JPS63229696A - 読み出し専用メモリを有する半導体装置 - Google Patents
読み出し専用メモリを有する半導体装置Info
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- JPS63229696A JPS63229696A JP62064603A JP6460387A JPS63229696A JP S63229696 A JPS63229696 A JP S63229696A JP 62064603 A JP62064603 A JP 62064603A JP 6460387 A JP6460387 A JP 6460387A JP S63229696 A JPS63229696 A JP S63229696A
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気的に書き込みを行ない、光学的に消去可能
な読み出し専用メモリを回路の一部として有する半導体
装置に関する。
な読み出し専用メモリを回路の一部として有する半導体
装置に関する。
従来この種の半導体装置は、使用者側でメモリの消去・
再利用の可能な窓付ケースに組立てられたものと、使用
者側での消去が不可能なプラスチックモールドにより樹
脂封止されたものとに大別される。
再利用の可能な窓付ケースに組立てられたものと、使用
者側での消去が不可能なプラスチックモールドにより樹
脂封止されたものとに大別される。
このうち窓付ケースを用いたものは、例えば紫外線の吸
収の少ない石英ガラスの窓を用いる等により高価であっ
た。またモールド樹脂封止のものは安価であるが、使用
者側でのデータ消去・再利用が不可能であることや製造
者側での組立後のデータ書き込みができないので、封止
後の試験が十分に行えなかった。さらに、このメモリを
調整用データの収容に用いようとする場合、各々の調整
用データは相互に予測の困難な相関を有するもののよう
に、複数点の追い込み調整が必要な用途には使用できな
いなどの制限が加えられていた。
収の少ない石英ガラスの窓を用いる等により高価であっ
た。またモールド樹脂封止のものは安価であるが、使用
者側でのデータ消去・再利用が不可能であることや製造
者側での組立後のデータ書き込みができないので、封止
後の試験が十分に行えなかった。さらに、このメモリを
調整用データの収容に用いようとする場合、各々の調整
用データは相互に予測の困難な相関を有するもののよう
に、複数点の追い込み調整が必要な用途には使用できな
いなどの制限が加えられていた。
従って、これらの用途には、従来から光学的消去を行な
うメモリに比し回路や製造プロセスが複雑な電気的に書
き込み消去可能な読み出し専用メモリを用いることが多
かった。
うメモリに比し回路や製造プロセスが複雑な電気的に書
き込み消去可能な読み出し専用メモリを用いることが多
かった。
上述した従来の読み出し専用メモリを有する半導体装置
は、電気的に書き込み消去可能な読み出し専用メモリで
構成されているので、光学的消去可能な読み出し専用メ
モリに比し回路と製造プロセスが複雑となり、チップ中
の極く一部にこの種のメモリを必要とするような用途に
は不経済になるという欠点があった。
は、電気的に書き込み消去可能な読み出し専用メモリで
構成されているので、光学的消去可能な読み出し専用メ
モリに比し回路と製造プロセスが複雑となり、チップ中
の極く一部にこの種のメモリを必要とするような用途に
は不経済になるという欠点があった。
従って従来の読み出し専用メモリを有する半導体装置の
欠点に対し本発明は、光学的消去を行なわずに疑似的に
無制限の書き替えを可能とするという独創的内容を有す
る。
欠点に対し本発明は、光学的消去を行なわずに疑似的に
無制限の書き替えを可能とするという独創的内容を有す
る。
本発明の半導体装置は、少なくとも光学的に消去可能な
読み出し専用メモリと、読み出し書き込みメモリと、前
記読み出し書き込みメモリから前記読み出し専用メモリ
へのデータ転送手段とを備え遮光性外囲器に封入して構
成される。
読み出し専用メモリと、読み出し書き込みメモリと、前
記読み出し書き込みメモリから前記読み出し専用メモリ
へのデータ転送手段とを備え遮光性外囲器に封入して構
成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１〜３図はそれぞれ本発明の第一〜第三の実施例の構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
まず、本発明の概要について説明する。
この半導体装置の内容は、あらかじめ使用者側において
調整された定数を読み出し専用メモリ部（ＲＯＭ部）に
格納し、これを用いて作動せしめる論理回路・アナログ
回路（以下メモリ信号発生手段という）とともに半導体
チップ上に形成されモールド樹脂に封止された半導体装
置である。そのため、樹脂封止前にＲＡＭ部・ＲＯＭ部
を用意し、その正常性を製造者側でチェックした後にＲ
ＯＭ部のデータを消去してモールド封止を行う。
調整された定数を読み出し専用メモリ部（ＲＯＭ部）に
格納し、これを用いて作動せしめる論理回路・アナログ
回路（以下メモリ信号発生手段という）とともに半導体
チップ上に形成されモールド樹脂に封止された半導体装
置である。そのため、樹脂封止前にＲＡＭ部・ＲＯＭ部
を用意し、その正常性を製造者側でチェックした後にＲ
ＯＭ部のデータを消去してモールド封止を行う。
そして、それ以降使用者が行う機能試験はＲＡＭ部を用
いて行なうことができる。従ってこの製品を利用する製
造者も調整が完了するまで、または仕様が凍結するまで
はＲＡＭ部を用いて評価を行ない、評価完了後ＲＡＭか
らＲＯＭにデータを転送し、ＲＯＭ部のデータとして電
源切断等があっても半永久的に利用できるようにしたも
のである。
いて行なうことができる。従ってこの製品を利用する製
造者も調整が完了するまで、または仕様が凍結するまで
はＲＡＭ部を用いて評価を行ない、評価完了後ＲＡＭか
らＲＯＭにデータを転送し、ＲＯＭ部のデータとして電
源切断等があっても半永久的に利用できるようにしたも
のである。
以下、第一〜第三の実施例について説明する。
本発明の第一の実施例は、第１図に示す回路が半導体チ
ップ上に形成され、樹脂モールドで封止されて成り、Ｒ
ＡＭ部８とＲＯＭ部９とデータ転送手段５と切替回路１
０とメモリ信号発生手段３１とで構成される。
ップ上に形成され、樹脂モールドで封止されて成り、Ｒ
ＡＭ部８とＲＯＭ部９とデータ転送手段５と切替回路１
０とメモリ信号発生手段３１とで構成される。
ここで第１図のＸアドレスデコーダ１はＲＡＭセルアレ
イ３のＸ方向特定位置を選択するためのものであり、Ｙ
アドレスデコーダ２はＹ方向の特定位置を選択するため
のものである。メモリ信号発生手段３１からの出力によ
りあらかじめＲＡＭ部１に書き込まれたデータは、この
ＸおよびＹアドレスデコーダト２によりＲＡＭセルアレ
イ３の中から選択され、センスアンプ６により読み出さ
れてデータ転送手段５上に出力される。このデータは電
気的に書き込み可能なＲＯＭ部９のＲＯＭセルアレイ４
上のアドレスを指定するＸおよびＹアドレスデコーダト
２と書き込み回路７とを用いて切替回路１０の指定によ
りＲＯＭ部９を選択し半永久的にＲＯＭセルアレイ４上
に書き込むことができる。
イ３のＸ方向特定位置を選択するためのものであり、Ｙ
アドレスデコーダ２はＹ方向の特定位置を選択するため
のものである。メモリ信号発生手段３１からの出力によ
りあらかじめＲＡＭ部１に書き込まれたデータは、この
ＸおよびＹアドレスデコーダト２によりＲＡＭセルアレ
イ３の中から選択され、センスアンプ６により読み出さ
れてデータ転送手段５上に出力される。このデータは電
気的に書き込み可能なＲＯＭ部９のＲＯＭセルアレイ４
上のアドレスを指定するＸおよびＹアドレスデコーダト
２と書き込み回路７とを用いて切替回路１０の指定によ
りＲＯＭ部９を選択し半永久的にＲＯＭセルアレイ４上
に書き込むことができる。
本発明の半導体装置の製作においては、まず樹脂封止前
にＲＡＭ部８とＲＯＭ部９との正常性をチェックし、続
いてこの時点で試験などのためＲＯＭ部９に書き込まれ
たチェック用データを光学的に消去して樹脂封止を行な
う。樹脂封止後の機能試験は切替回路１０の指定により
ＲＡＭ部８を選択しＲＡＭ部８のみを用いて行なう。
にＲＡＭ部８とＲＯＭ部９との正常性をチェックし、続
いてこの時点で試験などのためＲＯＭ部９に書き込まれ
たチェック用データを光学的に消去して樹脂封止を行な
う。樹脂封止後の機能試験は切替回路１０の指定により
ＲＡＭ部８を選択しＲＡＭ部８のみを用いて行なう。
続いてこの製品を利用する使用者は、メモリ信号発生手
段３１の調整が完了するまでまたは仕様が凍結するまで
切替回路１０によりＲＡＭ部８を指定して検討を行い、
Ｒ，ＯＭ部９に収容されるべきデータが確定したのちに
、データ転送回路５によりＲＡＭ部８からＲＯＭ部９ヘ
データを転送し、書き込み回路７を通して書き込むこと
ができる。
段３１の調整が完了するまでまたは仕様が凍結するまで
切替回路１０によりＲＡＭ部８を指定して検討を行い、
Ｒ，ＯＭ部９に収容されるべきデータが確定したのちに
、データ転送回路５によりＲＡＭ部８からＲＯＭ部９ヘ
データを転送し、書き込み回路７を通して書き込むこと
ができる。
しかるのち切替回路１０によりＲＡＭ部８がちＲＯＭ部
９に制御を切替えることによって、電源切断等があって
もＲＯＭ部９のデータを半永久的に利用できる。
９に制御を切替えることによって、電源切断等があって
もＲＯＭ部９のデータを半永久的に利用できる。
本発明の第二の実施例は、第２図に示す回路が半導体チ
ップ上に形成され、樹脂モールドで封止されて成り、Ｒ
ＡＭＡｌＢ１２ＯＭ部１９とデータ転送手段１５と切替
回路２０とメモリ信号発生手段４１とで構成される。こ
の実施例では、ＲＡＭＡｌＢ１２ＯＭ部１つとに共通な
ＸおよびＹアドレスデコーダ部１１・１２を共用しチッ
プサイズの縮小を図った例であり、上述の構成上の相違
点を除けば第一の実施例とまったく同様の動作が行われ
る。従ってこの時も各メモリの入出力は切替回路２０に
よって切替られる。
ップ上に形成され、樹脂モールドで封止されて成り、Ｒ
ＡＭＡｌＢ１２ＯＭ部１９とデータ転送手段１５と切替
回路２０とメモリ信号発生手段４１とで構成される。こ
の実施例では、ＲＡＭＡｌＢ１２ＯＭ部１つとに共通な
ＸおよびＹアドレスデコーダ部１１・１２を共用しチッ
プサイズの縮小を図った例であり、上述の構成上の相違
点を除けば第一の実施例とまったく同様の動作が行われ
る。従ってこの時も各メモリの入出力は切替回路２０に
よって切替られる。
本発明の第三の実施例は、第３図に示す回路が半導体チ
ップ上に形成され、樹脂モールドで封止されて成り、複
数個のＲＡＭセル２３と、ＲＯＭセル２４と、切替回路
３０と、Ｘアドレスデコーダ２１と、Ｙアドレスデコー
ダ２２と、メモリ信号発生手段５１と、Ｘ方向のアドレ
ス個数分のデータ転送手段２５とセンスアンプ２６とＲ
ＡＭ／ＲＯＭ書込み回路２７とを備えている。また、本
実施例ではＲＡＭセル２３として４個のトランジスタと
負荷抵抗とを備えたスタティックＲＡＭを、ＲＯＭセル
２４としてＳ Ａ Ｍ ＯＳ （５ｔａｃｋｅｄＧａｔ
ｅ Ａｖａｌａｆｆｃｈｅ ＩＱｊｅｃｔｉｏｎ ＭＯ
Ｓ） ）ランジスタによるＥＰＲＯＭセルを用いている
。
ップ上に形成され、樹脂モールドで封止されて成り、複
数個のＲＡＭセル２３と、ＲＯＭセル２４と、切替回路
３０と、Ｘアドレスデコーダ２１と、Ｙアドレスデコー
ダ２２と、メモリ信号発生手段５１と、Ｘ方向のアドレ
ス個数分のデータ転送手段２５とセンスアンプ２６とＲ
ＡＭ／ＲＯＭ書込み回路２７とを備えている。また、本
実施例ではＲＡＭセル２３として４個のトランジスタと
負荷抵抗とを備えたスタティックＲＡＭを、ＲＯＭセル
２４としてＳ Ａ Ｍ ＯＳ （５ｔａｃｋｅｄＧａｔ
ｅ Ａｖａｌａｆｆｃｈｅ ＩＱｊｅｃｔｉｏｎ ＭＯ
Ｓ） ）ランジスタによるＥＰＲＯＭセルを用いている
。
以下、第三の実施例の動作について簡単に述べる。
メモリ信号発生手段５１により発生された信号は、デー
タ転送手段２５・ＲＯＭ／ＲＡＭ−３き込み回路２７・
切替回路３０を経由してＲＡＭセル２３のフリップフロ
ップ回路の状態として記憶される。このとき特定のＲＡ
Ｍセルを選択するためＸアドレスデコーダ１００ＸとＹ
アドレスデコーダ１００Ｙとが用いられる。次に、ＲＡ
Ｍ部を用い検証されたデータは、一旦切替回路３０・セ
ンスアンプ２６により読み出され、データ転送手段２５
を経由してＲＯＭ／ＲＡＭ書き込み回路２７に送出され
る。このとき切替回路３０により書き込み回路の出力を
ＲＯＭセル２４に接続することによりＲＡＭ部に対応す
るアドレス位置のＲＯＭセルに該当データを書き込むこ
とができる。以上の動作を全アドレスについて行うこと
でＲＡ ＭデータをＲＯＭに転送できる。
タ転送手段２５・ＲＯＭ／ＲＡＭ−３き込み回路２７・
切替回路３０を経由してＲＡＭセル２３のフリップフロ
ップ回路の状態として記憶される。このとき特定のＲＡ
Ｍセルを選択するためＸアドレスデコーダ１００ＸとＹ
アドレスデコーダ１００Ｙとが用いられる。次に、ＲＡ
Ｍ部を用い検証されたデータは、一旦切替回路３０・セ
ンスアンプ２６により読み出され、データ転送手段２５
を経由してＲＯＭ／ＲＡＭ書き込み回路２７に送出され
る。このとき切替回路３０により書き込み回路の出力を
ＲＯＭセル２４に接続することによりＲＡＭ部に対応す
るアドレス位置のＲＯＭセルに該当データを書き込むこ
とができる。以上の動作を全アドレスについて行うこと
でＲＡ ＭデータをＲＯＭに転送できる。
本実施例ではＲＯＭセルとしてＳＡＭＯＳを用いた電気
的に書き込み可能なＲＯＭセルならいずれでもよい。さ
てこのようにしてＲＯＭセルに書き込まれたデータは、
切替回路３０を常時ＲＯＭセル２４に接続しておくこと
によって電源断等があっても半永久的に使用できる。こ
の実施例ではＲＡＭセルアレイ・ＲＯＭセルアレイを別
個に置く場合に比し、配線領域が減少しチップサイズを
小さくできるという利点がある。
的に書き込み可能なＲＯＭセルならいずれでもよい。さ
てこのようにしてＲＯＭセルに書き込まれたデータは、
切替回路３０を常時ＲＯＭセル２４に接続しておくこと
によって電源断等があっても半永久的に使用できる。こ
の実施例ではＲＡＭセルアレイ・ＲＯＭセルアレイを別
個に置く場合に比し、配線領域が減少しチップサイズを
小さくできるという利点がある。
以上述べたように本発明は、光学的に消去可能な読み出
し専用メモリをその一部に有する半導体装置を樹脂封止
する等遮光性外囲器に封入した場合に読出し専用メモリ
とともに読み出し書き込みメモリ（ＲＡＭ）と読み出し
書き込みメモリ（ＲＡＭ）から読み出し専用メモリ（Ｒ
ＯＭ）へのデータ転送手段を備えることにより、使用者
側でのＲＡＭ部を用いた疑似的な複数回の書き替えや製
造者側での試験のためのＲＡＭ部を用いた書き替え等を
可能にするという効果がある。
し専用メモリをその一部に有する半導体装置を樹脂封止
する等遮光性外囲器に封入した場合に読出し専用メモリ
とともに読み出し書き込みメモリ（ＲＡＭ）と読み出し
書き込みメモリ（ＲＡＭ）から読み出し専用メモリ（Ｒ
ＯＭ）へのデータ転送手段を備えることにより、使用者
側でのＲＡＭ部を用いた疑似的な複数回の書き替えや製
造者側での試験のためのＲＡＭ部を用いた書き替え等を
可能にするという効果がある。
施例の構成を示すブロック図。
８・１８ ： ＲＡＭ部、９・１９ ： ＲＯＭ部、５
・１５・２５：データ転送手段、１ｏ・２ｏ・３０：切
替回路、２３：ＲＡＭセル、２４ ： ＲＯＭセル、３
１・４１：メモリ信号発生手段。
・１５・２５：データ転送手段、１ｏ・２ｏ・３０：切
替回路、２３：ＲＡＭセル、２４ ： ＲＯＭセル、３
１・４１：メモリ信号発生手段。
Claims (1)
- 少なくとも光学的に消去可能な読み出し専用メモリと
、読み出し書き込みメモリと、前記読み出し書き込みメ
モリから前記読み出し専用メモリへのデータ転送手段と
を備え遮光性外囲器に封入してなる前記読み出し専用メ
モリを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064603A JPS63229696A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 読み出し専用メモリを有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064603A JPS63229696A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 読み出し専用メモリを有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229696A true JPS63229696A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13262997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62064603A Pending JPS63229696A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 読み出し専用メモリを有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229696A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179999A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JPS61207000A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-13 | Toshiba Corp | ワンタイム型読出し専用メモリ |
| JPS6235674A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 記憶装置のデ−タ消去方法 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62064603A patent/JPS63229696A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60179999A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JPS61207000A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-13 | Toshiba Corp | ワンタイム型読出し専用メモリ |
| JPS6235674A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 記憶装置のデ−タ消去方法 |
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