JPS63225230A - 液晶駆動法 - Google Patents
液晶駆動法Info
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- JPS63225230A JPS63225230A JP5791787A JP5791787A JPS63225230A JP S63225230 A JPS63225230 A JP S63225230A JP 5791787 A JP5791787 A JP 5791787A JP 5791787 A JP5791787 A JP 5791787A JP S63225230 A JPS63225230 A JP S63225230A
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- liquid crystal
- light transmittance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
本発明は液晶表示素子、主としてOA機器用などの大容
量表示用液晶ディスプレイ装置において、単純マトリク
ス電極構成にもとずくクロストーク効果および表示容量
の増加に伴う印加電圧の最大波高値の増加(駆動用1c
の耐圧増加)を防くためにPAC(Parallel
Aligned Chiralnematic :基牟
反表面上の液晶配向膜による液晶分子配向規制力によっ
てら旋構造を解消する液晶駆動モード)液晶表示素子の
印加電圧−光透過率におけるヒステリシス効果を利用し
、液晶のメモリ効果を用いることにより、表示容量に関
係なく同一コントラスト、同一駆動電圧を保つようにし
たものである。
量表示用液晶ディスプレイ装置において、単純マトリク
ス電極構成にもとずくクロストーク効果および表示容量
の増加に伴う印加電圧の最大波高値の増加(駆動用1c
の耐圧増加)を防くためにPAC(Parallel
Aligned Chiralnematic :基牟
反表面上の液晶配向膜による液晶分子配向規制力によっ
てら旋構造を解消する液晶駆動モード)液晶表示素子の
印加電圧−光透過率におけるヒステリシス効果を利用し
、液晶のメモリ効果を用いることにより、表示容量に関
係なく同一コントラスト、同一駆動電圧を保つようにし
たものである。
(産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子の駆動法に関し、特に液晶分子
配向規制力によってら旋構造を解消する液晶駆動モード
であるPACにおいて、マルチブレクシング駆動(時分
割駆動)で表示容量の増大に伴って現われるクロストー
ク(半表示状態)を発生させずしかも表示容量の増大に
伴う電圧波高値の増加を起こさない新規な液晶駆動方法
に関する。
配向規制力によってら旋構造を解消する液晶駆動モード
であるPACにおいて、マルチブレクシング駆動(時分
割駆動)で表示容量の増大に伴って現われるクロストー
ク(半表示状態)を発生させずしかも表示容量の増大に
伴う電圧波高値の増加を起こさない新規な液晶駆動方法
に関する。
〔従来技術および発明が解決しようとする問題点〕液晶
表示素子は、電卓、腕時計からワードプロセッサ、パー
ソナルコンピュータまで幅広い分野においてフラットパ
ネルディスプレイとして用いられている。近年、特に表
示容量の増大が要求され、表示速度の向上、カラー化と
相まって従来のCRT(cathode ray tu
be)に代わるコンピュータ端末用液晶フラットパネル
ディスプレイの実現が待ち望まれている。
表示素子は、電卓、腕時計からワードプロセッサ、パー
ソナルコンピュータまで幅広い分野においてフラットパ
ネルディスプレイとして用いられている。近年、特に表
示容量の増大が要求され、表示速度の向上、カラー化と
相まって従来のCRT(cathode ray tu
be)に代わるコンピュータ端末用液晶フラットパネル
ディスプレイの実現が待ち望まれている。
従来のマルチプレクシング駆動によるTN、SBE駆動
モードにおいては、印加電圧−光透過率の関係は第4図
に示すように変化する。子なわち印加電圧の増加に伴い
、徐々に光透過率が上昇し飽和値に達した後は印加電圧
に関係なく飽和値のままとなる。このように従来のTN
、5R11!方式では印加電圧−光透過率の関係が、し
きい値電圧より低い/高いに対応して透過率が低い/高
いと変化する。また従来のTN、 SBE方式では印加
電圧−光透過率の関係において履歴効果はなく電圧の印
加の仕方に関係せず実効電圧によって駆動される。
モードにおいては、印加電圧−光透過率の関係は第4図
に示すように変化する。子なわち印加電圧の増加に伴い
、徐々に光透過率が上昇し飽和値に達した後は印加電圧
に関係なく飽和値のままとなる。このように従来のTN
、5R11!方式では印加電圧−光透過率の関係が、し
きい値電圧より低い/高いに対応して透過率が低い/高
いと変化する。また従来のTN、 SBE方式では印加
電圧−光透過率の関係において履歴効果はなく電圧の印
加の仕方に関係せず実効電圧によって駆動される。
従来のTN、SBE方式では、安価に製造できる単純マ
トリクスパネル構成でマルチプレクシング駆動を行いあ
る程度の大容量表示が可能であるが、表示容量の増加に
伴って選択点、非選択点に印加される実効電圧が同じ値
に近づき、その結果、コントラストが低下し、書き込ん
だ情報の読み取りが不可能となるクロストーク現象が問
題であった。
トリクスパネル構成でマルチプレクシング駆動を行いあ
る程度の大容量表示が可能であるが、表示容量の増加に
伴って選択点、非選択点に印加される実効電圧が同じ値
に近づき、その結果、コントラストが低下し、書き込ん
だ情報の読み取りが不可能となるクロストーク現象が問
題であった。
特にTN方式では第4図に示す印加電圧−光透過率の関
係が急峻でなく明確なしきい値を持たないため、クロス
トークが顕著であった。一方、SBE方式は、印加電圧
−光透過率の関係は急峻で大容量化してもクロストーク
は生じにくいものの、入射光の旋光によって背景に黄色
又は青色の着色があること、またツイスト角度が大きい
ため応答速度が遅くカラー化、ビデオ表示などへの適用
が困難であるという問題があった。また、単純マトリク
ス駆動では、走査線本数の増加に伴って、駆動電圧の電
圧波高値が増加するため、400本の走査線を駆動する
ためには30V程度の耐圧が必要となり、駆動回路のコ
ストが高くつくという欠点があった。
係が急峻でなく明確なしきい値を持たないため、クロス
トークが顕著であった。一方、SBE方式は、印加電圧
−光透過率の関係は急峻で大容量化してもクロストーク
は生じにくいものの、入射光の旋光によって背景に黄色
又は青色の着色があること、またツイスト角度が大きい
ため応答速度が遅くカラー化、ビデオ表示などへの適用
が困難であるという問題があった。また、単純マトリク
ス駆動では、走査線本数の増加に伴って、駆動電圧の電
圧波高値が増加するため、400本の走査線を駆動する
ためには30V程度の耐圧が必要となり、駆動回路のコ
ストが高くつくという欠点があった。
一方、TN、SBE方式の上記の欠点を解決する方式と
して強誘電性液晶表示(FLC)があるが、F L C
では2μm程度の薄いパネル間に液晶の層構造を乱すこ
となく液晶を封入する必要があること、および封入後熱
サイクル、物理的圧力(機械的衝撃)によってこの層構
造が容易に崩れ、一度崩れるとユーザーが自分で修復す
ることができなくなり事実上使用不可能となってしまう
などの欠点があり、製造性、信頼性において問題があっ
た。
して強誘電性液晶表示(FLC)があるが、F L C
では2μm程度の薄いパネル間に液晶の層構造を乱すこ
となく液晶を封入する必要があること、および封入後熱
サイクル、物理的圧力(機械的衝撃)によってこの層構
造が容易に崩れ、一度崩れるとユーザーが自分で修復す
ることができなくなり事実上使用不可能となってしまう
などの欠点があり、製造性、信頼性において問題があっ
た。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、基板表面上の液晶配向膜による液晶分子配向規制力
によってら層構造を解消する液晶表示方式による液晶駆
動方法であって、X、Y単純マトリクス電極パネルにお
いて、 (1)全電極間に、正極性で光透過率が低下し飽和する
のに必要な電圧(V、l)を印加する工程と、(2)選
択点に該VHよりも低くかつ正極性で光透過率が高い値
から低い値に変化する直前の電圧よりもより高い電圧(
Vt )を印加する工程と、(3)非選択点には、−V
、+よりも低い負極性の電圧を印加する工程と、 (4) (3)の工程に続けて、非選択点にはVHより
も低くかつvL以上の電圧を印加し保持する工程を含ん
でなるものである。
り、基板表面上の液晶配向膜による液晶分子配向規制力
によってら層構造を解消する液晶表示方式による液晶駆
動方法であって、X、Y単純マトリクス電極パネルにお
いて、 (1)全電極間に、正極性で光透過率が低下し飽和する
のに必要な電圧(V、l)を印加する工程と、(2)選
択点に該VHよりも低くかつ正極性で光透過率が高い値
から低い値に変化する直前の電圧よりもより高い電圧(
Vt )を印加する工程と、(3)非選択点には、−V
、+よりも低い負極性の電圧を印加する工程と、 (4) (3)の工程に続けて、非選択点にはVHより
も低くかつvL以上の電圧を印加し保持する工程を含ん
でなるものである。
すなわち、本発明者等は以下の知見を見出して本発明を
完成したのである。
完成したのである。
液晶配向膜による液晶分子配向規制力によってカイラル
ネマティック液晶のら層構造を解消するPACモードで
は、個々の液晶分子もしくは液晶分子のかたまりが旋光
性を持つため、配向膜の配向規制力によって液晶分子の
配列をユニホーム状態とすると、液晶層全体が高いコン
トラストで旋光性を示すようになる。この状態の液晶に
直流電圧をO−++V→0−−V−Oと印加すると第1
図に示すように光透過率は印加電圧の極性および印加の
順序に応じて■−■−■−・・・−〇と変化することが
明らかとなった。PAC七−ビードいては液晶分子は、
配向規制力とカイラルネマティック相のら層構造を維持
しようとする力が衡り合って、ガラス基板に対してやや
傾いて配向している。このやや傾いている液晶は、誘電
率異方性が正であるため上下の基板間に電圧が印加され
ると、全ての液晶分子は電界方向、すなわち基板に垂直
に配向しようとする。このとき、電界印加前の液晶分子
の平衡位置が基板に対してやや傾いているため、電界強
度を弱い方から強い方に変える場合と、強い方から弱い
方に変える場合、および電界の極性を正から負、負から
正に変える場合で平衡位置が異なるため、第1図に示す
ようなダブルヒステリシスループを描くことになる。
ネマティック液晶のら層構造を解消するPACモードで
は、個々の液晶分子もしくは液晶分子のかたまりが旋光
性を持つため、配向膜の配向規制力によって液晶分子の
配列をユニホーム状態とすると、液晶層全体が高いコン
トラストで旋光性を示すようになる。この状態の液晶に
直流電圧をO−++V→0−−V−Oと印加すると第1
図に示すように光透過率は印加電圧の極性および印加の
順序に応じて■−■−■−・・・−〇と変化することが
明らかとなった。PAC七−ビードいては液晶分子は、
配向規制力とカイラルネマティック相のら層構造を維持
しようとする力が衡り合って、ガラス基板に対してやや
傾いて配向している。このやや傾いている液晶は、誘電
率異方性が正であるため上下の基板間に電圧が印加され
ると、全ての液晶分子は電界方向、すなわち基板に垂直
に配向しようとする。このとき、電界印加前の液晶分子
の平衡位置が基板に対してやや傾いているため、電界強
度を弱い方から強い方に変える場合と、強い方から弱い
方に変える場合、および電界の極性を正から負、負から
正に変える場合で平衡位置が異なるため、第1図に示す
ようなダブルヒステリシスループを描くことになる。
第1図に示すダブルヒステリシスループは、印加電圧が
一定の値に保たれる限り単純マトリクスパネルの走査線
本数に依存しない。従って、第2図に示すような電圧を
印加することにより、走査線本数に制限がなく、かつ走
査線本数が増えても印加電圧は一定、すなわち走査線数
の増加に伴う駆動用rcの耐圧増加を必要としない駆動
が可能となる。
一定の値に保たれる限り単純マトリクスパネルの走査線
本数に依存しない。従って、第2図に示すような電圧を
印加することにより、走査線本数に制限がなく、かつ走
査線本数が増えても印加電圧は一定、すなわち走査線数
の増加に伴う駆動用rcの耐圧増加を必要としない駆動
が可能となる。
なお、第2図に示す駆動波形は一例であり、極性を全く
反転させた波形あるいは、−V2と十V。
反転させた波形あるいは、−V2と十V。
を交互に印加するなどの波形も同様に本発明として有効
である。
である。
第2図の波形で駆動した場合は、図2(a) −=(h
)すなわち印加電圧を+V、lから+V2にスイッチし
た時、選択点への書き込みが行われることになるが、P
ACモードでは、一般にこの書込みに100〜300μ
s要するため400本の走査線を駆動する場合でも40
〜120m5と非常に高速で書込み可能である。この選
択点への書き込みの際の印加電圧Vtは上記V、よりも
低くかつ正極性で光透過率が高い値から低い値に変化す
る直前の電圧よりもより高い電圧であることを必要とす
る。
)すなわち印加電圧を+V、lから+V2にスイッチし
た時、選択点への書き込みが行われることになるが、P
ACモードでは、一般にこの書込みに100〜300μ
s要するため400本の走査線を駆動する場合でも40
〜120m5と非常に高速で書込み可能である。この選
択点への書き込みの際の印加電圧Vtは上記V、よりも
低くかつ正極性で光透過率が高い値から低い値に変化す
る直前の電圧よりもより高い電圧であることを必要とす
る。
非選択点への書き込みは、負極性で、−V、よりも小さ
な電圧を印加し、その後、非選択点にはv3よりも低く
かつV2よりも高い電圧を印加し保持する。このような
操作により、前述の如く走査線本数が増えても印加電圧
を一定以下に保持できる。
な電圧を印加し、その後、非選択点にはv3よりも低く
かつV2よりも高い電圧を印加し保持する。このような
操作により、前述の如く走査線本数が増えても印加電圧
を一定以下に保持できる。
以下、更に本発明を実施例により説明する。
60X70X 1.1 (厚)鶴の大きさの酸化イン
ジウム透明導電膜付ガラス基板を洗浄した後、高周波励
起イオンブレーティング装置を用いてフッ化マグネシウ
ム(MgFz)をプラズマ出カフ0Wで蒸着した。これ
をラビング装置でラビングし、ラビング方向が平行にな
るように2枚の基板を配して0.7μm粒径のアルミナ
(Al1(h)微粉をスペーサとして液晶パネルを構成
した。透明導電膜は、x−yストライブ状にパターンニ
ングしたもので8f1幅のストライブ電極が3本ずつ付
いたものを上基板と下基板が直角に交わって交叉点が9
ポイントできるように組んだ。このパネルにROCHE
社のネマティック混合液晶Nr。2801およびB D
H社のカイラルネマティック液晶CB−15を80
: 20重量比で混合したコレステリック相液晶を封入
した。液晶封入後、クロスニフルに設定した偏光顕微鏡
にパネルをセットし、バイポーラ電源を用いて+20V
〜−20Vまで三角波、0.5 Hzで掃引し、印加電
圧に伴う光透過率変化をオシロスコープにリサージ二図
形として記録した。その結果、第3図に承ずダブルヒス
テリシスループが得られた。このループを用いて初期化
電圧+V、を12V、J択点への書き込みの際の電圧V
2を7V、非選択への書き込みの際の電圧=■、を一1
2Vとしてその後の保持電圧を7Vとして駆動した。そ
の結果、走査本数を400本とするデ1−ティ比で駆動
しても、1対8以上のコントラスト比が得られることが
確認された。
ジウム透明導電膜付ガラス基板を洗浄した後、高周波励
起イオンブレーティング装置を用いてフッ化マグネシウ
ム(MgFz)をプラズマ出カフ0Wで蒸着した。これ
をラビング装置でラビングし、ラビング方向が平行にな
るように2枚の基板を配して0.7μm粒径のアルミナ
(Al1(h)微粉をスペーサとして液晶パネルを構成
した。透明導電膜は、x−yストライブ状にパターンニ
ングしたもので8f1幅のストライブ電極が3本ずつ付
いたものを上基板と下基板が直角に交わって交叉点が9
ポイントできるように組んだ。このパネルにROCHE
社のネマティック混合液晶Nr。2801およびB D
H社のカイラルネマティック液晶CB−15を80
: 20重量比で混合したコレステリック相液晶を封入
した。液晶封入後、クロスニフルに設定した偏光顕微鏡
にパネルをセットし、バイポーラ電源を用いて+20V
〜−20Vまで三角波、0.5 Hzで掃引し、印加電
圧に伴う光透過率変化をオシロスコープにリサージ二図
形として記録した。その結果、第3図に承ずダブルヒス
テリシスループが得られた。このループを用いて初期化
電圧+V、を12V、J択点への書き込みの際の電圧V
2を7V、非選択への書き込みの際の電圧=■、を一1
2Vとしてその後の保持電圧を7Vとして駆動した。そ
の結果、走査本数を400本とするデ1−ティ比で駆動
しても、1対8以上のコントラスト比が得られることが
確認された。
本発明は以上説明したようにPAC液晶表示素子の印加
電圧−光透過率におけるヒステリシス効果を利用し、液
晶のメモリ効果が得られるように電圧の印加を異ならし
めるように構成したものであるから、安価に製造できる
単純マトリクス電極構成のパネルを用い大容量、高コン
トラスト比の表示が可能となる。更に、従来の液晶表示
のようにクロストロークや走査線数の増加に伴う駆動電
圧の増加を招くことなく、同一駆動電圧を保持すること
により前記の大容量表示、高コントラスト比の表示を実
現できる。更に従来の単純マトリクス電極をそのま\用
いることができるので安価に製造できる効果を奏する。
電圧−光透過率におけるヒステリシス効果を利用し、液
晶のメモリ効果が得られるように電圧の印加を異ならし
めるように構成したものであるから、安価に製造できる
単純マトリクス電極構成のパネルを用い大容量、高コン
トラスト比の表示が可能となる。更に、従来の液晶表示
のようにクロストロークや走査線数の増加に伴う駆動電
圧の増加を招くことなく、同一駆動電圧を保持すること
により前記の大容量表示、高コントラスト比の表示を実
現できる。更に従来の単純マトリクス電極をそのま\用
いることができるので安価に製造できる効果を奏する。
第1図は本発明の詳細な説明する図であり、第2図は本
発明の駆動波形の一例を示す図であり、第3図は本発明
の実施例における、印加電圧と光透過率の関係を示すグ
ラフであり、第4図は従来の駆動方法による印加電圧と
光透過率の関係を表わすグラフである。 光透過率 PACのメモリ性 第1図 PACのメモリ駆動の一例 第2図 印加電圧 M PACの印加電圧−光透過率の関係 第3図 印加電圧 第4図
発明の駆動波形の一例を示す図であり、第3図は本発明
の実施例における、印加電圧と光透過率の関係を示すグ
ラフであり、第4図は従来の駆動方法による印加電圧と
光透過率の関係を表わすグラフである。 光透過率 PACのメモリ性 第1図 PACのメモリ駆動の一例 第2図 印加電圧 M PACの印加電圧−光透過率の関係 第3図 印加電圧 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板表面上の液晶配向膜による液晶分子配向規制力
によってら旋構造を解消する液晶表示方式による液晶駆
動方法であって、X、Y単純マトリクス電極パネルにお
いて、 (1)全電極間に、正極性で光透過率が低下し飽和する
のに必要な電圧(V_H)を印加する工程と、(2)選
択点に該V_Hよりも抵くかつ正極性で光透過率が高い
値から低い値に変化する直前の電圧よりもより高い電圧
(V_L)を印加する工程と、(3)非選択点には、−
V_Hよりも低い負極性の電圧を印加する工程と、 (4)(3)の工程に続けて、非選択点にはV_Hより
も低くかつV_L以上の電圧を印加し保持する工程を含
んでなる、前記方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057917A JP2760354B2 (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | 液晶駆動法 |
| EP19870310886 EP0271344B1 (en) | 1986-12-11 | 1987-12-10 | Liquid crystal display element and method for driving same |
| DE19873750027 DE3750027T2 (de) | 1986-12-11 | 1987-12-10 | Flüssigkristallanzeigeelement und Verfahren zu dessen Betrieb. |
| CA000554078A CA1304485C (en) | 1986-12-11 | 1987-12-11 | Liquid crystal display element and method for driving same |
| US07/662,103 US5189535A (en) | 1986-12-11 | 1991-02-28 | Liquid crystal display element and method for driving same |
| US07/928,767 US5278684A (en) | 1986-12-11 | 1992-08-17 | Parallel aligned chiral nematic liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057917A JP2760354B2 (ja) | 1987-03-14 | 1987-03-14 | 液晶駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63225230A true JPS63225230A (ja) | 1988-09-20 |
| JP2760354B2 JP2760354B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=13069348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62057917A Expired - Lifetime JP2760354B2 (ja) | 1986-12-11 | 1987-03-14 | 液晶駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760354B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5084257A (ja) * | 1973-11-24 | 1975-07-08 | ||
| JPS5448264A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of operating memory type liquid crystal display device by photoowriting |
| JPS5691277A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Citizen Watch Co Ltd | Liquiddcrystal display panel |
| JPS5842030A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Hitachi Ltd | 表示素子 |
-
1987
- 1987-03-14 JP JP62057917A patent/JP2760354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5084257A (ja) * | 1973-11-24 | 1975-07-08 | ||
| JPS5448264A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of operating memory type liquid crystal display device by photoowriting |
| JPS5691277A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Citizen Watch Co Ltd | Liquiddcrystal display panel |
| JPS5842030A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Hitachi Ltd | 表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2760354B2 (ja) | 1998-05-28 |
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