JPS6322633B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322633B2 JPS6322633B2 JP56152181A JP15218181A JPS6322633B2 JP S6322633 B2 JPS6322633 B2 JP S6322633B2 JP 56152181 A JP56152181 A JP 56152181A JP 15218181 A JP15218181 A JP 15218181A JP S6322633 B2 JPS6322633 B2 JP S6322633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- conductive film
- solar cell
- electrode
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池素子の改良に関する。
太陽電池素子は、太陽エネルギーを直接電気エ
ネルギーに変換する素子で、通常、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、アモルフアスシリコン、
GaAs系−族化合物半導体、CdS等の光電変
換反応を呈する物質を基板とし、それに集電用電
極を設けた構成を採つている。
ネルギーに変換する素子で、通常、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、アモルフアスシリコン、
GaAs系−族化合物半導体、CdS等の光電変
換反応を呈する物質を基板とし、それに集電用電
極を設けた構成を採つている。
第１図は単結晶シリコンを基板とした代表的な
太陽電池素子で、１は互いに反対側に位置する一
対の主表面１１，１２と、一方の主表面１１に隣
接するｎ型導電性領域１３と、他方の主表面１２
及びｎ型導電性領域１３に隣接し、ｎ型導電性領
域１３との間にPn接合Ｊを形成するＰ型導電性
領域１４とから成る基板、２は基板１の一方の主
表面１１に形成された格子状の一方の電極、３は
基板１の他方の主表面１２の略全面に形成された
他方の電極、４は基板１の一方の主表面１１の一
方の電極２が形成されていない面を被覆する反射
防止膜である。基板１は例えば低抗率0.5〜５Ω
cm、厚さが300μｍのＰ型シリコン板の一方の面
に例えば燐を拡散してシート低抗約50Ω／□、深
さ0.3〜0.5μｍのｎ型領域を形成することによつ
て得られる。反射防止膜４は、屈折率が基板１と
空気の屈折率の中間に位置する絶縁材料例えば、
SiO、SiO2、AL2O3、TiO2、Ta2O5等から選ば
れ、シリコン表面での反射を最とも少なくする約
650〜750Åの厚さに形成される。一方の電極２
は、反射防止膜４を形成した後、列えばホトエツ
チングで格子状に窓あけをして窓部に形成する。
電極はシリコンとの接着性及び半田との接着性を
考慮して、例えば基板側からCr−Ni−Ag或いは
Ti−Ni−Agの如き多層構造とすることが行なわ
れている。
太陽電池素子で、１は互いに反対側に位置する一
対の主表面１１，１２と、一方の主表面１１に隣
接するｎ型導電性領域１３と、他方の主表面１２
及びｎ型導電性領域１３に隣接し、ｎ型導電性領
域１３との間にPn接合Ｊを形成するＰ型導電性
領域１４とから成る基板、２は基板１の一方の主
表面１１に形成された格子状の一方の電極、３は
基板１の他方の主表面１２の略全面に形成された
他方の電極、４は基板１の一方の主表面１１の一
方の電極２が形成されていない面を被覆する反射
防止膜である。基板１は例えば低抗率0.5〜５Ω
cm、厚さが300μｍのＰ型シリコン板の一方の面
に例えば燐を拡散してシート低抗約50Ω／□、深
さ0.3〜0.5μｍのｎ型領域を形成することによつ
て得られる。反射防止膜４は、屈折率が基板１と
空気の屈折率の中間に位置する絶縁材料例えば、
SiO、SiO2、AL2O3、TiO2、Ta2O5等から選ば
れ、シリコン表面での反射を最とも少なくする約
650〜750Åの厚さに形成される。一方の電極２
は、反射防止膜４を形成した後、列えばホトエツ
チングで格子状に窓あけをして窓部に形成する。
電極はシリコンとの接着性及び半田との接着性を
考慮して、例えば基板側からCr−Ni−Ag或いは
Ti−Ni−Agの如き多層構造とすることが行なわ
れている。
かゝる構成の太陽電池素子は、１薄いｎ型導電
性領域に直接電極を形成するため、電極形成時に
該領域を破壊するおそれがあること、２ｎ型導電
性領域の破壊を防止するためには、熱処理温度の
厳密な制御及び慎重な取り扱いが必要となるこ
と、３反射防止膜の窓開け工程が必要であるこ
と、等製造上の欠点がある。
性領域に直接電極を形成するため、電極形成時に
該領域を破壊するおそれがあること、２ｎ型導電
性領域の破壊を防止するためには、熱処理温度の
厳密な制御及び慎重な取り扱いが必要となるこ
と、３反射防止膜の窓開け工程が必要であるこ
と、等製造上の欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点を除去すると共に
光電変換効率の向上を図つた改良された構造を有
する太陽電池素子を堤供することにある。
光電変換効率の向上を図つた改良された構造を有
する太陽電池素子を堤供することにある。
かゝる目的を奏する本発明太陽電池素子の特徴
とするところは、基板の受光面及び裏面となるシ
リコン基板の両面に透明の導電膜を形成した点に
ある。
とするところは、基板の受光面及び裏面となるシ
リコン基板の両面に透明の導電膜を形成した点に
ある。
以上本発明を実施例として示した第２図により
詳細に説明する。図において、１は第１図と同様
の単結晶シリコンから成る基板、５，６は基板１
の両主表面１１，１２全面を被覆するように形成
された透明の導電膜、２は導電膜５上へ選択的に
形成した例えば格子状をなす一方の電極、３は導
電膜６上の略全面に形成した他方の電極である。
導電膜５，６としては、In、Snの酸化物を使用
し、真空蒸着法、スパツタ法、CVD法、デツプ
法等により形成する。In、Snの酸化物は、その
酸化物の適当な配合と、膜付後の適当な熱処理に
より導電率を任意に選定できる。
詳細に説明する。図において、１は第１図と同様
の単結晶シリコンから成る基板、５，６は基板１
の両主表面１１，１２全面を被覆するように形成
された透明の導電膜、２は導電膜５上へ選択的に
形成した例えば格子状をなす一方の電極、３は導
電膜６上の略全面に形成した他方の電極である。
導電膜５，６としては、In、Snの酸化物を使用
し、真空蒸着法、スパツタ法、CVD法、デツプ
法等により形成する。In、Snの酸化物は、その
酸化物の適当な配合と、膜付後の適当な熱処理に
より導電率を任意に選定できる。
かゝる構成の太陽電池素子によれば、受光面に
透明の導電膜を形成したため、１受光面の略全面
が一方の電極に電気的に接続されるため、集電効
率が向上する、２反射防止膜と電極を兼用できる
ため、反射防止膜の形成が容易となる、等の効果
を奏する。
透明の導電膜を形成したため、１受光面の略全面
が一方の電極に電気的に接続されるため、集電効
率が向上する、２反射防止膜と電極を兼用できる
ため、反射防止膜の形成が容易となる、等の効果
を奏する。
また、裏面の略面図に透明の導電膜を形成し、
その上全面に電極を形成する構成としたため、透
明の導電膜がない従来構造ではシリコン基板に吸
収されずに裏面より外部に放出していた光が、透
明の導電膜によつて再びシリコン基板内に入射さ
れ、光電変換効率の向上を図ることが出来るとい
う効果を奏する。
その上全面に電極を形成する構成としたため、透
明の導電膜がない従来構造ではシリコン基板に吸
収されずに裏面より外部に放出していた光が、透
明の導電膜によつて再びシリコン基板内に入射さ
れ、光電変換効率の向上を図ることが出来るとい
う効果を奏する。
以上は、本発明を単結晶シリコンを基板とした
太陽電池素子を例に採つて説明したが、本発明は
これに限定されることなく、単結晶シリコン以外
の材料を基板とした太陽電池素子にも適用できる
ものである。
太陽電池素子を例に採つて説明したが、本発明は
これに限定されることなく、単結晶シリコン以外
の材料を基板とした太陽電池素子にも適用できる
ものである。
第１図は従来の太陽電池素子の概略斜視図、第
２図は本発明太陽電池素子の概略断面図である。 １……基板、２，３……電極、５，６……透明
の導電膜。
２図は本発明太陽電池素子の概略断面図である。 １……基板、２，３……電極、５，６……透明
の導電膜。
Claims (1)
- １ 一対の主表面を有し、内部に主表面と略平行
なPn接合を有し、一方の主表面から光を受け入
れ内部で光電変換を行なう半導体基板と、基板の
一方の主表面の略全面に形成された一方の透明の
導電膜と、基板の他方の主表面の略全面に形成さ
れた他方の透明の導電膜と、他方の導電膜上の略
全面に形成された他方の電極とを具備することを
特徴とする太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152181A JPS5854678A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152181A JPS5854678A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854678A JPS5854678A (ja) | 1983-03-31 |
| JPS6322633B2 true JPS6322633B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=15534817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56152181A Granted JPS5854678A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854678A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3328869A1 (de) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Photovoltaische zelle und verfahren zum herstellen dieser |
| US4586988A (en) * | 1983-08-19 | 1986-05-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of forming an electrically conductive member |
| JP2710318B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1998-02-10 | 株式会社デンソー | 半透光性太陽電池 |
| CN103339734A (zh) * | 2011-01-31 | 2013-10-02 | 三洋电机株式会社 | 光电转换装置及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568681A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Yoshihiro Hamakawa | Amorphous silicon solar battery and fabricating the same |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56152181A patent/JPS5854678A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5854678A (ja) | 1983-03-31 |
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