JPS63232441A - ボンデイング方法 - Google Patents
ボンデイング方法Info
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- JPS63232441A JPS63232441A JP6718987A JP6718987A JPS63232441A JP S63232441 A JPS63232441 A JP S63232441A JP 6718987 A JP6718987 A JP 6718987A JP 6718987 A JP6718987 A JP 6718987A JP S63232441 A JPS63232441 A JP S63232441A
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- bonding
- bonding pad
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、ボンディング方法に関し、詳しくは、IC
チップをバンプ付きフィルムキャリヤに高精度かつ効率
的にボンディングしうるように構成されたものに関する
。
チップをバンプ付きフィルムキャリヤに高精度かつ効率
的にボンディングしうるように構成されたものに関する
。
半導体装置は、一般的に、リードフレームにチップボン
ディングされたICチップが、そのボンディングパッド
とリードフレームのリード線とを結線するワイヤボンデ
ィング工程、チップ部を樹脂マウントする工程等を経て
作製されることは良く知られているところである。とこ
ろが、最近は、回路基板の薄型化に伴うパンケージング
の小型化の要請や、半導体装置の高集積化と並行しなが
ら生産効率の向上を図りうるようにするため、ICチッ
プをバンプ付きフィルムキャリヤにボンディングするT
AB方式が見直され広く普及しているが、これを以下に
説明する。 すなわち、上記フィルムキャリヤは、一般的に、ポリイ
ミドフィルムの下面部にSnメッキを施された多数のC
uリードが形成されたものであり、上記Cuリードのイ
ンナリードには、その先端部下面にAuバンプが転写さ
れている。そして、上記フィルムキャリヤの下方に位置
する、通常30O′C程度にまで加熱されたチップ基台
にICチップを載置するとともに、TVカメラによりI
Cチップの各ボンディングパッドとこれと対応する各イ
ンナリードのAuバンプとの平面方向の位置関係をi認
しながら、チップ基台を移動させてボンディングバンド
と上記Auバンプとの平面方向における位置合わせをし
た後、チップ基台を上動させて、ボンディングパッドと
Auバンブとが互いに上下方向に近接するボンディング
位置にICチップを位置させる。そうして、400°C
程度に加熱したボンディングツールを、上記各インナリ
ードにおけるAuバンプと対応する上面に圧接させるこ
とにより、各ボンディングパッドと各インナリードに設
けられたAuバンプとを一度に圧着させて、ICチップ
をフィルムキャリヤにボンディングする。
ディングされたICチップが、そのボンディングパッド
とリードフレームのリード線とを結線するワイヤボンデ
ィング工程、チップ部を樹脂マウントする工程等を経て
作製されることは良く知られているところである。とこ
ろが、最近は、回路基板の薄型化に伴うパンケージング
の小型化の要請や、半導体装置の高集積化と並行しなが
ら生産効率の向上を図りうるようにするため、ICチッ
プをバンプ付きフィルムキャリヤにボンディングするT
AB方式が見直され広く普及しているが、これを以下に
説明する。 すなわち、上記フィルムキャリヤは、一般的に、ポリイ
ミドフィルムの下面部にSnメッキを施された多数のC
uリードが形成されたものであり、上記Cuリードのイ
ンナリードには、その先端部下面にAuバンプが転写さ
れている。そして、上記フィルムキャリヤの下方に位置
する、通常30O′C程度にまで加熱されたチップ基台
にICチップを載置するとともに、TVカメラによりI
Cチップの各ボンディングパッドとこれと対応する各イ
ンナリードのAuバンプとの平面方向の位置関係をi認
しながら、チップ基台を移動させてボンディングバンド
と上記Auバンプとの平面方向における位置合わせをし
た後、チップ基台を上動させて、ボンディングパッドと
Auバンブとが互いに上下方向に近接するボンディング
位置にICチップを位置させる。そうして、400°C
程度に加熱したボンディングツールを、上記各インナリ
ードにおけるAuバンプと対応する上面に圧接させるこ
とにより、各ボンディングパッドと各インナリードに設
けられたAuバンプとを一度に圧着させて、ICチップ
をフィルムキャリヤにボンディングする。
しかしながら、上記のようなICチップをフィルムキャ
リヤにボンディングする従来の方法においては、次のよ
うな問題点があった。 ボンディングパッドとAuバンプとの圧着を確実に行わ
せるためには、ICチップのボンディングパッドに十分
な熱をもたせておく必要があるため、上述のようにIC
チップを載置するチップ基台を高温に加熱しておかなけ
ればならない、ところが、このように加熱されたチップ
基台からの輻射熱によって、フィルムキャリヤが熱変形
させられて、Cuリードに設けられたAuバンプの位置
が変動してしまう、このため、ボンディングバンドとA
uバンプとの位置合わせが非常に行い難く、また、その
正確さにも欠ける問題があった。 このため、フィルムキャリヤの熱変形を防止して、ボン
ディングパッドとAuバンプとの位置合わせを簡易に行
いうるようにするため、次のようなボンディング方法も
採用されている。 すなわち、チップ基台を、フィルムキャリヤへ熱的影響
が全く及ばない100°C〜150°Cに加熱するにと
どめ、この状1乙チップ基台に載置されたICチップと
フィルムキャリヤとの位置合わせを行った後、ICチッ
プをボンディング位置に位置させる。そうして、この後
、インナリードにおけるAuバンプおよびボンディング
パッドと対応する上面に、通常通り400″C程度に加
熱されたボンディングツールを、近接あるいはAuバン
プの変形等を招かない程度の加圧力(最大限10g/リ
ード)をもって接触させる。そして、この状態を約1秒
〜3秒維持して、ボンディングパッドをボンディングツ
ールの熱によってAUバンブとの融着を適切に行いうる
状態にまで加熱した後、ボンディングツールの加圧力を
(80〜100g/リードに)増大して、ボンディング
パッドをAuバンプないしインナリードに圧着させる。 上記方法においては、少なくともICチップとフィルム
キャリヤとの位置調整時には、フィルムキャリヤが熱変
形することがないので、両者の位置合わせを簡単に行え
るが、次のような別の問題が生じていた。すなわち、ボ
ンディングパッドとAuバンプとのボンディングに際し
て要する時間とは別に、ボンディングツールによってボ
ンディングパッドを加熱する上記の1秒から3秒程度の
時間がどうしても必要になる。したがって、ICチップ
をフィルムキャリヤにボンディングする際に要する時間
が長くなるため、結果的に生産効率の甚だしい低下を来
してしまうのである。 本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたもの
で、ICチップのボンディングパッドとフィルムキャリ
ヤのAuバンプとの位置合わせを簡易かつ正確に行え、
また、ICチップのバンブ付きフィルムキャリヤへのボ
ンディングを短時間で行いうるように構成されたボンデ
ィング方法を提供することをその課題とする。
リヤにボンディングする従来の方法においては、次のよ
うな問題点があった。 ボンディングパッドとAuバンプとの圧着を確実に行わ
せるためには、ICチップのボンディングパッドに十分
な熱をもたせておく必要があるため、上述のようにIC
チップを載置するチップ基台を高温に加熱しておかなけ
ればならない、ところが、このように加熱されたチップ
基台からの輻射熱によって、フィルムキャリヤが熱変形
させられて、Cuリードに設けられたAuバンプの位置
が変動してしまう、このため、ボンディングバンドとA
uバンプとの位置合わせが非常に行い難く、また、その
正確さにも欠ける問題があった。 このため、フィルムキャリヤの熱変形を防止して、ボン
ディングパッドとAuバンプとの位置合わせを簡易に行
いうるようにするため、次のようなボンディング方法も
採用されている。 すなわち、チップ基台を、フィルムキャリヤへ熱的影響
が全く及ばない100°C〜150°Cに加熱するにと
どめ、この状1乙チップ基台に載置されたICチップと
フィルムキャリヤとの位置合わせを行った後、ICチッ
プをボンディング位置に位置させる。そうして、この後
、インナリードにおけるAuバンプおよびボンディング
パッドと対応する上面に、通常通り400″C程度に加
熱されたボンディングツールを、近接あるいはAuバン
プの変形等を招かない程度の加圧力(最大限10g/リ
ード)をもって接触させる。そして、この状態を約1秒
〜3秒維持して、ボンディングパッドをボンディングツ
ールの熱によってAUバンブとの融着を適切に行いうる
状態にまで加熱した後、ボンディングツールの加圧力を
(80〜100g/リードに)増大して、ボンディング
パッドをAuバンプないしインナリードに圧着させる。 上記方法においては、少なくともICチップとフィルム
キャリヤとの位置調整時には、フィルムキャリヤが熱変
形することがないので、両者の位置合わせを簡単に行え
るが、次のような別の問題が生じていた。すなわち、ボ
ンディングパッドとAuバンプとのボンディングに際し
て要する時間とは別に、ボンディングツールによってボ
ンディングパッドを加熱する上記の1秒から3秒程度の
時間がどうしても必要になる。したがって、ICチップ
をフィルムキャリヤにボンディングする際に要する時間
が長くなるため、結果的に生産効率の甚だしい低下を来
してしまうのである。 本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたもの
で、ICチップのボンディングパッドとフィルムキャリ
ヤのAuバンプとの位置合わせを簡易かつ正確に行え、
また、ICチップのバンブ付きフィルムキャリヤへのボ
ンディングを短時間で行いうるように構成されたボンデ
ィング方法を提供することをその課題とする。
上記問題を解決するため、本発明のボンディング方法は
、 各インナリードの下面のバンブを介してバンブ付きフィ
ルムキャリヤの各インナリードとICチップのボンディ
ングパッドとをボンディングする方法であって、 基台上にICチップを載置し、そのICチップの各ボン
ディングパッドとこれと対応する上記各インナリードの
バンプとの平面方向の相対位置を調節し、上記ICチッ
プを急速に昇温した後上記バンブと各ボンディングパッ
ドとを相互に融着させることを特徴としている。
、 各インナリードの下面のバンブを介してバンブ付きフィ
ルムキャリヤの各インナリードとICチップのボンディ
ングパッドとをボンディングする方法であって、 基台上にICチップを載置し、そのICチップの各ボン
ディングパッドとこれと対応する上記各インナリードの
バンプとの平面方向の相対位置を調節し、上記ICチッ
プを急速に昇温した後上記バンブと各ボンディングパッ
ドとを相互に融着させることを特徴としている。
本発明において、ICチップのバンプ付きフィルムキャ
リヤへのボンディングは次のようにして行われる。 基台に載置されたICチップのボンディングバンドとイ
ンナリードのバンプとの相対位置をi’*認しながら、
基台を移動させるなどして、各ボンディングパッドが各
インナリードのバンプと対応するボンディング位置をと
るようにICチップを位置させる。このようにしてIC
チップをボンディング位置に位置させた後、基台を急速
に昇温させる。これにより、この基台からの熱によって
基台上のICチップのボンディングパッドもまた速やか
に加熱される。そうして、ボンディングパッドとインナ
リードのバンプとを相互に融着させる。 すなわち、ボンディングバンドがバンプを介してインナ
リードにボンディングされ、ICチップのフィルムキャ
リヤへのボンディングが完了するのである。
リヤへのボンディングは次のようにして行われる。 基台に載置されたICチップのボンディングバンドとイ
ンナリードのバンプとの相対位置をi’*認しながら、
基台を移動させるなどして、各ボンディングパッドが各
インナリードのバンプと対応するボンディング位置をと
るようにICチップを位置させる。このようにしてIC
チップをボンディング位置に位置させた後、基台を急速
に昇温させる。これにより、この基台からの熱によって
基台上のICチップのボンディングパッドもまた速やか
に加熱される。そうして、ボンディングパッドとインナ
リードのバンプとを相互に融着させる。 すなわち、ボンディングバンドがバンプを介してインナ
リードにボンディングされ、ICチップのフィルムキャ
リヤへのボンディングが完了するのである。
以上のように、本発明のボンディング方法では、基台を
予め所定の温度にまで加熱することなく、常温もしくは
フィルムキャリヤに熱的影響が及ばない程度の加熱状態
で、ICチップとフィルムキャリヤとの位置合わせが行
われる。したがって、ボンディングパッドとバンプとの
位置合わせを簡易かつ確実に行うことができ、結果的に
、ICチップが正確なボンディング位置をもってフィル
ムキャリヤにボンディングされた高品位の半導体装置を
提供することが可能となるのである。また、位置調整後
、基台を所定の温度にまで瞬間的に昇温させるので、フ
ィルムキャリヤが発熱体から熱的影響を受ける以前に、
ボンディングが完了し、フィルムキャリヤの熱変形が一
切起こらないのである。 しかも、位置調整後に行う発熱体ないし基台への加熱は
、上述のように短時間で行われることから、ボンディン
グ工程全体で要する時間も非常に短くなり、生産効率の
向上を図りうる。また・基台は常時加熱されていないの
で、基台を移動させるためにこれに設けられる駆動装置
等に熱的影響が及んで、耐久性が悪化させられるような
不都合も回避できる。
予め所定の温度にまで加熱することなく、常温もしくは
フィルムキャリヤに熱的影響が及ばない程度の加熱状態
で、ICチップとフィルムキャリヤとの位置合わせが行
われる。したがって、ボンディングパッドとバンプとの
位置合わせを簡易かつ確実に行うことができ、結果的に
、ICチップが正確なボンディング位置をもってフィル
ムキャリヤにボンディングされた高品位の半導体装置を
提供することが可能となるのである。また、位置調整後
、基台を所定の温度にまで瞬間的に昇温させるので、フ
ィルムキャリヤが発熱体から熱的影響を受ける以前に、
ボンディングが完了し、フィルムキャリヤの熱変形が一
切起こらないのである。 しかも、位置調整後に行う発熱体ないし基台への加熱は
、上述のように短時間で行われることから、ボンディン
グ工程全体で要する時間も非常に短くなり、生産効率の
向上を図りうる。また・基台は常時加熱されていないの
で、基台を移動させるためにこれに設けられる駆動装置
等に熱的影響が及んで、耐久性が悪化させられるような
不都合も回避できる。
以下、本発明の一実施例を第1図を参照しながら具体的
に説明する。 本例のボンディング方法は、ICチップ4を、各インナ
リード2・・・の下面にAuバンプ3が形成されたバン
プ付きフィルムキャリヤ1にボンディングするためのボ
ンディング方法に関する。そして、本例では、第1図に
示すように、本例のボンディング方法を実施するために
次のようなボンディング装置を構成している。すなわち
、このボンディング装置は、ICチップ4を載置し、か
つ通電により瞬間的に昇温しうる発熱体7を備えた基台
6と、基台6に載置されたICチップ4の上記各ボンデ
ィングパッド5・・・とこれと対応する上記各Auバン
プ3・・・との平面方向の相対位置を調整するTVカメ
ラ8と、上記基台6の発熱体7に電気的に接続され上記
発熱体7にパルス電流を流す電源装置9と、上記発熱体
フないしICチップ4の昇温後、上記各インナリード2
におけるAuバンブ3と対応する上面を押圧して各Au
バンブ3・・・と各ボンディングパッド5とを圧着させ
るためのボンディングツール10とを備えている。 上記基台6は、ニクロム等の通電性を有し発熱性に優れ
た材料から成る上記発熱体7によりICチップ4の載置
台6aが形成されており、図示しない駆動機構によって
、このi!置台6aが、上下方向、ならびに、ボンディ
ングパッド5・・・およびAuバンブ3・・・の平面方
向に移動できるように構成されている。そして、本例で
は、上記電源装置9によって、上記載置台6aにパルス
電流を通電させることにより、載置台6aを加熱するよ
うにしている。この場合、載置台6aからの熱によりボ
ンディングパッド5を充分に熱して、ボンディングパッ
ド5とAuバンブ3との融着を確実かつ適切に行わせる
ためには、′R置台6aを300゜C程度にまで加熱す
る必要があるが、本例では、これを極めて短時間で行い
うる。すなわち、載置台6aは、通電により瞬時に昇温
しうる発熱体7により構成されており、また、載置台6
aに流されるパルス電流の特性上、瞬間的に大きな電流
を流すことができることから、載置台6aを瞬間的に(
0,3秒程度)上記の温度にまで昇温させることができ
る。 さて、本例のボンディング方法においては、ICチップ
4は、バンブ付きフィルムキャリヤ1に次のような一連
の工程を踏んでボンディングされる。 第1図(a)に示すように、前工程か゛ら搬送されて、
基台6の載置台6aに載置されたICチップ4の各ボン
ディングパッド5・・・と上記フィルムキャリヤ1の各
インナリード2のAuバンブ3・・・との平面方向にお
ける相対位置を調整する。この場合、上記TVカメラ8
によって、各ボンディングパッド5・・・とAuバンブ
3・・・の位置をin認しながら、載置台6aを平面方
向に移動さセで、各ボンディングパッド5・・・とこれ
と対応する各Auバンブ3・・・との平面方向の位置合
わせを行う。そして、位置調整後、載置台6aを上動さ
せ、第1図山)に示すように、ICチップ4を、その各
ボンディングパッド5・・・がこれと対応するインナリ
ード2・・・のAuバンブ3・・・に接触するボンディ
ング位置に位置させる。ついで、上記電源装置9により
載置台6aにパルス電流を流して、載置台6aを上記の
温度(300°C程度)にまで加熱する。これにより、
載置台6aからICチップ4に伝導する熱によって、上
述したようにボンディングパッド5・・・に充分な熱を
持たせる。そうして、この後、第1図(alおよび第1
図(blで実線で示すように、400°C程度に加熱さ
れた状態で待機していたボンディングツールlOを移動
させて、第1図(b)に仮想線で示すように、各インナ
リード2・・・におけ名Auバンブ3・・・と対応する
上面に0.5秒程度圧接させる。これにより、ボンディ
ングパッド5が、これに圧着させられるAuバンブ3を
介してインナリード2にボンディングされ、ICチップ
4のフィルムキャリヤ1へのボンディング作業が完了す
る。この一連の工程を、図示しない搬送装置によって間
欠的に自動送りされるフィルムキャリヤ1に対して行う
ことにより、フィルムキャリヤlにICチップ4が次々
とボンディングされていく。 以上のように、本例のボンディング方法においては、I
Cチップ4とフィルムキャリヤ1との位置合わせを行う
際に、ICチップ4を載置する載置台6aないし基台6
は常温のままであることから、フィルムキャリヤ1が、
従来例のように基台6からの発熱作用により熱変形させ
られることが全くなくなる。したがって、ボンディング
パッド5とインナリード2のAuバンブ3との位置合わ
せを容易かつ正確に行えるとともに、これに要する時間
も少なくて済む、さらに、位置調整後、基台6の載置台
6aを上記の所定の温度にまで加熱するにあたっては、
これを瞬間的に行いうる。これにより、ボンディング工
程に要する時間が飛躍的に短縮され、生産効率を向上さ
せうる。また、本例では、ICチップ4を載置する基台
6を常時加熱する必要がなくなるので、上記駆動機構に
熱的歪みが発生するようなことがなく、この駆動機構の
耐久性の向上が図れる。なお、基台6にパルス電流を通
電させるための上記電源装置9として、パルスアーク溶
接等において使用される市販の溶接電源を利用すること
も可能であり、これを利用した場合には、本例のボンデ
ィング方法を低コストで実施できる。 ところで、本発明の範囲は、上述した実施例に限定され
るものではなく、たとえば、フィルムキャリヤに熱的影
響が及ばない150°C程度にまで基台6を予め加熱し
ておくようにすれば、基台を所定の温度にまで昇温させ
る際に要する時間がさらに短縮され、本発明の効果を一
層高めうる。 また、上記実施例においてボン−ディング方法を実施す
るにあたって採用したボンディングツールの代わりに、
レーザ照射器を利用し、ボンディング位置に位置するI
Cチップのボンディングパッドないしこれに接触するバ
ンブにレーザ光を照射することにより、両者を融着させ
ることも可能である。さらに、ICチップを載置する基
台の載置台を、通電性を備えた発熱体を熱良導性に優れ
た被覆部材で覆って形成するようにしても良く、また、
ICチップとフィルムキャリヤとの位置合わせを行う手
段においても、上記実施例に限定されるものではない。
に説明する。 本例のボンディング方法は、ICチップ4を、各インナ
リード2・・・の下面にAuバンプ3が形成されたバン
プ付きフィルムキャリヤ1にボンディングするためのボ
ンディング方法に関する。そして、本例では、第1図に
示すように、本例のボンディング方法を実施するために
次のようなボンディング装置を構成している。すなわち
、このボンディング装置は、ICチップ4を載置し、か
つ通電により瞬間的に昇温しうる発熱体7を備えた基台
6と、基台6に載置されたICチップ4の上記各ボンデ
ィングパッド5・・・とこれと対応する上記各Auバン
プ3・・・との平面方向の相対位置を調整するTVカメ
ラ8と、上記基台6の発熱体7に電気的に接続され上記
発熱体7にパルス電流を流す電源装置9と、上記発熱体
フないしICチップ4の昇温後、上記各インナリード2
におけるAuバンブ3と対応する上面を押圧して各Au
バンブ3・・・と各ボンディングパッド5とを圧着させ
るためのボンディングツール10とを備えている。 上記基台6は、ニクロム等の通電性を有し発熱性に優れ
た材料から成る上記発熱体7によりICチップ4の載置
台6aが形成されており、図示しない駆動機構によって
、このi!置台6aが、上下方向、ならびに、ボンディ
ングパッド5・・・およびAuバンブ3・・・の平面方
向に移動できるように構成されている。そして、本例で
は、上記電源装置9によって、上記載置台6aにパルス
電流を通電させることにより、載置台6aを加熱するよ
うにしている。この場合、載置台6aからの熱によりボ
ンディングパッド5を充分に熱して、ボンディングパッ
ド5とAuバンブ3との融着を確実かつ適切に行わせる
ためには、′R置台6aを300゜C程度にまで加熱す
る必要があるが、本例では、これを極めて短時間で行い
うる。すなわち、載置台6aは、通電により瞬時に昇温
しうる発熱体7により構成されており、また、載置台6
aに流されるパルス電流の特性上、瞬間的に大きな電流
を流すことができることから、載置台6aを瞬間的に(
0,3秒程度)上記の温度にまで昇温させることができ
る。 さて、本例のボンディング方法においては、ICチップ
4は、バンブ付きフィルムキャリヤ1に次のような一連
の工程を踏んでボンディングされる。 第1図(a)に示すように、前工程か゛ら搬送されて、
基台6の載置台6aに載置されたICチップ4の各ボン
ディングパッド5・・・と上記フィルムキャリヤ1の各
インナリード2のAuバンブ3・・・との平面方向にお
ける相対位置を調整する。この場合、上記TVカメラ8
によって、各ボンディングパッド5・・・とAuバンブ
3・・・の位置をin認しながら、載置台6aを平面方
向に移動さセで、各ボンディングパッド5・・・とこれ
と対応する各Auバンブ3・・・との平面方向の位置合
わせを行う。そして、位置調整後、載置台6aを上動さ
せ、第1図山)に示すように、ICチップ4を、その各
ボンディングパッド5・・・がこれと対応するインナリ
ード2・・・のAuバンブ3・・・に接触するボンディ
ング位置に位置させる。ついで、上記電源装置9により
載置台6aにパルス電流を流して、載置台6aを上記の
温度(300°C程度)にまで加熱する。これにより、
載置台6aからICチップ4に伝導する熱によって、上
述したようにボンディングパッド5・・・に充分な熱を
持たせる。そうして、この後、第1図(alおよび第1
図(blで実線で示すように、400°C程度に加熱さ
れた状態で待機していたボンディングツールlOを移動
させて、第1図(b)に仮想線で示すように、各インナ
リード2・・・におけ名Auバンブ3・・・と対応する
上面に0.5秒程度圧接させる。これにより、ボンディ
ングパッド5が、これに圧着させられるAuバンブ3を
介してインナリード2にボンディングされ、ICチップ
4のフィルムキャリヤ1へのボンディング作業が完了す
る。この一連の工程を、図示しない搬送装置によって間
欠的に自動送りされるフィルムキャリヤ1に対して行う
ことにより、フィルムキャリヤlにICチップ4が次々
とボンディングされていく。 以上のように、本例のボンディング方法においては、I
Cチップ4とフィルムキャリヤ1との位置合わせを行う
際に、ICチップ4を載置する載置台6aないし基台6
は常温のままであることから、フィルムキャリヤ1が、
従来例のように基台6からの発熱作用により熱変形させ
られることが全くなくなる。したがって、ボンディング
パッド5とインナリード2のAuバンブ3との位置合わ
せを容易かつ正確に行えるとともに、これに要する時間
も少なくて済む、さらに、位置調整後、基台6の載置台
6aを上記の所定の温度にまで加熱するにあたっては、
これを瞬間的に行いうる。これにより、ボンディング工
程に要する時間が飛躍的に短縮され、生産効率を向上さ
せうる。また、本例では、ICチップ4を載置する基台
6を常時加熱する必要がなくなるので、上記駆動機構に
熱的歪みが発生するようなことがなく、この駆動機構の
耐久性の向上が図れる。なお、基台6にパルス電流を通
電させるための上記電源装置9として、パルスアーク溶
接等において使用される市販の溶接電源を利用すること
も可能であり、これを利用した場合には、本例のボンデ
ィング方法を低コストで実施できる。 ところで、本発明の範囲は、上述した実施例に限定され
るものではなく、たとえば、フィルムキャリヤに熱的影
響が及ばない150°C程度にまで基台6を予め加熱し
ておくようにすれば、基台を所定の温度にまで昇温させ
る際に要する時間がさらに短縮され、本発明の効果を一
層高めうる。 また、上記実施例においてボン−ディング方法を実施す
るにあたって採用したボンディングツールの代わりに、
レーザ照射器を利用し、ボンディング位置に位置するI
Cチップのボンディングパッドないしこれに接触するバ
ンブにレーザ光を照射することにより、両者を融着させ
ることも可能である。さらに、ICチップを載置する基
台の載置台を、通電性を備えた発熱体を熱良導性に優れ
た被覆部材で覆って形成するようにしても良く、また、
ICチップとフィルムキャリヤとの位置合わせを行う手
段においても、上記実施例に限定されるものではない。
第1図は本発明の実施例に係るボンディング方法を実施
するために構成したボンディング装置の全体構成図であ
る。 1・・・バンブ付きフィルムキャリヤ、2・・・インナ
リード、3・・・バンブ(Auバンブ)、4・・・IC
チップ、5・・・ボンディングパッド、6・・・基台。
するために構成したボンディング装置の全体構成図であ
る。 1・・・バンブ付きフィルムキャリヤ、2・・・インナ
リード、3・・・バンブ(Auバンブ)、4・・・IC
チップ、5・・・ボンディングパッド、6・・・基台。
Claims (1)
- (1)各インナリードの下面のバンプを介してバンプ付
きフィルムキャリヤの各インナリードとICチップのボ
ンディングパッドとをボンディングする方法であって、 基台上にICチップを載置し、そのICチップの各ボン
ディングパッドとこれと対応する上記各インナリードの
バンプとの平面方向の相対位置を調節し、上記ICチッ
プを急速に昇温した後上記バンプと各ボンディングパッ
ドとを相互に融着させることを特徴とする、ボンディン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6718987A JPS63232441A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6718987A JPS63232441A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232441A true JPS63232441A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13337703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6718987A Pending JPS63232441A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | ボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232441A (ja) |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6718987A patent/JPS63232441A/ja active Pending
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