JPS63237554A - 電子装置の冷却構造 - Google Patents
電子装置の冷却構造Info
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- JPS63237554A JPS63237554A JP7238587A JP7238587A JPS63237554A JP S63237554 A JPS63237554 A JP S63237554A JP 7238587 A JP7238587 A JP 7238587A JP 7238587 A JP7238587 A JP 7238587A JP S63237554 A JPS63237554 A JP S63237554A
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- plate
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Links
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- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子装置に実装するｆ！蹟回路の冷却構造に
関する。
関する。
［従来の技術］
従来、この種の電子装置の冷却構造にあっては、基板に
ＬＳＩ素子を搭載し、熱伝導ブロックの金属スタ・ラド
をＬＳＩ素子の表面にバネ又はネジ等の手段で接触させ
、′かつこの熱伝導ブロックを冷却用のコールドプレー
トに接合させてＬＳＩ素子の冷却を行なう構造であった
。
ＬＳＩ素子を搭載し、熱伝導ブロックの金属スタ・ラド
をＬＳＩ素子の表面にバネ又はネジ等の手段で接触させ
、′かつこの熱伝導ブロックを冷却用のコールドプレー
トに接合させてＬＳＩ素子の冷却を行なう構造であった
。
［解決すべき問題点］
上述した従来の電子装置の冷却構造にあっては、ＬＳＩ
素子からコールドプレートまでの熱伝導経路に金属スタ
ッド、熱伝導ブロックを介在するため、熱伝導率が低い
という欠点がある。また、ＬＳＩ素子表面上に金属スタ
ッドを接触させる作業にあっては、１個づつ精密な手作
業で行なうため１作業性が悪く接触の信頼性に欠ける欠
点がある。
素子からコールドプレートまでの熱伝導経路に金属スタ
ッド、熱伝導ブロックを介在するため、熱伝導率が低い
という欠点がある。また、ＬＳＩ素子表面上に金属スタ
ッドを接触させる作業にあっては、１個づつ精密な手作
業で行なうため１作業性が悪く接触の信頼性に欠ける欠
点がある。
［問題点の解決手段］
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、そのための解決手段として、プリント基板上の
半導体素子の表面に、形状記憶合金製でかつ内部に比熱
に優れ熱伝導率の高い物質を充填した加熱伸張するベロ
ーズを取付け、該ベローズ上方に、前記半導体素子の発
熱により前記ベローズと接触して冷却する冷却用冷媒を
備えたコールドプレートを一定間隔をおいて配設したこ
とを特徴とする電子装置の冷却構造を提供するものであ
る。
もので、そのための解決手段として、プリント基板上の
半導体素子の表面に、形状記憶合金製でかつ内部に比熱
に優れ熱伝導率の高い物質を充填した加熱伸張するベロ
ーズを取付け、該ベローズ上方に、前記半導体素子の発
熱により前記ベローズと接触して冷却する冷却用冷媒を
備えたコールドプレートを一定間隔をおいて配設したこ
とを特徴とする電子装置の冷却構造を提供するものであ
る。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係る電子装置の冷却構造を
示す断面図、第２図は第１図のベローズとコールドプレ
ートが接触した状態を示す断面図である。
示す断面図、第２図は第１図のベローズとコールドプレ
ートが接触した状態を示す断面図である。
電子装置の冷却構造は、プリント基板ｌ上に搭載された
ＬＳＩ素子２の上面にベローズ３を取付け、該ベローズ
３の上方にコールドプレート４を配設した構造となって
いる。
ＬＳＩ素子２の上面にベローズ３を取付け、該ベローズ
３の上方にコールドプレート４を配設した構造となって
いる。
ベローズ３は、上面と下面が平行をなす中括れ形の断面
をイｊしている。ベローズ３の下面はＬＳＩ素子２の」
二面幅と略等しく設定しである。
をイｊしている。ベローズ３の下面はＬＳＩ素子２の」
二面幅と略等しく設定しである。
ベローズ３は、一定温度になると記憶している元の形状
に復元する形状記憶合金で形成している。
に復元する形状記憶合金で形成している。
また、第１図に示す如く、ベローズ３の１而の位置は総
て等しく、投置してあり、全体として面・をなす、また
、ベローズ３内は空洞となっており、該空洞部には比熱
に優れたサーマルコンパウンド又はヘリウム５が充填し
である。これにより、ＬＳＩ素子２の熱は効率よ〈ベロ
ーズ３に伝導する。
て等しく、投置してあり、全体として面・をなす、また
、ベローズ３内は空洞となっており、該空洞部には比熱
に優れたサーマルコンパウンド又はヘリウム５が充填し
である。これにより、ＬＳＩ素子２の熱は効率よ〈ベロ
ーズ３に伝導する。
コールドプレート４は、モ板］−をなし、下面がベロー
ズ３上面と水平に対向している。コールドプレート４は
、下面がベローズ３Ｌ面と一定の間隔をおいて配置しで
ある。この間隔は、第２図に示す如く、形状記憶合金製
ベローズ３が復元した状態でコールドプレート４の下面
に当接しうる程度に設定しである。一方、コールドプレ
ート４の内部は空洞になっており、該空洞部には冷却用
の冷媒６が満しである。これにより、プリント基板１上
のＬＳＩ素子２が発した熱をベローズ３を介してコール
ドプレート４に伝導し、コールドプレート４内の冷媒６
の作用により冷却する。
ズ３上面と水平に対向している。コールドプレート４は
、下面がベローズ３Ｌ面と一定の間隔をおいて配置しで
ある。この間隔は、第２図に示す如く、形状記憶合金製
ベローズ３が復元した状態でコールドプレート４の下面
に当接しうる程度に設定しである。一方、コールドプレ
ート４の内部は空洞になっており、該空洞部には冷却用
の冷媒６が満しである。これにより、プリント基板１上
のＬＳＩ素子２が発した熱をベローズ３を介してコール
ドプレート４に伝導し、コールドプレート４内の冷媒６
の作用により冷却する。
次に、本実施例の作用について説明する。
プリント基板ｌ上のＬＳＩ素子２は、その作動中多量の
熱を発する。この熱はＬＳＩ素子２上のベローズ３に伝
わり、ベローズ３の温度を上昇させる。このとき、ベロ
ーズ３内にはサーマルコンパウンド又はヘリウム５が充
填しであるため、ＬＳＩ素子２の熱はベローズ３に効率
よく伝導する。ベローズ３の温度が＝一定の値に達する
と形状記憶合金製のベローズ３は元の形状に復元し、第
２図に示す如く、その上面がコールドプレート４の下面
に接触する。ベローズ３がコールドプレー１・４に接触
すると、ベローズ３内の熱はコールドプレート４に伝わ
っていく、コールドプレート４に至った熱はコールドプ
レート４内の冷媒６により冷却される。これにより、Ｌ
ＳＩ素子２の冷却目的は達成される。
熱を発する。この熱はＬＳＩ素子２上のベローズ３に伝
わり、ベローズ３の温度を上昇させる。このとき、ベロ
ーズ３内にはサーマルコンパウンド又はヘリウム５が充
填しであるため、ＬＳＩ素子２の熱はベローズ３に効率
よく伝導する。ベローズ３の温度が＝一定の値に達する
と形状記憶合金製のベローズ３は元の形状に復元し、第
２図に示す如く、その上面がコールドプレート４の下面
に接触する。ベローズ３がコールドプレー１・４に接触
すると、ベローズ３内の熱はコールドプレート４に伝わ
っていく、コールドプレート４に至った熱はコールドプ
レート４内の冷媒６により冷却される。これにより、Ｌ
ＳＩ素子２の冷却目的は達成される。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、半導体素子表面に形状記
憶合金製のベローズを取付け、ベローズの復元によりコ
ールドプレートと接触させ、゛ｂ導体素子の発熱をベロ
ーズを介してコールドプレートに伝導させて冷却する構
造としたため、ｆ：導体素子ヒに取付ける熱伝導介在物
とコールドプレートとの接合作業が不用となる効果があ
る。また、゛熱伝導性と接合信頼度を向上させる効果が
ある。
憶合金製のベローズを取付け、ベローズの復元によりコ
ールドプレートと接触させ、゛ｂ導体素子の発熱をベロ
ーズを介してコールドプレートに伝導させて冷却する構
造としたため、ｆ：導体素子ヒに取付ける熱伝導介在物
とコールドプレートとの接合作業が不用となる効果があ
る。また、゛熱伝導性と接合信頼度を向上させる効果が
ある。
更に、ベローズ内部に、比熱に優れ熱伝導率の高い物質
を充填しであるため、熱伝導性の向りを図ることができ
る効果がある。
を充填しであるため、熱伝導性の向りを図ることができ
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例に係る電子装置の冷却構造を
示す断面図、第２図は第１図のベローズとコールドプレ
ートが接触した状態を示す断面図である。 ｌニブリント基板 ２：ＬＳＩ素子 ３：ベローズ ４：コールドプレート ５：サーマルコンバウンド又はヘリウム６：冷媒
示す断面図、第２図は第１図のベローズとコールドプレ
ートが接触した状態を示す断面図である。 ｌニブリント基板 ２：ＬＳＩ素子 ３：ベローズ ４：コールドプレート ５：サーマルコンバウンド又はヘリウム６：冷媒
Claims (1)
- プリント基板上の半導体素子の表面に、形状記憶合金
製でかつ内部に比熱に優れ熱伝導率の高い物質を充填し
た加熱伸張するベローズを取付け、該ベローズ上方に、
前記半導体素子の発熱により前記ベローズと接触して冷
却する冷却用冷媒を備えたコールドプレートを一定間隔
をおいて配設したことを特徴とする電子装置の冷却構造
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7238587A JPS63237554A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 電子装置の冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7238587A JPS63237554A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 電子装置の冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237554A true JPS63237554A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13487762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7238587A Pending JPS63237554A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 電子装置の冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237554A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012020453A1 (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Empire Technology Development Llc | Improved fluid cooling |
| JP2018139273A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法、熱伝導部品 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7238587A patent/JPS63237554A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012020453A1 (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Empire Technology Development Llc | Improved fluid cooling |
| US8416573B2 (en) | 2010-08-10 | 2013-04-09 | Empire Technology Development Llc. | Fluid cooling |
| JP2018139273A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法、熱伝導部品 |
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