JPS63237441A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置に関し、特に接続孔等を有する半
導体装置の孔内の埋込み技術に関するものである。

［従来の技術］ 第２Ａ図および第２Ｂ図は従来の半導体装置の概略製造
工程図である。

図を参照して、以下製造方法について説明する。

半導体基板（図示せず）に形成された導体領域１上に絶
縁膜２を堆積して形成した後、リソグラフィ技術および
エツチング法を用いて所望の位置に接続孔３を形成する
（第２Ａ図参照）。

次に、たとえばタングステンをＣＶＤ法等で選択的に堆
積させることによって接続孔３を充填していた（第２Ｂ
図参照）。

ここで、タングステン５を充填するのは直接絶縁膜２の
上層のアルミ配線層等を接続孔に形成した場合のステッ
プカバレッジの問題を解消すべく絶縁膜２の上面を平坦
化して良好な外部配線層と導体領域１との接続を確保し
ようとするためである。

［発明が解決しようとする問題点コ 上記のような従来の半導体装置では、タングステン５と
絶縁膜２とが直接接しているので密着性が悪く、特にタ
ングステンをバリアメタルとして使用したとき絶縁膜２
との境界面を通して上層のアルミ配線等の突き抜は現象
が起こりやすいという問題点があった。

この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、タングステン等の金属層を接続孔に充填する利点は
そのままに、金属層と絶縁膜との密告性の優れた半導体
装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、接続孔内の側壁に導体を
形成した後、接続孔に金属層を充填する°ものである。

［作用］ この発明においては、接続孔内の側壁に形成された導体
と金属層との密亡性が良いので、金属層の境界面におけ
る配線層の突き抜は現象を生じさせない。

［実施例〕 第１Ａ図および第１Ｂ図はこの発明の一実施例を示す概
略製造工程図である。

以下、図を参照して製造方法について説明する。

半導体基板（図示せず）に形成された導体領域１に絶縁
膜２を形成した後、リソグラフィ技術およびエツチング
法を用いて所望の位置に接続孔３を形成するのは従来例
と同様である。次にこの接続孔３内にたとえばアモルフ
ァスシリコン等の絶縁膜２との整合性の良い導体ｒｃｖ
ｐ法やスパッタ法等で形成し、続いてこれを異方性エツ
チング法で所定部分を除去することによ゛って接続孔３
の側壁に導体４を残す（第１Ａ−参照）。

導体４が残った接続孔３内にたとえばタングステンをＣ
ＶＤ法等で選択的に堆積させることによって充填した後
、絶縁膜２の上面を平坦化する（第１Ｂ図参照）。

以降、絶縁膜２上に配線層等を形成する工程等が続くが
、この発明外故に説明を省略する。

なお、上記実施例では導体はアモルファスシリコンとし
ているが、高融点金属やアルミ合金等の絶縁膜との整合
性の良いものであれば同様の効果を奏する。

また、上記実施例では、接続孔を例としているが半導体
装置のスルーホールにも適用できることは言うまでもな
い。

［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、接続孔の側壁に金属層
との密着性の良い導体を形成したので、金属層の境界面
における配線層の突き抜は現象を防止し、安定した配線
構造となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図および第１Ｂ図はこの発明の一実施例を示す概
略製造工程図、第２Ａ図および第２Ｂ図は従来の半導体
装置の概略製造工程図である。 図において、１は導体領域、２は絶縁膜、３は接続孔、
４は導体、５はタングステンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）接続孔を有する半導体装置であって、半導体基板
   と、 前記半導体基板に形成される導体領域と、 前記半導体基板上に形成され、かつ前記導体領域に対応
   した前記接続孔を有する絶縁膜と、前記接続孔内の側壁
   に形成された導体と、 前記導体を除いた前記接続孔内を充填する金属層とを備
   えた、半導体装置。
2. （２）前記導体は、アモルファスシリコン、高融点金属
   およびアルミ合金よりなる一群から選択される、特許請
   求の範囲第１項記載の半導体装置。
3. （３）前記接続孔は、スルーホールを構成する、特許請
   求の範囲第１項または第２項記載の半導体装置。
4. （４）前記金属層は、タングステンである、特許請求の
   範囲第１項、第２項または第３項記載の半導体装置。