JPS63228158A - マスク欠陥修正方法 - Google Patents
マスク欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPS63228158A JPS63228158A JP62061820A JP6182087A JPS63228158A JP S63228158 A JPS63228158 A JP S63228158A JP 62061820 A JP62061820 A JP 62061820A JP 6182087 A JP6182087 A JP 6182087A JP S63228158 A JPS63228158 A JP S63228158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- mask
- contg
- polymer film
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はマスク欠陥修正方法において、金属含有ポリマ
を塗布し、欠陥部分にレーザビームを照射して欠陥部分
に金属膜を形成し、残りの未照射部分の金属含有ポリマ
を溶媒で除去することにより、マスクを汚染する虞れな
くマスク欠陥を修正しうるようにしたものである。
を塗布し、欠陥部分にレーザビームを照射して欠陥部分
に金属膜を形成し、残りの未照射部分の金属含有ポリマ
を溶媒で除去することにより、マスクを汚染する虞れな
くマスク欠陥を修正しうるようにしたものである。
（産業上の利用分野〕
本発明はマスク欠陥修正方法に係り、特に白欠陥を修正
するマスク欠陥修正方法に関する。
するマスク欠陥修正方法に関する。
マスクの修正はマスクを汚染することなく、シかも容易
に行なえることが必要とされる。
に行なえることが必要とされる。
従来のマスク欠陥修正方法であるリフト・オフ法を第７
図（Ａ）、（Ｂ）以下に示す。各図中（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図であり、断面図は拡大して示しである。
図（Ａ）、（Ｂ）以下に示す。各図中（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図であり、断面図は拡大して示しである。
第７図（Ａ）、（Ｂ）は修正を要するマスク１の一部を
示す。同図中、２はガラス板、３はクロム膜製のマスク
パターンである。４はピンホールである。これは白欠陥
であり、金属で埋めて修正する必要がある。
示す。同図中、２はガラス板、３はクロム膜製のマスク
パターンである。４はピンホールである。これは白欠陥
であり、金属で埋めて修正する必要がある。
まず第８図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、マスク１の上
面にポジレジストを塗布し、ポジレジスト膜５を形成す
る。
面にポジレジストを塗布し、ポジレジスト膜５を形成す
る。
次に第９図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、水銀ランプよ
りの光６をピンホール４の個所に照射して露光し、第１
０図（Ａ）、（Ｂ）に示すように現像して、ポジレジス
トｌＩ５のうち照射部分を除去する。
りの光６をピンホール４の個所に照射して露光し、第１
０図（Ａ）、（Ｂ）に示すように現像して、ポジレジス
トｌＩ５のうち照射部分を除去する。
次にマスク１をスパッタリング装置内にセットし、第１
１図（Ａ）、（Ｂ）に示すようにスパッタリングにより
上面にクロム１１７を形成する。
１図（Ａ）、（Ｂ）に示すようにスパッタリングにより
上面にクロム１１７を形成する。
最後に、第１２図（Ａ＞、（Ｂ）に示すように、溶媒で
未照射部分のポジレジスト１８５を除去する。
未照射部分のポジレジスト１８５を除去する。
ポジレジスト膜５上のりＯム１Ｉ７ｂは流れ落ちて除去
され、ピンホール４を埋めている部分のクロム１１７ａ
だけが残り、ピンホール４がクロム膜７ａにより塞がれ
、白欠陥が修正される。
され、ピンホール４を埋めている部分のクロム１１７ａ
だけが残り、ピンホール４がクロム膜７ａにより塞がれ
、白欠陥が修正される。
ポジレジスト膜５を除去するときにクロム膜が流れ出し
、これがゴミとなる。即ちマスク修正の過程でゴミが生
ずることになる。
、これがゴミとなる。即ちマスク修正の過程でゴミが生
ずることになる。
クロム膜の小片８の一部は、第１３図に示すようにガラ
ス板２の表面に付着し、マスク１を汚染して新たな欠陥
を作ってしまう。
ス板２の表面に付着し、マスク１を汚染して新たな欠陥
を作ってしまう。
また特にスパッタリングエ稈があるため、マスク修正に
要する時間及び経費がかかり、工程も複雑であるという
問題点があった。
要する時間及び経費がかかり、工程も複雑であるという
問題点があった。
本発明のマスク欠陥修正り法は、白欠陥を有するマスク
上に金属含有ポリマを塗布して金属含有ポリマ膜を形成
する工程と、 上記金属含有ポリマ膜のうち上記欠陥に対応する個所に
レーザビームを照射し、金属含有ポリマ膜中の有機物を
除去し、残った金属成分により金属膜を形成するレーザ
ビーム照射工程と、上覧レーザビーム未照射部分の上記
金属含有ポリマ膜を溶媒で溶解除去する工程とよりなる
。
上に金属含有ポリマを塗布して金属含有ポリマ膜を形成
する工程と、 上記金属含有ポリマ膜のうち上記欠陥に対応する個所に
レーザビームを照射し、金属含有ポリマ膜中の有機物を
除去し、残った金属成分により金属膜を形成するレーザ
ビーム照射工程と、上覧レーザビーム未照射部分の上記
金属含有ポリマ膜を溶媒で溶解除去する工程とよりなる
。
金属含有ポリマ膜の表面に金属膜は無いため、金属含有
ポリマ膜の溶解除去の際ゴミは発生しない。
ポリマ膜の溶解除去の際ゴミは発生しない。
金属膜の形成はレーザビームの照射によっているため、
スパッタリング装置は不要となる。
スパッタリング装置は不要となる。
第１図は本発明の一実施例になるマスク欠陥修正方法の
工程図である。
工程図である。
本発明のマスク欠陥修正方法は、金属含有ポリマ膜形成
工程１０と、レーザビーム照射工程１１と、金属含有ポ
リマ膜溶解除去工程１２とよりなる。
工程１０と、レーザビーム照射工程１１と、金属含有ポ
リマ膜溶解除去工程１２とよりなる。
以下各工程について、第２図（Ａ）、（Ｂ）以下を参照
して説明する。各図中（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図
であり、断面図は拡大して示しである。
して説明する。各図中（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図
であり、断面図は拡大して示しである。
第２図（Ａ）、（Ｂ）は、修正を要するマスク２０の一
部を示す。同図中、２１はガラス板、２２はクロム膜製
のマスクパターン、２３は白欠陥を構成するピンホール
である。
部を示す。同図中、２１はガラス板、２２はクロム膜製
のマスクパターン、２３は白欠陥を構成するピンホール
である。
マスクを修正するには、まず上記の工程１０を行なう。
金属含有ポリマの一種である米国エンゲルハード社製の
メタロオルガニクス（商品名）Ａ−１１１８（型１）（
以下金属含有ポリマという）をトルエンで倍に希釈して
、１５００ｒｌ）Ｉでマスク２０の上面にスピンコーテ
ィングし、８０℃で３０分間大気中で乾燥させる。なお
、上記のメタ［１オルガニクス（Ａ−１１１８）はＡｕ
を含有したポリマである。
メタロオルガニクス（商品名）Ａ−１１１８（型１）（
以下金属含有ポリマという）をトルエンで倍に希釈して
、１５００ｒｌ）Ｉでマスク２０の上面にスピンコーテ
ィングし、８０℃で３０分間大気中で乾燥させる。なお
、上記のメタ［１オルガニクス（Ａ−１１１８）はＡｕ
を含有したポリマである。
これにより、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、マス
ク２０の上面に金属含有ポリマ膜２４が形成される。
ク２０の上面に金属含有ポリマ膜２４が形成される。
次に工程１１を行なう。
第４図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上記の金属含有ポ
リマ！１２４のうちピンホール２３に対応する個所を、
１μ−に集光させたアルゴンレーザビーム２５により５
秒間照射する。
リマ！１２４のうちピンホール２３に対応する個所を、
１μ−に集光させたアルゴンレーザビーム２５により５
秒間照射する。
照射領域は加熱され、金属含有ポリマｙＡ２４内の有機
物が除去され、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、金
属成分が残り、金属含有ポリマ膜２４は金属化され、第
５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ピンホール２３を埋
めるようにＡｕ膜２６が形成される。
物が除去され、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、金
属成分が残り、金属含有ポリマ膜２４は金属化され、第
５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ピンホール２３を埋
めるようにＡｕ膜２６が形成される。
最後に工程１２を行なう。
上記の金属含有ポリマ膜２４に適した溶媒である塩化メ
チレンを使用してレーザビーム未照射部分の金属含有ポ
リマ１１２４を溶解除去する。
チレンを使用してレーザビーム未照射部分の金属含有ポ
リマ１１２４を溶解除去する。
これにより、第６図（Ａ＞、（Ｂ）に示すように、ピン
ホール２６は５００人のＡｕ！１２６で塞がれ、白欠陥
が修正される。
ホール２６は５００人のＡｕ！１２６で塞がれ、白欠陥
が修正される。
金属含有ポリマ膜２４が溶解除去されるときに、ゴミは
何ら発生せず、マスク２０の欠陥は何らマスク２０を汚
染させずに、即ち新たな欠陥を生ぜしめることなく修正
される。
何ら発生せず、マスク２０の欠陥は何らマスク２０を汚
染させずに、即ち新たな欠陥を生ぜしめることなく修正
される。
また上記工程１０，１１．１２は全て大気圧下で行ない
得るため、修正方法は容易である。
得るため、修正方法は容易である。
またスパッタリング装置を使用しないので、従来の修正
方法に比べて、低コスト且つ短時間でマスク欠陥が修正
される。
方法に比べて、低コスト且つ短時間でマスク欠陥が修正
される。
また、必要に応じてＡｕ膜２６のガラス板２１及びマス
クパターン２２への密着力は従来に比べて強く、剥離し
にくく、剥離して再び欠陥を作る虞れも少ない。また必
要に応じて前記のメタロオルガニクスに非金属物を添加
することにより、ＡｕｗＡ２６のガラス板２１及びマス
クパターン２２への密着力を更に強くすることも可能で
ある。
クパターン２２への密着力は従来に比べて強く、剥離し
にくく、剥離して再び欠陥を作る虞れも少ない。また必
要に応じて前記のメタロオルガニクスに非金属物を添加
することにより、ＡｕｗＡ２６のガラス板２１及びマス
クパターン２２への密着力を更に強くすることも可能で
ある。
なお、マスクパターンのかけも白欠陥であるが、これも
上記と同様に修正される。
上記と同様に修正される。
また上記のメタロオルガニクス（Ａ−１１１８＞の代わ
りに、Ｃ「を含有したメタ［１オルガニクス（＃５Ｏ−
Ｄ）を使用してもよい。
りに、Ｃ「を含有したメタ［１オルガニクス（＃５Ｏ−
Ｄ）を使用してもよい。
この場合には、トルエンで倍に希釈して、１、ｏｏｏｒ
ｐｓでスピンコーティングする。次いで８０℃で３０分
間大気中で乾燥を行なう。次に１μ−に集光したアルゴ
ンレーザビームを１０秒間照射する。最後にヘキサンで
未照射部分を洗い流す。照射領域には、１ 、０００人
のＱｒの膜が形成される。
ｐｓでスピンコーティングする。次いで８０℃で３０分
間大気中で乾燥を行なう。次に１μ−に集光したアルゴ
ンレーザビームを１０秒間照射する。最後にヘキサンで
未照射部分を洗い流す。照射領域には、１ 、０００人
のＱｒの膜が形成される。
（発明の効果〕
本発明によれば、金属含有ポリマ膜が溶解除去されると
きにゴミが発生しないため、白欠陥の修正をマスクを汚
染させることなく、即ち新たな欠陥を形成する虞れなく
、マスク欠陥を修正することが出来、また、スパッタリ
ング装置を使用することなく、全て大気圧下で行なうこ
とが出来、従来に比べて低コストで且つ短時間で修正出
来るという特長を有する。
きにゴミが発生しないため、白欠陥の修正をマスクを汚
染させることなく、即ち新たな欠陥を形成する虞れなく
、マスク欠陥を修正することが出来、また、スパッタリ
ング装置を使用することなく、全て大気圧下で行なうこ
とが出来、従来に比べて低コストで且つ短時間で修正出
来るという特長を有する。
第１図は本発明になるマスク欠陥修正方法の一実施例の
工程図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）は夫々欠陥を有するマスクの一部
を示す図、 第３図（Ａ）、（Ｂ）は夫々金属含有ポリマ膜が形成さ
れたマスクを示す図、 第４図（Ａ）、＜８）は夫々レーザビーム照射状態を示
す図、 第５図（Ａ）、（Ｂ）は夫々金属膜が形成されたマスク
を示す図、 第６図（Ａ）、（Ｂ）は夫々欠陥が修正されたマスクを
示す図、 第７図（Ａ）、（Ｂ）乃至第１２図（Ａ）。 （Ｂ）は夫々従来のマスク欠陥修正方法の１例を工程毎
に説明する図、 第１３図は欠陥修正に伴って別の欠陥が生じた状態を説
明する図である。 図において、 ２０はマスク、 ２１はガラス板、 ２２はマスクパターン、 ２３はピンホール、 ２４は金属含有ポリマ膜、 ２５はアルゴンレーザビーム、 ２６はＡｔ１ｌｌｌｌである。 一実施例の工程図 第１図 生じた状態を示す図 第１３図 （Ａ） （Ｂ） 欠陥を有するマスクを示す図 第２図 （Ａ） （Ｂ） レーザビーム照射状態を示す図 第４図 （Ａ） （Ｂ） 金属膜が形成されたマスクを示す図 第５図 マスクＩくターン （Ａ＞ （Ｂ） 欠陥を有するマスクの一部を示す図 第７図 （Ａ） （Ｂ） ポルシスト膜が形成されたマスクを示す図第８図 （Ａ） （Ｂ） 露光状態を示す図 第９図
工程図、 第２図（Ａ）、（Ｂ）は夫々欠陥を有するマスクの一部
を示す図、 第３図（Ａ）、（Ｂ）は夫々金属含有ポリマ膜が形成さ
れたマスクを示す図、 第４図（Ａ）、＜８）は夫々レーザビーム照射状態を示
す図、 第５図（Ａ）、（Ｂ）は夫々金属膜が形成されたマスク
を示す図、 第６図（Ａ）、（Ｂ）は夫々欠陥が修正されたマスクを
示す図、 第７図（Ａ）、（Ｂ）乃至第１２図（Ａ）。 （Ｂ）は夫々従来のマスク欠陥修正方法の１例を工程毎
に説明する図、 第１３図は欠陥修正に伴って別の欠陥が生じた状態を説
明する図である。 図において、 ２０はマスク、 ２１はガラス板、 ２２はマスクパターン、 ２３はピンホール、 ２４は金属含有ポリマ膜、 ２５はアルゴンレーザビーム、 ２６はＡｔ１ｌｌｌｌである。 一実施例の工程図 第１図 生じた状態を示す図 第１３図 （Ａ） （Ｂ） 欠陥を有するマスクを示す図 第２図 （Ａ） （Ｂ） レーザビーム照射状態を示す図 第４図 （Ａ） （Ｂ） 金属膜が形成されたマスクを示す図 第５図 マスクＩくターン （Ａ＞ （Ｂ） 欠陥を有するマスクの一部を示す図 第７図 （Ａ） （Ｂ） ポルシスト膜が形成されたマスクを示す図第８図 （Ａ） （Ｂ） 露光状態を示す図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 白欠陥（２３）を有するマスク（２０）上に金属含有ポ
リマを塗布して金属含有ポリマ膜を形成する工程と、 上記金属含有ポリマ膜（２４）のうち上記欠陥（２３）
に対応する個所にレーザビーム（２５）を照射し、金属
含有ポリマ膜中の有機物を除去し、残つた金属成分によ
り金属膜を形成するレーザビーム照射工程と、 上記レーザビーム未照射部分の上記金属含有ポリマ膜（
２４）を溶媒で溶解除去する工程（１２）とよりなるこ
とを特徴とするマスク欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061820A JPS63228158A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | マスク欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061820A JPS63228158A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | マスク欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228158A true JPS63228158A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13182102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62061820A Pending JPS63228158A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | マスク欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181945A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111132A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Amending method of photomask |
| JPS57105741A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Image formation |
| JPS602956A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nippon Denso Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62061820A patent/JPS63228158A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111132A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Amending method of photomask |
| JPS57105741A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Image formation |
| JPS602956A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nippon Denso Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181945A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63228158A (ja) | マスク欠陥修正方法 | |
| JPS6113247A (ja) | フオトマスクの透明欠陥を修正する方法 | |
| JPS6163029A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JPS602956A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
| JPH021850A (ja) | フォトマスクの修正方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| JP2003022746A (ja) | シャドウマスクの製造方法及びシャドウマスクの製造装置 | |
| JPH075677A (ja) | ホトマスクの修正方法 | |
| JPS6347769A (ja) | パタン欠陥修正方法 | |
| JPS59129423A (ja) | イオン注入によるマスクリペア−方法 | |
| JP3366865B2 (ja) | パターン形成法 | |
| JPS6228463B2 (ja) | ||
| JPH0440456A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH08167375A (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| JPS58111317A (ja) | フオトマスクの修正方法 | |
| JPS58111038A (ja) | フオトマスクの修正方法 | |
| JPS6161378B2 (ja) | ||
| JPS63228613A (ja) | Ｘ線露光用マスクの修正方法 | |
| JPH01118135A (ja) | マスクの欠陥修正方法 | |
| JPH02116849A (ja) | パターン修正方法 | |
| JPH02253610A (ja) | 金属蒸着用リフトオフパターンの形成方法 | |
| JPS63177139A (ja) | フオトマスクの欠損欠陥修正方法 | |
| JPS6223111A (ja) | マスク修正方法 | |
| JPH05100415A (ja) | マスク欠陥修正方法 |