JPS63232425A - Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS63232425A JPS63232425A JP62066254A JP6625487A JPS63232425A JP S63232425 A JPS63232425 A JP S63232425A JP 62066254 A JP62066254 A JP 62066254A JP 6625487 A JP6625487 A JP 6625487A JP S63232425 A JPS63232425 A JP S63232425A
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- JP
- Japan
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- gas
- film
- alloy
- internal stress
- alloy film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造時に使用されるｘ！ａ露
光用のマスクに関し、さらに詳しくは、Ｘ線露光用マス
クにおけるＸ線吸収体パターン膜の形成方法に係るもの
である。
光用のマスクに関し、さらに詳しくは、Ｘ線露光用マス
クにおけるＸ線吸収体パターン膜の形成方法に係るもの
である。
従来から、この種のｘｍｘ光用マスクのＸ線吸収体パタ
ーン材料としては、一般にＡｕ（金）が用いられてきた
。
ーン材料としては、一般にＡｕ（金）が用いられてきた
。
このＡｕ材料は、軟Ｘ線に対して吸収係数が大きく、か
つ他の金属材料に比較して柔らかい材料であるため、マ
スク基板上にパターン膜を形成した場合、吸収体パター
ンの位置歪みの原因となるところの、基板に与える応力
を小さくし得ると云う特長がある。
つ他の金属材料に比較して柔らかい材料であるため、マ
スク基板上にパターン膜を形成した場合、吸収体パター
ンの位置歪みの原因となるところの、基板に与える応力
を小さくし得ると云う特長がある。
しかし、この反面、Ａｕ材料は、化学的に安定であるこ
とから、同Ａｕ材料によってＸ線吸収体パターン膜を形
成する際に、現在、半導体装置製造時の微細加工プロセ
スで多用されている反応性イオンエツチング法（ＲＩＥ
）を適用することができず、加工性の点で問題を有して
おり、このために、近年に至っては、このＡｕ材料と同
程度のＸ線吸収係数をもつ讐（タングステン）を、吸収
体パターン膜の材料として用いるようにしたＸ線露光用
マスクの開発がなされてきている。
とから、同Ａｕ材料によってＸ線吸収体パターン膜を形
成する際に、現在、半導体装置製造時の微細加工プロセ
スで多用されている反応性イオンエツチング法（ＲＩＥ
）を適用することができず、加工性の点で問題を有して
おり、このために、近年に至っては、このＡｕ材料と同
程度のＸ線吸収係数をもつ讐（タングステン）を、吸収
体パターン膜の材料として用いるようにしたＸ線露光用
マスクの開発がなされてきている。
しかして、このＷ材料に関しては、これを通常のＲＩＥ
法によるＣＦ４などの反応性ガスによってエツチングし
得るために、吸収体パターン膜に要求されるところの、
パターンエツジが垂直でかつパターン幅がｌ終■程度の
吸収膜を比較的容易に形成できるのであるが、ご覧でも
、一方、このＷパターン膜は、マスク基板となるＳ ＋
Ｎ −Ｓ ｓ ０２．８ Ｎなどの無機系材料に対す
る接着性が悪く、Ｘ線吸収体パターン膜形成後のマスク
洗浄などにおいて、形成された吸収体パターン膜が剥離
されてしまう場合があると云う問題点がある。
法によるＣＦ４などの反応性ガスによってエツチングし
得るために、吸収体パターン膜に要求されるところの、
パターンエツジが垂直でかつパターン幅がｌ終■程度の
吸収膜を比較的容易に形成できるのであるが、ご覧でも
、一方、このＷパターン膜は、マスク基板となるＳ ＋
Ｎ −Ｓ ｓ ０２．８ Ｎなどの無機系材料に対す
る接着性が悪く、Ｘ線吸収体パターン膜形成後のマスク
洗浄などにおいて、形成された吸収体パターン膜が剥離
されてしまう場合があると云う問題点がある。
そこで、本発明者らは、この問題点を解決するため、先
に特願昭８１−１９１５９９１号として、 ｗ（タング
ステン）にＴｉ（チタン）を加えた合金、つまりＴｉ−
Ｗ合金を吸収体パターン材料とするＸ線露光用マスクを
開発した。
に特願昭８１−１９１５９９１号として、 ｗ（タング
ステン）にＴｉ（チタン）を加えた合金、つまりＴｉ−
Ｗ合金を吸収体パターン材料とするＸ線露光用マスクを
開発した。
すなわち、このＸ線吸収体パターン材料として用いるＴ
ｉ−Ｗ合金は、Ｔｉの含有量が０．５〜１０ｗｔＸのと
き、Ｘ線露光において利用されるＰｄＬαとかＭｏＬα
などの軟Ｘ線に対して吸収係数が大きく、前記したＲＩ
Ｅ法による微細加工が可能であって、しかもマスク基板
としてのＳｉＮとかＳ ｉ ０２などの無機系材料に対
する接着性も良好になるもので、このことからＸ線吸収
体パターン膜として、 ０．５〜１０ｗｔ＄のＴｉを含
有するＴｉ−Ｗ合金を用いるようにしているのである。
ｉ−Ｗ合金は、Ｔｉの含有量が０．５〜１０ｗｔＸのと
き、Ｘ線露光において利用されるＰｄＬαとかＭｏＬα
などの軟Ｘ線に対して吸収係数が大きく、前記したＲＩ
Ｅ法による微細加工が可能であって、しかもマスク基板
としてのＳｉＮとかＳ ｉ ０２などの無機系材料に対
する接着性も良好になるもので、このことからＸ線吸収
体パターン膜として、 ０．５〜１０ｗｔ＄のＴｉを含
有するＴｉ−Ｗ合金を用いるようにしているのである。
しかして、前記提案に係るＴｉ−Ｗ合金を用いたＸ線吸
収体パターン材料においては、マスクパターンの位置歪
みを可及的に小さくするために、その内部応力を可能な
限り小さな値になるようにして、これをマスク基板上に
膜形成させる必要があり、このためにこ−でのＴｉ−合
金による成膜には、一般にＡｒ（アルゴン）ガスを用い
たスパッタ成膜法が適用され、かつその応力制御法とし
て、内部応力のＡｒガス圧力依存性を利用する手段が採
用されている。
収体パターン材料においては、マスクパターンの位置歪
みを可及的に小さくするために、その内部応力を可能な
限り小さな値になるようにして、これをマスク基板上に
膜形成させる必要があり、このためにこ−でのＴｉ−合
金による成膜には、一般にＡｒ（アルゴン）ガスを用い
たスパッタ成膜法が適用され、かつその応力制御法とし
て、内部応力のＡｒガス圧力依存性を利用する手段が採
用されている。
こ翫で第２図には、前記Ｔｉ−合金をＡｒガスによる反
応性ガスを用いてＤＣ放電スパッタ成膜法により成膜さ
せたときの、Ａｒガス圧力とＴｉ−６１合金膜の内部に
生ずる応力（内部応力）との関係を示しである。
応性ガスを用いてＤＣ放電スパッタ成膜法により成膜さ
せたときの、Ａｒガス圧力とＴｉ−６１合金膜の内部に
生ずる応力（内部応力）との関係を示しである。
すなわち、この第２図から明らかな通り、Ａｒガス圧力
が低圧（ｌＱｍｔｏｒｒ）状態から増加するのに伴い、
Ｔｉ−１合金膜の内部に生ずる応力は、圧縮力から引張
り力に急激に変化し、かつ３Ｑｍｔｏｒｒ以上のＡｒガ
ス圧力では、その圧力と共に内部応力が小さくなって、
５０■ｔｏｒｒ以上ではＣ一定した小さな値となるこ
とを示しており、このＡｒガス圧力と内部応力との関係
から、内部応力の小さいＴｉ−１合金膜を得るためには
、お−よそ、 １４ｓｔｏｒｒまたは５０層ｔｏｒｒ以
上のＡｒガス圧力で成膜すれば良いことが判る。
が低圧（ｌＱｍｔｏｒｒ）状態から増加するのに伴い、
Ｔｉ−１合金膜の内部に生ずる応力は、圧縮力から引張
り力に急激に変化し、かつ３Ｑｍｔｏｒｒ以上のＡｒガ
ス圧力では、その圧力と共に内部応力が小さくなって、
５０■ｔｏｒｒ以上ではＣ一定した小さな値となるこ
とを示しており、このＡｒガス圧力と内部応力との関係
から、内部応力の小さいＴｉ−１合金膜を得るためには
、お−よそ、 １４ｓｔｏｒｒまたは５０層ｔｏｒｒ以
上のＡｒガス圧力で成膜すれば良いことが判る。
しかし一方、このようにして成膜されたＴｉ−１合金膜
の密度を測定した結果によれば、Ａｒガス圧力が１４ｓ
ｔｏｒｒでは１８．８１／ａｒｍ” 、同５０ｍｔｏｒ
ｒ以上では１３ 、０ｇ／ｃは以下となって、５軸ｔｏ
ｒｒ以上の成膜の場合には、密度が小さくて吸収体膜と
して十分に作用しないことが判明しており、このために
低い内部応力でのＴｉ−１合金膜の成膜には％Ａｒガス
圧力の増加に従って内部応力が圧縮力から引張り力に急
激に変化する圧力範囲、つまり、内部応力ゼロを横切る
Ａｒガス圧力（お−よそ１４ｓｔｏｒｒ）で行なうよう
にしているのである。
の密度を測定した結果によれば、Ａｒガス圧力が１４ｓ
ｔｏｒｒでは１８．８１／ａｒｍ” 、同５０ｍｔｏｒ
ｒ以上では１３ 、０ｇ／ｃは以下となって、５軸ｔｏ
ｒｒ以上の成膜の場合には、密度が小さくて吸収体膜と
して十分に作用しないことが判明しており、このために
低い内部応力でのＴｉ−１合金膜の成膜には％Ａｒガス
圧力の増加に従って内部応力が圧縮力から引張り力に急
激に変化する圧力範囲、つまり、内部応力ゼロを横切る
Ａｒガス圧力（お−よそ１４ｓｔｏｒｒ）で行なうよう
にしているのである。
このように、先に提案したＴｉ−１合金膜によるＸ線吸
収体パターン膜のＴＩｒ、Ｉｌ！Ｉにおいては、 Ａｒ
ガスを用いたスパッタ成膜法により、 Ａｒガス圧力の
増加に従って、内部応力が圧縮力から引張り力に急激に
変化する圧力範囲での、内部応力ゼロを横切るＡｒガス
圧力で行なうようにしているために、成膜中でのガス圧
力の変動が、成膜後における吸収体膜の内部応力に強く
影響して、低内部応力によるＸ線吸収体パターン膜を再
現性良く得られないと云う不都合があった。
収体パターン膜のＴＩｒ、Ｉｌ！Ｉにおいては、 Ａｒ
ガスを用いたスパッタ成膜法により、 Ａｒガス圧力の
増加に従って、内部応力が圧縮力から引張り力に急激に
変化する圧力範囲での、内部応力ゼロを横切るＡｒガス
圧力で行なうようにしているために、成膜中でのガス圧
力の変動が、成膜後における吸収体膜の内部応力に強く
影響して、低内部応力によるＸ線吸収体パターン膜を再
現性良く得られないと云う不都合があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであって、その目的とするところは、Ｔｉ
−１合金膜による低内部応力のＸ線吸収体パターン膜を
再現性良く得るための、この種のｘＨ露光用マスク吸収
体膜の形成方法を提供することである。
なされたものであって、その目的とするところは、Ｔｉ
−１合金膜による低内部応力のＸ線吸収体パターン膜を
再現性良く得るための、この種のｘＨ露光用マスク吸収
体膜の形成方法を提供することである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係るＸ線露光用
マスク吸収体膜の形成方法は、 Ｔｉ（チタン）を含有
するＴｉ（チタン）−（タングステン）合金を用いたＸ
線吸収体パターン膜材料を、Ａｒ（アルゴン）ガスにＮ
２（窒素）ガスを加えた反応性ガスでスパッタリングし
て成膜させるようにしたものである。
マスク吸収体膜の形成方法は、 Ｔｉ（チタン）を含有
するＴｉ（チタン）−（タングステン）合金を用いたＸ
線吸収体パターン膜材料を、Ａｒ（アルゴン）ガスにＮ
２（窒素）ガスを加えた反応性ガスでスパッタリングし
て成膜させるようにしたものである。
すなわち、この発明方法においては、スパッタ成膜法に
よって、マスク基板上に〒ｉ−Ｗ合金膜を形成する際、
Ａｒガス＆、２Ｎガスを加えた反応性ガスを用いること
により、Ｔｉ−Ｗ合金膜内にＮ２を混入させるようにし
たので、吸収係数が良好で、かつ低内部応力のＴｉ−１
１合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性良く形成
し得るのである。
よって、マスク基板上に〒ｉ−Ｗ合金膜を形成する際、
Ａｒガス＆、２Ｎガスを加えた反応性ガスを用いること
により、Ｔｉ−Ｗ合金膜内にＮ２を混入させるようにし
たので、吸収係数が良好で、かつ低内部応力のＴｉ−１
１合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性良く形成
し得るのである。
以下、この発明に係るＸ＆ｌ露光用マスク吸収体パター
ン膜の形成方法の一実施例につき、第１図（ａ）および
（ｂ）を参照して詳細に説明する。
ン膜の形成方法の一実施例につき、第１図（ａ）および
（ｂ）を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ）はターゲットとしてＴｉ−Ｗ合金を用い、
かつＡｒガスにＮ２ガスを２０ｚ程度加えた反応性ガス
を用い、ＩｌＣｌｋｗの放電によってスパッタ成膜した
場合での、 Ｔｉ−１合金膜の内部応力とガス圧力と
の関係を示したものであり、また、同図（ｂ）はこれと
同様に、ターゲットとしてＴｉ−Ｗ合金を用い、かつＡ
ｒガスにＮ２ガスを３０％程度加えた反応性ガスを用い
、ＤＣｌｋｗの放電によってスパッタ成膜した場合での
、↑ト讐合金膜の内部応力とガス圧力との関係を示した
ものである。
かつＡｒガスにＮ２ガスを２０ｚ程度加えた反応性ガス
を用い、ＩｌＣｌｋｗの放電によってスパッタ成膜した
場合での、 Ｔｉ−１合金膜の内部応力とガス圧力と
の関係を示したものであり、また、同図（ｂ）はこれと
同様に、ターゲットとしてＴｉ−Ｗ合金を用い、かつＡ
ｒガスにＮ２ガスを３０％程度加えた反応性ガスを用い
、ＤＣｌｋｗの放電によってスパッタ成膜した場合での
、↑ト讐合金膜の内部応力とガス圧力との関係を示した
ものである。
すなわち、この第１図（ａ）に示されているところの、
ＡｒガスにＮ２ガスをおへよそ２０％程度加えた反応性
ガスを用いる場合にあっては、Ｔｆ−１合金膜の内部応
力とガス圧力との関係が、前記した従来での、Ａｒガス
のみによる反応性ガスを用いたスパッタ成膜法の場合と
はダ同様な傾向を示していて、低圧（１０■ｔｏｒｒ）
状態から圧力が増加するのに伴って、Ｔｉ−１合金膜の
内部に生ずる応力は、圧縮力から引張り力に急激に変化
し、その後における３０■ｔｏｒｒ以りのＡｒガス圧力
で内部応力を小さくし得るのであるが、しかしこの場合
、引張り力が最大になるときの内部応力の大きさは、Ａ
ｒガスのみによるスパッタ成膜法に比較して約局程度ま
で小さくなっており、これによって、Ｔｉ−Ｗ合金膜内
へのＮ２ガスの混入が、その内部応力を小さくするのに
役立っていることが判る。
ＡｒガスにＮ２ガスをおへよそ２０％程度加えた反応性
ガスを用いる場合にあっては、Ｔｆ−１合金膜の内部応
力とガス圧力との関係が、前記した従来での、Ａｒガス
のみによる反応性ガスを用いたスパッタ成膜法の場合と
はダ同様な傾向を示していて、低圧（１０■ｔｏｒｒ）
状態から圧力が増加するのに伴って、Ｔｉ−１合金膜の
内部に生ずる応力は、圧縮力から引張り力に急激に変化
し、その後における３０■ｔｏｒｒ以りのＡｒガス圧力
で内部応力を小さくし得るのであるが、しかしこの場合
、引張り力が最大になるときの内部応力の大きさは、Ａ
ｒガスのみによるスパッタ成膜法に比較して約局程度ま
で小さくなっており、これによって、Ｔｉ−Ｗ合金膜内
へのＮ２ガスの混入が、その内部応力を小さくするのに
役立っていることが判る。
また、同図（ｂ）の場合は、前例よりもＡｒガスへのＮ
２ガスの混入量を３０１程度に増加させたものであって
、この場合には、ガス圧力の増加と共に、１０■ｔｏｒ
ｒから１５■ｔｏｒｒまでの間は、その内部応力が圧縮
力から引張り力に急激に変化するが、しかし、ガス圧力
が１５■ｔｏｒｒ以上になると、その変化の割合が非常
に小さくなるもので、２０ｔｘｔａｒｒないし３０■ｔ
ｏｒｒのガス圧力で成膜したＴｉ−１合金膜の内部応力
は、０．５〜２．ＯＸｌ０８Ｎ／ゴと非常に小さくなり
、この値は、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン膜とし
て十分に満足できるものであり、そしてまた、このとき
のＴｉ−臀合金膜の密度については、 １７〜１８．５
ｇ／ａｍ″であって、その吸収係数も十分に大きくと
り得るのである。
２ガスの混入量を３０１程度に増加させたものであって
、この場合には、ガス圧力の増加と共に、１０■ｔｏｒ
ｒから１５■ｔｏｒｒまでの間は、その内部応力が圧縮
力から引張り力に急激に変化するが、しかし、ガス圧力
が１５■ｔｏｒｒ以上になると、その変化の割合が非常
に小さくなるもので、２０ｔｘｔａｒｒないし３０■ｔ
ｏｒｒのガス圧力で成膜したＴｉ−１合金膜の内部応力
は、０．５〜２．ＯＸｌ０８Ｎ／ゴと非常に小さくなり
、この値は、Ｘ線露光用マスクの吸収体パターン膜とし
て十分に満足できるものであり、そしてまた、このとき
のＴｉ−臀合金膜の密度については、 １７〜１８．５
ｇ／ａｍ″であって、その吸収係数も十分に大きくと
り得るのである。
さらに、ＡｔガスへのＮガスの混入量を３０％程度とし
、かつガス圧力を２０■ｔｏｒｒないし３０■ｔｏｒｒ
内の一点に設定し、１０回はど成膜を繰り返して、それ
ぞれの場合での〒ｉＪ合金膜の内部応力を測定した結果
、同内部応力の変動は、平均的に５ｚ以下であって、そ
の内部応力の再現性も良いことを確認できた。
、かつガス圧力を２０■ｔｏｒｒないし３０■ｔｏｒｒ
内の一点に設定し、１０回はど成膜を繰り返して、それ
ぞれの場合での〒ｉＪ合金膜の内部応力を測定した結果
、同内部応力の変動は、平均的に５ｚ以下であって、そ
の内部応力の再現性も良いことを確認できた。
次に、ＡｒガスへのＮ２ガスの混入量を３０％ 、ガス
圧力を３０鳳ｔｏｒｒとしたスパッタ成膜法によって、
直径５０ｍ５φ、膜厚４濤層のＢＮ（ボロンナイトライ
ド）薄膜基板上に、膜厚ＩＪＬｍの〒ｉ−合金膜を成膜
させ、かつこのようにして得たＴｉ−１合金膜をＣＦ、
ガスによるＲＩＥ法により、所望のパターンにエツチン
グ成形して所期のＸ線吸収体パターン膜とし、光波干渉
式座標測定器を用い、このＸ線吸収体パターン膜におけ
るマスクパターンの位置精度、を測定したところ、その
位置ずれ量は、設計値に対してσ ；±０．０８ＪＬ
１以下であって、低！、！ 歪みによるＸ線露光用マスクを容易に得ることができた
。
圧力を３０鳳ｔｏｒｒとしたスパッタ成膜法によって、
直径５０ｍ５φ、膜厚４濤層のＢＮ（ボロンナイトライ
ド）薄膜基板上に、膜厚ＩＪＬｍの〒ｉ−合金膜を成膜
させ、かつこのようにして得たＴｉ−１合金膜をＣＦ、
ガスによるＲＩＥ法により、所望のパターンにエツチン
グ成形して所期のＸ線吸収体パターン膜とし、光波干渉
式座標測定器を用い、このＸ線吸収体パターン膜におけ
るマスクパターンの位置精度、を測定したところ、その
位置ずれ量は、設計値に対してσ ；±０．０８ＪＬ
１以下であって、低！、！ 歪みによるＸ線露光用マスクを容易に得ることができた
。
なお、前記実施例におい・では、 ＡｒガスへのＮ２ガ
スの混入量を３０％としているが、このにガスの混入量
を３０ｔ〜５０％の範囲に設定しても、同様の結果が得
られる。
スの混入量を３０％としているが、このにガスの混入量
を３０ｔ〜５０％の範囲に設定しても、同様の結果が得
られる。
また、こ−ではＴｉ−膜にＮ２を混入させるために、Ａ
ｒガス内にＮ２ガスを混入させているが、このＡｒガス
内に混入させるガスは、Ｎ２を混入できるものであれば
、Ｎ２と化合した任意のガスであって良い。
ｒガス内にＮ２ガスを混入させているが、このＡｒガス
内に混入させるガスは、Ｎ２を混入できるものであれば
、Ｎ２と化合した任意のガスであって良い。
さらに、この実施例では、ＤＣ放電によるスパッタ成膜
法によってＴｉ−１合金膜を成膜させているが、ＲＦ放
電によるスパッタ成膜法を適用しても良く、また、この
実施例の場合には、 Ｔｉ−Ｗ合金をターゲットに用
いているが、成膜後のＴｉ−Ｗ合金膜内に同様な低応力
を得られるものであれば、ターゲット合金に対して予め
Ｎ２を混入させたものでも、同様の結果が得られる。
法によってＴｉ−１合金膜を成膜させているが、ＲＦ放
電によるスパッタ成膜法を適用しても良く、また、この
実施例の場合には、 Ｔｉ−Ｗ合金をターゲットに用
いているが、成膜後のＴｉ−Ｗ合金膜内に同様な低応力
を得られるものであれば、ターゲット合金に対して予め
Ｎ２を混入させたものでも、同様の結果が得られる。
以上詳述したように、この発明方法によれば。
ｘａ露光用マスクの吸収採パターン膜の材料であルＴｉ
−Ｗ合金を、Ａｒガスニ３０＄ 〜５０％程度ノＮ２ガ
スを加えた反応性ガスによるスパッタ成膜法で成膜させ
るようにしたので、吸収係数が良好で、かつ低内部応力
のＴｉ−１合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性
良く形成でき、これによって。
−Ｗ合金を、Ａｒガスニ３０＄ 〜５０％程度ノＮ２ガ
スを加えた反応性ガスによるスパッタ成膜法で成膜させ
るようにしたので、吸収係数が良好で、かつ低内部応力
のＴｉ−１合金膜によるＸ線吸収体パターン膜を再現性
良く形成でき、これによって。
高精度のＸ線露光用マスクを得られると云う特長がある
。
。
第１図はこの発明に係るＸ線露光用マスク吸収体膜の形
成方法の各別の実施例による。ＡｒガスにＮ２ガスを加
えた反応性ガスを用いてＴｊ−１合金膜をスパッタ成膜
したときの、ガス圧力とＴｉ−１合金膜の内部応力との
関係を示すグラフであって。 同図（ａ）および（ｂ）はＡｒガスに加えるＮ２ガスの
割合が、それぞれに２０％および３０％の場合であり、
また、第２図は同上方法での従来例の場合のＡｒガスを
用いてＴｉ−合金膜をスパッタ成膜したときの、ガス圧
力とＴｉ−１合金膜の内部応力との関係を示すグラフで
ある。 代理人 大 岩 増 雄 Ｔｉ Ｗ Ｐｈ９ｐｌＬ力σｘ １０’ （Ｎ７ｍ”
）Ｔｉ Ｗ ｆＬｊｐ床、７１ ｐ ｘ １ｏ９（Ｎ／
ｍ２）第２図 〃”ス王（ｍｔｏｒｒ） 手続補正力（自発） ８２１１■ 昭和 年 月 日
成方法の各別の実施例による。ＡｒガスにＮ２ガスを加
えた反応性ガスを用いてＴｊ−１合金膜をスパッタ成膜
したときの、ガス圧力とＴｉ−１合金膜の内部応力との
関係を示すグラフであって。 同図（ａ）および（ｂ）はＡｒガスに加えるＮ２ガスの
割合が、それぞれに２０％および３０％の場合であり、
また、第２図は同上方法での従来例の場合のＡｒガスを
用いてＴｉ−合金膜をスパッタ成膜したときの、ガス圧
力とＴｉ−１合金膜の内部応力との関係を示すグラフで
ある。 代理人 大 岩 増 雄 Ｔｉ Ｗ Ｐｈ９ｐｌＬ力σｘ １０’ （Ｎ７ｍ”
）Ｔｉ Ｗ ｆＬｊｐ床、７１ ｐ ｘ １ｏ９（Ｎ／
ｍ２）第２図 〃”ス王（ｍｔｏｒｒ） 手続補正力（自発） ８２１１■ 昭和 年 月 日
Claims (2)
- （１）マスク基板上にＴｉ−Ｗ合金によるＸ線吸収体パ
ターン膜を形成して構成するＸ線露光用マスクにおいて
、前記Ｔｉ−Ｗ合金によるＸ線吸収体パターン膜の形成
に際し、このＴｉ−Ｗ合金膜をアルゴンガスに窒素ガス
を加えた反応性ガスを用いるスパッタ成膜法により成膜
させるようにし、これによつて膜形成されるＴｉ−Ｗ合
金膜の内部に窒素を混入させたことを特徴とするＸ線露
光用マスク吸収体膜の形成方法。 - （２）アルゴンガスへの窒素ガスの混入量が３０％〜５
０％の範囲内であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のＸ線露光用マスク吸収体膜の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6625487A JPH0628230B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
| US07/085,210 US4873162A (en) | 1986-08-20 | 1987-08-14 | X-ray mask and a manufacture method therefor |
| DE19873727678 DE3727678A1 (de) | 1986-08-20 | 1987-08-19 | Roentgenmaske und verfahren zur herstellung einer roentgenmaske |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6625487A JPH0628230B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232425A true JPS63232425A (ja) | 1988-09-28 |
| JPH0628230B2 JPH0628230B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=13310541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6625487A Expired - Fee Related JPH0628230B2 (ja) | 1986-08-20 | 1987-03-20 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628230B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| US5496667A (en) * | 1992-06-08 | 1996-03-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and its fabrication method |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6625487A patent/JPH0628230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| US5773177A (en) * | 1989-03-09 | 1998-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and X-ray exposure process |
| US5496667A (en) * | 1992-06-08 | 1996-03-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and its fabrication method |
| US6066418A (en) * | 1996-07-10 | 2000-05-23 | Nec Corporation | X-ray mask and fabrication process therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628230B2 (ja) | 1994-04-13 |
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