JPS63232425A - Formation of mask absorber film for x-ray exposure - Google Patents
Formation of mask absorber film for x-ray exposureInfo
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- JPS63232425A JPS63232425A JP62066254A JP6625487A JPS63232425A JP S63232425 A JPS63232425 A JP S63232425A JP 62066254 A JP62066254 A JP 62066254A JP 6625487 A JP6625487 A JP 6625487A JP S63232425 A JPS63232425 A JP S63232425A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造時に使用されるｘ！ａ露
光用のマスクに関し、さらに詳しくは、Ｘ線露光用マス
クにおけるＸ線吸収体パターン膜の形成方法に係るもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] This invention is applicable to x! The present invention relates to a mask for exposure, and more specifically relates to a method of forming an X-ray absorber pattern film in a mask for X-ray exposure.
従来から、この種のｘｍｘ光用マスクのＸ線吸収体パタ
ーン材料としては、一般にＡｕ（金）が用いられてきた
。Conventionally, Au (gold) has generally been used as an X-ray absorber pattern material for this type of xmx light mask.
このＡｕ材料は、軟Ｘ線に対して吸収係数が大きく、か
つ他の金属材料に比較して柔らかい材料であるため、マ
スク基板上にパターン膜を形成した場合、吸収体パター
ンの位置歪みの原因となるところの、基板に与える応力
を小さくし得ると云う特長がある。This Au material has a large absorption coefficient for soft X-rays and is softer than other metal materials, so when a pattern film is formed on a mask substrate, it causes positional distortion of the absorber pattern. It has the advantage that the stress applied to the substrate can be reduced.
しかし、この反面、Ａｕ材料は、化学的に安定であるこ
とから、同Ａｕ材料によってＸ線吸収体パターン膜を形
成する際に、現在、半導体装置製造時の微細加工プロセ
スで多用されている反応性イオンエツチング法（ＲＩＥ
）を適用することができず、加工性の点で問題を有して
おり、このために、近年に至っては、このＡｕ材料と同
程度のＸ線吸収係数をもつ讐（タングステン）を、吸収
体パターン膜の材料として用いるようにしたＸ線露光用
マスクの開発がなされてきている。However, on the other hand, since Au material is chemically stable, when forming an X-ray absorber pattern film using the same Au material, the reaction that is currently frequently used in the microfabrication process during semiconductor device manufacturing is difficult. Reactive ion etching method (RIE)
) cannot be applied, and there are problems in terms of processability.For this reason, in recent years, the material that absorbs tungsten, which has an X-ray absorption coefficient similar to that of this Au material, has been used. X-ray exposure masks that are used as materials for body pattern films have been developed.
しかして、このＷ材料に関しては、これを通常のＲＩＥ
法によるＣＦ４などの反応性ガスによってエツチングし
得るために、吸収体パターン膜に要求されるところの、
パターンエツジが垂直でかつパターン幅がｌ終■程度の
吸収膜を比較的容易に形成できるのであるが、ご覧でも
、一方、このＷパターン膜は、マスク基板となるＳ ＋
Ｎ −Ｓ ｓ ０２．８ Ｎなどの無機系材料に対す
る接着性が悪く、Ｘ線吸収体パターン膜形成後のマスク
洗浄などにおいて、形成された吸収体パターン膜が剥離
されてしまう場合があると云う問題点がある。However, regarding this W material, it is difficult to perform normal RIE.
Absorber patterned films are required to be etched by reactive gases such as CF4 by process.
It is relatively easy to form an absorbing film with vertical pattern edges and a pattern width of approximately 1/4 inch, but as you can see, on the other hand, this W pattern film has an S +
It is said that the adhesion to inorganic materials such as N-S s 02.8 N is poor, and the formed absorber pattern film may be peeled off during mask cleaning after forming the X-ray absorber pattern film. There is a problem.
そこで、本発明者らは、この問題点を解決するため、先
に特願昭８１−１９１５９９１号として、 ｗ（タング
ステン）にＴｉ（チタン）を加えた合金、つまりＴｉ−
Ｗ合金を吸収体パターン材料とするＸ線露光用マスクを
開発した。Therefore, in order to solve this problem, the present inventors previously proposed an alloy in which Ti (titanium) is added to w (tungsten), in Japanese Patent Application No. 81-1915991, that is, Ti-
We have developed an X-ray exposure mask using W alloy as the absorber pattern material.
すなわち、このＸ線吸収体パターン材料として用いるＴ
ｉ−Ｗ合金は、Ｔｉの含有量が０．５〜１０ｗｔＸのと
き、Ｘ線露光において利用されるＰｄＬαとかＭｏＬα
などの軟Ｘ線に対して吸収係数が大きく、前記したＲＩ
Ｅ法による微細加工が可能であって、しかもマスク基板
としてのＳｉＮとかＳ ｉ ０２などの無機系材料に対
する接着性も良好になるもので、このことからＸ線吸収
体パターン膜として、 ０．５〜１０ｗｔ＄のＴｉを含
有するＴｉ−Ｗ合金を用いるようにしているのである。That is, T used as this X-ray absorber pattern material
When the Ti content is 0.5 to 10 wtX, the i-W alloy can be used for
It has a large absorption coefficient for soft X-rays such as
Microfabrication using the E method is possible, and it also has good adhesion to inorganic materials such as SiN and SiO2 as mask substrates.For this reason, it is suitable for use as an X-ray absorber pattern film. A Ti-W alloy containing ~10 wt$ of Ti is used.
しかして、前記提案に係るＴｉ−Ｗ合金を用いたＸ線吸
収体パターン材料においては、マスクパターンの位置歪
みを可及的に小さくするために、その内部応力を可能な
限り小さな値になるようにして、これをマスク基板上に
膜形成させる必要があり、このためにこ−でのＴｉ−合
金による成膜には、一般にＡｒ（アルゴン）ガスを用い
たスパッタ成膜法が適用され、かつその応力制御法とし
て、内部応力のＡｒガス圧力依存性を利用する手段が採
用されている。Therefore, in the X-ray absorber pattern material using the Ti-W alloy according to the proposal, in order to minimize the positional distortion of the mask pattern, the internal stress is set to the lowest possible value. Then, it is necessary to form a film on a mask substrate, and for this purpose, sputtering film formation using Ar (argon) gas is generally applied to film formation using Ti-alloy. As a stress control method, a method is adopted that utilizes the dependence of internal stress on Ar gas pressure.
こ翫で第２図には、前記Ｔｉ−合金をＡｒガスによる反
応性ガスを用いてＤＣ放電スパッタ成膜法により成膜さ
せたときの、Ａｒガス圧力とＴｉ−６１合金膜の内部に
生ずる応力（内部応力）との関係を示しである。Figure 2 shows the Ar gas pressure and the pressure generated inside the Ti-61 alloy film when the Ti-alloy is deposited by the DC discharge sputtering method using a reactive gas of Ar gas. The relationship with stress (internal stress) is shown.
すなわち、この第２図から明らかな通り、Ａｒガス圧力
が低圧（ｌＱｍｔｏｒｒ）状態から増加するのに伴い、
Ｔｉ−１合金膜の内部に生ずる応力は、圧縮力から引張
り力に急激に変化し、かつ３Ｑｍｔｏｒｒ以上のＡｒガ
ス圧力では、その圧力と共に内部応力が小さくなって、
５０■ｔｏｒｒ以上ではＣ一定した小さな値となるこ
とを示しており、このＡｒガス圧力と内部応力との関係
から、内部応力の小さいＴｉ−１合金膜を得るためには
、お−よそ、 １４ｓｔｏｒｒまたは５０層ｔｏｒｒ以
上のＡｒガス圧力で成膜すれば良いことが判る。That is, as is clear from FIG. 2, as the Ar gas pressure increases from the low pressure (lQmtorr) state,
The stress generated inside the Ti-1 alloy film changes rapidly from compressive force to tensile force, and at Ar gas pressure of 3Q mtorr or more, the internal stress decreases with the pressure,
It is shown that C becomes a constant small value above 50 torr, and from the relationship between this Ar gas pressure and internal stress, in order to obtain a Ti-1 alloy film with small internal stress, approximately 14 torr is required. Alternatively, it can be seen that the film may be formed at an Ar gas pressure of 50 torr or more.
しかし一方、このようにして成膜されたＴｉ−１合金膜
の密度を測定した結果によれば、Ａｒガス圧力が１４ｓ
ｔｏｒｒでは１８．８１／ａｒｍ” 、同５０ｍｔｏｒ
ｒ以上では１３ 、０ｇ／ｃは以下となって、５軸ｔｏ
ｒｒ以上の成膜の場合には、密度が小さくて吸収体膜と
して十分に作用しないことが判明しており、このために
低い内部応力でのＴｉ−１合金膜の成膜には％Ａｒガス
圧力の増加に従って内部応力が圧縮力から引張り力に急
激に変化する圧力範囲、つまり、内部応力ゼロを横切る
Ａｒガス圧力（お−よそ１４ｓｔｏｒｒ）で行なうよう
にしているのである。However, according to the results of measuring the density of the Ti-1 alloy film formed in this way, it was found that the Ar gas pressure was
Torr is 18.81/arm”, same is 50mtor
Above r, 13, 0g/c becomes below, and 5 axis to
It has been found that when the film is formed at a temperature higher than rr, the density is too small to function sufficiently as an absorber film.For this reason, %Ar gas is used to form a Ti-1 alloy film with low internal stress. The process is carried out at a pressure range in which the internal stress rapidly changes from compressive force to tensile force as the pressure increases, that is, at an Ar gas pressure (approximately 14 storr) that crosses zero internal stress.
このように、先に提案したＴｉ−１合金膜によるＸ線吸
収体パターン膜のＴＩｒ、Ｉｌ！Ｉにおいては、 Ａｒ
ガスを用いたスパッタ成膜法により、 Ａｒガス圧力の
増加に従って、内部応力が圧縮力から引張り力に急激に
変化する圧力範囲での、内部応力ゼロを横切るＡｒガス
圧力で行なうようにしているために、成膜中でのガス圧
力の変動が、成膜後における吸収体膜の内部応力に強く
影響して、低内部応力によるＸ線吸収体パターン膜を再
現性良く得られないと云う不都合があった。In this way, the TIr, Il! In I, Ar
Due to the sputtering film formation method using gas, the process is carried out at an Ar gas pressure that crosses zero internal stress in a pressure range where the internal stress changes rapidly from compressive force to tensile force as the Ar gas pressure increases. Another disadvantage is that fluctuations in gas pressure during film formation strongly affect the internal stress of the absorber film after film formation, making it difficult to obtain an X-ray absorber pattern film with low internal stress with good reproducibility. there were.
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであって、その目的とするところは、Ｔｉ
−１合金膜による低内部応力のＸ線吸収体パターン膜を
再現性良く得るための、この種のｘＨ露光用マスク吸収
体膜の形成方法を提供することである。This invention was made to solve these conventional problems, and its purpose is to
It is an object of the present invention to provide a method for forming a mask absorber film for xH exposure of this type, in order to obtain an X-ray absorber pattern film with low internal stress using a -1 alloy film with good reproducibility.
Ｃ問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係るＸ線露光用
マスク吸収体膜の形成方法は、 Ｔｉ（チタン）を含有
するＴｉ（チタン）−（タングステン）合金を用いたＸ
線吸収体パターン膜材料を、Ａｒ（アルゴン）ガスにＮ
２（窒素）ガスを加えた反応性ガスでスパッタリングし
て成膜させるようにしたものである。Means for Solving Problem C] In order to achieve the above object, the method for forming an X-ray exposure mask absorber film according to the present invention includes: Ti (titanium)-(tungsten) containing Ti (titanium) X using alloy
The line absorber pattern film material is mixed with Ar (argon) gas and N.
The film is formed by sputtering using a reactive gas containing 2 (nitrogen) gas.
すなわち、この発明方法においては、スパッタ成膜法に
よって、マスク基板上に〒ｉ−Ｗ合金膜を形成する際、
Ａｒガス＆、２Ｎガスを加えた反応性ガスを用いること
により、Ｔｉ−Ｗ合金膜内にＮ２を混入させるようにし
たので、吸収係数が良好で、かつ低内部応力のＴｉ−１
１合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性良く形成
し得るのである。That is, in the method of this invention, when forming an i-W alloy film on a mask substrate by sputtering film-forming method,
By using a reactive gas containing Ar gas and 2N gas, N2 is mixed into the Ti-W alloy film, so Ti-1 has a good absorption coefficient and low internal stress.
Therefore, it is possible to form an X-ray absorber pattern film using a single alloy film with good reproducibility.
以下、この発明に係るＸ＆ｌ露光用マスク吸収体パター
ン膜の形成方法の一実施例につき、第１図（ａ）および
（ｂ）を参照して詳細に説明する。Hereinafter, one embodiment of the method for forming a mask absorber pattern film for X&I exposure according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1(a) and 1(b).
第１図（ａ）はターゲットとしてＴｉ−Ｗ合金を用い、
かつＡｒガスにＮ２ガスを２０ｚ程度加えた反応性ガス
を用い、ＩｌＣｌｋｗの放電によってスパッタ成膜した
場合での、 Ｔｉ−１合金膜の内部応力とガス圧力と
の関係を示したものであり、また、同図（ｂ）はこれと
同様に、ターゲットとしてＴｉ−Ｗ合金を用い、かつＡ
ｒガスにＮ２ガスを３０％程度加えた反応性ガスを用い
、ＤＣｌｋｗの放電によってスパッタ成膜した場合での
、↑ト讐合金膜の内部応力とガス圧力との関係を示した
ものである。Figure 1(a) uses a Ti-W alloy as the target,
It also shows the relationship between the internal stress of the Ti-1 alloy film and the gas pressure when the film is formed by sputtering by IlClkw discharge using a reactive gas consisting of Ar gas and N2 gas added at about 20z. In addition, in the same way, the same figure (b) uses a Ti-W alloy as the target and A
This figure shows the relationship between the internal stress of the ↑ alloy film and the gas pressure when the film is formed by sputtering by DCLKW discharge using a reactive gas in which about 30% N2 gas is added to r gas.
すなわち、この第１図（ａ）に示されているところの、
ＡｒガスにＮ２ガスをおへよそ２０％程度加えた反応性
ガスを用いる場合にあっては、Ｔｆ−１合金膜の内部応
力とガス圧力との関係が、前記した従来での、Ａｒガス
のみによる反応性ガスを用いたスパッタ成膜法の場合と
はダ同様な傾向を示していて、低圧（１０■ｔｏｒｒ）
状態から圧力が増加するのに伴って、Ｔｉ−１合金膜の
内部に生ずる応力は、圧縮力から引張り力に急激に変化
し、その後における３０■ｔｏｒｒ以りのＡｒガス圧力
で内部応力を小さくし得るのであるが、しかしこの場合
、引張り力が最大になるときの内部応力の大きさは、Ａ
ｒガスのみによるスパッタ成膜法に比較して約局程度ま
で小さくなっており、これによって、Ｔｉ−Ｗ合金膜内
へのＮ２ガスの混入が、その内部応力を小さくするのに
役立っていることが判る。That is, as shown in FIG. 1(a),
When using a reactive gas in which approximately 20% N2 gas is added to Ar gas, the relationship between the internal stress of the Tf-1 alloy film and the gas pressure is similar to that of the conventional Ar gas alone. The results show the same tendency as in the case of sputtering film formation using reactive gas, and at low pressure (10 Torr)
As the pressure increases from this state, the stress generated inside the Ti-1 alloy film rapidly changes from compressive force to tensile force, and then the internal stress is reduced by Ar gas pressure of 30 Torr or higher. However, in this case, the magnitude of the internal stress when the tensile force is maximum is A
Compared to the sputtering film formation method using only r gas, the stress is reduced to about 100%, and as a result, the incorporation of N2 gas into the Ti-W alloy film helps to reduce its internal stress. I understand.
また、同図（ｂ）の場合は、前例よりもＡｒガスへのＮ
２ガスの混入量を３０１程度に増加させたものであって
、この場合には、ガス圧力の増加と共に、１０■ｔｏｒ
ｒから１５■ｔｏｒｒまでの間は、その内部応力が圧縮
力から引張り力に急激に変化するが、しかし、ガス圧力
が１５■ｔｏｒｒ以上になると、その変化の割合が非常
に小さくなるもので、２０ｔｘｔａｒｒないし３０■ｔ
ｏｒｒのガス圧力で成膜したＴｉ−１合金膜の内部応力
は、０．５〜２．ＯＸｌ０８Ｎ／ゴと非常に小さくなり
、この値は、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン膜とし
て十分に満足できるものであり、そしてまた、このとき
のＴｉ−臀合金膜の密度については、 １７〜１８．５
ｇ／ａｍ″であって、その吸収係数も十分に大きくと
り得るのである。In addition, in the case of the same figure (b), N is applied to Ar gas more than in the previous example.
In this case, the amount of mixed gas is increased to about 301, and in this case, as the gas pressure increases, 10 Torr
Between r and 15 Torr, the internal stress changes rapidly from compressive force to tensile force, but when the gas pressure exceeds 15 Torr, the rate of change becomes extremely small. 20txtarr to 30■t
The internal stress of the Ti-1 alloy film formed at a gas pressure of orr is 0.5 to 2. OX108N/G, which is very small, and this value is fully satisfactory as an absorber pattern film for an X-ray exposure mask.The density of the Ti-butt alloy film at this time is 17~ 18.5
g/am'', and its absorption coefficient can also be sufficiently large.
さらに、ＡｔガスへのＮガスの混入量を３０％程度とし
、かつガス圧力を２０■ｔｏｒｒないし３０■ｔｏｒｒ
内の一点に設定し、１０回はど成膜を繰り返して、それ
ぞれの場合での〒ｉＪ合金膜の内部応力を測定した結果
、同内部応力の変動は、平均的に５ｚ以下であって、そ
の内部応力の再現性も良いことを確認できた。Furthermore, the amount of N gas mixed into the At gas is set to about 30%, and the gas pressure is set to 20 to 30 torr.
The internal stress of the 〒iJ alloy film was measured in each case by repeating the film formation 10 times, and the variation in the internal stress was 5z or less on average. It was confirmed that the reproducibility of the internal stress was also good.
次に、ＡｒガスへのＮ２ガスの混入量を３０％ 、ガス
圧力を３０鳳ｔｏｒｒとしたスパッタ成膜法によって、
直径５０ｍ５φ、膜厚４濤層のＢＮ（ボロンナイトライ
ド）薄膜基板上に、膜厚ＩＪＬｍの〒ｉ−合金膜を成膜
させ、かつこのようにして得たＴｉ−１合金膜をＣＦ、
ガスによるＲＩＥ法により、所望のパターンにエツチン
グ成形して所期のＸ線吸収体パターン膜とし、光波干渉
式座標測定器を用い、このＸ線吸収体パターン膜におけ
るマスクパターンの位置精度、を測定したところ、その
位置ずれ量は、設計値に対してσ ；±０．０８ＪＬ
１以下であって、低！、！
歪みによるＸ線露光用マスクを容易に得ることができた
。Next, a sputtering film formation method was used in which the amount of N2 gas mixed into the Ar gas was 30%, and the gas pressure was 30 Torr.
A 〒i-alloy film with a film thickness of IJLm was formed on a BN (boron nitride) thin film substrate with a diameter of 50m5φ and a film thickness of 4 layers, and the Ti-1 alloy film thus obtained was coated with CF,
The desired X-ray absorber pattern film is etched into the desired pattern using the RIE method using gas, and the positional accuracy of the mask pattern in this X-ray absorber pattern film is measured using a light wave interference type coordinate measuring device. As a result, the amount of positional deviation was σ ; ±0.08JL with respect to the design value.
Less than 1, low! ,! It was possible to easily obtain a mask for X-ray exposure due to distortion.
なお、前記実施例におい・では、 ＡｒガスへのＮ２ガ
スの混入量を３０％としているが、このにガスの混入量
を３０ｔ〜５０％の範囲に設定しても、同様の結果が得
られる。In the above embodiment, the amount of N2 gas mixed into the Ar gas was set at 30%, but similar results can be obtained even if the amount of gas mixed in is set in the range of 30t to 50%. .
また、こ−ではＴｉ−膜にＮ２を混入させるために、Ａ
ｒガス内にＮ２ガスを混入させているが、このＡｒガス
内に混入させるガスは、Ｎ２を混入できるものであれば
、Ｎ２と化合した任意のガスであって良い。In addition, in this case, in order to mix N2 into the Ti film, A
Although N2 gas is mixed into the r gas, the gas mixed into the Ar gas may be any gas combined with N2 as long as it can mix N2.
さらに、この実施例では、ＤＣ放電によるスパッタ成膜
法によってＴｉ−１合金膜を成膜させているが、ＲＦ放
電によるスパッタ成膜法を適用しても良く、また、この
実施例の場合には、 Ｔｉ−Ｗ合金をターゲットに用
いているが、成膜後のＴｉ−Ｗ合金膜内に同様な低応力
を得られるものであれば、ターゲット合金に対して予め
Ｎ２を混入させたものでも、同様の結果が得られる。Furthermore, in this example, the Ti-1 alloy film is formed by a sputtering method using DC discharge, but a sputtering method using RF discharge may also be applied. uses a Ti-W alloy as a target, but if the same low stress can be obtained in the Ti-W alloy film after deposition, it is also possible to mix N2 into the target alloy in advance. , similar results are obtained.
以上詳述したように、この発明方法によれば。 As detailed above, according to the method of this invention.
ｘａ露光用マスクの吸収採パターン膜の材料であルＴｉ
−Ｗ合金を、Ａｒガスニ３０＄ 〜５０％程度ノＮ２ガ
スを加えた反応性ガスによるスパッタ成膜法で成膜させ
るようにしたので、吸収係数が良好で、かつ低内部応力
のＴｉ−１合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性
良く形成でき、これによって。The material for the absorption pattern film of the xa exposure mask is Ti.
The -W alloy was deposited using a sputtering method using a reactive gas containing Ar gas and about 30 to 50% N2 gas, so Ti-1 has a good absorption coefficient and low internal stress. This makes it possible to form an X-ray absorber pattern film using an alloy film with good reproducibility.
高精度のＸ線露光用マスクを得られると云う特長がある
。It has the advantage that a highly accurate X-ray exposure mask can be obtained.
第１図はこの発明に係るＸ線露光用マスク吸収体膜の形
成方法の各別の実施例による。ＡｒガスにＮ２ガスを加
えた反応性ガスを用いてＴｊ−１合金膜をスパッタ成膜
したときの、ガス圧力とＴｉ−１合金膜の内部応力との
関係を示すグラフであって。
同図（ａ）および（ｂ）はＡｒガスに加えるＮ２ガスの
割合が、それぞれに２０％および３０％の場合であり、
また、第２図は同上方法での従来例の場合のＡｒガスを
用いてＴｉ−合金膜をスパッタ成膜したときの、ガス圧
力とＴｉ−１合金膜の内部応力との関係を示すグラフで
ある。
代理人 大 岩 増 雄
Ｔｉ Ｗ Ｐｈ９ｐｌＬ力σｘ １０’ （Ｎ７ｍ”
）Ｔｉ Ｗ ｆＬｊｐ床、７１ ｐ ｘ １ｏ９（Ｎ／
ｍ２）第２図
〃”ス王（ｍｔｏｒｒ）
手続補正力（自発）
８２１１■
昭和 年 月 日FIG. 1 shows different embodiments of the method for forming a mask absorber film for X-ray exposure according to the present invention. 1 is a graph showing the relationship between gas pressure and internal stress of a Ti-1 alloy film when a Tj-1 alloy film is sputter-formed using a reactive gas of Ar gas and N2 gas. Figures (a) and (b) show cases where the proportion of N2 gas added to Ar gas is 20% and 30%, respectively.
Furthermore, Fig. 2 is a graph showing the relationship between gas pressure and internal stress of the Ti-1 alloy film when a Ti-alloy film is sputter-deposited using Ar gas in the conventional method using the same method as above. be. Agent Masuo Oiwa Ti W Ph9plL force σx 10' (N7m”
) Ti W fLjp floor, 71 p x 1o9 (N/
m2) Figure 2〃”Su King (mtorr) Procedural correction power (spontaneous) 8211■ Showa year month day
Claims (2)
ターン膜を形成して構成するＸ線露光用マスクにおいて
、前記Ｔｉ−Ｗ合金によるＸ線吸収体パターン膜の形成
に際し、このＴｉ−Ｗ合金膜をアルゴンガスに窒素ガス
を加えた反応性ガスを用いるスパッタ成膜法により成膜
させるようにし、これによつて膜形成されるＴｉ−Ｗ合
金膜の内部に窒素を混入させたことを特徴とするＸ線露
光用マスク吸収体膜の形成方法。(1) In an X-ray exposure mask configured by forming an X-ray absorber pattern film made of a Ti-W alloy on a mask substrate, when forming the X-ray absorber pattern film made of the Ti-W alloy, this Ti- The W alloy film was formed by sputtering using a reactive gas consisting of argon gas and nitrogen gas, and nitrogen was thereby mixed into the Ti-W alloy film formed. A method for forming a mask absorber film for X-ray exposure, characterized by:
０％の範囲内であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のＸ線露光用マスク吸収体膜の形成方法。(2) The amount of nitrogen gas mixed into argon gas is 30% to 5
2. The method for forming a mask absorber film for X-ray exposure according to claim 1, wherein the amount is within the range of 0%.
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ID=13310541
Family Applications (1)
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| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| US5773177A (en) * | 1989-03-09 | 1998-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure process |
| US5496667A (en) * | 1992-06-08 | 1996-03-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and its fabrication method |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628230B2 (en) | 1994-04-13 |
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