JPS63233077A - 窒化珪素基複合焼結体 - Google Patents
窒化珪素基複合焼結体Info
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- JPS63233077A JPS63233077A JP62200640A JP20064087A JPS63233077A JP S63233077 A JPS63233077 A JP S63233077A JP 62200640 A JP62200640 A JP 62200640A JP 20064087 A JP20064087 A JP 20064087A JP S63233077 A JPS63233077 A JP S63233077A
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- Japan
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- composite sintered
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- nitride base
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- Pending
Links
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性を有する窒化珪素基複合焼結体に関す
るものである。
るものである。
反応焼結による窒化珪素基焼結体は、Ｓｉ粉末を所定の
形に成形した後、窒素雰囲気中１３００〜１５００℃程
度の温度でＳｉを窒化焼結することにより得られる（例
えば特開昭５０−７５２０７号など）。反応焼結により
得られる焼結体は、焼結時の収縮がほとんとないのが大
きな特徴であり、他方法による緻密な焼結体において問
題となる焼結時の変形。
形に成形した後、窒素雰囲気中１３００〜１５００℃程
度の温度でＳｉを窒化焼結することにより得られる（例
えば特開昭５０−７５２０７号など）。反応焼結により
得られる焼結体は、焼結時の収縮がほとんとないのが大
きな特徴であり、他方法による緻密な焼結体において問
題となる焼結時の変形。
焼結残留応力等を回避することができる。また。
多孔質であることも一つの大きな特徴である。
しかし、従来の反応焼結窒化珪素基焼結体は、絶縁体で
あるため金属溶融用のるつぼ等の限ら九た用途でしか使
われず電子部品、機械装置等への応用はほとんどなされ
ていない。また反応焼結窒化珪素基焼結体は、常圧焼結
体等で作成した緻密な焼結体と比べれば加工性は良いが
、それでも微細な穴加工等はほとんど行なうことができ
ない。
あるため金属溶融用のるつぼ等の限ら九た用途でしか使
われず電子部品、機械装置等への応用はほとんどなされ
ていない。また反応焼結窒化珪素基焼結体は、常圧焼結
体等で作成した緻密な焼結体と比べれば加工性は良いが
、それでも微細な穴加工等はほとんど行なうことができ
ない。
本発明の目的は導電性化合物を含み導電性を有する反応
焼結法による窒化珪素基複合焼結体を提供することであ
る。
焼結法による窒化珪素基複合焼結体を提供することであ
る。
本発明は導電性化合物を２０〜７０ｖｏ１％含み導電性
を有し、１０％を越える気孔を含むことを特徴とする反
応焼結法による窒化珪素基複合焼結体である。
を有し、１０％を越える気孔を含むことを特徴とする反
応焼結法による窒化珪素基複合焼結体である。
ここで導電性化合物としては、窒化珪素基焼結体の持つ
耐熱性を損なわないために高融点の化合物であることが
望ましい。例えばＩＶａ、 Ｖａ、 ＶＩａ族の窒化物
、酸窒化物がこれに相当し望ましいが、反応焼結中にこ
れら窒化物に変化する酸化物、珪化物、水素化物等の化
合物あるいは金属、金属間化合物等を用いることも可能
である。これら化合物の量を２０〜７０ｖｏ１％とする
のは、２０ｖｏ１％未満では、導電性化合物粒子の相互
の接触が不十分であり、導電性を生じないためであり、
７０ｖｏ１％を越えると焼結性が低下し、気孔率が急増
するからである。
耐熱性を損なわないために高融点の化合物であることが
望ましい。例えばＩＶａ、 Ｖａ、 ＶＩａ族の窒化物
、酸窒化物がこれに相当し望ましいが、反応焼結中にこ
れら窒化物に変化する酸化物、珪化物、水素化物等の化
合物あるいは金属、金属間化合物等を用いることも可能
である。これら化合物の量を２０〜７０ｖｏ１％とする
のは、２０ｖｏ１％未満では、導電性化合物粒子の相互
の接触が不十分であり、導電性を生じないためであり、
７０ｖｏ１％を越えると焼結性が低下し、気孔率が急増
するからである。
原料としては、上記導電性化合物とＳＬが主原料となる
が、これに適宜Ｓ ｉ３ Ｎ ４ ｔサイアロン。
が、これに適宜Ｓ ｉ３ Ｎ ４ ｔサイアロン。
Ａ１□Ｏ，、ＡＩＮなどの粉末を添加することもできる
。
。
また気孔率が１０％を越えるようにするのは、反応焼結
法では気孔率を１０％以下にすることは困蔑であること
、および気孔率１０％以下であると開気孔を利用した用
途に適さなくなるためである。
法では気孔率を１０％以下にすることは困蔑であること
、および気孔率１０％以下であると開気孔を利用した用
途に適さなくなるためである。
以下本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例Ｉ
Ｓｉ粉末（粒径１．１μｍ）、ＴｉＮ粉末（粒径１．５
μｍ）を原料とし、焼結体中のＴｉＮの量が第１表のよ
うになるよう所定の割合に混合、加圧成形の後１４００
℃、７２時間の反応焼結を行なった（昇温速度は１００
℃／Ｈ，Ｎ、−１０％Ａｒ気流中）。得られた焼結体の
特性を第１表に示す。
μｍ）を原料とし、焼結体中のＴｉＮの量が第１表のよ
うになるよう所定の割合に混合、加圧成形の後１４００
℃、７２時間の反応焼結を行なった（昇温速度は１００
℃／Ｈ，Ｎ、−１０％Ａｒ気流中）。得られた焼結体の
特性を第１表に示す。
第 １ 表
実施例２
Ｓｉ粉末（粒径１゜１μｍ）と各種導電性化合物粉末（
粒径１．５〜３．５μｍ）を用い、焼結体中の導電性化
合物の量が４０ｖｏ１％となるよう所定の割合に混合、
加圧成形の後、実施例１と同一の焼結条件で反応焼結を
行なった。得られた焼結体の特性を第２表に示す。
粒径１．５〜３．５μｍ）を用い、焼結体中の導電性化
合物の量が４０ｖｏ１％となるよう所定の割合に混合、
加圧成形の後、実施例１と同一の焼結条件で反応焼結を
行なった。得られた焼結体の特性を第２表に示す。
第２表
以上の実施例より導電性化合物を２０〜７０ｖｏ１％添
加することにより良好な導電性を持つ、反応焼結窒化珪
素基複合焼結体が得られることがわかる。
加することにより良好な導電性を持つ、反応焼結窒化珪
素基複合焼結体が得られることがわかる。
本発明によれば、反応焼結窒化珪素に導電性を付与した
窒化珪素基複合焼結体を得ることができる。
窒化珪素基複合焼結体を得ることができる。
これにより、従来の金属溶湯用るつぼ等の限られた分野
に加え、導電性を利用した極めて広い分野への適用が可
能となる。
に加え、導電性を利用した極めて広い分野への適用が可
能となる。
すなわちヒーター材料、黒鉛に代替するブラシ材料等の
導電性を持っ耐摩材料、連続気孔を利用した気体反応用
媒体、放電加工を用いる構造部品等広範囲の分野におい
ての使用が可能となる。
導電性を持っ耐摩材料、連続気孔を利用した気体反応用
媒体、放電加工を用いる構造部品等広範囲の分野におい
ての使用が可能となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性化合物を２０〜７０ｖｏｌ％含み導電性を有
し、１０％を越える気孔を含むことを特徴とする反応焼
結法による窒化珪素基複合焼結体。 ２ 導電性化合物としてIVａ、Ｖａ、VIａ族の窒化物、
酸窒化物のうち１種以上の化合物を用いる特許請求の範
囲第１項記載の窒化珪素基複合焼結体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27101886 | 1986-11-14 | ||
| JP61-271018 | 1986-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63233077A true JPS63233077A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=17494262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62200640A Pending JPS63233077A (ja) | 1986-11-14 | 1987-08-11 | 窒化珪素基複合焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63233077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008247716A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 反応焼結窒化ケイ素基焼結体及びその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57200265A (en) * | 1981-05-31 | 1982-12-08 | Sumitomo Electric Industries | Silicon nitrogen member and manufacture |
| JPS5841771A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化けい素焼結体 |
| JPS5860677A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 高靭性窒化珪素焼結体の製造法 |
| JPS61207927A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Fueroo:Kk | 超音波レベル計の安定計測方法 |
| JPS6283377A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合焼結体の製造法 |
| JPS63185864A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-08-01 | 株式会社日立製作所 | 複合セラミツクスおよびその製法 |
-
1987
- 1987-08-11 JP JP62200640A patent/JPS63233077A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57200265A (en) * | 1981-05-31 | 1982-12-08 | Sumitomo Electric Industries | Silicon nitrogen member and manufacture |
| JPS5841771A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化けい素焼結体 |
| JPS5860677A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 高靭性窒化珪素焼結体の製造法 |
| JPS61207927A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Fueroo:Kk | 超音波レベル計の安定計測方法 |
| JPS6283377A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合焼結体の製造法 |
| JPS63185864A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-08-01 | 株式会社日立製作所 | 複合セラミツクスおよびその製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008247716A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 反応焼結窒化ケイ素基焼結体及びその製造方法 |
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