JPS6323652B2 - - Google Patents
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- JPS6323652B2 JPS6323652B2 JP18796983A JP18796983A JPS6323652B2 JP S6323652 B2 JPS6323652 B2 JP S6323652B2 JP 18796983 A JP18796983 A JP 18796983A JP 18796983 A JP18796983 A JP 18796983A JP S6323652 B2 JPS6323652 B2 JP S6323652B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、プリント基板用マスク又はプリント
基板等のパターンの欠陥を検査するためのパター
ン検査装置に関し、特に特別の検査アルゴリズム
を用いてパターンの欠陥を検査するパターン検査
装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a pattern inspection device for inspecting defects in a pattern of a printed circuit board mask or a printed circuit board, etc., and particularly to a pattern inspection device for inspecting defects in a pattern using a special inspection algorithm. The present invention relates to a pattern inspection device for inspecting.
多数の集積回路(IC)素子が搭載されて該IC
の支持及び結線を行うプリント基板は例えば第1
図Aに示すように基板10の周辺に多数の端子部
導体パターン(ランド)12をまた内部にICの
ピンが挿し込まれる多数の導体パターン(ラン
ド)14が設けられ、これらは配線(リード)1
6により適宜接続されている。なお図示しないが
導体パターン14にはICのピン挿し込み用の孔
があけられる。導体パターン12,14,16は
周知のようにフオトプロセスにより作られる。即
ち表面に銅箔を被着したプリント基板にフオトレ
ジストを塗布し、マスクを当てて露光し、現像後
エツチングし、といつた工程で作られるが、出来
上つた導体パターンには同図Bに示す如く、ラン
ド12以外の所にできれば微小導体パターン(黒
点)18や、同図Cに示す如くリード16の一部
欠落部20や、また図示しないがランド12及び
リード16からひげ状の延長する小突起部(ひ
げ)などが存在することがある。
The IC is equipped with a large number of integrated circuit (IC) elements.
For example, the printed circuit board that supports and connects the
As shown in Figure A, a large number of terminal conductor patterns (lands) 12 and a large number of conductor patterns (lands) 14 into which IC pins are inserted are provided around the board 10, and these are wires (leads). 1
6 and are appropriately connected. Although not shown, holes for inserting IC pins are formed in the conductive pattern 14. The conductor patterns 12, 14, 16 are made by a photo process as is well known. In other words, it is made by applying a photoresist to a printed circuit board with copper foil on its surface, exposing it with a mask, developing it, and then etching it. As shown, if possible, there may be a minute conductor pattern (black dot) 18 in a place other than the land 12, a partially missing part 20 of the lead 16 as shown in C of the same figure, or a whisker-like extension from the land 12 and the lead 16 (not shown). Small projections (beards) may be present.
これらの形成原因には種々のものがあるが、そ
の1つはマスクそれ自身に存在する欠陥である。
マスクは一般には感光剤を塗布したガラス基板
に、設計者が紙面上に画いた白黒パターン(マス
ク画面)を縮尺投影し、次いで現像して作られる
が、このマスク作成時にピンホール、黒点、ヒゲ
などの欠陥が導入され、またマスクが繰り返し使
用される間にパターンの一部欠落などの欠陥が導
入されてしまう。従つてマスクは作成時に、また
使用中に適宜欠陥検査し、正常は否かをチエツク
する必要がある。 There are various causes for these formations, one of which is defects existing in the mask itself.
Masks are generally made by projecting a black and white pattern (mask screen) drawn on paper by a designer on a scale onto a glass substrate coated with a photosensitizer, and then developing it. In addition, as the mask is repeatedly used, defects such as partial pattern omissions are introduced. Therefore, it is necessary to properly inspect the mask for defects at the time of manufacture and during use to check whether it is normal or not.
従来このマスク検査は目視に依つており、基板
上の微細パターンの全体に亘つて顕微鏡などを通
してピンホール、黒点等の有無をチエツクしてい
るが、これは相当に厄介な作業である。
Conventionally, this mask inspection has relied on visual inspection, in which the presence or absence of pinholes, black spots, etc. is checked over the entire fine pattern on the substrate through a microscope, but this is a considerably troublesome task.
このため、係るパターンの欠陥を検査する装置
が開発され、実用に供されている。係る従来のパ
ターン検査装置は第2図に示す如く、レーザー光
源21からのレーザー光を走査ミラー22によつ
て図のX方向に走査し、走査光はスキヤナレンズ
23を介しマスク等の被検査パターンをもつ被検
査体30に投射され、その透過光は光検知器24
に入射し、電気信号に変換される。被検査体30
は図示しないテーブルに搭載され、テーブルはモ
ータ等によつてY方向に駆動されるので、レーザ
光の走査(X方向)とテーブルの移動(Y方向)
とによつて被検査体30の所定の領域が光走査さ
れ、そのパターンは光検知器24で電気信号に変
換される。この電気信号(パターン信号)は検査
回路40に入力し、その2次元レジスタに格納さ
れたのち所定の検査アルゴリズムによつてレジス
タの所定のビツト位置の信号が読出され、欠陥検
出が行なわれる。この検査アルゴリズムは第3図
Aに示す如く、0゜方向に形成されたパターンエツ
ジTEGに直交する90゜方向の直線状の複数ビツト
S1〜So及びK、Dより成る黒点検出パターンPa
と、その中央両側の3ビツトGA1〜GA3、GB1
〜GB3より成る第1のガードパターンPbとその
下方両側の1ビツトGC、GDより成る第2のガー
ドパターンPcとで構成され、走査方向に対し、
0゜、90゜、180゜、270゜方向に配置される。一方、
45゜、135゜225゜、315゜方向には第3図Bの如く、パ
ターンエツジに直交する45゜方向に形成された黒
点検出パターンPd(S1〜So、K、D)と、第1の
カードパターンPe(GA1〜GA3、GB1〜GB3)
と、第2のガードパターンPf(GC、GD)と、第
3のガードパターンPg(GE1〜GEn、GF1〜
GFn)とで構成される検査アルゴリズムが配置さ
れる。 For this reason, devices for inspecting defects in such patterns have been developed and put into practical use. As shown in FIG. 2, such a conventional pattern inspection apparatus scans a laser beam from a laser light source 21 in the X direction of the figure using a scanning mirror 22, and the scanning beam passes through a scanner lens 23 and scans a pattern to be inspected such as a mask. The transmitted light is projected onto the object 30 to be inspected, and the transmitted light is transmitted to the photodetector 24.
and is converted into an electrical signal. Tested object 30
is mounted on a table (not shown), and the table is driven in the Y direction by a motor etc., so the scanning of the laser beam (X direction) and the movement of the table (Y direction)
A predetermined area of the object to be inspected 30 is optically scanned by the photodetector 24, and the pattern is converted into an electrical signal by the photodetector 24. This electrical signal (pattern signal) is input to the inspection circuit 40 and stored in the two-dimensional register, and then the signal at a predetermined bit position of the register is read out according to a predetermined inspection algorithm to detect defects. As shown in Fig. 3A, this inspection algorithm uses a plurality of linear bits in the 90° direction perpendicular to the pattern edge TEG formed in the 0° direction.
Sunspot detection pattern Pa consisting of S 1 to S o , K, and D
and the 3 bits GA1 to GA3, GB1 on both sides of the center
Consisting of a first guard pattern Pb consisting of ~GB3 and a second guard pattern Pc consisting of 1-bit GC and GD on both sides below it, in the scanning direction,
Arranged at 0°, 90°, 180°, and 270° directions. on the other hand,
In the 45°, 135°, 225 ° , and 315° directions, as shown in FIG. 1 card pattern Pe (GA1~GA3, GB1~GB3)
, the second guard pattern Pf (GC, GD), and the third guard pattern Pg (GE1~GEn, GF1~
An inspection algorithm consisting of GFn) is arranged.
このうち、黒点検出パターンPa,Pdはパター
ンエツジを検出するとともに、パターンの黒点部
の存在及び走査方向の長さを示し、ガードパター
ンは検出パターンエツジ近傍におけるパターン屈
曲部での誤検出を禁止し、指定外角度方向の検出
を禁止するためのものである。このため検査パタ
ーンの各検出ビツトにつき次の3つの検出条件に
より正常時の被検パターンを判定する。 Among these, the black spot detection patterns Pa and Pd detect pattern edges and indicate the existence of the black spot part of the pattern and the length in the scanning direction, and the guard pattern prevents false detection at pattern bends near the detected pattern edges. , is for prohibiting detection of unspecified angular directions. For this reason, a normal test pattern is determined for each detection bit of the test pattern based on the following three detection conditions.
(1) 黒点検出パターンPa,Pdはパターンエツジ
を検知し即ち、ビツトKとDの内容が異なるこ
とで黒点検出のスタートを示し、黒点パターン
の走査方向の長さを黒点検出で示す。(1) The black spot detection patterns Pa and Pd detect pattern edges, that is, the contents of bits K and D are different, indicating the start of black spot detection, and the length of the black spot pattern in the scanning direction is indicated by the black spot detection.
(2) ガードパターンPb,PeおよびPgは各群とも
中に1個以上の白ビツトを含むものとする。(2) Each group of guard patterns Pb, Pe, and Pg shall contain one or more white bits.
(3) ガードパターンPc,Pfは同符号であること、
すなわち被検パターンエツジの検出時その近傍
に誤検出のおそれのある屈曲部が角度方向であ
る場合にはガードパターンで誤検出を禁止し、
指定角度以外を禁止するものである。(3) Guard patterns Pc and Pf must have the same sign,
In other words, when detecting the edge of the pattern to be tested, if there is a bend in the vicinity that may cause false detection, the guard pattern is used to prevent false detection.
This prohibits angles other than those specified.
第4図は第2図の検出回路40の2次元シフト
レジスタ401に第3図A,Bに示す検査パター
ンを設定したものである。通常のパターンエツジ
の方向は0゜、45゜、90゜、135゜、180゜、225゜、270
゜、
315゜の8方向に限られるから第3図Aと同じパタ
ーンを0゜、90゜、180゜、270゜、同図Bのパターンを
45゜、135゜、225゜、315゜に設定すれば全部のパター
ンエツジに適用することができる。 In FIG. 4, the test patterns shown in FIGS. 3A and 3B are set in the two-dimensional shift register 401 of the detection circuit 40 in FIG. 2. In FIG. Normal pattern edge directions are 0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270°
゜、
Since the angle is limited to 8 directions of 315°, we can use the same pattern as in Figure 3 A at 0°, 90°, 180°, 270°, and the pattern in Figure 3 B.
By setting it to 45°, 135°, 225°, and 315°, it can be applied to all pattern edges.
この様にして黒点、ヒゲ等の欠陥の検出が可能
となり、又2次元レジスタ401に格納されるパ
ターン信号を反転すれば、欠けの検出もできる。 In this way, defects such as black spots and whiskers can be detected, and by inverting the pattern signal stored in the two-dimensional register 401, chipping can also be detected.
この検査マスクは被検査体30のパターンの角
度が必らずπ/4×nであるものには適用出来るが
その他の角度のものには過検出のおそれがあり適
用出来ないとされている。 It is said that this inspection mask can be applied to a pattern of the object to be inspected 30 whose angle is necessarily π/4×n, but cannot be applied to a pattern with other angles because there is a risk of over-detection.
一方、近年係るプリント板のランドパターンと
して六角形のものが利用されつつあり、この場合
パターン角度はπ/6×n(30゜、60゜、…)という様
になる。 On the other hand, in recent years, hexagonal land patterns have been used as land patterns for such printed boards, and in this case, the pattern angle is π/6×n (30°, 60°, . . . ).
このため、従来はこの検査マスクを備えたパタ
ーン検査装置では、係るパターン角度の異なる被
検査体の検査に用いることができないという問題
があり、新たに検査マスク及び検査装置を開発す
る必要があつた。 For this reason, there was a problem that conventional pattern inspection equipment equipped with this inspection mask could not be used to inspect objects to be inspected with different pattern angles, and it was necessary to develop new inspection masks and inspection equipment. .
本発明の目的は、特定角度のパターンを対象と
して作成した検査マスクを持つパターン検査装置
を他の角度のパターンを持つ被検査体の検査に利
用することの可能なパターン検査装置を提供する
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pattern inspection device that can use a pattern inspection device having an inspection mask created for a pattern at a specific angle to inspect objects to be inspected that have patterns at other angles. .
本発明は、上述の目的の達成のため、被検査体
の画像パターンを記憶するレジスタと、所定の検
査マスクに従つて該レジスタの複数所定位置のビ
ツトの論理を取つて欠陥検査する欠陥検査論理回
路とを有するパターン検査装置において、該欠陥
検査論理回路によつて欠陥検出されたことに応じ
て該欠陥検査論理回路の入力データを記憶するエ
ラーパターンメモリと、該エラーパターンメモリ
の内容を検査して該欠陥検査論理回路の入力条件
を変更する補正回路とを設け、該補正回路が該エ
ラーパターンメモリから同一のデータパターンを
nケ以上検出することに応じ当該入力条件を変更
して該検査マスクを修正することを特徴としてい
る。
To achieve the above object, the present invention provides a register that stores an image pattern of an object to be inspected, and a defect inspection logic that inspects for defects by reading the logic of bits at a plurality of predetermined positions of the register according to a predetermined inspection mask. an error pattern memory for storing input data of the defect inspection logic circuit in response to a defect detected by the defect inspection logic circuit; and an error pattern inspection device for inspecting the contents of the error pattern memory. and a correction circuit that changes the input conditions of the defect inspection logic circuit, and when the correction circuit detects n or more identical data patterns from the error pattern memory, the correction circuit changes the input conditions and changes the input conditions of the inspection mask. It is characterized by correcting.
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.
第5図は本発明の一実施例ブロツク図であり、
図中、401は2次元メモリであり、第4図に示
した如く、2次元のシフトレジスタで構成され、
光検出器24からの直列パターン信号を記憶し、
再度二次元のパターンとして格納するもの、40
2はマルチプレクサであり、2次元メモリ401
から第3図の検査マスクに従つて取り出すべきメ
モリ401のビツト位置の信号群が入力され、こ
れらの入力信号の各々を後述するマルチプレクサ
制御回路の出力に従いゲートするもの、403は
欠陥検出論理回路であり、欠陥検出論理に従つて
マルチプレクサ402を介する入力信号群の論理
を取り、欠陥検出を行なうものであり、第6図の
如く構成されるものである。即ち、第6図は欠陥
検出論理回路403の一例を示す回路図であり、
第3図A,Bで説明した検出論理を実現する検出
回路である。すなわち検査パターンの黒点検出パ
ターンPa又はPdに属するDを直接に、KをNOT
回路421を介して検出し、次にガードパターン
Pc又はPfは正常時は同符号であるから、Gc、GD
をEXNOR回路422に入力し正常ならば“1”
異常ならば“0”となる。ガードパターンPb又
はPe(GA1〜GA3)、Pb又はPe(GB1〜GB3)、Pg
(GE1〜GEo)、Pg(GF1〜GFo)は正常時は1つ以上
の白ビツドを含むからNAND回路423,42
4,426,427により検出し、正常ならば
“1”、異常ならば“0”となる。黒点検出パター
ンPa又はPdのS1〜Soは、黒点検出であるからOR
回路425の出力となる。 FIG. 5 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
In the figure, 401 is a two-dimensional memory, which is composed of a two-dimensional shift register as shown in FIG.
storing the serial pattern signal from the photodetector 24;
What is stored again as a two-dimensional pattern, 40
2 is a multiplexer, and a two-dimensional memory 401
A signal group at the bit position of the memory 401 to be extracted according to the inspection mask shown in FIG. It detects defects by taking the logic of the input signal group via the multiplexer 402 according to the defect detection logic, and is configured as shown in FIG. That is, FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of the defect detection logic circuit 403,
This is a detection circuit that implements the detection logic explained in FIGS. 3A and 3B. In other words, D belonging to the black spot detection pattern Pa or Pd of the inspection pattern is directly written, and K is NOT
Detected via circuit 421, then guard pattern
Since Pc or Pf have the same sign under normal conditions, Gc and G D
is input to the EXNOR circuit 422, and if it is normal, it becomes “1”
If it is abnormal, it becomes "0". Guard pattern Pb or Pe (G A1 ~ G A3 ), Pb or Pe (G B1 ~ G B3 ), Pg
(G E1 ~ G Eo ) and Pg (G F1 ~ G Fo ) contain one or more white bits during normal operation, so the NAND circuits 423 and 42
4,426,427, and if it is normal, it will be "1", and if it is abnormal, it will be "0". S 1 to S o of sunspot detection pattern Pa or Pd is OR because it is sunspot detection
It becomes the output of circuit 425.
以上の論理回路のうち、Aのグループの論理積
をとれば、第3図Aの検査パターンの検出条件
を、A+Bのグループの論理積をアンド回路42
8でとれば同図Bの検査パターンの検出条件を満
足するもので、この結果が“1”ならば正常、
“0”ならば欠陥を判定される。又、各検査パタ
ーンの出力をOR回路で論理和をとることによ
り、8方向のどこか一方向以上に欠陥がある事が
わかる。 Of the above logic circuits, if the logical product of the group A is taken, the detection condition of the inspection pattern of FIG.
If it is 8, it satisfies the detection conditions of the test pattern shown in Figure B, and if this result is "1", it is normal.
If it is "0", it is determined that it is defective. Furthermore, by logically ORing the outputs of each inspection pattern using an OR circuit, it can be determined that there is a defect in one or more of the eight directions.
第5図に戻り、404は欠陥パターンメモリで
あり、マルチプレクサ402の出力、即ち、欠陥
検出論理回路403の入力データを欠陥検出論理
回路403の欠陥検出信号の出力毎に格納するも
の、405は比較回路であり、欠陥パターンメモ
リ404の各データパターンの内容を比較し、同
一のデータパターンがnケ存在するか検査するも
の、406はマルチプレクサ制御回路であり、比
較回路405が同一のデータパターンの複数個存
在を検知した時に、マルチプレクサ402を制御
して、同一データパターンがnケ以上存在しない
様に、入力信号群の特定の信号の出力を禁止する
ためのものである。尚、比較回路405、マルチ
プレクサ制御回路406で補正回路を構成する。 Returning to FIG. 5, 404 is a defect pattern memory that stores the output of the multiplexer 402, that is, the input data of the defect detection logic circuit 403 every time the defect detection signal of the defect detection logic circuit 403 is output, and 405 is a comparison memory. 406 is a multiplexer control circuit that compares the contents of each data pattern in the defective pattern memory 404 and checks whether there are n identical data patterns. This is to control the multiplexer 402 when detecting the presence of a specific data pattern to prohibit the output of a specific signal of the input signal group so that n or more identical data patterns do not exist. Note that the comparator circuit 405 and the multiplexer control circuit 406 constitute a correction circuit.
次に第5図実施例構成の動作について説明す
る。通常のパターン検査としては、第2図の光検
出器24からの直列パターン信号は2次元メモリ
401に入力され、2次元パターンとして格納す
る。ここでマルチプレクサ402のゲート群が全
て開かれ、入力信号群が全て出力を許可されてい
るとすると、欠陥検出論理回路403は、第3図
A,Bの欠陥検出論理に従つて欠陥検出を行な
う。2次元メモリ401はシフトクロツクに従つ
て順次記憶内容をシフトさせているので、欠陥検
出論理回路403はこのシフトと同期して変化す
る入力信号群により順次欠陥検査し、こうして2
次元メモリ401のパターン信号全ての欠陥検査
を行なう。欠陥検出論理回路403は欠陥検出を
行なうと、欠陥検出信号を出力する。この欠陥検
出信号は図示しない出力装置において、図面上の
対応するアドレス位置にマークが付され、人間に
欠陥位置を明示する。これとともに欠陥検出信号
を取込タイミングとして欠陥パターンメモリ40
4はこの時の欠陥検出論理回路403の入力信号
の内容(即ち、入力データ)を取込み順次格納す
る。この様にして1回の検査が終了すると、即ち
2次元メモリ401のシフトが終了すると、比較
回路405は欠陥パターンメモリ404の内容を
検査する。即ち、比較回路405は欠陥パターン
メモリ404の内容を比較し、同一のデータパタ
ーンがnケ以上存在するか否か判定する。ここで
同一のデータパターンの存在を検出する理由は、
欠陥であれば1枚のフイルム又は基板(即ち被検
査体)の中には同じ特徴を持つた欠陥の存在数が
少ないという前提により、この様な同じ特徴をn
ケ以上持つた欠陥は過検出によるものと判定す
る。比較回路405が同一のデータパターンをn
ケ以上検出しなかつた時は、係る欠陥検査論理に
過検出はないとして、マルチプレクサ制御回路4
06の制御は許可しない。逆に比較回路405が
同一のデータパターンをnケ以上検出した時に
は、マルチプレクサ制御回路406に通知し、マ
ルチプレクサ制御回路406は過検出が生じない
様にマルチプレクサ402の出力の一部を禁止す
る。例えば、予じめ過検出の生じ易い入力線は経
験的にわかつているから、黒点検出パターンPa
又はPdのビツト数を少なくする様に制御したり、
各ガードパターンのビツト数を少なくする様に、
マルチプレクサ制御回路406はマルチプレクサ
402の各ゲートを禁止制御する。この様して欠
陥検査論理(即ち検査マスク)を修正した後、再
度前述と同様に2次元メモリ401をシフトさ
せ、欠陥検出論理回路403で欠陥検出を行なわ
しめ、欠陥検出信号によつて欠陥パターンメモリ
404に入力データを格納せしめる。この様にし
て1回の検査終了後、比較回路405は再度欠陥
パターンメモリ404の内容を比較し、同一デー
タパターンの存在を検出する。ここで、比較回路
405が同一のデータパターンをnケ以上検出し
なかつた時は、係る修正された欠陥検査論理に過
検出はないとしてマルチプレクサ制御回路406
の制御を許可せず、係る検査マスクの修正作業は
終了する。逆に比較回路405が再び同一のデー
タパターンをnケ以上検出した時には、マルチプ
レクサ制御回路406に通知し、マルチプレクサ
制御回路406は異なる欠陥検査論理となる様に
マルチプレクサ402の各ゲートを禁止制御す
る。そして再び同様の検査を行い更に比較、判定
を行つて、欠陥検査論理を修正し、最終的に欠陥
パターンメモリ404に同一の欠陥データパター
ンがnケ以上存在しなくなるまで繰返す。この様
にして欠陥パターンメモリ404に同一のデータ
パターンがnケ以上存在しなくなつた時のマルチ
プレクサ402の制御パターンが新しい欠陥検査
論理に、その被検査体の欠陥検査に供される。こ
の比較回路405の動作は被検査体のパターンが
変更される毎に外部から修正要求が出され、最適
の欠陥検査論理の探求が開始される。 Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 5 will be explained. For normal pattern inspection, serial pattern signals from the photodetector 24 in FIG. 2 are input to the two-dimensional memory 401 and stored as a two-dimensional pattern. Assuming that all the gates of the multiplexer 402 are open and output of all input signals is permitted, the defect detection logic circuit 403 performs defect detection according to the defect detection logic shown in FIGS. 3A and 3B. . Since the two-dimensional memory 401 sequentially shifts the stored contents in accordance with the shift clock, the defect detection logic circuit 403 sequentially tests for defects using a group of input signals that change in synchronization with this shift.
All pattern signals in the dimensional memory 401 are inspected for defects. When the defect detection logic circuit 403 detects a defect, it outputs a defect detection signal. This defect detection signal is used to mark the corresponding address position on the drawing in an output device (not shown), thereby clearly indicating the defect position to a human being. Along with this, the defect pattern memory 40 uses the defect detection signal as the timing to capture the defect detection signal.
4 takes in the contents of the input signal (ie, input data) of the defect detection logic circuit 403 at this time and sequentially stores them. When one inspection is completed in this manner, that is, when the shift of the two-dimensional memory 401 is completed, the comparison circuit 405 inspects the contents of the defective pattern memory 404. That is, the comparison circuit 405 compares the contents of the defective pattern memory 404 and determines whether or not there are n or more identical data patterns. The reason for detecting the existence of identical data patterns here is that
In the case of defects, based on the premise that there are few defects with the same characteristics in a single film or substrate (i.e. the object to be inspected),
Defects with more than 1,000 defects are determined to be due to overdetection. Comparison circuit 405 compares the same data pattern with n
If the defect detection logic does not detect more than 1, the multiplexer control circuit 4
Control of 06 is not permitted. Conversely, when the comparison circuit 405 detects n or more identical data patterns, it notifies the multiplexer control circuit 406, and the multiplexer control circuit 406 inhibits part of the output of the multiplexer 402 to prevent over-detection. For example, since the input line that is likely to cause over-detection is known in advance from experience, the sunspot detection pattern Pa
Or control to reduce the number of bits of Pd,
In order to reduce the number of bits in each guard pattern,
The multiplexer control circuit 406 inhibits each gate of the multiplexer 402. After correcting the defect inspection logic (that is, the inspection mask) in this way, the two-dimensional memory 401 is shifted again in the same manner as described above, the defect detection logic circuit 403 performs defect detection, and the defect detection signal is used to detect the defect pattern. The input data is stored in the memory 404. After completing one inspection in this manner, the comparison circuit 405 again compares the contents of the defective pattern memory 404 and detects the presence of the same data pattern. Here, when the comparison circuit 405 does not detect n or more identical data patterns, the multiplexer control circuit 405 determines that there is no over-detection in the modified defect inspection logic.
control is not permitted, and the modification work for the inspection mask is terminated. Conversely, when the comparison circuit 405 detects n or more of the same data pattern again, it notifies the multiplexer control circuit 406, and the multiplexer control circuit 406 inhibits each gate of the multiplexer 402 so as to provide a different defect inspection logic. Then, the same inspection is performed again, further comparisons and judgments are made, and the defect inspection logic is corrected, and the process is repeated until finally there are no more than n identical defect data patterns in the defect pattern memory 404. In this way, the control pattern of the multiplexer 402 when there are no more than n identical data patterns in the defect pattern memory 404 is applied to the new defect inspection logic for defect inspection of the object to be inspected. Each time the pattern of the object to be inspected is changed, a modification request is issued from the outside, and the search for the optimum defect inspection logic is started.
上述の説明では、マルチプレクサ402を最適
入力条件の動作のために用いたが、単なるゲート
群であつてもよく、また、予じめ被検査体のパタ
ーンが限られている時にはマルチプレクサ制御回
路406に予じめそのパターンに最適の制御パタ
ーンを格納させておき、これによつてマルチプレ
クサを制御してもよい。 In the above description, the multiplexer 402 is used for operation under optimal input conditions, but it may also be a simple group of gates, and if the pattern of the object to be inspected is limited in advance, the multiplexer control circuit 406 may be used. A control pattern optimal for that pattern may be stored in advance, and the multiplexer may be controlled using this control pattern.
以上本発明を一実施例により説明したが、本発
明は本発明の主旨に従い種々の変形が可能であ
り、本発明からこれらを排除するものではない。 Although the present invention has been described above using one embodiment, the present invention can be modified in various ways according to the gist of the present invention, and these are not excluded from the present invention.
以上説明した様に、本発明によれば、被検査体
の画像パターンを記憶するレジスタと、所定の検
査マスクに従つて該レジスタの複数所定位置のビ
ツトの論理を取つて欠陥検査する欠陥検査論理回
路とを有するパターン検査装置において、該欠陥
検査論理回路によつて欠陥検出されたことに応じ
て該欠陥検査論理回路の入力データを記憶するエ
ラーパターンメモリと、該エラーパターンメモリ
の内容を検査して該欠陥検査論理回路の入力条件
を変更する補正回路とを設け、該補正回路が該エ
ラーパターンメモリから同一のデータパターンを
nケ以上検出することに応じ当該入力条件を変更
して該検査マスクを修正することを特徴としてい
るので、特定の被検査体の検査マスク(欠陥検出
論理)を他の被検査体の検査マスクに修正するこ
とができるという効果を奏し、従つて新しい検査
マスク、装置を作成する必要がなく、同一の装置
の種々の被検査体のパターン検査が可能となる。
しかも、欠陥検出された入力データから自動的に
修正しているので、容易にしかも人間の手をわず
らわせないで可能となるという効果も奏し、実用
上極めて有用である。
As explained above, according to the present invention, there is a register that stores an image pattern of an object to be inspected, and a defect inspection logic that inspects for defects by taking the logic of bits at a plurality of predetermined positions of the register according to a predetermined inspection mask. an error pattern memory for storing input data of the defect inspection logic circuit in response to a defect detected by the defect inspection logic circuit; and an error pattern inspection device for inspecting the contents of the error pattern memory. and a correction circuit that changes the input conditions of the defect inspection logic circuit, and when the correction circuit detects n or more identical data patterns from the error pattern memory, the correction circuit changes the input conditions and changes the input conditions of the inspection mask. This feature has the effect that the inspection mask (defect detection logic) of a specific object to be inspected can be modified to the inspection mask of another object to be inspected, and therefore new inspection masks and equipment can be used. There is no need to create a pattern, and pattern inspection of various objects to be inspected can be performed using the same device.
Moreover, since the correction is automatically performed based on the input data in which a defect has been detected, the correction can be easily performed without any human intervention, and is extremely useful in practice.
第1図は本発明の対象とするプリント基板のパ
ターン構成図、第2図は従来構成に係るパターン
検査装置の構成図、第3図は第2図構成の電気的
検査マスク構成図、第4図は第2図構成の2次元
メモリ構成図、第5図は本発明の一実施例ブロツ
ク図、第6図は第5図構成の要部回路図である。
図中、30……被検査体、401……2次元メ
モリ、402……マルチプレクサ、403……欠
陥検出論理回路、404……欠陥パターンメモ
リ、405……比較回路、406……マルチプレ
クサ制御回路。
FIG. 1 is a diagram showing the pattern configuration of a printed circuit board that is the object of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a pattern inspection apparatus according to a conventional configuration, FIG. 5 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram of a main part of the structure shown in FIG. 5. In the figure, 30... object to be inspected, 401... two-dimensional memory, 402... multiplexer, 403... defect detection logic circuit, 404... defect pattern memory, 405... comparison circuit, 406... multiplexer control circuit.
Claims (1)
と、所定の検査マスクに従つて該レジスタの複数
所定位置のビツトの論理を取つて欠陥検査する欠
陥検査論理回路とを有するパターン検査装置にお
いて、該欠陥検査論理回路によつて欠陥検出され
たことに応じて該欠陥検査論理回路の入力データ
を記憶するエラーパターンメモリと、該エラーパ
ターンメモリの内容を検査して該欠陥検査論理回
路の入力条件を変更する補正回路とを設け、該補
正回路が該エラーパターンメモリから同一のデー
タパターンを複数個検出することに応じ当該入力
条件を変更して該検査マスクを修正することを特
徴とするパターン検査装置。1. In a pattern inspection device that has a register that stores an image pattern of an object to be inspected and a defect inspection logic circuit that inspects for defects by reading the logic of bits at a plurality of predetermined positions of the register according to a predetermined inspection mask, an error pattern memory for storing input data of the defect inspection logic circuit in response to a defect being detected by the inspection logic circuit; and an error pattern memory for storing input data of the defect inspection logic circuit, and changing input conditions of the defect inspection logic circuit by inspecting the contents of the error pattern memory. A pattern inspection apparatus comprising: a correction circuit that corrects the inspection mask by changing the input condition in response to detecting a plurality of identical data patterns from the error pattern memory.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187969A JPS6080224A (en) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Pattern inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187969A JPS6080224A (en) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Pattern inspection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080224A JPS6080224A (en) | 1985-05-08 |
| JPS6323652B2 true JPS6323652B2 (en) | 1988-05-17 |
Family
ID=16215313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187969A Granted JPS6080224A (en) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Pattern inspection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080224A (en) |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58187969A patent/JPS6080224A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6080224A (en) | 1985-05-08 |
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