JPS63235465A

JPS63235465A - 薄膜成膜装置

Info

Publication number: JPS63235465A
Application number: JP6572787A
Authority: JP
Inventors: Nobushi Suzuki; 鈴木　悦四; Noriyuki Hirata; 教行平田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-03-23
Filing date: 1987-03-23
Publication date: 1988-09-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は、半導体、固体デバイスを得る場合に使用し
て好適なｉ１１！成膜装置に関する。

（従来の技術）一般に、半導体を始め液、昌デバイス、感熱ヘッド等の
最近の固体デバイスにおいては、その製造工程で例外な
くＮＨ成成製装置使用されている。

この種のＩｌｌ成膜装置のうち真空槽を用いる薄膜成り
ｍ装置としては、蒸着装置、スパッタ装置、プラズマＣ
ＶＤ装置があるが、いずれも加工物に成膜する時、加工
物表面以外の真空槽の内壁に膜が付着する。そこで、一
般に取外し可能な防着板を設けている。

（発明が解決しようとする問題点）ところが、防着板に付着した膜は、やがて剥がれて真空
槽内のゴミとなる。このゴミは、生産の歩留りを大きく
左右するので、如何にゴミ発生を少なくするかが重大な
問題である。従って、製造ラインでは防着板を取替え、
定期的にクリーニング作業をするのが一般的である。し
かし、クリーニング作業に時間がかかることや、真空槽
内を大気中にさらすと、薄膜成膜装置の特性上再び成膜
出来るまでに、数時間〜１日かかることから、クリーニ
ング回数をより少なくしなければならない。

又、成膜中のゴミ発生を少なくする必要がある。

そこで、防着板は一旦付着した膜が剥がれないために、
その表面をショツトブラスト処理を行なっている。とこ
ろが、このショツトブラスト処理にも拘らず、防着板か
らの膜剥がれが多く、歩留低下を招いている。

この発明は、膜剥がれによるゴミ発生を未然に防止した
薄膜成膜装置を提供することを目的とする。

［発明の構成コ（問題点を解決するための手段）この発明は、真空槽内で被成膜物に薄膜を成膜する薄膜
成膜装置において、上記被成膜物以外の所定部分を、セ
ラミック板あるいはセラミックやアルミニウムの被膜を
施した金属板により構成してなることを特徴とする薄膜
成膜装置である。

（作用）この発明によれば、被成膜物以外の所定部分がセラミッ
ク板あるいはセラミックやアルミニウムの被膜を施した
金属板により構成されているので、躾剥がれによるゴミ
発生を未然に防止した薄膜成膜装置を提供することが出
来る。

（実施例）以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。

一般に、膜付着力は防着板の表面状態によって変り、表
面に細かな凹凸がある方が付着力が大きい。しかし、材
料的には、熱変形が少なく耐熱性に富む必要がある。

そこで、この発明による薄膜成膜装置例えば連続スパッ
タ装置は、第１図に示すように構成され、真空槽１内に
は下部にターゲット２が設けられている。このターゲッ
ト２に対向して被成膜物３を載せるトレー４が配置され
、このトレー４は駆動礪構５により直線移動可能になっ
ている。更に、この被成膜物３及びトレー４を取囲むよ
うに、防着板６．７が配設されている。尚、図中の８は
取外し自在のバッキングプレートである。

上記の場合、この発明では防着板６．７はセラミック板
あるいはセラミックの被膜を施した金属板からなってい
る。この実施例では、防着板６はセラミック板からなり
、防着板７は金属板（例えばＳＵＳ板）にセラミックの
被膜９を施したものである。又、トレー４の表面にもセ
ラミックの被。

膜（図示せず）が施されている。

（変形例）第２図乃至第５図はこの発明の変形例を示したもので、
上記実施例と同一効果が得られる。

即ち、第２図の場合は薄膜成膜装置のうちのスパッタ装
置のトレーであり、被成膜物３を載せるサブトレー１０
とトレ一本体１１からなり、両者のスバッティング材が
付着する部分にはセラミックの被ｌＩ９が施されている
。

又、第３図の場合は薄膜成膜装置のうちガスの励起によ
り成膜するプラズマＣＶＤ装置であり、ヒータ１２によ
って加熱された基板ホルダー１３上に、被成膜物である
基板１４が載置されている。

そして、真空槽１５内には、基板ホルダー１３に対向し
て放電電源１６に接続されている族Ｔｉ電極１７が配設
され、ガス供給部１８よりプラズマ発生ガスが供給され
る。このガスは、高周波によりプラズマを発生させる。

成膜時には、基板ホルダー１３面及び放電電極１７面に
膜が付着する。従って、これらの面にも、セラミックの
被膜〈図示せず）が施されている。

このようなプラズマＣＶＤ装置には、放電電極１７の基
板ホルダー１３側にガスを拡散するガス拡散板１９が備
えられているが、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、
このガス拡散板１９にもセラミックスあるいはアルミニ
ウムからなる被膜２０が施されている。尚、第３図中の
２１は排気部である。

又、第３図のプラズマＣＶＤ装置では、基板ホルダー１
３上に被成膜物である基板１４が載置されていたが、第
５図に示すように、被成膜物２２を載せるトレー２３を
用いるものもあり、このトレー２３の成膜側にセラミッ
クの被膜９が施されている。尚、２４は裏面電極である
。

尚、セラミック材質は、成膜装置や成膜種類によって、
ガス放出やガス吸収を考慮して、どのようなものも選ぶ
ことが出来る。

又、被ｌＩ９．２０はセラミックやアルミニウムに限定
されない。

［発明の効果コこの発明によれば、防着板６．７はセラミック板あるい
はセラミック被膜９を施した金属板からなっているので
、防着板６．７からの躾剥がれによるゴミを防止するこ
とが出来る。特に、透明導電膜ＩＴＯやＳｉＯｘ、Ｓｉ
Ｎのようなｍ剥がれし易い材質の成膜には、効果大であ
る。更に、加熱成膜においては、真空槽の加熱の防止効
果を有している。これは、真空槽の熱変形やパツキンの
熱劣化を防ぐことになる。

又、トレー４の表面にはセラミック被膜が施されている
ので、上記と同様にトレー４からの膜剥がれによるゴミ
を防止することが出来る。更に、成膜時のトレー４の温
度上昇が少なく、この結果、トレー４の熱変形が少なく
なり、トレー搬送のトラブルを少なくすることが出来、
又、被成膜物３とトレー４との間に隙間が出来難くなる
。このことは、その隙間を迦して被成膜物３の裏面に膜
が回り込み、付着すると言うことがなくなり、製品側へ
の影響も少なくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る薄膜成映装置を示す
断面図、第２図乃至第５図はこの発明の変形例を示す断
面図である。１・・・真空槽、　３・・・被成膜物、　４・・・トレ
ー、６．７・・・防着板、　９・・・被膜、　１９・・
・ガス拡散−板。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦３植Ａ膜側第　１　図第２図第３図（ａ）第４圓第５図（ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空槽内で被成膜物に薄膜を成膜する薄膜成膜装
置において、上記被成膜物以外の所定部分を、セラミック板あるいは
被膜を施した金属板により構成してなることを特徴とす
る薄膜成膜装置。
（２）上記被膜はセラミックである特許請求の範囲第１
項記載の薄膜成膜装置。
（３）上記被膜はアルミニウムである特許請求の範囲第
１項記載の薄膜成膜装置。
（４）上記所定部分は上記真空槽内に配設された防着板
である特許請求の範囲第１項記載の薄膜成膜装置。
（５）上記所定部分は上記被成膜物を載せるトレーであ
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜成膜装置。
（６）上記所定部分は上記真空槽内に供給されたガスを
拡散するガス拡散板である特許請求の範囲第１項記載の
薄膜成膜装置。