JPH0222619A - 光アイソレータとその製造方法 - Google Patents

光アイソレータとその製造方法

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JPH0222619A
JPH0222619A JP63173238A JP17323888A JPH0222619A JP H0222619 A JPH0222619 A JP H0222619A JP 63173238 A JP63173238 A JP 63173238A JP 17323888 A JP17323888 A JP 17323888A JP H0222619 A JPH0222619 A JP H0222619A
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JP
Japan
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spacer
magnet
polarizer
analyzer
fixed
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JP63173238A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Kosuge
小菅 和弘
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光アイソレータとその製造方法に関し、特に複
数の光学部品を備えた半導体レーザモジュール用の光ア
イソレータとその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
光伝送通信システムにおいて、伝送路の途中に設けられ
たコネクタやスイッチ等の光部品からの反射戻り光が半
導体レーザ結晶の発振領域内に入射されるとレーザダイ
オード(以下LDという)の発振状態が乱され、その結
果、応答特性が悪化し雑音が増すという問題がある。こ
のことは、高速度長距離伝送を行う場合に大きな障害と
なり、反射戻り光を除去する光アイソレータが必要不可
欠である。
従来、光通信用の光アイソレータとしては、ティ・スギ
エ(T、Sugie ) +エム・サルワタリ(M、S
aruwatari)両氏により発表された論文「アン
 エフェクティブ ノン・レシプロカル サーキット 
フォー セミコンダクタ レーザ・ツウ・ファイバ カ
ップリング ユージング ア ヮイアイジー スフェア
(An Effective Non−reci−pr
ocal  C1rcuit  for Sem1co
nductor La5er−to−F−iber C
oupling Using a YIG 5pher
)」ジャーナルオブ ライトウェーブ テクノロジー(
JOURNALOF LRGHTWAVE TECHN
OLOGY ) 、第LT−1巻、第1号1983年3
月の中で半導体レーザモジュール搭載型の光アイソレー
タの構造が示されている。
この光アイソレータは、ファラデー回転素子には収束ビ
ームに変換する機能をかねそなえたYIG球を用い、検
光子には方解石のプレートが用いられており、YIG球
の周囲に配置されたリング状の磁石により光軸方向の磁
界がYIG球に印加される構成をとっている。
この場合、半導体レーザから発射する光ビームは一最に
TE偏光であることから偏光子を省略しており、伴導体
レーザから発射された光ビームは、偏光方向がYIG球
によって45度だけ回転したのち検光子に入射される。
検光子の偏光面は常光を通過させる角度に設定し、光ビ
ームは分離されずファイバに結合する。
ファイバからの戻り光は偏向方向が不定であるから、検
光子によって偏向面が90度異なる常光と異常光との2
つの光ビームに分離される。
常光は再びYIG球を通る際にさら(こ偏光面が45度
回転されるので半導体レーザに戻った時には90度回転
し、TM偏光となり半導体レーザの動作に影響を与えな
い。
また、異常光は検光子により横方向に位置シフトし、半
導体レーザに戻ったときには発光点からずれた所に戻り
、半導体レーザの動作に影響を与えない。
また、近間、渡辺、後藤、三浦、峠氏らにより発表され
た論文「光アイソレータ内蔵DFB−LDモジュール」
 (昭和60年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会305)で説明されているアイソレータは、ルチルプ
リズムの偏光子及び検光子、YIG結晶のファラデー回
転素子及び磁石とから構成される。
この場合の戻り反射光はプリズム2個により常光、異常
光とも光路を曲げられLD端面には戻らないようになっ
ている。
このようなLDモジュールに搭載する光アイソレータの
実用化のための要求性能としては、第1に環境試験なら
びに経時変化に対する信頼性に優れていることが重要で
ある。したがって、光アイソレータを構成する部品の固
定には、特にメタル固定化が必要不可欠である。
また、高いアイソレーションを得るためには個々の光学
部品の性能が高いことが必要であるが、さらに重要なこ
とは光アイソレータの組立調整時での個々の偏光面角度
設定の調整が容易でかつ精度良くできなければならない
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の光アイソレータは、両者ともファラデー
回転素子にYIGを用いており、また後者の場合2個の
プリズムを備えた構成となっているので、両者とも高価
となり、また後者の場合組立調整がむずかしくかつ小型
軽量化が困難であるという欠点がある。
本発明の目的は、組立調整が容易でかつ小型軽量化する
ことができ、しかも価格を低減することができる信頼性
に優れた光アイソレータとその製造方法を提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
第1の発明の光アイソレータは、第1の開口面に鍔状の
突出部を設けた円筒状非磁性体の第1のスペーサと、こ
のスペーサの第1及び第2の開口面にそれぞれ接着固定
された検光子及びファラデー回転素子と、内面を前記ス
ペーサの円筒部の外面と接触してかん合しかつ第1の開
口面をこのスペーサの突出部と接して前記ファラデー回
転素子を内部のほぼ中央に配置し、このスペーサを固定
して前記ファラデー回転素子に所定の磁界を印加する円
筒状のマグネットとを有している。
第2の発明の光アイソレータは、前記第1の発明の光ア
イソレータに加え、第1の開口面に鍔状の突出部を設け
円筒部外面をマグネットの内面と接触してかん合しかつ
前記突出部をこのマグネットの第2の開口面と接して固
定する円筒状非磁性体の第2のスペーサと、この第2の
スペーサの第1の開口面に接着固定された偏光子とを備
えた構成を有している。
第3の発明の光アイソレータの製造方法は、検光子、フ
ァラデー回転素子及び偏光子を半田により第1及び第2
のスペーサに接着固定し、前記検光子及び偏光子の偏光
面の角度を前記第1及び第2のスペーサを回転させて調
整した後、これら第1及び第2のスペーサを前記半田の
融点より低い温度のYAG溶接によりマグネットに固定
する構成を有している。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は第1の発明の一実施例を示す断面図である。
この実施例は、半導体レーザ自体の偏光性を利用したも
のであり、第1の開口部に鍔状の突起部を設けた円筒状
非磁性体のスペーサ1と、このスペーサ1の第1及び第
2の開口部にそれぞれ接着固定された検光子2及びファ
ラデー回転素子3と、内面をスペーサ1の円筒部外面と
接触してかん合しかつ第1の開口面をスペーサ1の突出
部と接してファラデー回転素子3を内部のほぼ中央に配
置し、このスペーサ1をYAG溶接部5で固定してファ
ラデー回転素子3に対し光ビーム10の軸方向に磁界を
印加する円筒状のマグネット4とを備えた構成となって
いる。
第2図は第2の発明の一実施例を示す断面図である。
この実施例は、第1図に示された第1の発明の実施例に
加え、第1の開口面に鍔状の突出部を設け円筒部外面を
マグネット4の内面と接触してかん合しかつ突出部をマ
グネット4の第2の開口面に接してYAG溶接部5で固
定する円筒状非磁性体のスペーサ6と、このスペーサ3
の第1の開口面に接着固定された偏光子7とを備えた構
成となっている。
これら実施例において、ファラデー回転素子3としては
、ビスマス置換(GdBi)ガーネット厚膜が有用であ
る。このビスマス置換ガーネット厚膜は、量産性に優れ
、わずかな磁界で飽和磁界に達し、その旋光能力も大き
いので、低価格でかつ小型になるという点が有利がある
偏光子7及び検光子2としては、方解石、二酸化チタン
(ルチル)等があるが、半田固定の場合は熱ショックに
よるクラックが方解石には生じやすいため、二酸化チタ
ンの方が有用である。
次に、第3の発明の一実施例について、第2図に示され
た光アイソレータを製造する場合を例にとって説明する
まず始めに、検光子2及びファラデー回転素子3並びに
偏光子7をスペーサ1.6に半田により接着固定する。
これら光学素子の半田固定はARココ−ィングを施こし
た後、接着面側に光ビーム通過部をマスキングしてメタ
ライズ加工を行う。メタライズ膜には種々の膜が用いら
れるが、この実施例ではM o / Cuの二層をそれ
ぞれ約100OA付着させた。
スペーサ1,6としては真鋳を用いN i / A u
を1000Aメタライズ加工し、Pb−3nの共晶半田
で固定する。この時の偏光子7.検光子3の接着固定に
おける偏光面の角度は考える必要がない。
このようにしてスペーサ6に固定した偏光子7を、スペ
ーサ6の円筒部外面をマグネット4の内面に接触かん合
し、半導体レーザビームを偏光子7に入射させ透過光を
偏光比の十分大きい偏光プリズム、例えばグランドトム
ソンプリズムを用い光検出器で透過光のパワー強度を見
ながらがん合部でスペーサ6を回転させ最大になるよう
な角度でスペーサ6とマグネット4とを固定する。
つぎにファラデー回転素子3と検光子2とを固定したス
ペーサ1を、偏光子7と反対側のマグネット4の開口部
から挿入してかん合し、グランドトムソンプリズムの偏
光角度をあらかじめ測定しであるファラデー回転素子3
の回転角度(理想値45度)に回転させ合せておき、が
ん合部でスペーサ1を回転させ透過パワーが最大になる
角度でスペーサ1とマグネット4を固定する。
この時に固定は、先に偏光子7やファラデ回転素子3な
どの光学素子の固定に使用した半田の融点よりも低いも
のを使用しなければならない。例えば光学素子をPb−
3n半田で固定したならばIn−3n半田を使用すると
いう組合せになる。
そこで、信頼性および作業性を考えると、YAGレーザ
スポット溶接が有用である。
次に、第2図に示された光アイソレータの動作について
説明する。
光ビーム10は偏光子7を透過し、ファラデー回転素子
3により45度偏光面が回転し、検光子2はあらかじめ
45度回転して固定されているのでそのまま透過する。
戻り反射光に対しては、検光子2で複屈折効果により常
光ビームと異常光ビームとに分離され異常光ビームは横
シフトする。
この常光ビームに対しては、再びファラデー回転素子3
を通過するのでさらに45度偏光面が回転し、90度回
転した偏光面のビームとして偏光子7に入射され異常ビ
ームとして横シフトして発射される。
また検光子2からの異常光ビームはファラデー回転素子
3を再び通過するので同様に45度回転し0度あるいは
18080度回転偏光面のビームとして偏光子7に入射
され常光ビームとして発射される。
したがって、いかなる偏光面の戻り反射光でもビームが
横シフトするので半導体レーザに注入されることはない
構成となっている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、偏光子、検光子及びファ
ラデー回転素子をマグネットの内側とかん合するスペー
サに半田により接着固定し、偏光面を調整した後マグネ
ットとスペーサとをYAG溶接で固定し、ファラデー回
転素子をGdBiガーネットで、また偏向子及び検光子
を二酸化チタンで形成する構成とすることにより、偏光
面の調整はスペースを回転させるだけで済むので組立調
整が容易にできかつ小型軽量化することができ、しかも
低価格で信頼性に優れた光アイソレータを得ることがで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は第1及び第2の発明の一実施例を示
す断面図である。 1・・・スペーサ、2・・・検光子、3・・・ファラデ
ー回転素子、4・・・マグネット、5・・・YAG溶接
部、6・・・スペーサ、7・・・偏光子。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の開口面に鍔状の突出部を設けた円筒状非磁
    性体の第1のスペーサと、このスペーサの第1及び第2
    の開口面にそれぞれ接着固定された検光子及びファラデ
    ー回転素子と、内面を前記スペーサの円筒部の外面と接
    触してかん合しかつ第1の開口面をこのスペーサの突出
    部と接して前記ファラデー回転素子を内部のほぼ中央に
    配置し、このスペーサを固定して前記ファラデー回転素
    子に所定の磁界を印加する円筒状のマグネットとを有す
    ることを特徴とする光アイソレータ。
  2. (2)第1の開口面に鍔状の突出部を設け円筒部外面を
    マグネットの内面と接触してかん合しかつ前記突出部を
    このマグネットの第2の開口面と接して固定する円筒状
    非磁性体の第2のスペーサと、この第2のスペーサの第
    1の開口面に接着固定された偏光子とを備えた請求項(
    1)記載の光アイソレータ。
  3. (3)ファラデー回転素子が厚膜GdBiガーネットで
    形成され、偏向子及び検光子が二酸化チタン結晶で形成
    された請求項(1)及び(2)記載の光アイソレータ。
  4. (4)検光子,ファラデー回転素子及び偏光子を半田に
    より第1及び第2のスペーサに接着固定し、前記検光子
    及び偏光子の偏光面の角度を前記第1及び第2のスペー
    サを回転させて調整した後、これら第1及び第2のスペ
    ーサを前記半田の融点より低い温度のYAG溶接により
    マグネットに固定することを特徴とする光アイソレータ
    の製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61193118A (ja) * 1985-02-22 1986-08-27 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ付レ−ザモジユ−ル
JPS6273227A (ja) * 1985-09-27 1987-04-03 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ
JPS6321917B2 (ja) * 1980-06-23 1988-05-10 Clarion Co Ltd
JPS63107900A (ja) * 1986-10-27 1988-05-12 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 磁気光学素子材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321917B2 (ja) * 1980-06-23 1988-05-10 Clarion Co Ltd
JPS61193118A (ja) * 1985-02-22 1986-08-27 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ付レ−ザモジユ−ル
JPS6273227A (ja) * 1985-09-27 1987-04-03 Fujitsu Ltd 光アイソレ−タ
JPS63107900A (ja) * 1986-10-27 1988-05-12 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 磁気光学素子材料

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