JPS6322010B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322010B2 JPS6322010B2 JP55064127A JP6412780A JPS6322010B2 JP S6322010 B2 JPS6322010 B2 JP S6322010B2 JP 55064127 A JP55064127 A JP 55064127A JP 6412780 A JP6412780 A JP 6412780A JP S6322010 B2 JPS6322010 B2 JP S6322010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- grid
- aging
- ray tube
- cathode ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/44—Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
- H01J9/445—Aging of tubes or lamps, e.g. by "spot knocking"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
陰極線管は通常、螢光面形成等を終了したバル
ブに電子銃部を封入したのち、排気炉中で各部が
加熱され昇温した状態で、吸着ガスを放出させな
がら真空ポンプで排気する。この排気工程中、電
子銃酸化物陰極の分解、活性化を行い、更に排気
操作を続け、所定の真空度に到達したのち、排気
管を溶融、チツプオフする。一般にこの段階での
陰極線管内真空度は10-6Torr程度で、残留ガス
は、CH4、H2O、N2、H2などである。この排気
管の封止、溶断作業後、陰極線管内の真空度を更
に向上、維持させるため、バリウムゲツタをフラ
ツシユさせ、バルブ内面にバリウム膜を蒸着、形
成させ、このバリウム膜に残留ガスを吸着させる
手法が一般に用いられている。CH4の分圧は10-6
〜10-3Torrにも達する場合があるが、バリウム
ゲツタはCH4に対する吸着能力を持たない。従つ
てゲツタフラツシユ後、CH4は陰極線管内に残留
ガスとして存在する。この状態で従来はエージン
グに移り、第１図に示すような接続で、ヒータ１
に通電して陰極２を800〜950℃に加熱し、熱電子
放出を可能にする。この状態で第１グリツド３、
第１グリツド４に、陰極に対して正電位を与え、
第１グリツド、第２グリツドへそれぞれ、陰極か
ら電子電流を流入させる。この過程でCH4分子は
両グリツドに流入する電子に衝突されると、Ｃと
H2に分解され、H2はバリウムゲツタ膜に容易に
吸着されるが、Ｃは陰極表面に付着してＣの層を
形成する。このCH4分子の分解は、主として、電
位が高く電子の運動エネルギーが高くなつている
第２グリツド近傍で行われるが、陰極と第２グリ
ツドの距離は通常１mm以下で極めて近いから、分
解して生じたＣの多くが第１グリツド３の孔を通
つて陰極２の中央部に達して付着する。この陰極
２の中央部は、実使用時、正常状態では放出電子
流密度が最も高くなる重要な部分であるが、上記
の如く、この部分に熱電子放出に寄与しないＣ層
が形成されると、陰極線管として種々の不良の原
因となる。なお図中、５は第３グリツド、６は第
４グリツド、８はバルブである。 本発明は、上記の様な不良原因となるＣ層が、
陰極表面に生ずるのを防止できる陰極線管の製造
方法を提供することを目的とする。 上記目的を達成するために本発明においては、
ゲツタフラツシユ後、エージングに先立つて、電
子銃各電極に実使用時とほぼ同様な電圧を印加し
て電子ビームを放出させ、かつこの電子ビームを
実使用時同様に偏向させる操作を短時間たとえば
３分間程度行わせ、その後、従来同様の通常のエ
ージングを行わせることとした。 第２図は本発明一実施例接続図である。図中、
７は偏向ヨークで、その他の符号は第１図の場合
と同様である。この様にして実用使用時同様にス
クリーンにまで到達する高速の電子ビームを水
平、垂直に偏向させて、陰極線管内各部を広く、
くまなく、順次繰返し走査する。陰極線管を封止
切りゲツタフラツシユした時、管内に残留してい
るCH4分子は、電子銃から螢光面に到る広い陰極
線管内空間に散在し、電子ビームの電子に衝突さ
れてＣとH2とに分解される。第１図に示したエ
ージングの状態では電子流が流れるのは、陰極か
ら第２グリツドまでの狭い部分であつたが、第２
図に示した本発明実施状態では電子ビームは螢光
面にまで及ぶ陰極線管内の広い空間各部を走査す
る（以後本発明に係るこの操作をスキヤンニング
と呼ぶ）から、上記電子ビームによるCH4分子の
分解は大部分が電子銃から螢光面までの間で行わ
れることとなり、分解場所は大抵陰極から遠く隔
たつており、分解して生じたＣが陰極２に到達す
る確率は極めて小さい。従つて上記スキヤンニン
グで管内に残留するCH4は大量に分解されるが、
このスキヤンニングを行つている３〜５分間に、
陰極表面に付着して形成されるＣの層は極く薄
い。かくして、スキヤンニングの後に、第１図に
示した接続でエージングを行う際には、CH4は、
もはやほとんど残留していないから、Ｃが陰極に
付着してＣの層を形成するような現象は生ぜず、
逆に、前記スキヤンニング中に陰極表面に生じた
極く薄いＣの層がエージング中に蒸発してなくな
り、陰極表面は正常な優れた熱電子放出能力を有
するものとなる。なおスキヤニングの際の条件は
例えば下記の如くである。 Ef＝6.3〜7.0V EK≒100V Ec2≒500V Ec3≒6kV Eb≒22kV Ib≒800μA スキヤンニング時間 ３〜５分 スキヤンニング前後の陰極線管内の真空度、陰
極表面状態を比較すれば下記第１表の如くなる。
なお封止切り後の真空度が10-3Torr程度の管に
ついて、スキヤンニングを行わずに直ちにエージ
ングした（従来の方法）場合と、スキヤンニング
を行つてからエージングした本発明実施例とのエ
ージング後の真空度、陰極表面状態を比較すれば
下記第１表の如くなる。
ブに電子銃部を封入したのち、排気炉中で各部が
加熱され昇温した状態で、吸着ガスを放出させな
がら真空ポンプで排気する。この排気工程中、電
子銃酸化物陰極の分解、活性化を行い、更に排気
操作を続け、所定の真空度に到達したのち、排気
管を溶融、チツプオフする。一般にこの段階での
陰極線管内真空度は10-6Torr程度で、残留ガス
は、CH4、H2O、N2、H2などである。この排気
管の封止、溶断作業後、陰極線管内の真空度を更
に向上、維持させるため、バリウムゲツタをフラ
ツシユさせ、バルブ内面にバリウム膜を蒸着、形
成させ、このバリウム膜に残留ガスを吸着させる
手法が一般に用いられている。CH4の分圧は10-6
〜10-3Torrにも達する場合があるが、バリウム
ゲツタはCH4に対する吸着能力を持たない。従つ
てゲツタフラツシユ後、CH4は陰極線管内に残留
ガスとして存在する。この状態で従来はエージン
グに移り、第１図に示すような接続で、ヒータ１
に通電して陰極２を800〜950℃に加熱し、熱電子
放出を可能にする。この状態で第１グリツド３、
第１グリツド４に、陰極に対して正電位を与え、
第１グリツド、第２グリツドへそれぞれ、陰極か
ら電子電流を流入させる。この過程でCH4分子は
両グリツドに流入する電子に衝突されると、Ｃと
H2に分解され、H2はバリウムゲツタ膜に容易に
吸着されるが、Ｃは陰極表面に付着してＣの層を
形成する。このCH4分子の分解は、主として、電
位が高く電子の運動エネルギーが高くなつている
第２グリツド近傍で行われるが、陰極と第２グリ
ツドの距離は通常１mm以下で極めて近いから、分
解して生じたＣの多くが第１グリツド３の孔を通
つて陰極２の中央部に達して付着する。この陰極
２の中央部は、実使用時、正常状態では放出電子
流密度が最も高くなる重要な部分であるが、上記
の如く、この部分に熱電子放出に寄与しないＣ層
が形成されると、陰極線管として種々の不良の原
因となる。なお図中、５は第３グリツド、６は第
４グリツド、８はバルブである。 本発明は、上記の様な不良原因となるＣ層が、
陰極表面に生ずるのを防止できる陰極線管の製造
方法を提供することを目的とする。 上記目的を達成するために本発明においては、
ゲツタフラツシユ後、エージングに先立つて、電
子銃各電極に実使用時とほぼ同様な電圧を印加し
て電子ビームを放出させ、かつこの電子ビームを
実使用時同様に偏向させる操作を短時間たとえば
３分間程度行わせ、その後、従来同様の通常のエ
ージングを行わせることとした。 第２図は本発明一実施例接続図である。図中、
７は偏向ヨークで、その他の符号は第１図の場合
と同様である。この様にして実用使用時同様にス
クリーンにまで到達する高速の電子ビームを水
平、垂直に偏向させて、陰極線管内各部を広く、
くまなく、順次繰返し走査する。陰極線管を封止
切りゲツタフラツシユした時、管内に残留してい
るCH4分子は、電子銃から螢光面に到る広い陰極
線管内空間に散在し、電子ビームの電子に衝突さ
れてＣとH2とに分解される。第１図に示したエ
ージングの状態では電子流が流れるのは、陰極か
ら第２グリツドまでの狭い部分であつたが、第２
図に示した本発明実施状態では電子ビームは螢光
面にまで及ぶ陰極線管内の広い空間各部を走査す
る（以後本発明に係るこの操作をスキヤンニング
と呼ぶ）から、上記電子ビームによるCH4分子の
分解は大部分が電子銃から螢光面までの間で行わ
れることとなり、分解場所は大抵陰極から遠く隔
たつており、分解して生じたＣが陰極２に到達す
る確率は極めて小さい。従つて上記スキヤンニン
グで管内に残留するCH4は大量に分解されるが、
このスキヤンニングを行つている３〜５分間に、
陰極表面に付着して形成されるＣの層は極く薄
い。かくして、スキヤンニングの後に、第１図に
示した接続でエージングを行う際には、CH4は、
もはやほとんど残留していないから、Ｃが陰極に
付着してＣの層を形成するような現象は生ぜず、
逆に、前記スキヤンニング中に陰極表面に生じた
極く薄いＣの層がエージング中に蒸発してなくな
り、陰極表面は正常な優れた熱電子放出能力を有
するものとなる。なおスキヤニングの際の条件は
例えば下記の如くである。 Ef＝6.3〜7.0V EK≒100V Ec2≒500V Ec3≒6kV Eb≒22kV Ib≒800μA スキヤンニング時間 ３〜５分 スキヤンニング前後の陰極線管内の真空度、陰
極表面状態を比較すれば下記第１表の如くなる。
なお封止切り後の真空度が10-3Torr程度の管に
ついて、スキヤンニングを行わずに直ちにエージ
ングした（従来の方法）場合と、スキヤンニング
を行つてからエージングした本発明実施例とのエ
ージング後の真空度、陰極表面状態を比較すれば
下記第１表の如くなる。
【表】
以上説明したように本発明によれば、エージン
グ終了時点で陰極表面にＣ層が形成されることが
防止され、優れた熱電子放出能力を確保できる。
グ終了時点で陰極表面にＣ層が形成されることが
防止され、優れた熱電子放出能力を確保できる。
第１図はエージング時の接続図、第２図は本発
明一実施例接続図である。 ２……陰極、３……第１グリツド、４……第２
グリツド、５……第３グリツド、６……第４グリ
ツド、７……偏向ヨーク、８……バルブ。
明一実施例接続図である。 ２……陰極、３……第１グリツド、４……第２
グリツド、５……第３グリツド、６……第４グリ
ツド、７……偏向ヨーク、８……バルブ。
Claims (1)
- １ 陰極線管の製造工程において、ゲツタをフラ
ツシユさせたのちエージングに先立つて、電子銃
から電子ビームを偏向させながら放出させる操作
を挿入したことを特徴とする陰極線管の製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412780A JPS56161787A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Manufacture for cathode ray tube |
| US06/261,757 US4395243A (en) | 1980-05-16 | 1981-05-08 | Method of fabricating cathode-ray tube |
| GB8114301A GB2076216B (en) | 1980-05-16 | 1981-05-11 | Method of fabricating cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412780A JPS56161787A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Manufacture for cathode ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56161787A JPS56161787A (en) | 1981-12-12 |
| JPS6322010B2 true JPS6322010B2 (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=13249088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6412780A Granted JPS56161787A (en) | 1980-05-16 | 1980-05-16 | Manufacture for cathode ray tube |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4395243A (ja) |
| JP (1) | JPS56161787A (ja) |
| GB (1) | GB2076216B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4475057A (en) * | 1981-12-28 | 1984-10-02 | Zenith Electronics Corporation | CRT Article of manufacture and process therefore |
| US4437844A (en) | 1981-12-30 | 1984-03-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making organic-retina (pyroelectric) vidicon |
| EP0206216A1 (en) * | 1982-09-10 | 1986-12-30 | Matsushita Electronics Corporation | Cathode ray tube |
| DE3510316A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-10-02 | Ulrich 4353 Oer-Erkenschwick Müter | Verfahren zur besseren regenerierung von kathodenstrahlroehren durch automatische steuerung |
| FR2583919B1 (fr) * | 1985-06-21 | 1988-11-10 | Videocolor | Procede et appareil de chauffage des electrodes d'un canon a electrons au cours de sa fabrication |
| US4940440A (en) * | 1987-02-27 | 1990-07-10 | North American Philips Corporation | Weak beam scanning of cathode ray tubes |
| JP2588526B2 (ja) * | 1987-04-03 | 1997-03-05 | 株式会社日立製作所 | 陰極線管の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3121182A (en) * | 1961-11-21 | 1964-02-11 | Rca Corp | Cathode ray tube, getter, and method of gettering |
| US3434770A (en) * | 1967-05-19 | 1969-03-25 | Motorola Inc | Reduction of arcing between the parts of a cathode ray tube |
| US3698786A (en) * | 1970-12-28 | 1972-10-17 | Rca Corp | High voltage processing of cathode ray tubes |
-
1980
- 1980-05-16 JP JP6412780A patent/JPS56161787A/ja active Granted
-
1981
- 1981-05-08 US US06/261,757 patent/US4395243A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-11 GB GB8114301A patent/GB2076216B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56161787A (en) | 1981-12-12 |
| US4395243A (en) | 1983-07-26 |
| GB2076216A (en) | 1981-11-25 |
| GB2076216B (en) | 1984-09-19 |
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