JPS63253501A - 磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録装置Info
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- JPS63253501A JPS63253501A JP8827587A JP8827587A JPS63253501A JP S63253501 A JPS63253501 A JP S63253501A JP 8827587 A JP8827587 A JP 8827587A JP 8827587 A JP8827587 A JP 8827587A JP S63253501 A JPS63253501 A JP S63253501A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フレキシブルディスクやハードディスクなど
、消去を行わず、重ね書き（オーバーライド）によりデ
ータの書き換えを行う磁気記録装置に関するものである
。
、消去を行わず、重ね書き（オーバーライド）によりデ
ータの書き換えを行う磁気記録装置に関するものである
。
（従来の技術）
第４図は従来のオーバーライドの概念図である。
媒体１に記録されている信号６の上に広めのギャップ長
のヘッド２により新しい信号４を重ね書き（オーバーラ
イド）することによって、同時に前の信号を消去するも
のである。温度等の変化により記録領域３の大きさが多
少変わっても、媒体の底まで達しているので、十分な消
去率が得られる。
のヘッド２により新しい信号４を重ね書き（オーバーラ
イド）することによって、同時に前の信号を消去するも
のである。温度等の変化により記録領域３の大きさが多
少変わっても、媒体の底まで達しているので、十分な消
去率が得られる。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたオーバーライドは、記録密度が低い、すなわ
ち、ヘッドのギャップ長が広く媒体の底まで十分に飽和
記録できるような装置では問題なく機能した。
ち、ヘッドのギャップ長が広く媒体の底まで十分に飽和
記録できるような装置では問題なく機能した。
一方、単層垂直媒体とリングヘッドによる垂直磁気記録
では、急峻な書き込み磁場が得られる狭ギャップのヘッ
ドと比較的厚めの媒体の組み合わせで、良好な記録再生
特性が得られている（信学技報ＭＲ８１−８ｆリングヘ
ッドによる垂直異方性膜への記録」）。このような組み
合わせでは、媒体を底まで十分に飽和記録することは困
難で、表層記録に近いものとなる。
では、急峻な書き込み磁場が得られる狭ギャップのヘッ
ドと比較的厚めの媒体の組み合わせで、良好な記録再生
特性が得られている（信学技報ＭＲ８１−８ｆリングヘ
ッドによる垂直異方性膜への記録」）。このような組み
合わせでは、媒体を底まで十分に飽和記録することは困
難で、表層記録に近いものとなる。
このときに問題となるのはオーバーライド消去率の確保
である。媒体の磁気特性を選べば、表層記録であっても
一２８ｄＢ程度のオーバーライド消去率が確保できる（
第２図）が、媒体の抗磁力やヘッドの飽和磁束密度が温
度により変化すると、第３図のように記録深さが変化し
、消し残りの信号５のためにオーバーライド消去率が劣
化する。（第１０回日本応用磁気学会学術講演概要集５
ａＡ−９）本発明の目的は、このような欠点をなくし、
使用温度が変化してもオーバーライド消去率が劣化する
ことのない磁気記録装置を提供することにある。
である。媒体の磁気特性を選べば、表層記録であっても
一２８ｄＢ程度のオーバーライド消去率が確保できる（
第２図）が、媒体の抗磁力やヘッドの飽和磁束密度が温
度により変化すると、第３図のように記録深さが変化し
、消し残りの信号５のためにオーバーライド消去率が劣
化する。（第１０回日本応用磁気学会学術講演概要集５
ａＡ−９）本発明の目的は、このような欠点をなくし、
使用温度が変化してもオーバーライド消去率が劣化する
ことのない磁気記録装置を提供することにある。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明の磁気記録装置は、ギャップの近傍もしくはコア
全体がセンダスト系合金からなる磁気ヘッドと、Ｃｏと
Ｃｒを主成分とし、１．２〜２．０ａｔ％のＺｒ、１．
３〜２．３ａｔ％Ｈｆ、１．５〜２．５ａｔ％のＴａの
いづれがが添加されている記録媒体の構成であることを
特徴としている。
全体がセンダスト系合金からなる磁気ヘッドと、Ｃｏと
Ｃｒを主成分とし、１．２〜２．０ａｔ％のＺｒ、１．
３〜２．３ａｔ％Ｈｆ、１．５〜２．５ａｔ％のＴａの
いづれがが添加されている記録媒体の構成であることを
特徴としている。
（作用）
このような添加物を入れることにより、ＣｏＣｒ膜では
一〇、３４％／ｄｅｇであった抗磁力の温度係数が第１
図のように変化する。図中の破線はセンダストの飽和磁
束密度の温度係数−０，１１％／ｄｅｇを示したもので
ある。前述のような添加量とすることで、センダストの
飽和磁束密度の温度係数と近い抗磁力の温度係数を持つ
媒体になる。このようにヘッドの飽和磁束密度の温度係
数ＱＢｓと媒体の抗磁力の温度係数αＨｅが近い値にし
であると、記録深さｙの温度変化ｄｙ／ｄＴが となることから、温度による記録深さの変化が少ない磁
気記録装置ができる。したがって、温度変化による第３
図のようなオーバーライド消去率の劣化をきわめて小さ
くできる。
一〇、３４％／ｄｅｇであった抗磁力の温度係数が第１
図のように変化する。図中の破線はセンダストの飽和磁
束密度の温度係数−０，１１％／ｄｅｇを示したもので
ある。前述のような添加量とすることで、センダストの
飽和磁束密度の温度係数と近い抗磁力の温度係数を持つ
媒体になる。このようにヘッドの飽和磁束密度の温度係
数ＱＢｓと媒体の抗磁力の温度係数αＨｅが近い値にし
であると、記録深さｙの温度変化ｄｙ／ｄＴが となることから、温度による記録深さの変化が少ない磁
気記録装置ができる。したがって、温度変化による第３
図のようなオーバーライド消去率の劣化をきわめて小さ
くできる。
（実施例）
以下、本発明の実施例および参考例を示す。媒体は２０
ａｔ％ＣｒのＣｏＣｒ合金ターゲットの上にＺｒ、 Ｈ
ｆ。
ａｔ％ＣｒのＣｏＣｒ合金ターゲットの上にＺｒ、 Ｈ
ｆ。
Ｔａのペレットをおき、ＲＦマグネトロンスパッタにて
作成した。第１表は実施例および参考例の添加物とその
量、および抗磁力の温度係数、ギャップ長０．３ｐｍの
センダストヘッドで測定した２５°Ｃでのオーバーライ
ド消去率（０／Ｗ２５）、１０°Ｃで書き込ミ５０°Ｃ
で重ね書きしたときのオーバーライド消去率（０／ＷＩ
Ｑ−５Ｑ）、５０°Ｃで書き込み１０°Ｃで重ね書きし
たときのオーバーライド消去率（０／Ｗ５０−１ｏ）を
まとめたものである。測定方法を述べると、先づ５０ｋ
ＦＲＰＩの信号を書き込んでおき、２２ｋＦＲＰＩの信
号を重ね書きし、重ね書きによる５０ｋＦＲＰＩの信号
の減衰量をオーバーライド消去率とした。装置として供
するためにはＯ／Ｗ２５、Ｏ／Ｗ１０−５０． Ｏ／Ｗ
５０−１ｏのいづれもが一２６ｄＢ以下である必要があ
る。
作成した。第１表は実施例および参考例の添加物とその
量、および抗磁力の温度係数、ギャップ長０．３ｐｍの
センダストヘッドで測定した２５°Ｃでのオーバーライ
ド消去率（０／Ｗ２５）、１０°Ｃで書き込ミ５０°Ｃ
で重ね書きしたときのオーバーライド消去率（０／ＷＩ
Ｑ−５Ｑ）、５０°Ｃで書き込み１０°Ｃで重ね書きし
たときのオーバーライド消去率（０／Ｗ５０−１ｏ）を
まとめたものである。測定方法を述べると、先づ５０ｋ
ＦＲＰＩの信号を書き込んでおき、２２ｋＦＲＰＩの信
号を重ね書きし、重ね書きによる５０ｋＦＲＰＩの信号
の減衰量をオーバーライド消去率とした。装置として供
するためにはＯ／Ｗ２５、Ｏ／Ｗ１０−５０． Ｏ／Ｗ
５０−１ｏのいづれもが一２６ｄＢ以下である必要があ
る。
実施例では温度係数がセンダストの飽和磁化のそれ（−
０，１１％／ｄｅｇ）に対して±０゜０４％／ｄｅｇの
範囲（第１図の点線の範囲）に入っており、Ｏ／Ｗ１０
−５Ｑ。
０，１１％／ｄｅｇ）に対して±０゜０４％／ｄｅｇの
範囲（第１図の点線の範囲）に入っており、Ｏ／Ｗ１０
−５Ｑ。
０１／ｗ５ｏ １０がＯ／Ｗ２５に比べて大きく劣化す
ることはないが、参考例のＣｏＣｒや添加原素の少いも
のでは０／Ｗ５０− ＩＱが劣化して一２６ｄＢを上回
ってしまう。ま（発明の効果） 以上のように本発明の磁気記録装置では表層記録的であ
っても、周囲温度の変化によるオーバーライド消去率の
劣化をきわめて少く抑えることができる。
ることはないが、参考例のＣｏＣｒや添加原素の少いも
のでは０／Ｗ５０− ＩＱが劣化して一２６ｄＢを上回
ってしまう。ま（発明の効果） 以上のように本発明の磁気記録装置では表層記録的であ
っても、周囲温度の変化によるオーバーライド消去率の
劣化をきわめて少く抑えることができる。
第１図は添加原素量によるＣｏＣｒＺｒ、 ＣｏＣｒＨ
ｆ。 ＣｏＣｒＴａの抗磁力の温度係数の変化を示した図であ
る。 第２図は本発明の実施したときのオーバーライドの概念
図である。 第３図は温度特性を無視して作製した装置のオーバーラ
イドの概念図である。 第４図は従来装置のオーバーライドの概念図である。 図において、 １・・・媒体の記録層、２・・・ヘッド３・・・記録領
域、４・・・新しい信号５・・・消し残りの信号、６・
・・既に記録されている信号第１図 添加量 ［ａｔ％ｌ 第２図 第３図 第４図
ｆ。 ＣｏＣｒＴａの抗磁力の温度係数の変化を示した図であ
る。 第２図は本発明の実施したときのオーバーライドの概念
図である。 第３図は温度特性を無視して作製した装置のオーバーラ
イドの概念図である。 第４図は従来装置のオーバーライドの概念図である。 図において、 １・・・媒体の記録層、２・・・ヘッド３・・・記録領
域、４・・・新しい信号５・・・消し残りの信号、６・
・・既に記録されている信号第１図 添加量 ［ａｔ％ｌ 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ギャップの近傍もしくは全体がセンダスト系合金
からなる磁気ヘッドとＣｏ、Ｃｒ及びＺｒを主成分とす
る磁気記憶媒体の構成による磁気記録装置において、磁
気記録媒体中のＺｒの含有量が １．２〜２．０ａｔ％であることを特徴とする磁気記録
装置。 （２）ギャップの近傍もしくは全体がセンダスト系合金
からなる磁気ヘッドとＣｏ、Ｃｒ及びＨｆを主成分とす
る磁気記録媒体の構成による磁気記録装置において、磁
気記録媒体中のＨｆの含有量が １．３〜２．３ａｔ％であることを特徴とする磁気記録
装置。 （３）ギャップの近傍もしくは全体がセンダスト系合金
からなる磁気ヘッドとＣｏ、Ｃｒ及びＴａを主成分とす
る磁気記録媒体の構成による磁気記録装置において、磁
気記録媒体中のＴａの含有量が １．５〜２．５ａｔ％であることを特徴とする磁気記録
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088275A JPH0619803B2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088275A JPH0619803B2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253501A true JPS63253501A (ja) | 1988-10-20 |
| JPH0619803B2 JPH0619803B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=13938352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088275A Expired - Lifetime JPH0619803B2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619803B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182915A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-15 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 箱形二層成形体の射出成形法 |
| JPS61213145A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | 椎名 二三幸 | 複合プラスチック成形品の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP62088275A patent/JPH0619803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182915A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-15 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 箱形二層成形体の射出成形法 |
| JPS61213145A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | 椎名 二三幸 | 複合プラスチック成形品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0619803B2 (ja) | 1994-03-16 |
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