JPS63220542A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS63220542A
JPS63220542A JP62054603A JP5460387A JPS63220542A JP S63220542 A JPS63220542 A JP S63220542A JP 62054603 A JP62054603 A JP 62054603A JP 5460387 A JP5460387 A JP 5460387A JP S63220542 A JPS63220542 A JP S63220542A
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Japan
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semiconductor integrated
integrated circuits
integrated circuit
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Mutsuo Saito
斎藤 睦男
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路の製造方法、特に半導体集積回
路の電気試験方法に関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路の製造において、回路の容積が多種多様
でしかも一品種の需要が比較的少ないことがある。この
場合、マスタースライス方式、即ち回路内に必要な素子
を設けておき配線パターンだけを変えて異なった回路を
つくる方式がとられる。従来、マスタースライス方式で
の配線パターンを形成する時に使用するマスクは一種類
の品種のみを有するように形成されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従って半導体集積回路の品種を多く製造する場合には、
−品種の需要に比べ製造する量が必然的に増加しウェハ
ー状態での電気試験の所要時間も増え、さらに余剰製品
の保管数及び保管場所が増大するという欠点がある。
本発明の目的は、多品種の半導体集積回路を製造する場
合に余剰製品を少なくし、ひいてはその保管数及び保管
場所の増大化を防止するために最適な半導体集積回路の
製造方法を提供することである。
〔発明の従来技術に対する相違点(独創性)の内容〕上
述した従来のウェハーでの電気試験法に対し、本発明は
多品種少量生産方式において、二棹以上の品種が収納さ
れているウェハーの所望の半導体集積回路の電気試験を
実施する場合、半導体集積回路にある認識コードを識別
することによりミ気試験を実施するという独創的内容を
有する。。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明は二種以上の品種の半導体集積回路が収納されて
いるウェハーの所望の半導体集積回路の電気試験を実施
する場合、半導体集積回路にある認識コードを識別して
電気試験する試験方法を有している。
〔実施例〕
図面を参照して本発明の詳細な説明する。まず、第1図
に示すように半導体集積回路A、11と半導体集積回路
B、12を収納するウェハーIにおいて、半導体集積回
路Aのみを電気試験する場合、第3図に示すように半導
体集積回路3内にある認識コード2を認識してから電気
試験を実施するようにする。
すなわち、第2図に示すようにウェハ1の半導体集積回
路Aのみを矢印21,22,23.24の如く順番に電
気試験を実施することが可能となる。本実施例では異な
る二種類の半導体集積回路AとBの場合の電気試験方法
を説明したが、三種類以上の半導体集積回路A、B、C
,・・・を収納する場合も同様の試験方法が可能である
。尚、認識コードとしては識別パッド間のオープンやシ
ョート及び抵抗値による電気的方法と、識別マークを光
学的に識別する方法がある。
〔実施例2〕 実施例1では、1ベレツト毎に半導体集積回路内の認識
コードを認識してから電気試験を実施していた。第2の
実施例としては、第4図に示すように電気試験を実施す
る前に第1図に示すような半導体集積回路Aと半導体集
積回路Bのマツプを電気試験機に電気試験を実施前に登
録しておく。
次に、半導体集積回路Aを電気試験をする場合、あらか
じめ登録しておいた前記マツプに従い第2図に示す電気
試験の移動方向21,22,23.24の列が変わった
時のみ、最初のベレットの前記認識コードを認識し、同
一列の他のペレットの認識コードの認識をしないで順次
所望の半導体集積回路の電気試験をする。この実施例で
は、1ベレツト毎に前記認識コードを認識しなくて良い
利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば多品種少量生産方
式により少量の半導体集積回路を生産する場合に、二種
以上の品種の半導体集積回路の配線パターンを有するウ
ェハーを電気試験することができるので、余剰製品を少
なくでき、さらに製品の保管数及び保管場所の増大化を
防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の詳細な説明図、第3図は半
導体集積回路の部分拡大図、第4図は実施例2の作業フ
ロー図である。 1・・・・・・ウェハー、2・・・・・・uH”  )
”、3・旧・・半導体集積回路、4・・・・・・バンプ
、5・・・・・・ショート防止バンプ、11・・・・・
・半導体集積回路A112・・・・・・半導体集積回路
B、 21,22.23.24・・・・・・電気試験の
移動方向。 6一

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスタースライス方式により製造する半導体集積回路に
    おいて、二種以上の品種の半導体集積回路の配線パター
    ンを有するウェハーを電気試験する場合、種類の異なる
    半導体集積回路上の認識コードを識別して所望の半導体
    集積回路の電気試験をすることを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100839003B1 (ko) * 1997-05-15 2008-06-18 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 집적 회로 식별 방법 및 장치

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JPS5618439A (en) * 1979-07-25 1981-02-21 Fujitsu Ltd Semiconductor device consisting of different ic

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