JPS63227706A - 転炉滓化制御方法 - Google Patents
転炉滓化制御方法Info
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- JPS63227706A JPS63227706A JP6334587A JP6334587A JPS63227706A JP S63227706 A JPS63227706 A JP S63227706A JP 6334587 A JP6334587 A JP 6334587A JP 6334587 A JP6334587 A JP 6334587A JP S63227706 A JPS63227706 A JP S63227706A
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- slag
- reflectance
- converter
- microwave
- blowing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、鋼の精錬においてスラグの滓化状況を検知し
制御する方法に関する。
制御する方法に関する。
精錬炉、例えば転炉における溶鋼の精錬は転炉の炉口か
ら炉内にランスを鉛直挿入し、該ランスから純酸素ガス
を溶鋼に吹付けて溶鋼を攪拌しつつ説炭し又は炉底から
酸素ガスを吹込むとともに、更に転炉内に投入された造
滓剤が滓化して生成した熔融スラグとの反応によって展
燐、Nl&硫作用を営ませ、さらに、炉底に設けた羽口
から酸素、窒素、アルゴン等のガスを炉内へ流入せしめ
、鋼浴に攪拌エネルギーを付与して攪拌させ、前記ラン
スからの純酸素ガスの吹付けと併せて複合的に税炭、騰
燐、醜硫をわせるものである。従ってスラグの滓化状況
の良否は精錬期間中の脱燐反応の進行状況に大きく影響
し、脱燐lll1lを的確に行うためには、スラグの滓
化制御を適正に行う必要がある。このため精錬期間中の
スラグ滓化状況の経時的且つ定量的検知が不可欠である
。而して従来のスラグ滓化検知はサブランスにより精錬
期間中間欠的にスラグをサンプリングし、スラグ中の各
成分濃度、侍にFeOの濃度を分析することによってF
eO量の多少により滓化状況を検知する方法、及び酸素
吹錬中のランスの振動を計測し、スラグの揺動による運
動エネルギーをランスの振動エネルギーとして計測する
ことにより滓化状況を間接的に検知する方法(特開昭5
3−77816号)等により行われていた。然るにこれ
らの方法は以下に示す如き難点を有する。即ち前者は間
欠的なデータしか得られず、またサンプル採取及びその
後の分析にある程度の時間を要するため、得られたデー
タは精錬反応の進行に追随し得す時間遅れが著しくて滓
化制御時点のスラグ滓化状況を表していない等、この方
法は燐濃度のダイナミック制御には通用し難い、後者は
間接的な滓化検知方法であるため検知精度が低く、特に
スラグ量を低く設定する転炉操業の場合及び複合吹錬操
業のように本来スラグ量が少ない場合等においてはラン
スとスラグとの接触がなくこの方法ではスラグの滓化状
況を検知し得ない。
ら炉内にランスを鉛直挿入し、該ランスから純酸素ガス
を溶鋼に吹付けて溶鋼を攪拌しつつ説炭し又は炉底から
酸素ガスを吹込むとともに、更に転炉内に投入された造
滓剤が滓化して生成した熔融スラグとの反応によって展
燐、Nl&硫作用を営ませ、さらに、炉底に設けた羽口
から酸素、窒素、アルゴン等のガスを炉内へ流入せしめ
、鋼浴に攪拌エネルギーを付与して攪拌させ、前記ラン
スからの純酸素ガスの吹付けと併せて複合的に税炭、騰
燐、醜硫をわせるものである。従ってスラグの滓化状況
の良否は精錬期間中の脱燐反応の進行状況に大きく影響
し、脱燐lll1lを的確に行うためには、スラグの滓
化制御を適正に行う必要がある。このため精錬期間中の
スラグ滓化状況の経時的且つ定量的検知が不可欠である
。而して従来のスラグ滓化検知はサブランスにより精錬
期間中間欠的にスラグをサンプリングし、スラグ中の各
成分濃度、侍にFeOの濃度を分析することによってF
eO量の多少により滓化状況を検知する方法、及び酸素
吹錬中のランスの振動を計測し、スラグの揺動による運
動エネルギーをランスの振動エネルギーとして計測する
ことにより滓化状況を間接的に検知する方法(特開昭5
3−77816号)等により行われていた。然るにこれ
らの方法は以下に示す如き難点を有する。即ち前者は間
欠的なデータしか得られず、またサンプル採取及びその
後の分析にある程度の時間を要するため、得られたデー
タは精錬反応の進行に追随し得す時間遅れが著しくて滓
化制御時点のスラグ滓化状況を表していない等、この方
法は燐濃度のダイナミック制御には通用し難い、後者は
間接的な滓化検知方法であるため検知精度が低く、特に
スラグ量を低く設定する転炉操業の場合及び複合吹錬操
業のように本来スラグ量が少ない場合等においてはラン
スとスラグとの接触がなくこの方法ではスラグの滓化状
況を検知し得ない。
〔発明が解決しようとする問題点3
以上の如き検知方法の改善を図るべく、本発明者等は、
マイクロ波をスラグ面に投射し、反射したマイクロ波を
検出して投射波と反射波との混合波の振幅からスラグ面
での反射率を算出し、この反射率に基づいて滓化状況を
検知する方法を既に提案した(特開昭57−14081
2号)。
マイクロ波をスラグ面に投射し、反射したマイクロ波を
検出して投射波と反射波との混合波の振幅からスラグ面
での反射率を算出し、この反射率に基づいて滓化状況を
検知する方法を既に提案した(特開昭57−14081
2号)。
本発明は、上述の如き滓化検知方法を用いてスラグ滓化
の各種影響要素を制御する転炉滓化制御方法の提供を目
的とする。
の各種影響要素を制御する転炉滓化制御方法の提供を目
的とする。
C問題点を解決するための手段〕
本発明は、転炉内のスラグ面にマイクロ波を投射し、ス
ラグ面から反射されたマイクロ波を検出してスラグ面で
のマイクロ波反射率を算出し、算出した反射率を予め設
定した基準値以下にすべく、上吹酸素量・ランス高さ・
底吹ガス流量・ダンパ開度・造滓剤投入の滓化影響要素
を単−的にまたは複合的に設定i#JgBすることを特
徴とする。
ラグ面から反射されたマイクロ波を検出してスラグ面で
のマイクロ波反射率を算出し、算出した反射率を予め設
定した基準値以下にすべく、上吹酸素量・ランス高さ・
底吹ガス流量・ダンパ開度・造滓剤投入の滓化影響要素
を単−的にまたは複合的に設定i#JgBすることを特
徴とする。
本発明は、転炉内のスラグ面にマイクロ波を投射し、ス
ラグ面から反射されたマイクロ波を検出してスラグ面で
のマイクロ波の反射率を算出するとともに、算出した反
射率を、スラグ面での反射率と滓化状況との関連に基づ
き予め設定した基準値以下にすべく、スラグ滓化状況に
影響を与える各要素、即ち上吹酸素量・ランス高さ・底
吹ガス流量・ダンパ開度・造滓剤投入を単−的又は複合
的に設定制御し、吹錬期間中、良好な滓化状況を維持す
る。
ラグ面から反射されたマイクロ波を検出してスラグ面で
のマイクロ波の反射率を算出するとともに、算出した反
射率を、スラグ面での反射率と滓化状況との関連に基づ
き予め設定した基準値以下にすべく、スラグ滓化状況に
影響を与える各要素、即ち上吹酸素量・ランス高さ・底
吹ガス流量・ダンパ開度・造滓剤投入を単−的又は複合
的に設定制御し、吹錬期間中、良好な滓化状況を維持す
る。
以下、本発明方法をその実施例を示す図面に基づき詳述
する。
する。
第1図は本発明方法の実施状態を示す模式図である。転
炉lはその上部開口の炉口1aから酸素吹錬用のランス
2がその昇降駆動用モータ3によって鉛直方向に駆動挿
入せしめられ、ランス2から吹付けられる純酸素の流量
は、調節弁50開度により決定される。また炉口上方は
フード11により覆われていて、転炉精錬にて発生した
廃ガスがフード11に案内されて廃ガス回収システム等
へ供給され、又はフード11から廃棄されるようになっ
ている。 ICは転炉精錬開始時に転炉内に装入された
溶銑及びスクラップ等の主原料がランス2からの酸素吹
錬等により精錬されつつある溶鋼であり、lbは酸素吹
錬開始後転炉内に投入された石灰石。
炉lはその上部開口の炉口1aから酸素吹錬用のランス
2がその昇降駆動用モータ3によって鉛直方向に駆動挿
入せしめられ、ランス2から吹付けられる純酸素の流量
は、調節弁50開度により決定される。また炉口上方は
フード11により覆われていて、転炉精錬にて発生した
廃ガスがフード11に案内されて廃ガス回収システム等
へ供給され、又はフード11から廃棄されるようになっ
ている。 ICは転炉精錬開始時に転炉内に装入された
溶銑及びスクラップ等の主原料がランス2からの酸素吹
錬等により精錬されつつある溶鋼であり、lbは酸素吹
錬開始後転炉内に投入された石灰石。
生石灰、蛍石等の造滓剤が滓化して生成したスラグであ
る。
る。
さらに転炉1底部には羽口4が設けられ、羽口4から酸
素、窒素、アルゴン等のガスを、その流量を調節する調
節弁10を介して炉内へ流入せしめ、溶111c及びス
ラグ1cからなる鋼浴を攪拌せしめ、税炭、脱燐、脱硫
反応をランス2がらの酸素吹付けと併せて複合的に行う
、また、転炉1上方には、蛍石、生石灰2石灰石の造滓
剤及び滓化鎮静剤、冷却剤等の副原料が種類別に貯蔵さ
れた貯蔵ホ。
素、窒素、アルゴン等のガスを、その流量を調節する調
節弁10を介して炉内へ流入せしめ、溶111c及びス
ラグ1cからなる鋼浴を攪拌せしめ、税炭、脱燐、脱硫
反応をランス2がらの酸素吹付けと併せて複合的に行う
、また、転炉1上方には、蛍石、生石灰2石灰石の造滓
剤及び滓化鎮静剤、冷却剤等の副原料が種類別に貯蔵さ
れた貯蔵ホ。
バ(図示省略)及び各貯蔵ホッパから所要量の副材料を
切出り出す切出し装置91.92.・・・、9n及び投
入用ホッパが設けられ、フード11内部には、転炉1の
内部圧力を調節する調圧用ダンパ8を備える。
切出り出す切出し装置91.92.・・・、9n及び投
入用ホッパが設けられ、フード11内部には、転炉1の
内部圧力を調節する調圧用ダンパ8を備える。
また、本発明方法においては転炉炉口1aの上方にその
送受信方向を鉛直下方として、スラグ1bに向けてマイ
クロ波を投射すべくアンテナ6を設置する。このアンテ
ナ6の設置は、例えば転炉開口部の直上域におけるフー
ド11に円筒状のジャケット7をその軸方向を鉛直にし
て貫入設置し、ジャケット7の上端にアンテナ6を取付
けることにより行う、なお転炉1からの火炎、粉塵、地
金飛散によるアンテナ6の損耗を防止し、また滓化検知
精度の悪化を回避するため、アンテナ6は水冷構造とし
、ジャケット7の内部はN2ガス等によりパージするの
が好ましい、アンテナ6は図示しない導波管、マイクロ
波回路20を介してマイクロ波発生装置30及び信号処
理装置40からなるマイクロ波測定装置13に接続され
ており、マイクロ波発生装置30から発せられたマイク
ロ波はアンテナ6から転炉内のスラグ1bに向けて投射
され、スラグIbにて反射したマイクロ波はアンテナ6
にて受信され、マイクロ波回路20にて投射波と反射波
との混合波が得られる。この混合波(うなり波)に関す
る信号は信号処理装置40に入力されてスラグまでの距
離及びスラグ1bにおけるマイクロ波の反射率に相当す
る信号が得られ、これらの信号は制御回路14に与えら
れ、スラグまでの距離によって補正したマイクロ波の反
射率を算出し、この反射率に基づき使用制御要素の制御
量を算出し、この算出値及び制御タイミング信号を設定
器15へ送る。設定器15は、与えられた算出値に基づ
き、各制御要素の操作量を関節する。
送受信方向を鉛直下方として、スラグ1bに向けてマイ
クロ波を投射すべくアンテナ6を設置する。このアンテ
ナ6の設置は、例えば転炉開口部の直上域におけるフー
ド11に円筒状のジャケット7をその軸方向を鉛直にし
て貫入設置し、ジャケット7の上端にアンテナ6を取付
けることにより行う、なお転炉1からの火炎、粉塵、地
金飛散によるアンテナ6の損耗を防止し、また滓化検知
精度の悪化を回避するため、アンテナ6は水冷構造とし
、ジャケット7の内部はN2ガス等によりパージするの
が好ましい、アンテナ6は図示しない導波管、マイクロ
波回路20を介してマイクロ波発生装置30及び信号処
理装置40からなるマイクロ波測定装置13に接続され
ており、マイクロ波発生装置30から発せられたマイク
ロ波はアンテナ6から転炉内のスラグ1bに向けて投射
され、スラグIbにて反射したマイクロ波はアンテナ6
にて受信され、マイクロ波回路20にて投射波と反射波
との混合波が得られる。この混合波(うなり波)に関す
る信号は信号処理装置40に入力されてスラグまでの距
離及びスラグ1bにおけるマイクロ波の反射率に相当す
る信号が得られ、これらの信号は制御回路14に与えら
れ、スラグまでの距離によって補正したマイクロ波の反
射率を算出し、この反射率に基づき使用制御要素の制御
量を算出し、この算出値及び制御タイミング信号を設定
器15へ送る。設定器15は、与えられた算出値に基づ
き、各制御要素の操作量を関節する。
次に本発明方法による滓化状況の検知原理について説明
する。アンテナ6からスラグ1bに向けて投射されたマ
イクロ波はスラグlbにて反射した後アンテナ6に受信
される。一般に物体に対して投射されるマイクロ波を u 1− Ul cos (ω11)但し、Ul :
投射波振幅 ω1 :投射波角周波数 t:時間 と表わした場合、物体からの反射波u2は下記のように
表わされる。
する。アンテナ6からスラグ1bに向けて投射されたマ
イクロ波はスラグlbにて反射した後アンテナ6に受信
される。一般に物体に対して投射されるマイクロ波を u 1− Ul cos (ω11)但し、Ul :
投射波振幅 ω1 :投射波角周波数 t:時間 と表わした場合、物体からの反射波u2は下記のように
表わされる。
u2−Ul cos (6)2 t )但し、Ul
:反射波振幅 ω2 :反射波角周波数 而して物体に対するマイクロ波の反射率k(−u2/u
1)が物体の凹凸等の表面状態並びに物体の電気伝導度
及び密度等の物性により変化するため、反射率kを捉え
ることによって物体の表面状態及び性状を検知すること
ができる。ところで転炉精錬の進行につれて溶鋼湯面上
に浮遊しているスラグ1bの量が増大し、スラグlbが
フォーミング(foaming )状態となりその表面
が泡立ってきた場合は、溶鋼と物性が異なるスラグの浴
深さが増加し、表面状態が変化するため、転炉内のスラ
グ1bの滓化状況もスラグ1bにマイクロ波を投射して
スラグibにおけるマイクロ波の反射率kf−測定する
ことによって、滓化状況の進行を反射率にの減少として
検知することができる(第4図参照)。
:反射波振幅 ω2 :反射波角周波数 而して物体に対するマイクロ波の反射率k(−u2/u
1)が物体の凹凸等の表面状態並びに物体の電気伝導度
及び密度等の物性により変化するため、反射率kを捉え
ることによって物体の表面状態及び性状を検知すること
ができる。ところで転炉精錬の進行につれて溶鋼湯面上
に浮遊しているスラグ1bの量が増大し、スラグlbが
フォーミング(foaming )状態となりその表面
が泡立ってきた場合は、溶鋼と物性が異なるスラグの浴
深さが増加し、表面状態が変化するため、転炉内のスラ
グ1bの滓化状況もスラグ1bにマイクロ波を投射して
スラグibにおけるマイクロ波の反射率kf−測定する
ことによって、滓化状況の進行を反射率にの減少として
検知することができる(第4図参照)。
本発明は上述の如き見地に立ってスラグにおけるマイク
ロ波反射率にとスラグ滓化状況との対応関係を求めてお
き、例えばスラグ滓化状況の良否をマイクロ波反射率が
基準値(第4図の一点鎖線)より低下するか否かで判定
するものである。なおこの反射率には前記混合波Pの振
幅に比例する電圧として捉えることができる。これは混
合波Pは投射波u1及び反射波u2から下記のように表
わされ、 P−’A (U了+U3 +2U+ U2cos (ω、−ω2)t)投射波u
1の振幅U1が一定である場合は、混合波Pの振幅U、
U2が反射波u2の振幅U2に比例するので、反射率に
は混合波Pの振幅に対応するからである。
ロ波反射率にとスラグ滓化状況との対応関係を求めてお
き、例えばスラグ滓化状況の良否をマイクロ波反射率が
基準値(第4図の一点鎖線)より低下するか否かで判定
するものである。なおこの反射率には前記混合波Pの振
幅に比例する電圧として捉えることができる。これは混
合波Pは投射波u1及び反射波u2から下記のように表
わされ、 P−’A (U了+U3 +2U+ U2cos (ω、−ω2)t)投射波u
1の振幅U1が一定である場合は、混合波Pの振幅U、
U2が反射波u2の振幅U2に比例するので、反射率に
は混合波Pの振幅に対応するからである。
以下この反射率kを計測するためのマイクロ波回路20
.マイクロ波発生装置30及び信号処理装置40につい
て更に具体的に説明する。第2図はこれら電気回路系を
模式的に示すブロック図である。
.マイクロ波発生装置30及び信号処理装置40につい
て更に具体的に説明する。第2図はこれら電気回路系を
模式的に示すブロック図である。
周波数変m器32からの変調信号を受けてマイクロ波発
振131カ角周波e# 1 (61t / 2 tc
−1〜1000GHz )程度のマイクロ波信号を出
力し、このマイクロ波信号はマイクロ波回路20のマジ
ックT21及びサーキュレータ22を経てアンテナ6に
与えられ、アンテナ6からマイクロ波が発せられる。そ
してスラグ1bからの反射波はアンテナ6にて受信され
この反射波に係るマイクロ波信号はマイクロ波回路20
のサーキュレータ22に入力せしめられる。
振131カ角周波e# 1 (61t / 2 tc
−1〜1000GHz )程度のマイクロ波信号を出
力し、このマイクロ波信号はマイクロ波回路20のマジ
ックT21及びサーキュレータ22を経てアンテナ6に
与えられ、アンテナ6からマイクロ波が発せられる。そ
してスラグ1bからの反射波はアンテナ6にて受信され
この反射波に係るマイクロ波信号はマイクロ波回路20
のサーキュレータ22に入力せしめられる。
マイクロ波回路20は微弱な反射波信号を高感度で捉え
得べく構成されたものであって、マジックT21゜サー
キュレータ22.ミキサー23および可変減衰器24に
よるブリフジ回路からなるものであり、ミキサー23に
て投射波信号と反射波信号とが混合され、混合波信号が
信号処理装置40の前置増幅器41に入力される。混合
波信号は前置増幅器41にて増幅された後フィルタ42
に入力せしめられ、ここで直流分、即ち%(U? +U
? )等が除去された後波形整形回路43に入力せしめ
られる。波形整形回路43には変調発振器32からマイ
クロ波の変調信号も入力されており、混合波信号は波形
整形回路43にて整流され、平滑化されてその振幅U、
U2に対応する電圧がレコーダ44に出力され記録さ
れる。この混合波信号の振幅U、U2は投射波U、の振
幅U、が一定である場合は反射率kに比例するから、レ
コーダ44に記録された混合波信号の振幅電圧によって
マイクロ波のスラグ1bにおける反射率kが捉えられる
。
得べく構成されたものであって、マジックT21゜サー
キュレータ22.ミキサー23および可変減衰器24に
よるブリフジ回路からなるものであり、ミキサー23に
て投射波信号と反射波信号とが混合され、混合波信号が
信号処理装置40の前置増幅器41に入力される。混合
波信号は前置増幅器41にて増幅された後フィルタ42
に入力せしめられ、ここで直流分、即ち%(U? +U
? )等が除去された後波形整形回路43に入力せしめ
られる。波形整形回路43には変調発振器32からマイ
クロ波の変調信号も入力されており、混合波信号は波形
整形回路43にて整流され、平滑化されてその振幅U、
U2に対応する電圧がレコーダ44に出力され記録さ
れる。この混合波信号の振幅U、U2は投射波U、の振
幅U、が一定である場合は反射率kに比例するから、レ
コーダ44に記録された混合波信号の振幅電圧によって
マイクロ波のスラグ1bにおける反射率kが捉えられる
。
以上の如き原理に基づき算出される反射率と滓化状況の
関係を説明する。第3図は横軸に吹錬時間を全吹錬期間
に対する百分率で表してとり、縦軸にマイクロ波反射率
をとって、吹錬期間中のマイクロ波反射率の変化をチャ
ージ■ (実線)及びチャージ■(破線)の2チヤージ
について示したグラフである。チャージIはマイクロ波
反射率が吹錬の初期から減少傾向を示し、吹錬中期以後
は極めて低い値に安定しているのに対し、チャージ■は
マイクロ波反射率の減少が少なく、全吹錬期間に亘り高
値を保持している。而して従来、スラグの滓化状況の判
定指標とされていたスラグ中のT、Feの濃度(サブラ
ンス計測により間欠的に測定される)は、チャージrに
ついては吹錬期間中高値を保持して滓化状況が良好であ
ったが、チャージ■はT、Fe濃度が低く滓化不良であ
った。即ち反射率が低いチャージ■はT、Fe濃度が高
く滓化良好、反射率が高いチャージ■はT、 Fe濃度
が低く滓化不良と、反射率と滓化状況との間には極めて
良い対応関係が得られた。
関係を説明する。第3図は横軸に吹錬時間を全吹錬期間
に対する百分率で表してとり、縦軸にマイクロ波反射率
をとって、吹錬期間中のマイクロ波反射率の変化をチャ
ージ■ (実線)及びチャージ■(破線)の2チヤージ
について示したグラフである。チャージIはマイクロ波
反射率が吹錬の初期から減少傾向を示し、吹錬中期以後
は極めて低い値に安定しているのに対し、チャージ■は
マイクロ波反射率の減少が少なく、全吹錬期間に亘り高
値を保持している。而して従来、スラグの滓化状況の判
定指標とされていたスラグ中のT、Feの濃度(サブラ
ンス計測により間欠的に測定される)は、チャージrに
ついては吹錬期間中高値を保持して滓化状況が良好であ
ったが、チャージ■はT、Fe濃度が低く滓化不良であ
った。即ち反射率が低いチャージ■はT、Fe濃度が高
く滓化良好、反射率が高いチャージ■はT、 Fe濃度
が低く滓化不良と、反射率と滓化状況との間には極めて
良い対応関係が得られた。
また第4図は横軸にマイクロ波反射率をとり、縦軸にス
ラグ中のT、Fe濃度をとって両者の関係を示したグラ
フである。図から明らかなようにマイクロ波反射率が一
点鎖線にて示した基準値以下になるとT、Fe濃度が増
大し、従ってスラグの滓化が良好に行われていることが
わかる。このようにマイクロ波反射率の大、小とスラグ
中の↑、Fe濃度の低、高従ってまた滓化状況の悪、良
とは極めて強い相関関係があり、吹錬期間中スラグにお
けるマイクロ波反射率を測定することにより、スラグの
滓化状況を経時的且つ定量的に検知することができる。
ラグ中のT、Fe濃度をとって両者の関係を示したグラ
フである。図から明らかなようにマイクロ波反射率が一
点鎖線にて示した基準値以下になるとT、Fe濃度が増
大し、従ってスラグの滓化が良好に行われていることが
わかる。このようにマイクロ波反射率の大、小とスラグ
中の↑、Fe濃度の低、高従ってまた滓化状況の悪、良
とは極めて強い相関関係があり、吹錬期間中スラグにお
けるマイクロ波反射率を測定することにより、スラグの
滓化状況を経時的且つ定量的に検知することができる。
以上の如き反射率と滓化状況の関係に基づき、第4図に
一点鎖線で示す値を基準値としたバンファの吹錬制御方
法の一例を第5図に示す、制御はa炭がほぼ進行した吹
錬中期以降でその滓化制御を行うものである。
一点鎖線で示す値を基準値としたバンファの吹錬制御方
法の一例を第5図に示す、制御はa炭がほぼ進行した吹
錬中期以降でその滓化制御を行うものである。
また、各因子の制御方向を第1表に示す。
即ち、スラグ面でのマイクロ波反射率の算出値が基準値
より大きい場合、上吹酸素量の増加、ランス上昇による
ソフトブロー、ダンパ開度拡大による炉圧低減、底吹ガ
ス量増加による鋼浴の攪拌強度強化及び造滓剤の投入を
行つてスラグの滓化促進を図る0以上の如き制御の結果
、反射率は基準値以下に低減される。なお、各因子の制
御量は、予め一定の操作量を設定しておいても、また反
射率の偏差量に応じた操作量を算出して設定してもよく
、さらに吹錬進行に応じて、例えば吹錬末期には、より
滓化促進を図るべく、設定量または算出係数を変更する
等してもよい。
より大きい場合、上吹酸素量の増加、ランス上昇による
ソフトブロー、ダンパ開度拡大による炉圧低減、底吹ガ
ス量増加による鋼浴の攪拌強度強化及び造滓剤の投入を
行つてスラグの滓化促進を図る0以上の如き制御の結果
、反射率は基準値以下に低減される。なお、各因子の制
御量は、予め一定の操作量を設定しておいても、また反
射率の偏差量に応じた操作量を算出して設定してもよく
、さらに吹錬進行に応じて、例えば吹錬末期には、より
滓化促進を図るべく、設定量または算出係数を変更する
等してもよい。
また、制御因子は前述の如くその全てを制御対象として
も、またそれらの内の一つまたはいくつかの組合せをa
m対象としてもよい。さらに、吹錬の進行に応じて組合
せを変更してもよい。
も、またそれらの内の一つまたはいくつかの組合せをa
m対象としてもよい。さらに、吹錬の進行に応じて組合
せを変更してもよい。
第6図は、制御因子の内の上吹酸素量及び造滓剤投入を
制御対象として用い、150を上底吹転炉において本発
明を実施した結果を示すグラフである。
制御対象として用い、150を上底吹転炉において本発
明を実施した結果を示すグラフである。
またその溶製実績を第2表に示す。
第 2 表
(11位は重量%)
第2表に明らかな如く、税燐が通正に行われた、略目標
値に等しい吹錬結果が得られた。
値に等しい吹錬結果が得られた。
また、各制御因子の組合せ及び制御量を決定する場合、
その制御因子が吹錬に及ぼし得る下達の如き影響を考慮
する。即ち、滓化の促進には5つの制御因子の内、上吹
酸素量の増加及び造滓剤投入が効果が大きいが、上吹酸
素が純酸素ガスであるため、大量に用いることは吹錬経
費を増大させ、また、造滓剤を過多に投入すると、鋼浴
の温度低下をもたらし、炉内反応の低下を招く恐れがあ
る。
その制御因子が吹錬に及ぼし得る下達の如き影響を考慮
する。即ち、滓化の促進には5つの制御因子の内、上吹
酸素量の増加及び造滓剤投入が効果が大きいが、上吹酸
素が純酸素ガスであるため、大量に用いることは吹錬経
費を増大させ、また、造滓剤を過多に投入すると、鋼浴
の温度低下をもたらし、炉内反応の低下を招く恐れがあ
る。
従って、上吹i!!!素増加量及び造滓剤投入量は一定
量以上行わずに、他の制御因子を組合せて複合的制御を
行うことが望ましい。
量以上行わずに、他の制御因子を組合せて複合的制御を
行うことが望ましい。
なお本実施例では、吹錬期間中、基準値を第4図に一点
鎖線にて示す如き一定値に設定した場合につき詳述した
が、第5図及び第6図に一点鎖線で示す如く、吹錬末期
において基準値を下げる等、その値を吹錬進行に応じて
変更してもよい。
鎖線にて示す如き一定値に設定した場合につき詳述した
が、第5図及び第6図に一点鎖線で示す如く、吹錬末期
において基準値を下げる等、その値を吹錬進行に応じて
変更してもよい。
本発明方法は、マイクロ波を用いて検知したマイクロ波
反射率と予め設定した基準値とに基づき滓化状況を判定
し、この判定結果に基づいて上吹酸素量・ランス高さ・
底吹ガス流量・ダンパ開度・造滓剤投入の滓化に影響す
る因子の調節量を単一的または複合的に設定し、滓化状
況を柔軟に制御することによって、吹錬の効率低下を招
くことなく良好な滓化状況を維持し、吹錬経費の増大を
抑えるといった優れた効果を奏する。
反射率と予め設定した基準値とに基づき滓化状況を判定
し、この判定結果に基づいて上吹酸素量・ランス高さ・
底吹ガス流量・ダンパ開度・造滓剤投入の滓化に影響す
る因子の調節量を単一的または複合的に設定し、滓化状
況を柔軟に制御することによって、吹錬の効率低下を招
くことなく良好な滓化状況を維持し、吹錬経費の増大を
抑えるといった優れた効果を奏する。
第1図は本発明方法を実施する転炉の模式図、第2図は
マイクロ波測定装置の回路例示図、第3図は、2種類の
吹錬条件における吹錬時間と反射率との関係を示すグラ
フ、第4図は反射率とT、Fe濃度との関係を示すグラ
フ、第5図及び第6図制御実施例の経通を示すグラフで
ある。 1・・・転炉 1a・・・炉口 1b・・・スラグ I
C・・・溶鋼2・・・ランス 3・・・昇降駆動モータ
4・・・羽口5・・・調節弁 6・・・アンテナ 7
・・・ジャケット8・・・ダンパ lO・・・調節弁
13・・・マイクロ波測定装置 14・・・制御回路
15・・・設定器 91.92.・・・9n・・・切出
し装置 特 許 出願人 住友金属工業株式会社代理人 弁理
士 河 野 登 夫第 4 面 第 5f!1 纂 G 記
マイクロ波測定装置の回路例示図、第3図は、2種類の
吹錬条件における吹錬時間と反射率との関係を示すグラ
フ、第4図は反射率とT、Fe濃度との関係を示すグラ
フ、第5図及び第6図制御実施例の経通を示すグラフで
ある。 1・・・転炉 1a・・・炉口 1b・・・スラグ I
C・・・溶鋼2・・・ランス 3・・・昇降駆動モータ
4・・・羽口5・・・調節弁 6・・・アンテナ 7
・・・ジャケット8・・・ダンパ lO・・・調節弁
13・・・マイクロ波測定装置 14・・・制御回路
15・・・設定器 91.92.・・・9n・・・切出
し装置 特 許 出願人 住友金属工業株式会社代理人 弁理
士 河 野 登 夫第 4 面 第 5f!1 纂 G 記
Claims (1)
- 1、転炉内のスラグ面にマイクロ波を投射し、スラグ面
から反射されたマイクロ波を検出してスラグ面でのマイ
クロ波反射率を算出し、算出した反射率を予め設定した
基準値以下にすべく、上吹酸素量・ランス高さ・底吹ガ
ス流量・ダンパ開度・造滓剤投入の滓化影響要素を単一
的にまたは複合的に設定制御することを特徴とする転炉
滓化制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6334587A JPS63227706A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 転炉滓化制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6334587A JPS63227706A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 転炉滓化制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227706A true JPS63227706A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13226560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6334587A Pending JPS63227706A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 転炉滓化制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63227706A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102305541A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-01-04 | 长沙隆泰微波热工有限公司 | 一种微波与热源相结合的烧结炉 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP6334587A patent/JPS63227706A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102305541A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-01-04 | 长沙隆泰微波热工有限公司 | 一种微波与热源相结合的烧结炉 |
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