JPS6323672B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6323672B2 JPS6323672B2 JP57228917A JP22891782A JPS6323672B2 JP S6323672 B2 JPS6323672 B2 JP S6323672B2 JP 57228917 A JP57228917 A JP 57228917A JP 22891782 A JP22891782 A JP 22891782A JP S6323672 B2 JPS6323672 B2 JP S6323672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- film
- layer
- sic
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は、水素化アモルフアスシリコン（以下
「ａ−Si：Ｈ」という。）又は水素化アモルフアス
シリコンカーバイト（以下「ａ−SiC：Ｈ」とい
う。）を用いた太陽電池に関する。 従来、この太陽電池の代表例としては、第１図
に示すようにガラス等の透光性絶縁基板１上に、
真空蒸着法、スパツタ法又はCVD法等により酸
化インジウム等の透明導電膜２と、グロー放電分
解法によりｐ型ａ−Si：Ｈ層３、ｉ型ａ−Si：Ｈ
層４及びｎ型ａ−Si：Ｈ層５からなるアモルフア
スシリコン半導体層（以下「ａ−Si半導体層」と
いう。）６と、真空蒸着法等によりアルミニウム
等の金属電極７とを積層している。 そして、光８は、透光性絶縁基板１の側から入
射し、主としてｉ型ａ−Si：Ｈ層４内で吸収され
て透明導電膜２と金属電極７との間で起電力を発
生させる。 このような太陽電池の変換効率と、ａ−Si半導
体層６の作成条件については多くの研究がなされ
ているが、透明導電膜２とａ−Si：Ｈ層３との界
面については未だ解明されておらず、現状では変
換効率を向上させるにも限界を来たしており、ま
たそのバラツキが大きい欠点があつた。 本発明の目的は、上記した欠点を除去し、変換
効率を向上させ、かつそのバラツキの少ない太陽
電池を提供することである。 このような目的を達成させるために、本発明
は、(1)透光性絶縁基板上に、透明導電膜と、ｐ
型、ｉ型及びｎ型の各層がａ−Si：Ｈであり又は
ｐ型及びｎ型のうちいずれか少なくとも一方の層
がａ−SiC：Ｈであつてｉ型の層がａ−Si：Ｈで
あるａ−Si半導体層とを具備した太陽電池におい
て、前記透明導電膜と前記ａ−Si：Ｈ又はａ−
SiC：Ｈとの間に、質量膜厚が１〜30Åである、
白金、ニオブ、パラジウム及びロジウムのうち少
なくとも１種からなる膜を介在していることを特
徴とする太陽電池、並びに(2)遮光性導電基板上
に、ｐ型、ｉ型及びｎ型の各層がａ−Si：Ｈ又は
ｐ型及びｎ型のうちいずれか少なくとも一方の層
がａ−SiC：Ｈであつてｉ型の層がａ−Si：Ｈか
らなるａ−Si半導体層と、透明導電膜とを具備し
た太陽電池において、前記遮光性導電基板と前記
ａ−Si：Ｈ又はａ−SiC：Ｈとの間、あるいは前
記ａ−Si：Ｈ又はａ−SiC：Ｈと前記透明導電膜
との間に、質量膜厚が１〜30Åである、白金、ニ
オブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくとも
１種からなる膜を介在していることを特徴とする
太陽電池である。 ここで、「透光性絶縁基板」は、ガラス、フイ
ルムなど透光性絶縁材料からなる基板である。
「透明導電膜」は、酸化インジウム又は酸化スズ
を主成分とする膜、あるいはこれらの多層膜から
なる。「白金、ニオブ、パラジウム及びロジウム
のうち少なくとも１種を主体とする膜」は、白金
等を真空蒸着法、スパツタ法又はイオンプレーテ
イング法等の成膜法により成膜したものである
が、その質量膜厚（単位面積当りの膜質量をその
膜（白金）の比重（21ｇ／c.c.）で割つたものをい
う。）については、本発明の変換効率を考慮して
１〜30Åであつて、このような薄い膜の場合には
島状のような不連続膜になつていると考えられ
る。「遮光性導電基板」は、ステンレス等の金属
性基板又はガラスもしくは有機樹脂等の基板上に
ステンレス、クロム等の金属膜を成膜したもので
ある。 以下、本発明を実施例をもつて詳細に説明す
る。 第２図は、透光性絶縁基板を用いた太陽電池に
おける本発明の一実施例を示し、第１図と同一構
成部分は同一記号を付している（以下同様）。 １０はソーダライムガラスから成形されたガラ
ス基板であり、このガラス基板１０上にスズを不
純物として含んだ酸化インジウム（以下「ITO」
という。）膜２０（膜厚：700Å、シート抵抗：約
30Ω／□）を真空蒸着法により成膜し、このITO
膜２０上に白金膜９（質量膜厚：約10Å）を真空
蒸着により成膜する。この白金膜９は非常に薄い
ものであるから、必ずしも連続膜にならず、島状
構造のような不連続膜になつていると予想され
る。この白金膜９による光の吸収は、波長550n
ｍの光に対して約４％であつた。次に、この白金
膜９上にｐ型ａ−SiC：Ｈ層３０（膜厚：100
Å）、ｉ型ａ−Si：Ｈ層４０（膜厚：5000Å）及
びｎ型ａ−Si：Ｈ層５０からなるａ−Si半導体層
６０をグロー放電分解法により成膜し、このａ−
Si半導体層６０上に金属電極としてアルミニウム
電極７０を真空蒸着法により付着させて、太陽電
池を製作した。なお、本発明の効果を評価するた
めに、比較例として、第２図に示した実施例中、
ITO膜２０上に白金膜９を成膜せずに、直接ａ−
Si半導体層６０を積層し、次いでアルミニウム電
極７０を付着した太陽電池を製作した。 このような実施例及び比較例による太陽電池の
電流電圧特性は、AM１（エアマス１）に調整さ
れた光を照射したときの電流電圧特性を測定した
結果、それぞれ第３図の曲線１１及び１２で示さ
れる。また、下表に実施例及び比較例による太陽
電池の諸特性を示す。なお、同表の数値は比較例
の個々の特性を基準にして規格化している。
「ａ−Si：Ｈ」という。）又は水素化アモルフアス
シリコンカーバイト（以下「ａ−SiC：Ｈ」とい
う。）を用いた太陽電池に関する。 従来、この太陽電池の代表例としては、第１図
に示すようにガラス等の透光性絶縁基板１上に、
真空蒸着法、スパツタ法又はCVD法等により酸
化インジウム等の透明導電膜２と、グロー放電分
解法によりｐ型ａ−Si：Ｈ層３、ｉ型ａ−Si：Ｈ
層４及びｎ型ａ−Si：Ｈ層５からなるアモルフア
スシリコン半導体層（以下「ａ−Si半導体層」と
いう。）６と、真空蒸着法等によりアルミニウム
等の金属電極７とを積層している。 そして、光８は、透光性絶縁基板１の側から入
射し、主としてｉ型ａ−Si：Ｈ層４内で吸収され
て透明導電膜２と金属電極７との間で起電力を発
生させる。 このような太陽電池の変換効率と、ａ−Si半導
体層６の作成条件については多くの研究がなされ
ているが、透明導電膜２とａ−Si：Ｈ層３との界
面については未だ解明されておらず、現状では変
換効率を向上させるにも限界を来たしており、ま
たそのバラツキが大きい欠点があつた。 本発明の目的は、上記した欠点を除去し、変換
効率を向上させ、かつそのバラツキの少ない太陽
電池を提供することである。 このような目的を達成させるために、本発明
は、(1)透光性絶縁基板上に、透明導電膜と、ｐ
型、ｉ型及びｎ型の各層がａ−Si：Ｈであり又は
ｐ型及びｎ型のうちいずれか少なくとも一方の層
がａ−SiC：Ｈであつてｉ型の層がａ−Si：Ｈで
あるａ−Si半導体層とを具備した太陽電池におい
て、前記透明導電膜と前記ａ−Si：Ｈ又はａ−
SiC：Ｈとの間に、質量膜厚が１〜30Åである、
白金、ニオブ、パラジウム及びロジウムのうち少
なくとも１種からなる膜を介在していることを特
徴とする太陽電池、並びに(2)遮光性導電基板上
に、ｐ型、ｉ型及びｎ型の各層がａ−Si：Ｈ又は
ｐ型及びｎ型のうちいずれか少なくとも一方の層
がａ−SiC：Ｈであつてｉ型の層がａ−Si：Ｈか
らなるａ−Si半導体層と、透明導電膜とを具備し
た太陽電池において、前記遮光性導電基板と前記
ａ−Si：Ｈ又はａ−SiC：Ｈとの間、あるいは前
記ａ−Si：Ｈ又はａ−SiC：Ｈと前記透明導電膜
との間に、質量膜厚が１〜30Åである、白金、ニ
オブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくとも
１種からなる膜を介在していることを特徴とする
太陽電池である。 ここで、「透光性絶縁基板」は、ガラス、フイ
ルムなど透光性絶縁材料からなる基板である。
「透明導電膜」は、酸化インジウム又は酸化スズ
を主成分とする膜、あるいはこれらの多層膜から
なる。「白金、ニオブ、パラジウム及びロジウム
のうち少なくとも１種を主体とする膜」は、白金
等を真空蒸着法、スパツタ法又はイオンプレーテ
イング法等の成膜法により成膜したものである
が、その質量膜厚（単位面積当りの膜質量をその
膜（白金）の比重（21ｇ／c.c.）で割つたものをい
う。）については、本発明の変換効率を考慮して
１〜30Åであつて、このような薄い膜の場合には
島状のような不連続膜になつていると考えられ
る。「遮光性導電基板」は、ステンレス等の金属
性基板又はガラスもしくは有機樹脂等の基板上に
ステンレス、クロム等の金属膜を成膜したもので
ある。 以下、本発明を実施例をもつて詳細に説明す
る。 第２図は、透光性絶縁基板を用いた太陽電池に
おける本発明の一実施例を示し、第１図と同一構
成部分は同一記号を付している（以下同様）。 １０はソーダライムガラスから成形されたガラ
ス基板であり、このガラス基板１０上にスズを不
純物として含んだ酸化インジウム（以下「ITO」
という。）膜２０（膜厚：700Å、シート抵抗：約
30Ω／□）を真空蒸着法により成膜し、このITO
膜２０上に白金膜９（質量膜厚：約10Å）を真空
蒸着により成膜する。この白金膜９は非常に薄い
ものであるから、必ずしも連続膜にならず、島状
構造のような不連続膜になつていると予想され
る。この白金膜９による光の吸収は、波長550n
ｍの光に対して約４％であつた。次に、この白金
膜９上にｐ型ａ−SiC：Ｈ層３０（膜厚：100
Å）、ｉ型ａ−Si：Ｈ層４０（膜厚：5000Å）及
びｎ型ａ−Si：Ｈ層５０からなるａ−Si半導体層
６０をグロー放電分解法により成膜し、このａ−
Si半導体層６０上に金属電極としてアルミニウム
電極７０を真空蒸着法により付着させて、太陽電
池を製作した。なお、本発明の効果を評価するた
めに、比較例として、第２図に示した実施例中、
ITO膜２０上に白金膜９を成膜せずに、直接ａ−
Si半導体層６０を積層し、次いでアルミニウム電
極７０を付着した太陽電池を製作した。 このような実施例及び比較例による太陽電池の
電流電圧特性は、AM１（エアマス１）に調整さ
れた光を照射したときの電流電圧特性を測定した
結果、それぞれ第３図の曲線１１及び１２で示さ
れる。また、下表に実施例及び比較例による太陽
電池の諸特性を示す。なお、同表の数値は比較例
の個々の特性を基準にして規格化している。
【表】
この表によれば、実施例の太陽電池は、比較例
のものと対比して変換効率を15％も向上させてい
ることがわかる。また、この変換効率のバラツキ
については、実施例の太陽電池が比較例のものよ
りも少ないことが確認された。なお、実施例の太
陽電池は短絡電流が減少している。これは白金膜
９の内部での光吸収及びその表面での光反射によ
り有効に利用される光量が減少したためと予想さ
れる。しかし、この短絡電流の減少分よりも開放
端電圧、フイルフアクタの各増加分の方が大きい
ために、結果としては前述したとおり変換効率を
増加させている。開放端電圧及びフイルフアクタ
が増加した理由は現時点では定かでないが、白金
膜９をITO膜２０とｐ型ａ−SiC：Ｈ層３０との
間に介在させたことにより、この白金膜９が、グ
ロー放電分解法によつてｐ型ａ−SiC：Ｈ層３０
を積層するときに発生する還元性プラズマから
ITO膜２０を保護し、抵抗性接触（オーミツクコ
ンタクト）を改善したためであると予想される。 次に、遮光性導電基板を用いた太陽電池におけ
る本発明の実施例を第４図、第５図及び第６図に
示す。これらの実施例はいずれも、ステンレス等
の金属基板、又はガラスもしくは有機樹脂等の基
板上にステンレス、クロム等の金属膜を付着した
遮光性導電基板が使用可能であり、本例ではステ
ンレス基板１３を使用し、またａ−Si半導体層６
１上にITO膜２０を積層している。そしてａ−Si
半導体層６１は、ｐ型ａ−Si：Ｈ層３１、ｉ型ａ
−Si：Ｈ層４０及びｎ型ａ−Si：Ｈ層５０より構
成されている。本発明の特徴となる白金膜９は、
第４図にてステンレス基板１３とｐ型ａ−Si：Ｈ
層３１との間、第５図にてｎ型ａ−Si：Ｈ層５０
とITO膜２０との間、並びに第６図にてステンレ
ス基板１３とｐ型ａ−Si：Ｈ層３１との間及びｎ
型ａ−Si：Ｈ層５０とITO膜２０との間にそれぞ
れ介在されている。いずれの実施例も前実施例と
同様な効果を奏した。以上の実施例では、白金膜
９を介在させたが、これに代えて、ニオブ、パラ
ジウム膜及びロジウム膜をそれぞれ介在したもの
についても白金膜９と同様な効果を奏したので、
本発明の特徴となる介在物としては、白金、ニオ
ブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくとも１
種からなる膜であることになる。 本発明は以上の実施例のとおりであるが、その
他には、ａ−Si半導体層６０についてｎ型ａ−
Si：Ｈ層５０をｎ型ａ−SiC：Ｈ層に変更し、ｐ
型ａ−SiC：Ｈ層３０とｎ型ａ−Si：Ｈ層５０
（又はｎ型ａ−SiC：Ｈ層）を置換し、またａ−
Si半導体層６１についてｐ型ａ−Si：Ｈ層５０と
ｎ型ａ−Si：Ｈ層３１のうち一方又は双方をそれ
ぞれｐ型ａ−SiC：Ｈ層とｎ型ａ−SiC：Ｈ層に
変更し、ｐ型ａ−Si：Ｈ層５０（又はｐ型ａ−
SiC：Ｈ層）とｎ型ａ−Si：Ｈ層３１（又はｎ型
ａ−SiC：Ｈ層）を置換してもよい。なお、ａ−
SiC：Ｈ層はａ−Si：Ｈ層と対比してバンドギヤ
ツプを大きくすることができ、短絡電流及び開放
端電圧を上昇させる効果があり、変換効率が高く
なる利点をもつている。 また、ITO膜２０に代えて、酸化インジウム又
は酸化スズを主成分とする透明導電膜、あるいは
これらの多層膜構造の透明導電膜であつてもよ
い。 白金膜９等の成膜法として真空蒸着法の他に、
スパツタリング法等を使用してもよい。 以上のとおり、本発明によれば、白金、ニオ
ブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくとも１
種からなる膜が、ａ−Si：Ｈ層又はａ−SiC：Ｈ
層に当接していることから、従来以上に太陽電池
の変換効率を向上させ、かつそのバラツキを少な
くさせたことから、その実用的価値は多大であ
る。
のものと対比して変換効率を15％も向上させてい
ることがわかる。また、この変換効率のバラツキ
については、実施例の太陽電池が比較例のものよ
りも少ないことが確認された。なお、実施例の太
陽電池は短絡電流が減少している。これは白金膜
９の内部での光吸収及びその表面での光反射によ
り有効に利用される光量が減少したためと予想さ
れる。しかし、この短絡電流の減少分よりも開放
端電圧、フイルフアクタの各増加分の方が大きい
ために、結果としては前述したとおり変換効率を
増加させている。開放端電圧及びフイルフアクタ
が増加した理由は現時点では定かでないが、白金
膜９をITO膜２０とｐ型ａ−SiC：Ｈ層３０との
間に介在させたことにより、この白金膜９が、グ
ロー放電分解法によつてｐ型ａ−SiC：Ｈ層３０
を積層するときに発生する還元性プラズマから
ITO膜２０を保護し、抵抗性接触（オーミツクコ
ンタクト）を改善したためであると予想される。 次に、遮光性導電基板を用いた太陽電池におけ
る本発明の実施例を第４図、第５図及び第６図に
示す。これらの実施例はいずれも、ステンレス等
の金属基板、又はガラスもしくは有機樹脂等の基
板上にステンレス、クロム等の金属膜を付着した
遮光性導電基板が使用可能であり、本例ではステ
ンレス基板１３を使用し、またａ−Si半導体層６
１上にITO膜２０を積層している。そしてａ−Si
半導体層６１は、ｐ型ａ−Si：Ｈ層３１、ｉ型ａ
−Si：Ｈ層４０及びｎ型ａ−Si：Ｈ層５０より構
成されている。本発明の特徴となる白金膜９は、
第４図にてステンレス基板１３とｐ型ａ−Si：Ｈ
層３１との間、第５図にてｎ型ａ−Si：Ｈ層５０
とITO膜２０との間、並びに第６図にてステンレ
ス基板１３とｐ型ａ−Si：Ｈ層３１との間及びｎ
型ａ−Si：Ｈ層５０とITO膜２０との間にそれぞ
れ介在されている。いずれの実施例も前実施例と
同様な効果を奏した。以上の実施例では、白金膜
９を介在させたが、これに代えて、ニオブ、パラ
ジウム膜及びロジウム膜をそれぞれ介在したもの
についても白金膜９と同様な効果を奏したので、
本発明の特徴となる介在物としては、白金、ニオ
ブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくとも１
種からなる膜であることになる。 本発明は以上の実施例のとおりであるが、その
他には、ａ−Si半導体層６０についてｎ型ａ−
Si：Ｈ層５０をｎ型ａ−SiC：Ｈ層に変更し、ｐ
型ａ−SiC：Ｈ層３０とｎ型ａ−Si：Ｈ層５０
（又はｎ型ａ−SiC：Ｈ層）を置換し、またａ−
Si半導体層６１についてｐ型ａ−Si：Ｈ層５０と
ｎ型ａ−Si：Ｈ層３１のうち一方又は双方をそれ
ぞれｐ型ａ−SiC：Ｈ層とｎ型ａ−SiC：Ｈ層に
変更し、ｐ型ａ−Si：Ｈ層５０（又はｐ型ａ−
SiC：Ｈ層）とｎ型ａ−Si：Ｈ層３１（又はｎ型
ａ−SiC：Ｈ層）を置換してもよい。なお、ａ−
SiC：Ｈ層はａ−Si：Ｈ層と対比してバンドギヤ
ツプを大きくすることができ、短絡電流及び開放
端電圧を上昇させる効果があり、変換効率が高く
なる利点をもつている。 また、ITO膜２０に代えて、酸化インジウム又
は酸化スズを主成分とする透明導電膜、あるいは
これらの多層膜構造の透明導電膜であつてもよ
い。 白金膜９等の成膜法として真空蒸着法の他に、
スパツタリング法等を使用してもよい。 以上のとおり、本発明によれば、白金、ニオ
ブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくとも１
種からなる膜が、ａ−Si：Ｈ層又はａ−SiC：Ｈ
層に当接していることから、従来以上に太陽電池
の変換効率を向上させ、かつそのバラツキを少な
くさせたことから、その実用的価値は多大であ
る。
第１図は従来の太陽電池を示す断面図、第２図
は本発明による実施例を示す断面図、第３図は前
実施例による太陽電池の電流電圧特性図、並びに
第４図、第５図及び第６図は本発明に他の実施例
を示す断面図である。 １０……ガラス基板、１３……ステンレス基
板、２０……ITO膜、３０……ｐ型ａ−SiC：Ｈ
層、３１……ｐ型ａ−Si：Ｈ層、４０……ｉ型ａ
−Si：Ｈ層、５０……ｎ型ａ−Si：Ｈ層、６０，
６１……ａ−Si半導体層、７０……アルミニウム
電極、８……光、９……白金膜。
は本発明による実施例を示す断面図、第３図は前
実施例による太陽電池の電流電圧特性図、並びに
第４図、第５図及び第６図は本発明に他の実施例
を示す断面図である。 １０……ガラス基板、１３……ステンレス基
板、２０……ITO膜、３０……ｐ型ａ−SiC：Ｈ
層、３１……ｐ型ａ−Si：Ｈ層、４０……ｉ型ａ
−Si：Ｈ層、５０……ｎ型ａ−Si：Ｈ層、６０，
６１……ａ−Si半導体層、７０……アルミニウム
電極、８……光、９……白金膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性絶縁基板上に、透明導電膜と、ｐ型、
ｉ型及びｎ型の各層がａ−Si：Ｈであり又はｐ型
及びｎ型のうちいずれか少なくとも一方の層がａ
−SiC：Ｈであつてｉ型の層がａ−Si：Ｈである
ａ−Si半導体層とを具備した太陽電池において、
前記透明導電膜と前記ａ−Si：Ｈ又はａ−SiC：
Ｈとの間に、質量膜厚が１〜30Åである、白金、
ニオブ、パラジウム及びロジウムのうち少なくと
も１種からなる膜を介在していることを特徴とす
る太陽電池。 ２ 遮光性導電基板上に、ｐ型、ｉ型及びｎ型の
各層がａ−Si：Ｈであり又はｐ型及びｎ型のうち
いずれか少なくとも一方の層がａ−SiC：Ｈであ
つてｉ型の層がａ−Si：Ｈであるａ−Si半導体層
と、透明導電膜とを具備した太陽電池において、
前記遮光性導電基板と前記ａ−Si：Ｈ又はａ−
SiC：Ｈとの間、あるいは前記ａ−Si：Ｈ又はａ
−SiC：Ｈと前記透明導電膜との間に、質量膜厚
が１〜30Åである、白金、ニオブ、パラジウム及
びロジウムのうち少なくとも１種からなる膜を介
在していることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228917A JPS59119874A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228917A JPS59119874A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119874A JPS59119874A (ja) | 1984-07-11 |
| JPS6323672B2 true JPS6323672B2 (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=16883875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228917A Granted JPS59119874A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119874A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4689438A (en) * | 1984-10-17 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| JPS6199385A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH02111080A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 非晶質薄膜太陽電池 |
| WO2003061018A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Tdk Corporation | Photovoltaic device |
| JP4619388B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-26 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149593A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-22 | Seiko Epson Corp | Solar cell |
| JPS5944791B2 (ja) * | 1979-03-26 | 1984-11-01 | 松下電器産業株式会社 | 半導体素子 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228917A patent/JPS59119874A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119874A (ja) | 1984-07-11 |
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