JPS6321991B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6321991B2 JPS6321991B2 JP56089169A JP8916981A JPS6321991B2 JP S6321991 B2 JPS6321991 B2 JP S6321991B2 JP 56089169 A JP56089169 A JP 56089169A JP 8916981 A JP8916981 A JP 8916981A JP S6321991 B2 JPS6321991 B2 JP S6321991B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic
- layer
- conductor
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は層構成により駆動パターン上に生ずる
段差の発生を局部的に抑制する磁気バブルメモリ
チツプに関する。
段差の発生を局部的に抑制する磁気バブルメモリ
チツプに関する。
磁気バブルメモリチツプは非磁性ガーネツトで
あるガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（Gd3Ga5O12）の上に必要とする磁性を備えたガ
ーネツト結晶薄膜をエピタキシヤル成長せしめ、
この上に厚さ約1000ÅのSiO2（酸化硅素）絶縁層
を設けたものを基板とし、この上に磁気バブルの
発生器、ゲート回路などの導体パターンよりなる
第１層パターンが金属蒸着技術と写真蝕刻技術
（ホトリソグラフイ）を用いて形成されており、
その上に絶縁層を介して磁気バブルの転送回路、
検出回路などの第２層パターンが軟磁性体を用い
て形成され更にこの上に保護層を設けることによ
り層形成されるが第１層、第２層パターン間の絶
縁物質として樹脂を用いるものがある。
あるガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（Gd3Ga5O12）の上に必要とする磁性を備えたガ
ーネツト結晶薄膜をエピタキシヤル成長せしめ、
この上に厚さ約1000ÅのSiO2（酸化硅素）絶縁層
を設けたものを基板とし、この上に磁気バブルの
発生器、ゲート回路などの導体パターンよりなる
第１層パターンが金属蒸着技術と写真蝕刻技術
（ホトリソグラフイ）を用いて形成されており、
その上に絶縁層を介して磁気バブルの転送回路、
検出回路などの第２層パターンが軟磁性体を用い
て形成され更にこの上に保護層を設けることによ
り層形成されるが第１層、第２層パターン間の絶
縁物質として樹脂を用いるものがある。
かゝる構成の磁気バブルメモリ素子は上記のよ
うに基板上に導体パターンが第１層パターンとし
てあり、絶縁層を隔てゝパーマロイからなる転送
パターンが第２層パターンとして設けられている
がその表面は平坦ではなく、その下に導体パター
ンが存在する部分では局部的に絶縁層が隆起する
ため第２層パターンを形成する転送パターンが、
第１層を形成する導体パターンと立体交叉する部
分では転送パターンの一部がその厚さ方向に段差
を伴つて形成される。その場合平坦な面上に形成
されている転送パターンに較べその転送特性が劣
化する場合がある。
うに基板上に導体パターンが第１層パターンとし
てあり、絶縁層を隔てゝパーマロイからなる転送
パターンが第２層パターンとして設けられている
がその表面は平坦ではなく、その下に導体パター
ンが存在する部分では局部的に絶縁層が隆起する
ため第２層パターンを形成する転送パターンが、
第１層を形成する導体パターンと立体交叉する部
分では転送パターンの一部がその厚さ方向に段差
を伴つて形成される。その場合平坦な面上に形成
されている転送パターンに較べその転送特性が劣
化する場合がある。
例えばゲート回路は転送パターン上を駆動磁界
により転送されてきた磁気バブルがこの下に設け
られている導体パターンを流れる信号電流による
誘起磁界の影響を受けて機能動作を行う回路であ
り、転送パターンに段差が存在する場合は磁気バ
ブルメモリの動作マージンの減少と云う形で影響
が現われ、また通常の転送動作においても段差が
原因して誤動作を起すことがある。
により転送されてきた磁気バブルがこの下に設け
られている導体パターンを流れる信号電流による
誘起磁界の影響を受けて機能動作を行う回路であ
り、転送パターンに段差が存在する場合は磁気バ
ブルメモリの動作マージンの減少と云う形で影響
が現われ、また通常の転送動作においても段差が
原因して誤動作を起すことがある。
本発明は転送パターンの段差の存在による磁気
バブルメモリの特性劣化を無くすることを目的と
し、そのために転送パターンと立体交叉している
導体パターンの近傍にこれと電気的に絶縁された
ダミーの細分化導体パターンを設けることによ
り、交叉部における段差の発生を極力抑えると共
に不要バブルの発生等も抑えることを本旨とする
ものであり、以下図面により実施例について本発
明を説明する。
バブルメモリの特性劣化を無くすることを目的と
し、そのために転送パターンと立体交叉している
導体パターンの近傍にこれと電気的に絶縁された
ダミーの細分化導体パターンを設けることによ
り、交叉部における段差の発生を極力抑えると共
に不要バブルの発生等も抑えることを本旨とする
ものであり、以下図面により実施例について本発
明を説明する。
第１図は導体パターンと転送パターンとが立体
交叉している部分について従来構造断面図で、磁
性ガーネツト結晶膜１の上にSiO2（酸化硅素）よ
になる厚さ約1000Åの絶縁層２がありこの上に磁
気バブルメモリの回路パターンが形成されてい
る。
交叉している部分について従来構造断面図で、磁
性ガーネツト結晶膜１の上にSiO2（酸化硅素）よ
になる厚さ約1000Åの絶縁層２がありこの上に磁
気バブルメモリの回路パターンが形成されてい
る。
すなわちAu（金）或はAl（アルミ）・Cu（銅）合
金よりなる導体パターン（図の場合はゲート回
路）３が約4000Åの厚さで形成されており、この
第１層回路の上にポリイミド系樹脂或はポリシロ
キサン系樹脂などをスピンコート法により4000Å
程度の厚さに被覆して絶縁層４が形成され、この
上にパーマロイからなる転送パターン５が4000Å
程度の厚さで構成され、図では省略してあるがこ
の上に樹脂及びSiO2よりなる保護膜を被覆する
ことで層形成が終つている。
金よりなる導体パターン（図の場合はゲート回
路）３が約4000Åの厚さで形成されており、この
第１層回路の上にポリイミド系樹脂或はポリシロ
キサン系樹脂などをスピンコート法により4000Å
程度の厚さに被覆して絶縁層４が形成され、この
上にパーマロイからなる転送パターン５が4000Å
程度の厚さで構成され、図では省略してあるがこ
の上に樹脂及びSiO2よりなる保護膜を被覆する
ことで層形成が終つている。
さて磁気バブルメモリは磁気バブルが面方向磁
界により磁化している転送パターンの磁極に吸引
され、面方向磁界の回転に追随して転送パターに
副つて移行する現象と導体パターンを流れる信号
電流による誘導磁界との相互作用を利用するメモ
リである。
界により磁化している転送パターンの磁極に吸引
され、面方向磁界の回転に追随して転送パターに
副つて移行する現象と導体パターンを流れる信号
電流による誘導磁界との相互作用を利用するメモ
リである。
それで第１図に示すように導体パターン３の上
に形成されている転送パターン５が段差を伴つて
存在する場合に図示の面内磁界が与えられると、
本来パターンの端面部に誘起される磁極６以外に
段差部７にも磁極が誘起され、これが動作特性の
劣化を招きまた誤動作の原因となる。
に形成されている転送パターン５が段差を伴つて
存在する場合に図示の面内磁界が与えられると、
本来パターンの端面部に誘起される磁極６以外に
段差部７にも磁極が誘起され、これが動作特性の
劣化を招きまた誤動作の原因となる。
なお転送パターン５に加えられる面内磁界とし
ては駆動コイルによるもの以外にメモリチツプを
上下より挾装する永久磁石の水平成分によるホー
ルド磁界もある。
ては駆動コイルによるもの以外にメモリチツプを
上下より挾装する永久磁石の水平成分によるホー
ルド磁界もある。
本発明は転送パターンの段差による特性劣化を
防ぐためのもので第２図に示すように導体パター
ン３の周囲にこれと電気的に絶縁された導体片よ
りなるダミーパターン８を設けることを本旨とす
るものでこれ以外のパターン形成法および層形成
法は第１図に示した従来方法と変らない。
防ぐためのもので第２図に示すように導体パター
ン３の周囲にこれと電気的に絶縁された導体片よ
りなるダミーパターン８を設けることを本旨とす
るものでこれ以外のパターン形成法および層形成
法は第１図に示した従来方法と変らない。
このように転送パターン５と交叉する導体パタ
ーン３の周囲にダミーパターン８を設ける場合は
樹脂よりなる絶縁層４のレベリング効果により転
送パターン５の段差は無くなり一方、ダミーパタ
ーン８は導体パターン３と同時形成され、また材
質がAuやAl・Cu合金などの金属導体であるため
磁気バブルメモリチツプの磁気的性質に悪影響を
及ぼすことはない。
ーン３の周囲にダミーパターン８を設ける場合は
樹脂よりなる絶縁層４のレベリング効果により転
送パターン５の段差は無くなり一方、ダミーパタ
ーン８は導体パターン３と同時形成され、また材
質がAuやAl・Cu合金などの金属導体であるため
磁気バブルメモリチツプの磁気的性質に悪影響を
及ぼすことはない。
第３図および第４図は本発明のゲート回路への
実施例で第３図Ａは従来のスワツプゲートの正面
図である。
実施例で第３図Ａは従来のスワツプゲートの正面
図である。
図で基板上にはヘアピン形導体回路９があり、
この上に絶縁層を隔ててマイナループ及びメジヤ
ラインなどの磁気バブル転送パターンが構成され
ている。
この上に絶縁層を隔ててマイナループ及びメジヤ
ラインなどの磁気バブル転送パターンが構成され
ている。
図ではメジヤループの一部のみを記しマイナル
ープは〇印１０として省略してある。
ープは〇印１０として省略してある。
図で示したスワツプゲートにおいてヘアピン形
導体回路９と交叉しているハーフデイスク形転送
パターン１１には何れも第１図のような段差が生
じ、これが動作特性劣化の原因となつている。
導体回路９と交叉しているハーフデイスク形転送
パターン１１には何れも第１図のような段差が生
じ、これが動作特性劣化の原因となつている。
第３図Ｂはこれに本発明を適用したもので、ス
ワツプゲートを構成するヘアピン形導体９′，
９″，９の間にこれと電気的に絶縁された導体
片よりなるダミーパターン１２′，１２″，１２
を置くことにより、この上に形成される絶縁層の
平坦化を行つたものである。
ワツプゲートを構成するヘアピン形導体９′，
９″，９の間にこれと電気的に絶縁された導体
片よりなるダミーパターン１２′，１２″，１２
を置くことにより、この上に形成される絶縁層の
平坦化を行つたものである。
第４図はリプリケータゲートに本発明を適用し
たもので、ヘアピン形導体の間に角形の導体片よ
りなるダミーパターン１３を置いて平坦化を行つ
たものである。そして、第２図、第３図Ｂ、第４
図におけるダミーパターン８，１２′，１２″，１
２，１３は実際には第５図Ａの如く、短冊状の
ダミーパターン１４を用いたり、また第５図Ｂは
数多くの小さな方形のダミーパターン１５を用い
るものであり、このようにダミーパターンを細分
化すれば駆動磁界による渦電流の発生を抑えるこ
とができるため、不要バブル発生等の悪影響を防
止することができる。
たもので、ヘアピン形導体の間に角形の導体片よ
りなるダミーパターン１３を置いて平坦化を行つ
たものである。そして、第２図、第３図Ｂ、第４
図におけるダミーパターン８，１２′，１２″，１
２，１３は実際には第５図Ａの如く、短冊状の
ダミーパターン１４を用いたり、また第５図Ｂは
数多くの小さな方形のダミーパターン１５を用い
るものであり、このようにダミーパターンを細分
化すれば駆動磁界による渦電流の発生を抑えるこ
とができるため、不要バブル発生等の悪影響を防
止することができる。
本発明は磁気バブルメモリチツプにおいて、導
体パターンの直上に絶縁層を隔てゝ形成されてい
る転送パターンは多くの場合段差がありこれが素
子特性の劣化の原因となつている点に着目し、こ
れを解消するためになされたものであり、本発明
の実施により特性劣化および誤動作発生を無くす
ることができた。
体パターンの直上に絶縁層を隔てゝ形成されてい
る転送パターンは多くの場合段差がありこれが素
子特性の劣化の原因となつている点に着目し、こ
れを解消するためになされたものであり、本発明
の実施により特性劣化および誤動作発生を無くす
ることができた。
第１図は導体パターン上に絶縁層を隔てゝ駆動
パターンが形成される磁気バブルメモリチツプの
従来構造を示す断面図、第２図はこれに本発明を
適用したものゝ断面図、第３図および第４図は本
発明の実施例で、第３図Ａは従来のスワツプゲー
ト回路、同図Ｂは本発明の実施例、また第４図は
リプリケートゲート回路の本発明の実施例、第５
図Ａ，Ｂは本発明にかゝるダミーパターンの実施
例である。 図において ３，９，９′，９″，９は導体パ
ターン、４は樹脂絶縁層、５は駆動パターン、
８，１２′，１２″，１２，１３，１４，１５は
ダミーパターン。
パターンが形成される磁気バブルメモリチツプの
従来構造を示す断面図、第２図はこれに本発明を
適用したものゝ断面図、第３図および第４図は本
発明の実施例で、第３図Ａは従来のスワツプゲー
ト回路、同図Ｂは本発明の実施例、また第４図は
リプリケートゲート回路の本発明の実施例、第５
図Ａ，Ｂは本発明にかゝるダミーパターンの実施
例である。 図において ３，９，９′，９″，９は導体パ
ターン、４は樹脂絶縁層、５は駆動パターン、
８，１２′，１２″，１２，１３，１４，１５は
ダミーパターン。
Claims (1)
- １ 磁性ガーネツト結晶基板上にまず導体パター
ンが形成され、この上に絶縁層を隔てて駆動パタ
ーンが形成される磁気バブルメモリチツプにおい
て、前記導体パターンの周辺にこれと電気的に絶
縁されたダミーパターンが該導体パターンと同時
形成されると共に、該ダミーパターンは電気的に
絶縁された複数の細分化パターンとして形成され
ていることを特徴とする磁気バブルメモリチツ
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8916981A JPS57205886A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Manufacture of magnetic bubble memory chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8916981A JPS57205886A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Manufacture of magnetic bubble memory chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57205886A JPS57205886A (en) | 1982-12-17 |
| JPS6321991B2 true JPS6321991B2 (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=13963292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8916981A Granted JPS57205886A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Manufacture of magnetic bubble memory chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57205886A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3249317B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2002-01-21 | 富士通株式会社 | パターン作成方法 |
| JP3366471B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2003-01-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925308B2 (ja) * | 1978-04-14 | 1984-06-16 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
| JPS54149529A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
| JPS5545159A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1981
- 1981-06-10 JP JP8916981A patent/JPS57205886A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57205886A (en) | 1982-12-17 |
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