JPS6323655B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイシングされたウエハを個々の半
導体チツプに分割した後の半導体素子の処理方法
に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、粘着シート上に載置されるウエハー
を個々の半導体チツプに分割した後、上記粘着シ
ートを延伸するとともに上記ウエハと相似形状を
有し段階的に規定されるウエハ基準サイズのいず
れか一つと一致する外形寸法を有する取扱いリン
グに貼着し、前記ウエハ用治具により上記取扱い
リングを保持して上記半導体チツプを処理するこ
とによつてダイシングから洗浄、剥離及びダイボ
ンデイング等の処理を簡単に行うことができるよ
うにしたものである。

〔従来の技術〕

今日IC、LSI等の半導体技術の進歩により、エ
レクトロニクス産業が飛躍的に発展し、産業の高
度化や豊かな経済社会の形成に大いに寄与してい
る。これらICやLSI等は、電子計算機に用いられ
るばかりでなく、身近な例ではテレビ、ラジオ、
時計、オーデイオそれからカメラ、自動車等にも
利用されている。さらに、これらの応用のされ方
もいろいろであり、ロジツク（論理回路）とし
て、メモリ（記憶素子）として、イメージヤ（撮
像素子）として、増幅用として、さらにはマイク
ロコンピユータとしてシステム機能を持たせて総
合的に機器を制御するため等に用いられている。

ところで、これらICやLSI等として用いられる
半導体素子は、種々の製造工程を経て製造されて
いる。すなわち、基板となるウエハの製造、この
ウエハ上にエツチング、不純物拡散、イオン注
入、気相酸化膜被着や電極用金属蒸着を施すこと
による半導体チツプの形成、上記半導体チツプの
ダイシングによる分離及びボンデイング、モール
デイング等の組立て工程等である。

ここで、特に上記半導体チツプの分離工程につ
いて着目してみると、上記分離工程では、ウエハ
をダイヤモンドカツタ等を用いてダイシング、す
なわち切断して各半導体チツプを分離し、この半
導体チツプを個々に取出してリードフレームの所
定の位置に移送し固定する必要があつた。このた
め、従来では、ダイシングにより中途部まで切込
みを入れたウエハを２枚のシート内に包装した後
にローラをかけて分割し、上記上側のシートを剥
して分割された個々の半導体チツプを真空ピンセ
ツト等を用いてリードフレームへ移送するという
手段が用いられている。

しかしながら、上記従来の方法では、ウエハの
厚みの中途部まで切込みを入れ、残存部をローラ
の圧力により分割するため、各半導体チツプの外
周縁が破損しやすく、また分割時にウエハの成分
であるケイ素の微粉末が発生して半導体チツプの
表面に付着する等の悪影響を及ぼす虞れがあつ
た。さらに、上記分割時には、いちいちウエハを
取外してシートに包装するというように作業性が
極めて悪いものであつた。

そこで、さらに従来は、ウエハを粘着シートの
上面に粘着固定し、ダイシング時に各半導体チツ
プ間を完全に切断し、その後上記粘着シートを延
伸して分割された各半導体チツプ間に間隔を設
け、これら各半導体チツプを真空ピンセツト等を
用いて上記粘着テープから剥すと同時に移送する
という方法が知られている。上記方法では、半導
体チツプに損傷を生ずることはなく、また作業性
も良好なものとなつている。

ところで、上述のようなダイシング方法では、
ウエハを形成しているケイ素（シリコン）を切断
して行くために、切断されたシリコンの微粉末が
半導体チツプ表面に残るので、ダイシング及び延
伸剤半導体チツプを洗浄する必要が生ずる。この
とき、上記半導体チツプを粘着した粘着シートを
何らかの方法で保持して洗浄工程等に移行するこ
とができれば、上記半導体チツプの取り扱いが容
易となり、作業性も良好なものとなる。

そこで、従来は、第４図に示すように、合成樹
脂等により形成され、その外周面上の径方向に凹
溝を有するようなプラスチツクリング１００に、
上半導体チツプ１０１を貼着し、延伸された粘着
シート１０２を重ね、このシート１０２の外周部
を凹溝に巻き込んで、金具１０３で締める方法を
採つている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上述のような従来の方法では、
上記プラスチツクリング１００に金具１０３を取
り付ける必要があるため、作業性が著しく悪いと
ともに、洗浄工程等のダイシング後の工程に移行
する場合、洗浄機等の各装置に上記プラスチツク
リング１００を保持する特別な治具を設ける必要
があり、非常に扱い難く、コストも多大なものと
なつている。

そこで本発明は、上記従来の技術が有する問題
点を解決するために提案されたものであり、従来
の技術のような金具を必要とせず、ダイシング後
の工程も簡単に行うことができるとともに、特別
の治具を設けることなく従来の設備を流用するこ
とができ、且つ、コストも軽減することができる
半導体素子処理方法を提供することを目的とする
ものである。

〔作用〕

本発明において、分割された半導体チツプは粘
着シートに貼着されるとともに、標準サイズに対
応した半導体素子取扱リングに固定された状態で
処理工程に移行される。

したがつて上記半導体チツプは、洗浄処理やダ
イボンデイング処理等の処理を施す際に従来の設
備を流用してウエハと同様に扱われる。

〔実施例〕

以下、本発明に係る半導体素子処理方法の具体
的な実施例について、図面を参照しながら各工程
順に説明する。

所定の集積回路が形成された半導体素子に対し
て洗浄、ダイボンデイング等の処理を施すには、
先ず、第１図に示すように、前記集積回路が多数
形成されたウエハ１を図示しないダイシング装置
に取付けダイヤモンドブレードによつて完全に切
断し、各集積回路に対応する半導体チツプ２に分
割する。上記ウエハ１はケイ素（シリコン）の単
結晶により形成したものであり、また、上記半導
体チツプ２は、エツチングや不純物拡散、イオン
注入、気相酸化膜被着及び電極用金属蒸着等の工
程を経て表面に所定の上記半導体チツプ２が形成
されたものである。そして上記ウエハ１は、ダイ
シングするために、粘着シート３の上面に載置さ
れ、さらに、この粘着シート３の外周部がリング
状のダイサフレーム４により支持されている。

次に、上述のようにダイサフレーム４によつて
支持された粘着シート３上で図示しないダイヤモ
ンドブレードによつて完全に切断された半導体チ
ツプ２を、上記粘着シート３に貼着したままの状
態で延伸機に移送し延伸させる。上記延伸機は、
第３図及び第４図に示すように、フレーム受け台
５及び上下動自在な可動受け台６から構成されて
いる。上記可動受け台６の上面にはリング状に凹
溝が設けられており、この凹溝２内に上記ウエハ
１よりやや大口径な金属製の半導体素子取扱リン
グ７が嵌合されている。この半導体素子取扱リン
グ７はリング状となされ一端部７Ａが切欠かれ
て、その外周形状は上記ウエハ１と相似形状とな
つている。

ここで、半導体ウエハはその外形寸法が規格化
されており、段階的に外形寸法の異なる複数種類
の標準ウエハが規定されている。そして、上記取
扱リング７の外周形状は、これらのウエハ基準サ
イズのいずれかに一致するように形成されてい
る。

そして、例えば上記ウエハ１に直径が３インチ
の場合には上記取扱リング７の直径が４インチの
ものを用い、ウエハ１の直径が４インチの場合に
は取扱リング７の直径が５インチのものを用いる
というように、ウエハ１の大きさよりひとまわり
大きな標準ウエハと同一寸法形状の半導体取扱リ
ング７を使用するようになされている。上記半導
体素子取扱リング７の上面は、可動受け台６の上
面よりも若干下つた位置となつており、さらに、
上記取扱リング７の上面には両面テープ８が貼着
されている。

一方、上述した延伸機のフレーム受け台５に
は、上記ウエハ１を貼着したダイサフレーム４が
固定されている。このとき、上記延伸機のフレー
ム受け台５の上面と可動受け台６の上面とは同一
平面を形成しており、上記ウエハー１を貼着した
シート３は可動受け台６の上面に載置されるよう
になつている。その後、上記可動受け台６を第３
図Ｂに示すように上昇させて粘着シート３を延伸
する。これにより、上記粘着シート３が伸びると
ともに、上記ダイシングされたウエハ１の各半導
体チツプ２の間隔が開き、各半導体チツプ２の分
割が完了する。

さらに、上記延伸後、可動受け台６上の凹溝に
配設された半導体素子取扱リング７を空気圧等の
手法により粘着シート３の裏面に押し付け、上記
取扱リング７の上面に設けられた両面テープ８に
より、取扱リング７と粘着シート３を貼着固定す
る。

そして、次に、上記半導体チツプ２を貼着した
粘着シート３を上記取扱リング７に沿つて切り取
り、水洗による洗浄工程に移行する。このとき、
上記取扱リング７の外周形状が標準ウエハと同一
になされているので、図示しない洗浄装置にウエ
ハと同様に簡単に取り付けることができる。すな
わち、上記取扱リング７は、標準ウエハを保持す
るための治具で保持することができ、特殊な治具
を用いる必要がない。そして、この主の標準ウエ
ハ用治具は、一般に広く用いられているので簡単
に利用することができる。

さらに、上記取扱リング７を、半導体チツプ剥
離装置に移送させ、上記粘着シート３上の各半導
体チツプ２を剥離し、ダイボンデイング等の組立
て工程に移行させる。このときも、上記取扱リン
グ７は、図示しない剥離装置に同様に簡単に取付
けることができる。

上記実施例においては、分割された半導体チツ
プ２をウエハと同様に取り扱うことができ、ま
た、半導体素子取扱リング７の形状が標準ウエハ
と同一であるために、洗浄装置等に簡単に取付け
ることが可能となつている。さらに、ダイシング
から洗浄、剥離及びダイボンデイングまでを一貫
した自動システムとすることが可能となつてい
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、分割された各半導体チツプを
粘着シートに固定したまま標準ウエハサイズに対
応した半導体素子取扱いリングに貼着して取り扱
うようにしているので、これら各半導体チツプを
洗浄工程等のダイシング後の処理工程に移行する
場合、洗浄機等の各装置に特別な治具を設ける必
要がなく従来の設備を流用することができる。

したがつて、分割された半導体チツプをウエハ
と同様に取り扱うことができ作業性を向上するこ
とができるとともに、設備投資の面においても有
利である。

【図面の簡単な説明】

第１図はウエハを粘着シートに貼着した状態を
示す外観斜視図、第２図は本発明において使用さ
れる半導体素子取扱リングの外観斜視図、第３図
Ａ及び第３図Ｂは粘着シートの延伸工程を示すも
のであり、第３図Ａは延伸前の平面図、第３図Ｂ
は第３図ＡのＡ−Ａ線における延伸後の縦断面図
である。第４図は従来使用されている半導体素子
取扱いリングの一例を示す縦断面図である。 １……ウエハ、２……半導体チツプ、３……粘
着シート、７……半導体素子取扱リング。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 粘着シート上に載置されるウエハを個々の半
   導体チツプに切断した後、 上記粘着シートを延伸するとともに、上記ウエ
   ハと相似形状を有し段階的に規定されるウエハ基
   準サイズのいずれか一つと一致する外形寸法を有
   する取扱いリングに貼着し、 前記ウエハ基準サイズに対応する標準ウエハ用
   治具により上記取扱いリングを保持して上記半導
   体チツプを処理することを特徴とする半導体素子
   処理方法。