistance value obtained for the thick film resistor of this multilayer ceramic substrate in the same manner as in Example 1.
上記結果より、実施例の多層セラミ、り基板はいずれも
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±2%以内であ
り、さらにTCRも特に抵抗体材料を熱処理したものは
±500ppm/ ’cであるのに対し、比較例1の多
層セラミック基板は反りが見られ、比較例2の多層セラ
ミック基板は抵抗体の抵抗値の変化率が4倍も大きいこ
とがわかる。From the above results, the multilayer ceramic substrates of the examples have no warping or blistering, and the rate of change in resistance value is within ±2%, and the TCR is ±500 ppm/' especially in the case where the resistor material is heat treated. c, whereas the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 1 shows warping, and the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 2 has a rate of change in the resistance value of the resistor that is four times larger.
発明の効果
本発明によれば、ジルコニウム及び/又はハフニウムの
モリブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を含有す
る電気抵抗体を供給できるので、ジルコニウム及び/又
はタンタルのモリブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗
化物を主成分に有する組成の抵抗体材料を用いて、例え
ば卑金属導体材料とともに非酸化性雰囲気中でセラミッ
クグリーンシートと同時に焼成することにより抵抗体を
形成するようにすると、焼成により焼成体に反りやふく
れが生じるようなことはなく、また、抵抗体の温度変化
を小さくできるのみならず、抵抗体の抵抗値の温度変化
係数を例えば±500 ppm/”C以下にすることが
できる。Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to supply an electrical resistor containing a molybdate of zirconium and/or hafnium and a fluoride of an alkaline earth metal. If a resistor material having a composition containing metal fluoride as a main component is used, for example, to form a resistor by simultaneously firing a ceramic green sheet together with a base metal conductor material in a non-oxidizing atmosphere, the firing The body does not warp or bulge, and not only can the temperature change of the resistor be reduced, but the temperature change coefficient of the resistance value of the resistor can be reduced to, for example, ±500 ppm/''C or less. .
これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小型化、コ
ストの低減の両方の要求を満たすことができるとともに
、精密な動作を必要とする電子機器に優れた電子部品を
提供することができる。As a result, it is possible to meet the demands for both miniaturization and cost reduction of circuit boards incorporating resistors, and it is also possible to provide excellent electronic components for electronic devices that require precise operation.
また、ジルコニウム及び/又はハフニウムのモリブデン
酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を熱処理すると、こ
れを行わないものに比べ、抵抗体の温度変化係数の絶対
値を小さくでき、精密な動作を必要とする電気回路に優
れた性能を付加できる。Additionally, by heat treating zirconium and/or hafnium molybdates and alkaline earth metal fluorides, the absolute value of the temperature change coefficient of the resistor can be reduced compared to those that are not treated, and precision operation is not required. It can add excellent performance to electrical circuits.
第1図は本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の
抵抗体材料塗膜と電極材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第2図はその焼
成体の断面図、第3図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第4図はその焼成
体にガスが発生したときの説明図、第5図は本発明の一
実施例の電気抵抗体のX線回折図である。
図中、1.4はグリーンシート片、2は導体材料塗膜、
3は抵抗体材料塗膜、1a、4aは磁器層、2aは厚膜
導体、3aは厚膜抵抗体である。
昭和62年02月28日
第1図
第3図
第4図Fig. 1 is a diagram showing an example of a state in which a resistor material coating film and an electrode material coating film before firing are formed on a substrate to form a multilayer structure when manufacturing the electrical resistor of the present invention, and Fig. 2 is a cross-sectional view of the fired body, FIG. 3 is a cross-sectional view of the fired body formed into a multilayer structure using conventional resistor material, and FIG. 4 is an explanatory diagram when gas is generated in the fired body. FIG. 5 is an X-ray diffraction diagram of an electrical resistor according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1.4 is a green sheet piece, 2 is a conductive material coating,
3 is a resistor material coating, 1a and 4a are ceramic layers, 2a is a thick film conductor, and 3a is a thick film resistor. February 28, 1988 Figure 1 Figure 3 Figure 4
Claims (5)
酸塩と、アルカリ土類金属の弗化物を含有する焼成体を
有することを特徴とする電気抵抗体。(1) An electrical resistor characterized by having a fired body containing a molybdate of zirconium and/or hafnium and a fluoride of an alkaline earth metal.
リブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種と、
アルカリ土類金属の弗化物を主成分に含有する抵抗体材
料から焼成されることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の電気抵抗体。(2) The fired body contains at least one of zirconium and/or hafnium molybdate and its precursor;
Claim 1, characterized in that the resistor material is fired from a resistor material containing an alkaline earth metal fluoride as a main component.
Electrical resistor described in section.
フニウムのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なく
とも一種を当該ジルコニウム及び/又はハフニウムのモ
リブデン酸塩に換算して40〜95重量%と、アルカリ
土類金属の弗化物0.5〜30重量%と、ガラス4.5
〜59.5重量%とからなることを特徴とする特許請求
の範囲第2項記載の電気抵抗体。(3) The main component of the resistor material is 40 to 95% by weight of at least one of zirconium and/or hafnium molybdate and its precursor in terms of the zirconium and/or hafnium molybdate; Alkaline earth metal fluoride 0.5-30% by weight and glass 4.5%
3. The electrical resistor according to claim 2, wherein the electrical resistor comprises 59.5% by weight.
リブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種と、
アルカリ土類金属の弗化物を主成分に含有する抵抗体材
料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用
いて焼成し、ジルコニウム及び/又はハフニウムのモリ
ブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を含有する焼
成体からなる電気抵抗体を得ることを特徴とする電気抵
抗体の製造方法。(4) At least one of zirconium and/or hafnium molybdate and its precursor as a main component;
A resistor material containing an alkaline earth metal fluoride as a main component is heat-treated, and the resistor material obtained by this heat treatment is fired to produce a molybdate of zirconium and/or hafnium and an alkaline earth metal. A method for producing an electrical resistor, the method comprising obtaining an electrical resistor made of a fired body containing a fluoride.
び/又はハフニウムのモリブデン酸塩及びその前駆体の
内の少なくとも一種を当該ジルコニウム及び/又はハフ
ニウムのモリブデン酸塩に換算して40〜95重量%と
、アルカリ土類金属の弗化物0.5〜30重量%と、ガ
ラス4.5〜59.5重量%とからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項記載の電気抵抗体の製造方法。(5) The main component of the resistor material before heat treatment is zirconium and/or hafnium molybdate and at least one of its precursors, which weighs 40 to 95% in terms of the zirconium and/or hafnium molybdate. %, 0.5 to 30% by weight of alkaline earth metal fluoride, and 4.5 to 59.5% by weight of glass. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045611A JPS63215549A (en) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | Electric resistor and manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045611A JPS63215549A (en) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | Electric resistor and manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215549A true JPS63215549A (en) | 1988-09-08 |
| JPH0469582B2 JPH0469582B2 (en) | 1992-11-06 |
Family
ID=12724167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62045611A Granted JPS63215549A (en) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | Electric resistor and manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63215549A (en) |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62045611A patent/JPS63215549A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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