JPS63255852A - 記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、光学的に再生可能な記録媒体に関するもの
で、特に、超電導物質を用いた記録媒体に関するもので
ある。

［従来の技術］ この発明にとって興味ある従来の記録媒体として、光磁
気記録媒体がある。これは、一般的には、希土類系の磁
性材料からなる垂直磁化膜を用いるもので、記録に際し
ては、たとえばレーザ光を照射し熱による磁性の変化を
生じさせ、再生に際しては、磁気に付随する光学的効果
の変化を利用しようとするものである。

［発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、光磁気記録媒体には、まず、その再生出
力すなわちＳ／Ｎ比が、用いる磁性材料によって決まっ
てしまうという欠点がある。また、磁性材料として、希
土類系物質を用いるため、酸化しやすいという欠点もあ
る。さらに、垂直磁化膜を構成できる組成は極めて限ら
れているという欠点もある。

そこで、この発明は、上述した光磁気記録媒体が遭遇し
た問題点を有利に解消できる新規な記録媒体を提供しよ
うとするものである。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る記録媒体は、ファラデー効果を示す物質
からなるファラデー効果層と、前記ファラデー回転角の
主表面と実質的に平行な方向に延びる状態で前記ファラ
デー効果層の一方面側に配置される、超電導性リングと
を備えることを特徴とするものである。

［作用コ この発明によれば、超電導性リングを構成する超電導物
質が超電導現象を示す臨界温度（Ｔｃ）以下に保ちなが
ら、超電導性リングを貫通する変動磁場を外部から印加
することにより、誘導電流が超電導性リングに流れる。

この電流は、外部磁場を取り除いた後でも、半永久的に
流れ続ける。

そして、このような超電導性リングを流れる電流によっ
て、磁界が発生し、この磁界が、ファラデー効果層に影
響を及ぼす。すなわち、ファラデー効果層内を、偏光し
た光が通過すると、この通過する距離と磁場の強さに比
例して、ファラデー効果により、光の偏光面が回転され
る。したがって、このようにファラデー効果層を通過し
た光の偏光面の回転角の差を検出することにより、記録
の有無を読出すことができる。

［発明の効果］ この発明によれば、外部から印加する磁場を大きくする
ことにより、超電導性リングに流される電流を大きくす
ることができ、そのため、ファラデー回転角を大きくす
ることができる。したがって、記録の有無に対応して現
われるファラデー回転角の差を大きくでき、再生出力す
なわちＳ／Ｎ比を大きくとることができる。

また、超電導性リングの大きさが１個の記録を担う領域
の大きさに対応する。したがって、多数の超電導性リン
グがファラデー効果層の一方面側に配置される場合には
、このような超電導性リングの大きさを小さくすること
により、記録密度を高めることができる。

また、酸化物セラミックス系の超電導物質が高い臨界温
度を示すことが知られているが、このような超電導物質
をもって超電導性リングを構成した場合には、これが元
来、酸化物であるため、耐酸化性に優れたものとするこ
とができる。

［発明の好ましい実施態様］ この発明に係る記録媒体において、好ましくは、ファラ
デー効果層の、超電導性リングが位置する側とは反対側
には、反射面が配置される。この反射面は、再生時にお
いて、偏光した光が、ファラデー効果層を通過する距離
を２倍にする役割を果たすもので、それによって、ファ
ラデー回転角を２倍にすることができ、再生出力をより
大きくできるという利点がある。なお、このような反射
面の付与態様として、次のような構成を採用することが
できる。すなわち、ファラデー効果層の、超電導性リン
グが配置された側とは反対側に、ファラデー効果層の機
械的強度を補うための基板が配置されることがある。こ
の場合、反射面は、この基板の、ファラデー効果層側の
面上に形成される鏡面膜によって実現されることができ
る。また、基板を透明にすれば、反射面は、基板の、フ
ァラデー効果層とは反対側の面上に形成される鏡面膜に
よって実現されることもできる。さらに、基板が、アル
ミニウムのような金属で構成すれば、反射面は、この基
板の、ファラデー効果層側の面を鏡面とすることによっ
ても実現されることができる。

次に、超電導性リングを構成する物質に関して、これを
、セラミックス系超電導物質から構成すれば、より高い
臨界温度を望むことができる。たとえば、ペロブスカイ
ト構造または疑似ペロブスカイト構造を呈するセラミッ
クス系超電導物質が高い温度を示すことが知られている
。ここで、このようなセラミックス系超電導物質として
は、一般に、一般式ＡａＢｂＣｃ　（ａ、ｂ、ｃは、Ａ
、Ｂ。

Ｃの各組成比を示す数である。）で表わされる組成を有
するものがある。ここにおいて、Ａは周期律表１　ａｌ
ｌｆａｓ　Ｈａ族元素からなるグループから選ばれた少
なくとも１種、Ｂは、周期律表Ｉｂ。

ｎｂ、ｍｂ族元素からなるグループから選ばれた少なく
とも１種、Ｃは、酸素、炭素、窒素、フッ素、イオウか
らなるグループから選ばれた少なくとも１種である。こ
のような組成のうち、Ａは、周期律表１　ａ、ｎａ、ｍ
ａ族元素からなるグループから選ばれた２種以上の元素
とするのがさらに好ましい。また、Ｂは、少なくとも銅
を含むようにされ、Ｃは、少なくとも酸素を含むように
されるのが好ましい。さらに、前述の一般式ＡａＢｂＣ
ｃにおいて、ＡＸ（Ａの平均原子価）＋ｂ×（Ｂの平均
原子価）−ｃＸ（Ｃの平均原子価）の関係が成り立つよ
うにされるのが好ましい。

なお、上記周期律表Ｉａ族元素としては、Ｈ２Ｌｉ、Ｎ
ａ、に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒが挙げられる。

また、周期律表ＩＩａＩａ族元素ては、Ｂｅ、Ｍｇ。

Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａが挙げられる。また、周期律表
Ｈａ族元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。

Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｃ、Ｔｈ、Ｐ
ａ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕ、Ａｍ、Ｃｍ、Ｂｋ。

Ｃｆ、Ｅｓ、Ｆｍ、Ｍｄ、Ｎｏ、Ｌｒが挙げられる。

また、周期律表１ｂ族元素としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ
が挙げられる。また、周期律表ｎｂ族元素としては、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｈｇが挙げられる。また、周期律表ｍｂ族元
素としては、Ｂ、　ＡＩ、　Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが挙げら
れる。

なお、前述した「疑似ペロブスカイト構造」とは、厳密
には「ペロブスカイト構造」ではないが、広義において
、「ペロブスカイト構造」の範晴に入るものを意味して
いる。

上述したセラミックス系超電導物質のうち、具体的には
、Ｌａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系またはＬａ−５ｒ−Ｃｕ−０
系のセラミックス系超電導物質にあっては、臨界温度と
して、３０に以上を記録しており、また、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系のセラミックス系超電導物質にあっては、９０
に以上の臨界温度を示すことが実証されている。

なお、セラミックス系超電導物質は、耐湿性の点で劣る
ため、このようなセラミックス系超電導物質から超電導
性リングを構成する場合、超電導性リングの露出を防止
するため、耐湿保護層を形成することが好ましい。

また、この発明に係る記録媒体に記録された情報が、外
部磁界によって影響を受けにくくするため、超電導物質
からなる第１および第２の磁気シールド層が、ファラデ
ー効果層と超電導性リングとを少なくとも挾むように形
成されるのが好ましい。なぜなら、超電導物質は、マイ
スナー効果により、外部からの磁場を完全に排除する性
質を有しているからである。なお、これら磁気シールド
層は、超電導性リングと電気的に絶縁された状態で形成
される必要がある。

上述した第１および第２の磁気シールド層は、超電導性
リングを構成する超電導物質より臨界温度が低い超電導
物質から構成することが行なわれる。なぜなら、このよ
うにして初めて能率的な記録または記録の部分的な書き
換えあるいは記録の部分的な消去が可能になるからであ
る。すなわち、当該記録媒体に対して、超電導性リング
の臨界温度以下であるが、磁気シールド層の臨界温度を
超えるような温度条件を与えながら、全体に磁界をかけ
た状態とすれば、磁気シールド層においては、マイスナ
ー効果が失われ、外部の磁界が超電導性リングにまで入
り込むことが可能になる。そして、この磁界により、超
電導性リングに誘導電流が発生し、この電流が半永久的
に流れ続けることか可能となる。このような超電導性リ
ングに電流が流れ続ける態様は、記録状態としてとらえ
ることもできるし、未記録状態としてもとらえることが
できる。

すなわち、超電導性リングに電流が流れ続けている状態
を記録状態としてとらえる場合には、当該記録媒体の未
記録状態においては、超電導性リングには電流が流れて
いない。そして、前述したような方法により、外部から
の磁界を超電導性リングにまで入り込ませれば、超電導
性リングに誘導電流が発生し、この電流が超電導性リン
グを流れ続けることによって、記録が発生される。この
場合、記録を消去するとき、たとえばレーザ光により加
熱して、超電導性リングを構成する超電導物質の臨界温
度を超える温度条件を与えれば、今まで流れ続けていた
電流が消失する。

他方、超電導性リングに電流が流れ続けている状態を未
記録状態としてとらえる場合には、記録を達成するため
、たとえばレーザ光を照射し、超電導性リングにおける
超電導状態が失われるように加熱すればよい。このよう
にして得られた記録を消去するためには、前述した方法
により、外部の磁界が超電導性リングにまで入り込む条
件を与えればよい。

［実施例］ 第１図には、この発明の一実施例となる記録媒体の断面
構造が拡大されて示されている。

まず、図示した記録媒体の構成を、一般的に説明すると
、当該記録媒体の機械的強度を与えるために、基板１が
用意される。基板１は、たとえば、ポリカーボネートの
ような樹脂、またはガラス、等から構成することができ
る。

基板１の図による下面には、たとえば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
系の好ましくは高い臨界温度を示すセラミックス系超電
導物質からなる第１の磁気シールド層２が、形成される
。

基板１の図による上面には、たとえばアルミニウムのよ
うな金属からなる鏡面膜３が形成される。

鏡面膜３は、特にその図による上面に反射面を形成する
ものである。

鏡面膜３の上には、たとえば、イツトリウム・アイアン
やガーネット（Ｙ　Ｉ　Ｇ）のようなファラデー効果を
示す物質からなるファラデー効果層４が形成される。

ファラデー効果層４の上には、たとえば、ボロン・ナイ
トライド（ＢＮ）のような耐湿性を有する第１の耐湿保
護層５が形成される。

第１の耐湿保護層５の上には、第２図に平面的な配置状
態が示されているように、複数個の超電導性リング６が
形成される。複数個の超電導性リング６は、第２図によ
く示されているように、所定方向に見たとき、等間隔に
配置されている。なお、第２図に示した超電導性リング
６の配置状態は、横方向にも縦方向にも、等間隔となっ
ているが、特に、この実施例では、記録を再生する場合
、横方向にトラッキングすることが意図されており、こ
の横方向において等間隔に配置されていることが重要で
ある。なお、当該記録媒体が、たとえば、ディスク状の
形態をとるときには、複数個の超電導性リング６は、周
方向より具体的には渦巻方向に等間隔に配置されること
になる。

超電導性リング６が形成された後、第１の耐湿保護層５
の上には、この第１の耐湿保護層５と同じ組成の第２の
耐湿保護層７が形成される。これによって、超電導性リ
ング６が外部に露出することが防止され、超電導性リン
グ６を構成するセラミックス系超電導物質が耐湿性に劣
るという欠点をカバーするようにされる。

第２の耐湿保護層７の上には、第２の磁気シールド層８
が形成される。第２の磁気シールド層８は、第１の磁気
シールド層２と同様、超電導物質から構成される。

なお、以上述べた断面構造を存する記録媒体において、
第１および第２の磁気シールド層２および８は、超電導
性リング６と電気的に絶縁されている。すなわち、第１
の磁気シールド層２に対しては、基板１等が電気的絶縁
の作用を果たし、第２の磁気シールド層８に対しては、
第２の耐湿保護層７がその機能を果たしている。

また、第１および第２の磁気シールド層２および８を構
成する超電導物質は、超電導リング６を構成する超電導
物質より高い臨界温度を有するように設定される。

さらに、第２の磁気シールド層８、第１および第２の耐
湿保護層５および７、ならびにファラデー効果層４は、
少なくともレーザ光に対して透明または透過性を有する
ように、それぞれの層の材質または厚みが選ばれる。

次に、第１図に示した記録媒体を用いて、記録または再
生を行なう方法について説明する。なお、前述したよう
に、超電導性リング６に電流が流れ続けている状態のと
らえ方の態様として、これを未記録状態と見るか、記録
状態と見るか、の２種類がある。したがって、記録等の
方法に関しては、次のような第１および第２の方法が存
在する。

第１の方法： 「無記録状態」 まず、第１の方法では、当該記録媒体に未だ記録がされ
ていない状態では、各導電性リング６に電流が流れ続け
ており、したがって、ファラデー効果層４には、各超電
導性リング６を流れる電流により発生する磁界の影響が
及ぼされている。

このような未記録状態は、たとえば、当該記録媒体を、
第１および第２の磁気シールド層２および８を構成する
超電導物質の臨界温度を超えるが、超電導性リング６の
超電導物質の臨界温度以下の温度条件下に置いた状態と
しながら、この記録媒体全体に垂直な方向の磁界を与え
ればよい。これによって、この磁界は、すべての超電導
性リング６を貫通するように与えられ、各超電導性リン
グ６に誘導電流が誘起され、この電流が流れ続ける状態
が得られる。

「記録方法」 まず、当該記録媒体を、少なくとも超電導性リング６を
構成する超電導物質の臨界温度以下、より好ましくは第
１および第２の磁気シールド層２および８を構成する超
電導物質の臨界温度以下の温度条件下に置いた状態とし
ておく。

次に、記録を行なうにあたり、記録すべき特定の超電導
性リング６が位置する領域であって、第２の磁気シール
ド層８が位置する側から、レーザ光を照射する。これに
よって、特定の超電導性リング６が加熱され、その超電
導状態が失われる。

これに応じて、当該超電導性リング６に流れ続けていた
電流は消失する。

このようにして、記録が達成される。

第２の方法： 「無記録状態」 第２の方法においては、当該記録媒体が未だ記録されて
いない状態では、各超電導性リング６には誘導電流が発
生されておらず、したがって、ファラデー効果層４には
、磁気的に影響が及ぼされていない。

「記録方法」 第２の方法では、当該記録媒体を、第１および第２の磁
気シールド層２および８を構成する超電導物質の臨界温
度以下の温度条件下に置いた状態としておく。このとき
、超電導性リング６にあっては、これを構成する超電導
物質が、磁気シールド層２および８を構成する超電導物
質より高い臨界温度を有しているので、超電導性リング
６も、超電導状態となる。上述した温度状態を維持しな
がら、当該記録媒体に対して、垂直な方向すなわち超電
導性リング６を貫通する方向の磁界をかける。なお、こ
の磁界は、マイスナー効果により、超電導性を示してい
る磁気シールド層２および８で挾まれた領域内には入り
込まない。したがって、超電導性リング６に対しても、
これを貫通する磁界は、現段階では、入り込まない。

次に、記録を行なうにあたり、記録すべき特定の超電導
性リング６が位置する領域であって、第２の磁気シール
ド層８が位置する側から、レーザ光が照射される。この
レーザ光は、加熱用として用いられるものであり、これ
によって、特定の超電導性リング６の上方にある第２の
磁気シールド層８の特定の領域が加熱される。この加熱
は、特に第２の磁気シールド層８の特定の領域において
、この磁気シールド層８を構成する超電導物質の臨界温
度を超えるが、超電導性リング６の超電導物質の臨界温
度以下に保持されるように選ばれる。

これによって、第２の磁気シールド層８は、前述した特
定の領域において、超電導性が失われ、当該記録媒体全
体に印加されていた磁界が、第２の磁気シールド層８を
貫通して入り込み、前述した特定の超電導性リング６に
対して、これを貫通する磁界が与えられる。これによっ
て、この特定の超電導性リング６には、誘導電流が流れ
る。そして、この誘導電流は、超電導性リング６が、超
電導性を示しているので、半永久的に流れ続ける。

このようにして、上述した第１および第２の方法のいず
れを採用しても、所望の記録が達成される。なお、記録
を終えた記録媒体は、磁気シールド層２および８の超電
導物質の臨界温度以下の温度にて保存することが好まし
い。このようにすることにより、外部磁界の影響を受け
に＜＜、記録保存の信頼性が高められる。

−「再生方法」 前述のようにして所望のデータが記録された記録媒体は
、たとえば、偏光されたレーザ光によって行なわれる。

このとき、超電導性リング６の大きさに絞り込まれたレ
ーザ光は、たとえば、第２図に示すように、横方向に等
間隔に配列された超電導性リング６をスキャンするよう
にトラッキング制御される。レーザ光は、第２の磁気シ
ールド層８、第２の耐湿保護層７、第１の耐湿保護層５
、およびファラデー効果層４を透過して、鏡面膜３の表
面で反射して、その後、この逆の経路をたどり、図示し
ない検光子によって、ここを通過した光の強弱をもって
検出される。すなわち、前述したように、超電導性リン
グ６に電流が流れている場合、この電流によって磁界が
発生し、この特定の超電導性リング６の真下にある領域
において、ファラデー効果層４に対して、磁気的な影響
が及ぼされる。ファラデー効果層４においては、この磁
気的な影響により、ファラデー効果に基づき、レーザ光
の偏光面が回転される。したがって、記録部分と他の部
分とは、このようなファラデー回転角の差によって識別
され、記録されたデータを再生することができる。

「記録書換え方法」 記録媒体上に、一旦記録されたデータを書き換える場合
には、第１および第２の方法のいずれであっても、前述
した「記録方法」と同様の方法を適用できる。

なお、第２の方法にあっては、記録媒体に記録されたデ
ータをすべて消去する場合には、最も簡単には、当該記
録媒体を、超電導性リング６の超電導物質の臨界温度を
超える温度の雰囲気にもたらせばよい。

上述した「記録方法」、「再生方法」の説明かられかる
ように、この実施例の記録媒体は、従来から光磁気記録
媒体に適用されている記録・再生装置を、実質的にその
まま転用することができる。

実験例 第１図に示した断面構造を有する記録媒体を、次のよう
な方法により得た。

すなわち、ポリカーボネートからなる基板１上に、第１
の磁気シールド層２として、スパッタリングにより、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ系超電導物質からなる層を、２０ＱＱＡの
厚みで形成した。この基板１のもう一方の面には、スパ
ッタリングにより、鏡面膜３となるべき、アルミニウム
膜を、５００Ａの厚みで形成した。その上に、ファラデ
ー効果層４を形成するため、ＹＩＧをスパッタし、その
厚みを３００　ｏＸとした。さらに、その上に、第１の
耐湿保護層５となるべきＳｉ、Ｎ４層を、ＣＶＤにより
、５００Ａの厚さで形成した。この第１の耐湿保護層５
の上に、回路スパッタリングにより、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ系
超電導物質からなる超電導性リング６を形成した。これ
ら超電導性リング６は、外径１．２μｍ１厚さく高さ）
３０００人であり、第２図において横方向に隣り合うリ
ング６．６間の間隔は、約２μｍに設定した。また、リ
ング６の内径は、０．５〜０．８μｍの範囲内に入るよ
うに設定された。なお、ここで、超電導性リング６のリ
ング状の形状を整えるため、エツチングを併用してもよ
い。超電導性リング６を形成した後、第２の耐湿保護層
７を形成するため、Ｓｉ、Ｎ４からなる層を、ＣＶＤに
より、３５００Ａの厚みで形成した。そして、第２の磁
気シールド層８として、スパッタリングにより、Ｙ−Ｂ
ａ−Ｃｕ系超電導物質からなる層を、２０００Ａの厚み
で形成した。

上述のようにして得られた記録媒体を、磁気シールド層
２および８の超電導物質の臨界温度より高いが超電導性
リング６の超電導物質の臨界温度以下の温度条件下に置
き、この記録媒体に対して垂直な方向に、周波数０．５
Ｈｚ、最大５ｋＯｅの磁界を、１層４周期かけた後、波
長６３３ｎｍ、１５ｍＷのレーザ光を直径１μｍのスポ
ットに絞り、記録媒体の外表面に、１０ｋＨｚのパルス
で５ｍｍ／秒の移動速度で照射した。この記録媒体での
記録を確認するため、偏光顕微鏡を用いて測定したとこ
ろ、レーザ光で加熱さた領域から出てきたレーザ光の偏
光面は、入射時の方向を保持していたが、レーザ光が照
射されていない領域においては、０．３６度のファラデ
ー回転角を表わし、偏光面が回転していることがわかっ
た。

また、第１および第２の磁気シールド層２および８の超
電導物質の臨界温度以下の温度条件下に保ちながら、上
述のように記録された記録媒体に、外部より、垂直な方
向に周波数０．５Ｈｚ、最大１０ｋＯｅの磁界を１０周
期かけた後、偏光顕微鏡で観察したが、磁界をかける前
と変化はなかった。

以上、この発明を、具体的な実験例で説明したが、上述
した超電導性リング６を形成する方法としては、ＣＶＤ
法のほか、ＰｖＤ法、スパッタリング法、生のセラミッ
クスを焼結する方法、ゾル−ゲル法、などを適宜採用す
ることができる。

なお、この発明に係る記録媒体は、複数個の超電導性リ
ングを備えるようないわゆる高密度メモリ等として使用
できる記録媒体から、単に１個の超電導性リングしか備
えない記録素子まで、幅広く適用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例となる記録媒体の断面構
造を拡大して示す。第２図は、第１図に示した複数個の
超電導性リング６の配置状態を示す平面図である。 図において、１は基板、２は第１の磁気シールド層、３
は鏡面膜、４はファラデー効果層、５゜７は耐湿保護層
、６は超電導性リング、８は第２の磁気シールド層であ
る。 （ほか２名）　　−：Ｔ、−・

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）ファラデー効果を示す物質からなるファラデー効
   果層と、 前記ファラデー効果層の主表面と実質的に平行な方向に
   延びる状態で前記ファラデー効果層の一方面側に配置さ
   れる、超電導性リングと、 を備える、記録媒体。
2. （２）前記ファラデー効果層の他方面側には、反射面が
   配置される、特許請求の範囲第１項記載の記録媒体。
3. （３）前記ファラデー効果層の他方面側には、当該ファ
   ラデー効果層の機械的強度を補うための基板が配置され
   、前記反射面は、前記基板の、前記ファラデー効果層側
   の面上に形成される鏡面膜によって実現される、特許請
   求の範囲第２項記載の記録媒体。
4. （４）前記ファラデー効果層の他方面側には、当該ファ
   ラデー効果層の機械的強度を補うための透明な基板が配
   置され、前記反射面は、前記基板の、前記ファラデー効
   果層とは反対側の面上に形成される鏡面膜によって実現
   される、特許請求の範囲第２項記載の記録媒体。
5. （５）前記ファラデー効果層の他方面側には、当該ファ
   ラデー効果層の機械的強度を補うための金属基板が配置
   され、前記反射面は、前記基板の、前記ファラデー効果
   層側の面を鏡面とすることにより実現される、特許請求
   の範囲第２項記載の記録媒体。
6. （６）前記超電導性リングは、セラミックス系超電導物
   質からなる、特許請求の範囲第１項ないし第５項のいず
   れかに記載の記録媒体。
7. （７）前記超電導性リングの露出を防止するための耐湿
   保護層がさらに形成された、特許請求の範囲第６項記載
   の記録媒体。
8. （８）前記超電導性リングと電気的に絶縁された状態で
   、前記超電導性リングを構成する超電導物質より臨界温
   度が低い超電導物質からなる第１および第２の磁気シー
   ルド層が、前記ファラデー効果層と前記超電導性リング
   とを少なくとも挾むように形成された、特許請求の範囲
   第１項ないし第６項のいずれかに記載の記録媒体。
9. （９）前記超電導性リングは、前記ファラデー効果層の
   前記一方面側に、複数個配置される、特許請求の範囲第
   １項ないし第８項のいずれかに記載の記録媒体。
10. （１０）前記複数個の超電導性リングは、所定方向に見
    たとき、等間隔に配置される、特許請求の範囲第９項記
    載の記録媒体。