JPS63236032A - レジストの露光方法 - Google Patents
レジストの露光方法Info
- Publication number
- JPS63236032A JPS63236032A JP62070996A JP7099687A JPS63236032A JP S63236032 A JPS63236032 A JP S63236032A JP 62070996 A JP62070996 A JP 62070996A JP 7099687 A JP7099687 A JP 7099687A JP S63236032 A JPS63236032 A JP S63236032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- transparent substrate
- light
- substrate plate
- prevent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、透明な基板上に形成したレジストの露光方法
に関する ［背景技術］ 半導体素子形成プロセスにおいては、シリコン基板上に
レジストをスピナー等で均一な厚みに塗布し、この上に
所望のパターンが印刷されたマスクを載せ、紫外線を露
光し、露光された部分以外のレジストを現像工程で取り
除くことにより、エツチングやメッキのレジスト膜を形
成する。
に関する ［背景技術］ 半導体素子形成プロセスにおいては、シリコン基板上に
レジストをスピナー等で均一な厚みに塗布し、この上に
所望のパターンが印刷されたマスクを載せ、紫外線を露
光し、露光された部分以外のレジストを現像工程で取り
除くことにより、エツチングやメッキのレジスト膜を形
成する。
プリント配線用基板上に回路を形成する場合においても
、レジストの塗布方法はロールコータ−を用いて行なう
ものの、露光〜現像工程によるレジスト膜を形成方法は
同様である。
、レジストの塗布方法はロールコータ−を用いて行なう
ものの、露光〜現像工程によるレジスト膜を形成方法は
同様である。
このような露光〜現像工程を透明な基板に適用し、透明
基板上にメッキやエツチングを選択的に行なう為のレジ
スト膜を形成するような場合（例えば、ガラス基板上に
透明導電膜を形成するような場合）には、つぎのような
問題がある。すなわち、シリコン基板やプリント配線用
基板ではマスクの開口部（透明部分）を紫外線は透過し
、レジストを感光させ基板に吸収されるか、たとえ基板
面で反射されたとしてもレジストの厚さが非常に薄い（
数ミクロン）為、不要な所に光があたる可能性は極めて
少ない。ところが、透明基板の場合、第４図に示すよう
に、マスク６を透過した光はレジスト３を通過後、基板
１をも通過し、露光装置のステージ８等で反射する。こ
の反射光の内、あるものは再び基板ｌを通過し、レジス
ト３にあたり感光させる。これが必要以外の部分にピン
ホールを発生させる原因となり、歩留り低下の−因にな
っている。
基板上にメッキやエツチングを選択的に行なう為のレジ
スト膜を形成するような場合（例えば、ガラス基板上に
透明導電膜を形成するような場合）には、つぎのような
問題がある。すなわち、シリコン基板やプリント配線用
基板ではマスクの開口部（透明部分）を紫外線は透過し
、レジストを感光させ基板に吸収されるか、たとえ基板
面で反射されたとしてもレジストの厚さが非常に薄い（
数ミクロン）為、不要な所に光があたる可能性は極めて
少ない。ところが、透明基板の場合、第４図に示すよう
に、マスク６を透過した光はレジスト３を通過後、基板
１をも通過し、露光装置のステージ８等で反射する。こ
の反射光の内、あるものは再び基板ｌを通過し、レジス
ト３にあたり感光させる。これが必要以外の部分にピン
ホールを発生させる原因となり、歩留り低下の−因にな
っている。
［発明の目的コ
本発明は、上記問題点を改善するためになされたもので
、その目的とするところは、透明基板を透過した光が露
光装置のステージ等で反射し、再びレジストを感光させ
ることを防止し得る露光方法を提供するにある。
、その目的とするところは、透明基板を透過した光が露
光装置のステージ等で反射し、再びレジストを感光させ
ることを防止し得る露光方法を提供するにある。
「発明の開示］
本発明は、透明基板上に形成したレジストを、レジスト
の上方に配したマスクを介して露光する工程において、
上記透明基板の下面に光吸収手段を配したことを特徴と
する。
の上方に配したマスクを介して露光する工程において、
上記透明基板の下面に光吸収手段を配したことを特徴と
する。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本
発明の一実施例を示すもので、図中、■はガラス等の透
明基板、２は透明基板１の上に形成された透明導電膜、
３はレジストであり、これらは周知の方法により形成さ
れる。このようにして形成されたレジスト３を、レジス
ト３の上方に配した、ガラス板４上に所望のパターン５
が印刷されたマスク６を介して紫外線ＵＶで露光する工
程において、上記透明基板１の下面に光吸収手段として
の紫外線吸収テープ７を接着し、透明基板１の下面から
紫外線が外に漏れるのを防止し、露光装置のステージ８
（第３図参照）等で乱反射するのを防止したものである
。
発明の一実施例を示すもので、図中、■はガラス等の透
明基板、２は透明基板１の上に形成された透明導電膜、
３はレジストであり、これらは周知の方法により形成さ
れる。このようにして形成されたレジスト３を、レジス
ト３の上方に配した、ガラス板４上に所望のパターン５
が印刷されたマスク６を介して紫外線ＵＶで露光する工
程において、上記透明基板１の下面に光吸収手段として
の紫外線吸収テープ７を接着し、透明基板１の下面から
紫外線が外に漏れるのを防止し、露光装置のステージ８
（第３図参照）等で乱反射するのを防止したものである
。
ここで、紫外線吸収テープ７を透明基板１の下面に接着
時に、透明基板１とテープ７の間に気泡が入ると、その
部分で乱反射が起きるので、第２図に示すような加圧用
ローラ９を用いて、基板１面に均一な圧力を加えテープ
７を接着するのが好ましい。
時に、透明基板１とテープ７の間に気泡が入ると、その
部分で乱反射が起きるので、第２図に示すような加圧用
ローラ９を用いて、基板１面に均一な圧力を加えテープ
７を接着するのが好ましい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでないのは
勿論であり、例えば、光吸収手段７としては、透明基板
１の下面にクロム等の光吸収用材料を形成しても同様の
効果が期待できる。
勿論であり、例えば、光吸収手段７としては、透明基板
１の下面にクロム等の光吸収用材料を形成しても同様の
効果が期待できる。
［発明の効果］
本発明は上記のように、透明基板上に形成したレジスト
を、レジストの上方に配したマスクを介して露光する工
程において、上記透明基板の下面に光吸収手段を配した
ことにより、透明基板を透過した紫外線の乱反射を防止
でき、レジスト膜のピンホールをなくすることができる
。従って、本発明を用いれば製品の歩留りを向上させる
ことができる。また、本発明によれば透明基板上にメッ
キやエツチングを選択的に行なう為のレジスト膜を形成
するような場合でも、露光装置の改良を必要とせず、シ
リコン基板やプリント配線用基板の露光装置をそのまま
用いることができる利点もある。
を、レジストの上方に配したマスクを介して露光する工
程において、上記透明基板の下面に光吸収手段を配した
ことにより、透明基板を透過した紫外線の乱反射を防止
でき、レジスト膜のピンホールをなくすることができる
。従って、本発明を用いれば製品の歩留りを向上させる
ことができる。また、本発明によれば透明基板上にメッ
キやエツチングを選択的に行なう為のレジスト膜を形成
するような場合でも、露光装置の改良を必要とせず、シ
リコン基板やプリント配線用基板の露光装置をそのまま
用いることができる利点もある。
第１図は本発明の一実施例を示す簡略図、第２図は本発
明に係る光吸収手段の接着状態を示す簡略斜視図、第３
図は本発明の詳細な説明する簡略図、第４図は従来例の
作用を説明する簡略図である。 Ｉ・・・透明基板、２・・・透明導電膜、３・・・レジ
スト、６・・・マスク、７・・・光吸収手段。
明に係る光吸収手段の接着状態を示す簡略斜視図、第３
図は本発明の詳細な説明する簡略図、第４図は従来例の
作用を説明する簡略図である。 Ｉ・・・透明基板、２・・・透明導電膜、３・・・レジ
スト、６・・・マスク、７・・・光吸収手段。
Claims (1)
- （１）透明基板上に形成したレジストを、レジストの上
方に配したマスクを介して露光する工程において、上記
透明基板の下面に光吸収手段を配したことを特徴とする
レジストの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62070996A JPS63236032A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | レジストの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62070996A JPS63236032A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | レジストの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236032A true JPS63236032A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13447675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62070996A Pending JPS63236032A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | レジストの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007041448A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012201973A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Seiko Instruments Inc | 電鋳型 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62070996A patent/JPS63236032A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007041448A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
| JP2012201973A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Seiko Instruments Inc | 電鋳型 |
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