JPS6321917B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6321917B2 JPS6321917B2 JP55083932A JP8393280A JPS6321917B2 JP S6321917 B2 JPS6321917 B2 JP S6321917B2 JP 55083932 A JP55083932 A JP 55083932A JP 8393280 A JP8393280 A JP 8393280A JP S6321917 B2 JPS6321917 B2 JP S6321917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bbd
- circuit
- equalizer
- equalizer circuit
- echo
- Prior art date
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- Expired
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- Reverberation, Karaoke And Other Acoustics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アナログ遅延素子としてバケツト・
ブリゲード・デバイスを用いた半導体エコー装置
に関するものである。
ブリゲード・デバイスを用いた半導体エコー装置
に関するものである。
アナログ遅延素子としてバケツト・ブリゲー
ド・デバイス（以下B.B.D.と称する）を用いた
半導体エコー装置として従来第１図および第２図
に示すような構成のものが知られている。両図に
おいて１はマイク、２はマイクアンプ、３はマイ
クボリユーム、４，５はミキサアンプ、６，７は
ローパスフイルター、８はBBD、９はボリユー
ム、１０はミユーテイング回路である。
ド・デバイス（以下B.B.D.と称する）を用いた
半導体エコー装置として従来第１図および第２図
に示すような構成のものが知られている。両図に
おいて１はマイク、２はマイクアンプ、３はマイ
クボリユーム、４，５はミキサアンプ、６，７は
ローパスフイルター、８はBBD、９はボリユー
ム、１０はミユーテイング回路である。
ところで上記B.B.D.は(1)内部ノイズが多い、
(2)許容入力が限定される、という欠点を有してい
る。したがつて上記構成のエコー装置は、B.B.
D.８の回路後段で利得を稼ぐ場合、B.B.D.の内
部ノイズの多さからＳ／Ｎ特性が悪くなり、逆に
BBD８の回路前段で利得を稼ぐ場合にはB.B.D.
の入力制限からサチレーシヨン歪が生ずるので利
得は自と限られてしまい、結果としてセツトの
Ｓ／Ｎ特性が限定されてしまうのが実状である。
(2)許容入力が限定される、という欠点を有してい
る。したがつて上記構成のエコー装置は、B.B.
D.８の回路後段で利得を稼ぐ場合、B.B.D.の内
部ノイズの多さからＳ／Ｎ特性が悪くなり、逆に
BBD８の回路前段で利得を稼ぐ場合にはB.B.D.
の入力制限からサチレーシヨン歪が生ずるので利
得は自と限られてしまい、結果としてセツトの
Ｓ／Ｎ特性が限定されてしまうのが実状である。
ここでB.B.D.をドライブさせるためのクロツ
ク周波数を高くすることによりＳ／Ｎ特性を向上
させることができるが、十分なエコー効果を得る
ためにはB.B.D.の段数を多くしなければならず
多額のコストアツプになる。またミユーテイング
回路１０の存在により入力がない場合には出力を
ミユートする配慮がなされているが、実際にマイ
クで使用した場合は音声信号がなくなつた時にノ
イズが急激に減衰する不自然さが生じるために使
用感が悪く、しかも実質的なＳ／Ｎ改善にはなつ
ていない。
ク周波数を高くすることによりＳ／Ｎ特性を向上
させることができるが、十分なエコー効果を得る
ためにはB.B.D.の段数を多くしなければならず
多額のコストアツプになる。またミユーテイング
回路１０の存在により入力がない場合には出力を
ミユートする配慮がなされているが、実際にマイ
クで使用した場合は音声信号がなくなつた時にノ
イズが急激に減衰する不自然さが生じるために使
用感が悪く、しかも実質的なＳ／Ｎ改善にはなつ
ていない。
本発明は上記問題に対処してなされたもので、
Ｓ／Ｎ特性を改善するような構成のエコー装置を
提供するものである。以下第３図および第４図を
参照して本発明実施例を説明する。なお第１図お
よび第２図と同一部分は同一番号でもつて示す。
１１はマイクボリユーム３に接続されたリミツタ
ー回路でこの信号レベル検出は前記B.B.D.の入
力点より行われる。１２および１３はB.B.D.の
前段および後段に設けられたイコライザー回路
で、前段に設けられたイコライザー回路１２は、
第６図のように約1KHz程度をターンオーバー周
波数とし6db／oct上昇する特性のものから構成
され、後段に設けられたイコライザー回路１３は
第７図のように前段のものと対称的にそれと逆カ
ーブ特性のものから構成され、トータルすると入
出力特性はフラツトになるように構成される。
Ｓ／Ｎ特性を改善するような構成のエコー装置を
提供するものである。以下第３図および第４図を
参照して本発明実施例を説明する。なお第１図お
よび第２図と同一部分は同一番号でもつて示す。
１１はマイクボリユーム３に接続されたリミツタ
ー回路でこの信号レベル検出は前記B.B.D.の入
力点より行われる。１２および１３はB.B.D.の
前段および後段に設けられたイコライザー回路
で、前段に設けられたイコライザー回路１２は、
第６図のように約1KHz程度をターンオーバー周
波数とし6db／oct上昇する特性のものから構成
され、後段に設けられたイコライザー回路１３は
第７図のように前段のものと対称的にそれと逆カ
ーブ特性のものから構成され、トータルすると入
出力特性はフラツトになるように構成される。
このようにイコライザー回路１２，１３を設け
たことにより、入力信号に変化を与えることなく
B.B.D.８で発生する特有のノイズのみを後段の
イコライザー回路１３によつて減少してＳ／Ｎ特
性を改善することができる。例えばB.B.D.をド
ライブするクロツク周波数を8KHz、B.B.D.前段
および後段におけるローパスフイルタ６，７のカ
ツトオフ周波数を5KHzとした場合、イコライザ
ー回路１２，１３を用いない時のエコー装置には
第５図に示すようなノイズが出力される。
たことにより、入力信号に変化を与えることなく
B.B.D.８で発生する特有のノイズのみを後段の
イコライザー回路１３によつて減少してＳ／Ｎ特
性を改善することができる。例えばB.B.D.をド
ライブするクロツク周波数を8KHz、B.B.D.前段
および後段におけるローパスフイルタ６，７のカ
ツトオフ周波数を5KHzとした場合、イコライザ
ー回路１２，１３を用いない時のエコー装置には
第５図に示すようなノイズが出力される。
しかしながら第６図、第７図のイコライザー回
路１２，１３を用いることにより、イコライザー
回路１２によつて信号を増巾して内部雑音に比較
して大となし、またイコライザー回路１３によつ
てはその信号を減衰させることによつて雑音を抑
圧させて、入出力周波数特性には何ら影響を与え
ずに、ノイズ出力が6db／oct下降の割合で改善
された第８図のようなＳ／Ｎ特性が得られた。
路１２，１３を用いることにより、イコライザー
回路１２によつて信号を増巾して内部雑音に比較
して大となし、またイコライザー回路１３によつ
てはその信号を減衰させることによつて雑音を抑
圧させて、入出力周波数特性には何ら影響を与え
ずに、ノイズ出力が6db／oct下降の割合で改善
された第８図のようなＳ／Ｎ特性が得られた。
なおB.B.D.前段のイコライザー回路１２によ
り1KHz以上の周波数が持ち上げられ、サチレー
シヨン歪を起こしたり、逆に1KHz以下の利得を
抑える必要があるように思えるが、これに対して
はマイク音声入力信号は周波数スペクトラムで
1KHz以上の高域成分はレベル的に小さくなつて
いるので、B.B.D.でサチレーシヨン歪を起こし
たり逆に1KHz以上の入力信号を考慮しての全体
の利得を抑える必要はない。
り1KHz以上の周波数が持ち上げられ、サチレー
シヨン歪を起こしたり、逆に1KHz以下の利得を
抑える必要があるように思えるが、これに対して
はマイク音声入力信号は周波数スペクトラムで
1KHz以上の高域成分はレベル的に小さくなつて
いるので、B.B.D.でサチレーシヨン歪を起こし
たり逆に1KHz以上の入力信号を考慮しての全体
の利得を抑える必要はない。
上記B.B.D.においてサチレーシヨン歪を起こ
すような大きな入力信号があつた場合、上記リミ
ツター回路１１がマイクボリユーム３に設けられ
ているためにこのリミツター回路１１が動作して
B.B.D.前段における利得を大きく稼ぐことがで
きる。
すような大きな入力信号があつた場合、上記リミ
ツター回路１１がマイクボリユーム３に設けられ
ているためにこのリミツター回路１１が動作して
B.B.D.前段における利得を大きく稼ぐことがで
きる。
このためにB.B.D.よりも後段の利得をその分
抑えることができるので結果としてＳ／Ｎ特性が
改善される。また大きな音声信号の入力によりリ
ミツター回路１１が動作しても実用的に支障なく
使用でき、B.B.D.でサチレーシヨン歪を生ずる
ことなくエコーをかけることができる。
抑えることができるので結果としてＳ／Ｎ特性が
改善される。また大きな音声信号の入力によりリ
ミツター回路１１が動作しても実用的に支障なく
使用でき、B.B.D.でサチレーシヨン歪を生ずる
ことなくエコーをかけることができる。
たとえば楽器等による入力信号で大きな高い周
波数の入力があつたとしてもB.B.D.前段で検出
しているリミツター回路１１が動作することによ
りサチレーシヨン歪を起こすことはない。
波数の入力があつたとしてもB.B.D.前段で検出
しているリミツター回路１１が動作することによ
りサチレーシヨン歪を起こすことはない。
以上説明して明らかなように本発明によれば、
B.B.D.前段および後段にそれぞれイコライザー
回路を設けることによつてＳ／Ｎ特性改善が計れ
るようになる。また上記リミツター回路により過
大高域入力におけるサチレーシヨン歪の問題もな
くなる。以上のイコライザー回路およびリミツタ
ー回路により通常のマイク入力信号においても全
く支障なく使用でき、しかもＳ／Ｎ特性の改善を
計れると共に過大入力信号が入つた場合でも質の
良いエコーをかけることができる。また従来にお
ける無入力時に出力をミユートする方式のように
使用感に不自然さが感じられることもなくなる。
B.B.D.前段および後段にそれぞれイコライザー
回路を設けることによつてＳ／Ｎ特性改善が計れ
るようになる。また上記リミツター回路により過
大高域入力におけるサチレーシヨン歪の問題もな
くなる。以上のイコライザー回路およびリミツタ
ー回路により通常のマイク入力信号においても全
く支障なく使用でき、しかもＳ／Ｎ特性の改善を
計れると共に過大入力信号が入つた場合でも質の
良いエコーをかけることができる。また従来にお
ける無入力時に出力をミユートする方式のように
使用感に不自然さが感じられることもなくなる。
第１図および第２図は従来例を示すブロツク
図、第３図および第４図は共に本発明実施例を示
すブロツク図、第５図乃至第８図は本発明を説明
するためのグラフである。 １……マイク、２……マイクアンプ、３……マ
イクボリユーム、４，５……ミキサアンプ、６，
７……ローパスフイルタ、８……バケツト・ブリ
ゲード・デバイス（B.B.D.）、９……ボリユー
ム、１０……ミユーテイング回路、１１……リミ
ツター回路、１２，１３……イコライザー回路。
図、第３図および第４図は共に本発明実施例を示
すブロツク図、第５図乃至第８図は本発明を説明
するためのグラフである。 １……マイク、２……マイクアンプ、３……マ
イクボリユーム、４，５……ミキサアンプ、６，
７……ローパスフイルタ、８……バケツト・ブリ
ゲード・デバイス（B.B.D.）、９……ボリユー
ム、１０……ミユーテイング回路、１１……リミ
ツター回路、１２，１３……イコライザー回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アナログ遅延素子を回路素子として用いたエ
コー装置において、上記アナログ遅延素子の前段
に高域出力を上昇させる周波数特性のイコライザ
ー回路を設け、かつ後段には該イコライザー回路
とは出力−周波数特性が対称的に逆カーブ特性の
イコライザー回路を設けたことを特徴とする半導
体エコー装置。 ２ 前記前段のイコライザー回路の入力側にリミ
ツター回路を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体エコー装置。 ３ 前記アナログ遅延素子がバケツト・ブリゲー
ド・デバイスから成ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の半導体エコー装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8393280A JPS5710193A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Semiconductor echo device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8393280A JPS5710193A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Semiconductor echo device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5710193A JPS5710193A (en) | 1982-01-19 |
| JPS6321917B2 true JPS6321917B2 (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=13816364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8393280A Granted JPS5710193A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Semiconductor echo device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5710193A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222619A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Nec Corp | 光アイソレータとその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813920B2 (ja) * | 1974-02-25 | 1983-03-16 | 松下電器産業株式会社 | 残響装置 |
| JPS5650560Y2 (ja) * | 1975-05-20 | 1981-11-26 |
-
1980
- 1980-06-23 JP JP8393280A patent/JPS5710193A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222619A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Nec Corp | 光アイソレータとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5710193A (en) | 1982-01-19 |
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