JPS6323752B2 - - Google Patents

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JPS6323752B2
JPS6323752B2 JP56020477A JP2047781A JPS6323752B2 JP S6323752 B2 JPS6323752 B2 JP S6323752B2 JP 56020477 A JP56020477 A JP 56020477A JP 2047781 A JP2047781 A JP 2047781A JP S6323752 B2 JPS6323752 B2 JP S6323752B2
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JP
Japan
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level
modulation
wave
modulated wave
interval
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JP56020477A
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Nobuyoshi Muto
Yasuo Matsuda
Kenji Nanto
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication of JPS6323752B2 publication Critical patent/JPS6323752B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/42Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/505Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
    • H02M7/515Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
    • H02M7/525Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only with automatic control of output waveform or frequency
    • H02M7/527Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only with automatic control of output waveform or frequency by pulse width modulation

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はパルス幅変調インバータの変調回路に
係り、特に変調波を階段状のレベルで構成して、
極性変化のない直流三角波と上記の変調波とを比
較して得られる信号に基づいてパルス幅変調イン
バータのゲート信号を形成するパルス幅変調イン
バータの制御方法に関する。 第1図はパルス幅変調インバータの主回路を示
したものである。一般に上記のパルス幅変調イン
バータのゲート信号は変調波として階段波、矩形
波パルス列、台形波、直流レベル等を、搬送波と
して三角波、鋸歯状波等を使用し両者を比較して
得ている。従来上記の変調波として使用する階段
波としては第2図のような階段波が使用されてい
た。上図はインバータ周波数の半サイクルで1周
期分のパルス幅変調された信号を得る変調方式を
示したものである。三角波と階段波とを比較する
変調区間は変調波の各相(U、V、W相)によつ
て異なるが、U相の場合は(2n−1)π/N〜
2nπ/N(n;正の整数、N;インバータの半サ
イクル中の搬送波の個数)である。上記の階段波
はできるだけ正弦波に近似するように各変調区間
では相異なるレベルを与えるように構成しててい
る。 したがつてこのような階段波を構成するにはイ
ンバータの半サイクル中に変調レベルが1/2(N −1)種類必要になる。このためNが増加すると
ともにレベル数が増加し変調レベルを構成する回
路が複雑になる。またレベルを与えるデータをレ
ジスタ等を用いて構成しようとすると、レジスタ
数が増加し、そのレジスタをコントロールする回
路が複雑になる。またレジスタにある計算処理の
結果、データをストアする場合はレジスタ数が多
い程、変調レベルを計算するのに時間が必要にな
り、インバータの出力電圧の設定時間が遅くな
り、制御系の応答速度に悪影響を及ぼす。更にイ
ンバータの基本波電(実効値)は半サイクル中の
搬送波の個数Nの大小にかかわらず、ほぼ一定、
例えばインバータの入力電圧EDが270V(交流受電
電圧200Vコンバータ部ダイオード3相ブリツジ
回路の場合)の時は160V程度となる。そのため
インバータの周波数が高くなり、Nを減少させて
も最大基本波電圧は増加せず、定格電圧180V程
度の負荷を運転するには昇圧用のトランスが必要
となり、インバータ装置が大型化するだけでな
く、装置の価格が上昇するという欠点がある。 本発明の目的は上記の欠点にかんがみ、変調波
となる階段波を構成するレベル数(段数)を3個
以下にして、その構成はモータ損失を低減できる
構成にして、しかもNの個数(N;インバータの
出力電圧の半サイクル中の搬送波の個数)及び階
段波の段数を減らすことにより、基本波電圧の最
大値を方形波電圧(インバータの出力電圧が方形
電圧の場合)に近づけ、出力電圧の制御範囲を拡
大して、昇圧トランスの必要ないパルス幅変調イ
ンバータの制御方法を提供するにある。 本発明では変調波である階段波を第2図で示す
相異なる変調レベルを与える区間に対して同一種
類の変調レベルを与える区間を形成し、3個以下
のレベルによつて構成するようにしたものであ
る。 以下変調波のレベルの決め方について述べる。
第3〜5図は本発明の実施例で使用する変調方式
を示したものである。第3図はN=21の場合の変
調方式を示したものである。図のa,b,cは変
調レベルがそれぞれ1、2、3種類で構成した場
合の変調方式を示す。第4図はN=15の時の3種
類の変調レベルを使用して階段波を構成する場合
の変調方式を示したものである。第5図はN=9
における変調波の構成を示したものである。この
場合はインバータ周波数の高い領域で、即ち
E1/f=一定制御する場合は出力電圧が大きな
領域で使用される場合が多い(E1;インバータ
出力基本波電圧(実効値)、;周波数)。そのた
めこの場合は実用上変調レベルは以下の理由で2
以下で構成するのが良い。 上記の変調方式は下記の考え方によつて決めら
れたものである。変調波の形状はインバータの出
力電圧に直接関係する。そこで下記の2点に留意
して決めた。(1)モータの損失が最小にできる変調
波の構成にする。(2)インバータの出力電圧(実効
値)は方形波のインバータ出力電圧に近いものに
する。上記の(1)のモータ損失評価関数として次式
で与えられる関数を導入した。 W=K・(1/n1.5)・(Eo/E12(n=1、3、5
、… …) (1) ただし K;比例定数 Eo;n次高調波成分 (1)は回転子スロツト形状が長方形であるとした
場合のスロツト漏れ磁束による表皮効果を考慮し
て銅損Wを求めたものである。(2)としてはインバ
ータ入力電圧ED=270Vに対して190V〜200V(な
おこの場合の方形波のインバータ出力電圧(実効
値)は210Vである。)なるように決めた。例えば
インバータの定格電圧180Vとなるようにするに
は上記の最大基本波電圧を確保すればインバータ
内部での電圧降下分を考えても、負荷(モータ)
側と昇圧トランスを介せずに直接結合できるから
である。 PWMインバータの出力電圧EUV(U−V相の線
間電圧)は次式で与えられる。 EUV=2n=1 E2o-1・sin(2n-1)・2π/3sin(2n-1)ωt (2) ただし、ω;インバータ基本角周波数 ここで(2n−1)次高調波成分E2o-1は E2o-1=2ED/(2n−1)π〔P 〓 〓i=1 {(−1)i+1∫〓ii-1sin(2n−1)θdθ}+(
−1)p×∫〓/2psin(2n−1)θdθ〕(3) となる。 ただし P=(N−1)/2(N;インバータの出力 電圧の半サイクル中の搬送波の個数) …(4) θi=π/N{i−(−)iDr/2H}(r=1〜3、i=
1、 ……p) ED;インバータ入力電圧 …(5) (i) N=21の場合 (a) 変調レベルが1種類 第6図はN=21の時の関数Wと振幅比KH
との関係を示したものである。ここで振幅比
KHは変調波の波高値に対する搬送波の波高
値として定義される。図中A,B,Cはそれ
ぞれ変調波の0〜π/2の区間中0〜π/
42、0〜3π/42、0〜5π/42の各区間を零
にして残りの区間にD1で示す一つの変調レ
ベルで変調波を構成する場合を示したもので
ある。これよりBの場合の変調波がWを最も
小さくすることができる。なお変調波の形状
評価は変調波がπ/2、πに関して対称であ
ることから0〜π/2で行えば良い。 第7図はB方式による変調方式を用いた場
合のn次高調波成分Eoと基本波電圧E1との
比Eo/E1と振幅比KHの関係を示したもので
ある。変調レベルを1つで構成しても5、
7、11、13等の低次高調波成分は方形波電圧
のそれより小さいことがわかる。また最大基
本波電圧(実効値)(E1naxは205V程度(第
12図参照)あり、上記の条件(1)、(2)何れの
場合でも第3図のaの変調波の構成が良いこ
とがわかる。 (b) 変調レベルが2種類 第8図は関数Wと変調レベル比D1/D2
の関係を変調レベルD1を与える時点をパラ
メータにして表わしたものである。A′、
A″;B′、B″;C′、C″;D′、D″はそれぞれ変
調波の0〜π/2の区間中D1の区間がπ/
42〜3π/42、π/42〜5π/42、π/42〜
π/6、π42〜9π/42の場合のD1/D2とモー
タ損失関数との関係を表わしたものである。
関数Wを最小にするという観点からは振幅比
KH変えてもB′、B″の変調波の構成即ち変調
波π/2の区間中変調レベルD1の与える区
間π/42〜5π/42、D2の与える区間5π/42
〜π/2(ただし0〜π/42は零レベルを与
えることにする。)で変調波を構成し、その
際の変調波のレベル比D1/D2は0.4付近の値
にするのが良いことがわかる。この場合の最
大基本波電圧は(実効値)202V(第12図参
照)であり、5、7、11、13等の低次高調波
成分(E5/E、E7/E1、E11/E、E13/E1
は4%以下となつており実用上問題のない値
となつている。変調レベルが2つの場合は第
3図のbの変調波の構成が良いことがわか
る。 (c) 変調レベルが3種類 3つの変調レベルで変調波を構成する場合、
変調レベルD1,D2,D3を0〜πの区間中ほぼ
均等に配置しないと高調波成分が増加して関数
Wが増加する。変調波レベルD1,D2,D3の配
置としては第3図のcの方法が一番良いことが
計算上確認されている。なおこの場合変調波の
レベル比D1/D3、D2/D3は第10図から関数
Wが最小となる値から求まる。この値は同図か
らD1/D30.45、D2/D30.95となる。また
この場合低次高調波成分E5/E1、E7/E1は2
%以下、E11/E1、E13/E1は4%〜8%程度と
なつており、低減効果があることがわかる。ま
たこの場合最大基本波電圧(実効値)(E1nax
は191V程度となる。 ところで、変調レベル数を更に増加しても高
調波成分の低減効果は期待できず、逆に、イン
バータの最大出力基本波電圧E1は、レベル数
を4個にすると、約175〔V〕程度まで低下する
ことが実験により解つた。一方、電動機の出力
トルクは、インバータ出力電圧の二乗に比例す
るため、インバータ出力電圧の低下は、効率の
観点から約10%程度以内に抑えることが望まし
い。 このような実験を通じて、本発明では、変調
レベル数が3個と4個の間で出力電圧E1の低
下分がピークとなり、かつ高調波低減効果も少
ないことを明らかにし、上記電動機効率をも満
たすべく変調レベル数を3以下に設定してい
る。 N=15、9の場合も上記と同様の手法を用い
て変調波の構成が決まる。以下その要点のみ記
述する。 (ii) N=15の場合 (a) 変調レベルが1種類 第13図は変調波の0〜π/2の区間中零
レベルを配置する場合(残りの区間はD1
ベル1種類で変調波を構成する。)の関数W
と振幅比KHとの関係を示したもので、図中
A,B,C,Dはそれぞれ変調波の0〜π/
2の区間中0〜π/30、0〜π/10、0〜
π/6、0〜7π/30の区間が零である場合
を示す。これよりBの場合の変調波の構成が
有効であることがわかる。Bの場合の最大基
本波電圧(実効値)(E1naxは表1より
199.1V程度ある。振幅比KHの強い関数とな
つており、高調波成分が振幅比に強く依頼し
ている。この場合の変調波の構成は第4図a
に示す。 (b) 変調レベルが2種類 表2にD1とD2の切替え時点をパラメータ
とした場合のWの最小値(W)nioを示したも
のである。これよりA1の場合即ち0〜π/
2の区間中D1とD2の切替時点π/10の場合
(0〜π/30が零レベル、π/30〜π/10が
D1レベル、π/10〜π/2がD2レベルで変
調レベルを配置)で変調波を構成するのが良
いことがわかる。なおこの場合の変調波のレ
ベル比D1/D2は0.25であり、最大基本波電
圧(実効値)は202.7Vとなる。この場合の
変調波の構成は第4図bに示す。第14図は
Eo/E1と振幅比KHとの関係を示す。E5/E1
E7/E1は4%以下となつている。低次高調
波成分の低減効果があることがわかる。 (c) 変調レベルが3種類 表3は変調レベルが3種類の場合0〜π/
2の区間中のD1からD2への切替時点と関数
Wの最小値(W)nioとの関係を表わしたもの
である。これより切替時点がπ/6の場合が
良いが、(W)nioの値46.12(%)で、最大基本
波電圧(E1naxは191.2Vであり、この場合(b)
の場合と比較して(W)nio値は大きく、最大
基本波電圧(E1naxはレベル数が増加したた
めに減少している。これより変調波のレベル
数を増加しても得策でないことが分る。但し
レベル数を増加すると低次高調波成分E5
E1、E7/E1、E11/E1等はKH≧0.6では3.8%、
1%、13%程度となるため多少の低減効果は
ある。 (iii) N=9の場合 (a) 変調レベルが1種類 第15図は変調レベルを1種類にして構成
した場合の関数Wと振幅比KHとの関係を示
したもので、A、Bはそれぞれ変調波の0〜
π/2の区間中0〜π/18、0〜π/6が零
の場合を示す。これよりAの構成が良いこと
がわかる。表4はAの構成で変調波を形成し
た場合、n次高調波成分、最大基本波電圧共
に方形波インバータの出力電圧に接近してい
る。 (b) 変調レベルが2種類 第16図は変調レベルを2種類で構成した
場合の関数Wと変調レベル比D1/D2との関
係を表わしたもので、変調波0〜π/2の区
間中A,Bはそれぞれπ/18〜π/6、π/
18〜5π/18の区間をD1レベルで与える場合
を示す。これよりAの場合即ちD1をπ/18
〜π/6、D2をπ/6〜π/2(但し零レベ
ルを0〜π/18に配置)に配置してレベル比
D1/D2=0.8になるように変調波を構成する
のが良い。表4には上記の変調
【表】
【表】
【表】
【表】 波の構成をした場合の低次高調波成分と最大
基本波電圧(E1naxを示す。低次高調波成分
E5/E1、E7/E1、E11/E1等は殆ど変わらな
いが、モータ損失関数Wの最小値はレベル数
を増加すると逆に増加している。これは高次
の高調波が効いてくるためである。また
(E1naxはレベル数を増加するにつき、
210.5Vから205.13Vに減少している。(この
ことからN=9の時は変調レベルは2レベル
程度で構成するが、モータ損失を最小値にす
る(高調波成分を低減する)上でも、最大基
本波電圧をより方形波電圧に近づける上でも
良いことがわかる。) 以上Nが21、15、9の各場合について変調レベ
ルが3つ程度で構成するのがモータ損失(高調波
成分の低減)及びインバータ出力電圧の最大基本
波電圧をより方形波電圧に近づけるのに良いこと
がわかる。これはNが21より大きいN=3×(2m
−1)(m≧5、m;整数)に対しても同様の議
論が適用される。これは以上の議論からもわかる
ように変調レベル比を適切な値にとつた場合、高
調波成分はNの値に、最大基本波電圧は変調波の
レベル数及びレベルの構成によるためである。 以下本発明の実施例について具体的に説明す
る。第17図は第3図のc、第4図のb、第5図
のbの変調方式を用いて、V/f=一定制御をす
る場合、インバータの周波数低周波数領域から高
周波領域に移行するにつれてNを21から、15、9
と搬送波の個数を切替える制御回路を、第18図
はその主要部分のタイムチヤートをそれぞれ示
す。電圧Vに比例した周波数を持つた三角波a及
び方形波jを発生する発振器100、三角波aか
ら方形波iを発生する方形波発生回路103、方
形波i及びjの立上り及び立下りから微分パルス
c,dを形成する単安定回路102,104、上
記電圧Vの値が基準値V1、V2、V3(0<V1<V2
<V3)の何れの範囲にあるかを決定する比較器
101,101の出力に基づいて変調波の半サイ
クル中のNの値を決定するN値決定回路(ラツ
チ、デコーダ等で構成される)107、Nの値に
応じて3進(N=9の場合)、5進(N=15の場
合)、7進(N=21の場合)の進数を決定(分周
比を決定)する回路(3/N分周指定回路)10
8,108の設定値に応じたN′(N′=3、5、
7)進のカウント信号を発生する3/N分周回路
109,109の出力信号(これは変調波の60゜
区間の信号となる。)と104の信号dから3相
の基準信号(fはU相信号に相当する。)を発生
する3相基準信号発生回路105,105の立上
り、立下りをとらえて微分パルスを形成するリセ
ツト信号発生回路110,102の出力信号cを
クロツクとし、110の出力信号をリセツトパル
スとするカウンタ111,111の出力信号とN
を指定する信号に基づいて、変調レベル(D1
D2、D3)を選択するメモリ(ROM)のアドレス
を決定するROM領域選択信号形成回路112,
112の出力信号に基づいてROMのアドレスを
指定し、ROMの所定の番地にストアされている
各Nの値に応じた変調レベル選択信号を形成する
変調レベル信号発生回路113,113の信号
(例えばN=9の場合は変調レベル選択信号g′,
g″を発生させる)をアナログスイツチのコントロ
ール信号として、変調レベルD1,D2,D3(例えば
N=9の場合は第18図の信号bの点線で示す変
調レベル)を形成する変調レベル発生回路11
4,115,116(114,115,116は
それぞれN=9、15、21の各場合のU、V、W各
相変調波発生回路)、三角波の絶対値波形を形成
する絶対値回路106,106の出力信号bと1
14,115,116で形成した変調レベル(変
調波に相当する。)と比較する比較器107、h
等の比較器の出力信号、i、j、f(105の出
力信号)等に基づいて、(f・i・)、(・
i・h)等の論理処理して各相のアームに印加す
るk、l等のゲート信号を形成するゲート論理回
路118からなる。なおAVR系(電圧制御系)
を構成する場合は114,115,116の変調
波のレベル値(D1、D2、D3の値)を変更する。
この場合レベル比D1/D2(N=9、15);D1
D3、D2/D3(N=21の値)は0.85(N=9の時)、
0.25(N=15の時)、D1/D3=0.45、D2/D3=0.95
(N=21の時)は一定にする。 以上説明した実施例によれば変調レベルを減ら
した階段状の波形を変調波に採用することにより
変調波形成回路の構成が簡略化される。また、変
調レベル数を減らすことによりインバータの出力
電圧(基本波電圧)の最大値が大きくなり、従来
の正弦波近似の階段波より出力電圧の制御範囲が
拡がる。またレベル数が少なくなるためにレベル
の設定にかかる時間が少なくて済み、AVR系の
応答時間があがるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はPWMインバータの主回路構成図、第
2図は1/2(N−1)個の変調レベルで構成され る階段波を変調波とし、直流三角波を搬送波とす
る変調方式を示す図、第3図、第4図、第5図は
それぞれ本発明のN=21、15、9の各場合におけ
る変調方式を示す図、第6図はN=21で変調レベ
ルが1つの場合モータ損失関数と振幅比との関係
を示す図、第7図はN=21で変調レベルが1つの
場合のEo/E1と振幅比KHとの関係を示す図、第
8図はN=21で変調レベルが2種類の場合のモー
タ損失関数WとレベルD1/D2との関係を示す図、
第9図はN=21で変調レベル比D1/D2=0.4の時
n次高調波成分を示す図、第10図はN=21で変
調レベルが3種類の場合のモータ損失関数を示す
図、第11図はN=21でレベル比D1/D2=0.45、
D2/D3=0.95の場合のn次高調波成分を示す図、
第12図はN=21におけるインバータ出力基本波
電圧を示す図、第13図はN=15での変調レベル
が1種類の場合のモータ損失関数を示す図、第1
4図はN=15で変調レベル比D1/D2=0.25の場
合のn次高調波成分を示す図、第15図はN=9
の場合変調レベルが1種類の場合のモータ損失関
数を示す図、第16図はN=9で変調レベルが2
つの場合のモータ損失関数を示す図、第17図は
本発明の実施例を示すブロツク図、第18図は第
17図の主要部分のタイムチヤートをそれぞれ示
す図である。 10……ゲートターンオフサイリスタ、20…
…交流電動機、100……発振器、101,10
7……比較器、102,104……単安定回路、
103……方形波発生回路、105……3相基準
信号発生回路、106……絶対値回路、107…
…N値決定回路、108……3/N分周指定回
路、109……3/N分周回路、110……リセ
ツト信号発生回路、111……カウンタ、112
……ROM領域選択信号形成回路、113……変
調レベル信号発生回路、114,115,116
……変調レベル発生回路、118……ゲート論理
回路、119……ゲート駆動回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 三角波、鋸歯状波等の波形による搬送波と、
    時間と共に少なくとも一部の振幅値が変化する波
    形を用いた変調波とのレベル比較によつて得られ
    るパルス幅変調信号に基づいてインバータを構成
    するスイツチング素子のゲート信号を生成するパ
    ルス幅変調インバータにおいて、前記変調波は同
    一の変調レベルを与える区間を形成し、その変調
    レベル数は、N≧9(N;変調波の半サイクル中
    の前記搬送波の個数、N=3(2m+1)、m;正
    の整数)の条件下で3個以下としたことを特徴と
    するパルス幅変調インバータの制御方法。 2 特許請求の範囲第1項において、π/2及び
    πの期間で対称な変調波の0〜π/2の区間中、
    N=9の時、変調波を1つのレベルで構成する場
    合は0〜π/18の区間を零にし、残りのπ/18〜
    π/2の区間を1つの変調レベルで構成し、2つ
    のレベルD1,D2で構成する場合は0〜π/18の
    区間を零に、π/18〜π/6の区間を上記レベル
    D1に、π/6〜π/2の区間を上記レベルD2
    配置し、上記の2レベルの比(D1/D2)を約
    0.85にして変調波を構成したことを特徴とするパ
    ルス幅変調インバータの制御方法。 3 特許請求の範囲第1項において、π/2及び
    πの期間で対称な変調波の0〜π/2の区間中、
    N=15の時変調波を1つのレベルで構成する場合
    は0〜π/10の区間を零にし、残りのπ/10〜
    π/2の区間を1つの変調レベルで構成し、2つ
    のレベルE1,E2で構成する場合は0〜π/30の
    区間を零に、π/30〜π/10の区間を上記レベル
    E1に、π/10〜π/2の区間を上記レベルE2
    配置し、上記の2つのレベル比(E1/E2)を約
    0.25にして変調波を構成し、3つのレベルE1
    E2,E3で構成する場合は0〜π/30の区間を零
    に、π/30〜π/6の区間をE1に、π/6〜
    13π/30の区間をE2に、13π/30〜π/2の区間
    をE3に配置し、上記のレベル比E1/E3、E2/E3
    をそれぞれ約0.55、0.95にして変調波を構成する
    ことを特徴するパルス幅変調インバータの制御方
    法。 4 特許請求の範囲第1項において、π/2及び
    πの期間で対称な変調波の0〜π/2の区間中、
    N=21の時変調波を1つのレベルで構成する場合
    は0〜π/14の区間を零に、残りのπ/14〜π/
    2を1つの変調レベルで構成し、2つのレベル
    F1,F2で構成する場合は0〜π/14の区間を零
    に、π/42〜5π/42の区間を上記レベルF1に、
    5π/42〜π/2の区間を上記レベルF2に配置し、
    上記のレベル比F1/F2を約0.4にして変調波を構
    成し、3つのレベルF1,F2,F3で構成する場合
    は0〜π/42の区間を零に、π/42〜π/6の区
    間をF1に、π/6〜13π/42の区間をF2に、
    13π/42〜π/2の区間をF3に配置し、上記のレ
    ベル比F1/F3、F2/F3をそれぞれ約0.45、0.95に
    して変調波を構成することを特徴するパルス幅変
    調インバータの制御方法。
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