JPS6323319A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
- Publication number
- JPS6323319A JPS6323319A JP62088718A JP8871887A JPS6323319A JP S6323319 A JPS6323319 A JP S6323319A JP 62088718 A JP62088718 A JP 62088718A JP 8871887 A JP8871887 A JP 8871887A JP S6323319 A JPS6323319 A JP S6323319A
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- JP
- Japan
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- light
- light shielding
- reticle
- shading
- plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は投影露光方法、特に半導体製造分野でレチクル
（フォトマスク）に形成されているパターンをウェハに
投影露光する方法に関する。
（フォトマスク）に形成されているパターンをウェハに
投影露光する方法に関する。
半導体素子（例えばＩＣ１ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等）の製造
分野では例えばステッパと呼ばれる投影露光装置が知ら
れている。ステッパはレチクル上のパターンを所定の縮
小率でウェハ上に投影し、スデップアンドリピート（繰
り返し）Ｂ光によりウェハ全面にパターンを配列してＦ
Ｊ、数焼付けている。
分野では例えばステッパと呼ばれる投影露光装置が知ら
れている。ステッパはレチクル上のパターンを所定の縮
小率でウェハ上に投影し、スデップアンドリピート（繰
り返し）Ｂ光によりウェハ全面にパターンを配列してＦ
Ｊ、数焼付けている。
ところで、ウェハにレチクルのパターンを焼付ける際、
ウェハ全面に同一のパターンを繰り返し焼付けるのでは
なく、途中で他のパターンを焼付ける場合がある。従来
では、このような場合にウェハ上に効率的に異なった複
数のパターンを焼付けることが困難であった。
ウェハ全面に同一のパターンを繰り返し焼付けるのでは
なく、途中で他のパターンを焼付ける場合がある。従来
では、このような場合にウェハ上に効率的に異なった複
数のパターンを焼付けることが困難であった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、その目
的は例えばレチクルのような第１物体を通して例えばウ
ェハのような第２物体を露光する際に第２物体」二に複
数の異なったパターンを効率的に投影露光することので
きる没１杉露光方法を提供することにある。
的は例えばレチクルのような第１物体を通して例えばウ
ェハのような第２物体を露光する際に第２物体」二に複
数の異なったパターンを効率的に投影露光することので
きる没１杉露光方法を提供することにある。
（＃１題点を解決するための手段）
この目的を達成するために、本発明は光源からの光で第
１物体を通して第２物体を露光するための照明光路中に
前記光源からの光を遮光するための複数の遮光板を配置
し、前記遮光板のそれぞれを独立して移動させ、前記光
源からの光が通過する開口の形状を可変とすることによ
り、前記第１物体に形成されている第１及び第２パター
ンを前記第２物体に選択的に投影露光することを要旨と
している。
１物体を通して第２物体を露光するための照明光路中に
前記光源からの光を遮光するための複数の遮光板を配置
し、前記遮光板のそれぞれを独立して移動させ、前記光
源からの光が通過する開口の形状を可変とすることによ
り、前記第１物体に形成されている第１及び第２パター
ンを前記第２物体に選択的に投影露光することを要旨と
している。
（実施例〕
以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の投影露光装置（例えばステッパ）の照
明系の一例を示すもので、この照明系によりレチクル２
２の下側の面Ｂに形成された回路用パターン２２ａが焼
付は光で照明される。なお、この図では示していないが
、レチクル２２の下方には順に縮小投影レンズとウェハ
が配置されている。
明系の一例を示すもので、この照明系によりレチクル２
２の下側の面Ｂに形成された回路用パターン２２ａが焼
付は光で照明される。なお、この図では示していないが
、レチクル２２の下方には順に縮小投影レンズとウェハ
が配置されている。
超高圧水銀灯などの光源＋１の近傍には光源１１から放
射された光束を有効に集光するための楕円鏡１２が配置
され、次いで光路に沿って順に、赤外光の大部分を透過
し紫外光を反射するためのコールドミラー１３、光束の
配光特性を均一にするためのインテグレータ１４、反射
鏡１５、コンデンサレンズ１６、反射鏡Ｉ７、遮光装置
１８、コンデンサレンズ１９、反射鏡２０、コンデンサ
レンズ２１、レチクル２２が配置されている。反射鏡＋
５．１７．２０はそれぞれ光軸を直角に折曲げて照明系
を小型化するためのものであり、コンデンサレンズ１６
は光源１１からの光を集光して、遮光装置１８の遮光面
Ａを均一に照明するためのものである。
射された光束を有効に集光するための楕円鏡１２が配置
され、次いで光路に沿って順に、赤外光の大部分を透過
し紫外光を反射するためのコールドミラー１３、光束の
配光特性を均一にするためのインテグレータ１４、反射
鏡１５、コンデンサレンズ１６、反射鏡Ｉ７、遮光装置
１８、コンデンサレンズ１９、反射鏡２０、コンデンサ
レンズ２１、レチクル２２が配置されている。反射鏡＋
５．１７．２０はそれぞれ光軸を直角に折曲げて照明系
を小型化するためのものであり、コンデンサレンズ１６
は光源１１からの光を集光して、遮光装置１８の遮光面
Ａを均一に照明するためのものである。
第３図は遮光装置１８の斜視図である。この遮光装置１
８は第１図に示すごとくコンデンサレンズ１９、２１に
より、その遮光する面Ａがレチクル２２のパターン面Ｂ
と共役な関係になるように配置されている。また、遮光
装置１８は不図示の遮光装置駆動機構により、レチクル
２２の回路用パターン部２２ａ、もしくはレチクル２２
の下方に配置されている露光を受けるウェハ（不図示）
との回転方向の位置合わせのために、レチクル２２の回
転に連動して第２図（ａ）に矢印で示す回転（θ）方向
に回動可能であり、更にレチクル２２を他のガラス等の
透明部の厚さが異なるレチクルに取替え、屈折力が変化
した場合に、上記の共役な関係を維持するために、第１
図に矢印で示す光軸方向に移動可能である。
８は第１図に示すごとくコンデンサレンズ１９、２１に
より、その遮光する面Ａがレチクル２２のパターン面Ｂ
と共役な関係になるように配置されている。また、遮光
装置１８は不図示の遮光装置駆動機構により、レチクル
２２の回路用パターン部２２ａ、もしくはレチクル２２
の下方に配置されている露光を受けるウェハ（不図示）
との回転方向の位置合わせのために、レチクル２２の回
転に連動して第２図（ａ）に矢印で示す回転（θ）方向
に回動可能であり、更にレチクル２２を他のガラス等の
透明部の厚さが異なるレチクルに取替え、屈折力が変化
した場合に、上記の共役な関係を維持するために、第１
図に矢印で示す光軸方向に移動可能である。
第３図に戻って遮光装置１８の構成を説明すると、基板
３０上には、モータ３１、モータ３１の回転軸にそれぞ
れ固定されて回転可能な送りネジ部３２、モータ３１及
び送りネジ部３２の回転により所定方向（図示矢印方向
）に移動可能な送りナツト部３３、及び送りナツト部３
３上に固定され、かつ鋭利な側縁部（エツジ）３４ａを
有する遮光板３４がそれぞれ４組配置され、４個の側縁
部３４ａにより矩形の開口部３５を構成する。この開口
部３５の面は遮光装置１８の遮光面Ａと同一面上にある
。なお、第３図からも明らかな如く、４枚の遮光板３４
のうち第１及び第２遮光板の移動方向と第３及び第４遮
光板の移動方向はそれぞれ同じであるが、第１及び第２
遮光板の移動方向に対する第３及び第４遮光板の移動方
向は異なっている。また、第１及び第２遮光板に対して
第３及び第４遮光板は同一面側に配置されている。４つ
のモータ３１は各遮光板３４ごとに独立して設けられて
いる。
３０上には、モータ３１、モータ３１の回転軸にそれぞ
れ固定されて回転可能な送りネジ部３２、モータ３１及
び送りネジ部３２の回転により所定方向（図示矢印方向
）に移動可能な送りナツト部３３、及び送りナツト部３
３上に固定され、かつ鋭利な側縁部（エツジ）３４ａを
有する遮光板３４がそれぞれ４組配置され、４個の側縁
部３４ａにより矩形の開口部３５を構成する。この開口
部３５の面は遮光装置１８の遮光面Ａと同一面上にある
。なお、第３図からも明らかな如く、４枚の遮光板３４
のうち第１及び第２遮光板の移動方向と第３及び第４遮
光板の移動方向はそれぞれ同じであるが、第１及び第２
遮光板の移動方向に対する第３及び第４遮光板の移動方
向は異なっている。また、第１及び第２遮光板に対して
第３及び第４遮光板は同一面側に配置されている。４つ
のモータ３１は各遮光板３４ごとに独立して設けられて
いる。
第１図において、光源１【より放射された光束は、光学
素子１２，１３．＋４．１５．１６．１７の順に反射、
屈折し、遮光装置１８の面Ａを均一に照明する。遮光装
置１８の開口部３５の外側に照射された光束は、４つの
遮光板３４によりけられ、開口部３５を通過した光束は
、第１図において点線で示す如く、レチクル２２のパタ
ーン面Ｂを照明する。ここで遮光装置１８の遮光面Ａと
レチクル２２のパターン面Ｂとは、光学的に共役な関係
に配置されているので、遮光装置１８の開口部３５の縁
部は、第２図（ｂ）に点線で示すようにパターン面Ｂ上
に鮮明な輪郭で投影され、レチクル２２の回路用パター
ン部２２ａの外側の領域を完全に遮光することができる
。
素子１２，１３．＋４．１５．１６．１７の順に反射、
屈折し、遮光装置１８の面Ａを均一に照明する。遮光装
置１８の開口部３５の外側に照射された光束は、４つの
遮光板３４によりけられ、開口部３５を通過した光束は
、第１図において点線で示す如く、レチクル２２のパタ
ーン面Ｂを照明する。ここで遮光装置１８の遮光面Ａと
レチクル２２のパターン面Ｂとは、光学的に共役な関係
に配置されているので、遮光装置１８の開口部３５の縁
部は、第２図（ｂ）に点線で示すようにパターン面Ｂ上
に鮮明な輪郭で投影され、レチクル２２の回路用パター
ン部２２ａの外側の領域を完全に遮光することができる
。
更に、遮光装置１８の開「１部３５の領域及び位置は、
この照明系が装備される投影露光装置、例えばステッパ
の電ｆ処理部から、レチクル２２の大きさにより出され
るイ言号により４つのモータ３１のそれぞわが所定の回
転をし、各モータ３１の軸に連結されている４つの送り
ネジ３２により４つの送りナツト３３がそれぞれ所定方
向に移動し、従って４つの遮光板３４のそれぞれが各モ
ータ３１によって該信号に応じた位置へ移動することに
より、光軸と直角方向に変化することができる。このよ
うな４枚の遮光板３４の移動、調整は各遮光板３４ごと
に設けられているモータ３【によって同時に行うことも
可能である。
この照明系が装備される投影露光装置、例えばステッパ
の電ｆ処理部から、レチクル２２の大きさにより出され
るイ言号により４つのモータ３１のそれぞわが所定の回
転をし、各モータ３１の軸に連結されている４つの送り
ネジ３２により４つの送りナツト３３がそれぞれ所定方
向に移動し、従って４つの遮光板３４のそれぞれが各モ
ータ３１によって該信号に応じた位置へ移動することに
より、光軸と直角方向に変化することができる。このよ
うな４枚の遮光板３４の移動、調整は各遮光板３４ごと
に設けられているモータ３【によって同時に行うことも
可能である。
これらにより、レチクル２２の回路用パターン部２２ａ
の領域に合致した照明が可能となる。即ち、照明系の有
効照射範囲内で、？「気的処理により、レチクル２２に
対する遮光の寸法、形状、位置を無段階に選択すること
ができる。また、第４図（ａ）に示す如く、遮光装置１
８に凹形等の異なる形状の遮光板３４ｂを２枚取り付け
たり、或いは、第４図（ｂ）に示す如く、４枚の遮光板
３４の外に同様な遮光板３４ｃを新たに附加すれば、レ
チクル２２の矩形でない回路用パターンも投影露光する
ことができる。この照明系を装備したステッパでは、焼
付を行うに際し、レチクル２２内に回路パターンとテス
トパターンを混在させ、回路パターンの焼付を行う時に
はテストパターン部を遮光して回路パターン部だけに焼
付光を照射し、逆にテストパターンの焼付を行う時には
回路パターン部を遮光してテストパターン部だけに焼付
光を与えることも可能となる。
の領域に合致した照明が可能となる。即ち、照明系の有
効照射範囲内で、？「気的処理により、レチクル２２に
対する遮光の寸法、形状、位置を無段階に選択すること
ができる。また、第４図（ａ）に示す如く、遮光装置１
８に凹形等の異なる形状の遮光板３４ｂを２枚取り付け
たり、或いは、第４図（ｂ）に示す如く、４枚の遮光板
３４の外に同様な遮光板３４ｃを新たに附加すれば、レ
チクル２２の矩形でない回路用パターンも投影露光する
ことができる。この照明系を装備したステッパでは、焼
付を行うに際し、レチクル２２内に回路パターンとテス
トパターンを混在させ、回路パターンの焼付を行う時に
はテストパターン部を遮光して回路パターン部だけに焼
付光を照射し、逆にテストパターンの焼付を行う時には
回路パターン部を遮光してテストパターン部だけに焼付
光を与えることも可能となる。
第５図（ａ） 、 （ｂ）は第３図の遮光装置１８の遮
光板３４と同様な目的の遮光板１を有する投影露光装置
（例えばステッパ）の概略構成を示している。これらの
図において、２はレチクル、３はレチクルステージ、４
は投影レンズ、５はウェハであり、遮光板１はレチクル
２に形成された回路用パターン２ａの１１傷を防止する
ために、第５図（ａ）ではレチクル２の上側で光軸方向
にａ、また、第５図（ｂ）ではレチクル２の下側で光軸
方向にｂの距離をおいて配置されている。従って、遮光
板１はレチクル２のパターン２ａをウェハ５に焼付ける
ための光の照明光路をけらないようにするために、第５
図（ａ＞ではパターン２ａの領域からＣ１また、第５図
（ｂ）ではパターン２ａの領域か゛らｄの距離だけその
先端１ａが離れるようにセットすることが必要となって
いる。
光板３４と同様な目的の遮光板１を有する投影露光装置
（例えばステッパ）の概略構成を示している。これらの
図において、２はレチクル、３はレチクルステージ、４
は投影レンズ、５はウェハであり、遮光板１はレチクル
２に形成された回路用パターン２ａの１１傷を防止する
ために、第５図（ａ）ではレチクル２の上側で光軸方向
にａ、また、第５図（ｂ）ではレチクル２の下側で光軸
方向にｂの距離をおいて配置されている。従って、遮光
板１はレチクル２のパターン２ａをウェハ５に焼付ける
ための光の照明光路をけらないようにするために、第５
図（ａ＞ではパターン２ａの領域からＣ１また、第５図
（ｂ）ではパターン２ａの領域か゛らｄの距離だけその
先端１ａが離れるようにセットすることが必要となって
いる。
以上の如く、本発明によれば、例えばレチクルのような
第１物体に形成されている第１及び第２パターンの一方
に対して選択的に照明範囲を正確に、且つ迅速に決定で
きるので、斯る第１物体を用いて例えばウェハのような
第２物体に第１及び第２パターンを選択的に効率良く投
影露光することができる。
第１物体に形成されている第１及び第２パターンの一方
に対して選択的に照明範囲を正確に、且つ迅速に決定で
きるので、斯る第１物体を用いて例えばウェハのような
第２物体に第１及び第２パターンを選択的に効率良く投
影露光することができる。
第１図は本発明の投影露光装置の７実施例の要部を示す
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本実施例の遮光装置、
レチクルの端面をそれぞれ示す図、第３図は遮光装置を
詳細に示す斜視図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は遮光装
置の変形例を示す図、第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれ
ぞれ遮光装置を有１−る投影露光装置の例を示す図であ
る。 １８・・・・・・遮光装置 ２２・・・・・・レチクル ３４・・・・・・遮光板 ３５・・・・・・開口部 Ａ・・・・・・遮光面
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本実施例の遮光装置、
レチクルの端面をそれぞれ示す図、第３図は遮光装置を
詳細に示す斜視図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は遮光装
置の変形例を示す図、第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれ
ぞれ遮光装置を有１−る投影露光装置の例を示す図であ
る。 １８・・・・・・遮光装置 ２２・・・・・・レチクル ３４・・・・・・遮光板 ３５・・・・・・開口部 Ａ・・・・・・遮光面
Claims (1)
- （１）光源からの光で第１物体を通して第２物体を露光
するための照明光路中に前記光源からの光を遮光するた
めの複数の遮光板を配置し、前記遮光板のそれぞれを独
立して移動させ、前記光源からの光が通過する開口の形
状を可変とすることにより、前記第１物体に形成されて
いる第１及び第２パターンを前記第２物体に選択的に投
影露光することを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088718A JPS6323319A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088718A JPS6323319A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152474A Division JPS6045252A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 投影露光装置の照明系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323319A true JPS6323319A (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=13950683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088718A Pending JPS6323319A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323319A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62088718A patent/JPS6323319A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
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