JPS63257154A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
- Publication number
- JPS63257154A JPS63257154A JP62092703A JP9270387A JPS63257154A JP S63257154 A JPS63257154 A JP S63257154A JP 62092703 A JP62092703 A JP 62092703A JP 9270387 A JP9270387 A JP 9270387A JP S63257154 A JPS63257154 A JP S63257154A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- earth metal
- cathode
- electron
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、TV用プラクン管などに用いられる電子管
用陰極に関するものである。
用陰極に関するものである。
第8図は従来のTV用プラクン管や撮像管に用いられて
いる陰極を示すものであり、図において、田はシリコン
1si)、マグネシウム(Mg )すどの還元性元素を
微酸含む主成分がニッケルからなる何底筒伏の基体、(
2(はこの基体+t7の底部上面に被着され、少なく生
もバリウム(Ba)を含み、他にストロンチクム(Sr
)または/およびカルシクム(Ca)を含むアルカリ土
類金属酸化物からなる電子放射物質層、(31は上記基
体川内に配設されたヒータ+31で、加熱により上記電
子放射物質層(2)から熱電子を放出させるためのもの
である。
いる陰極を示すものであり、図において、田はシリコン
1si)、マグネシウム(Mg )すどの還元性元素を
微酸含む主成分がニッケルからなる何底筒伏の基体、(
2(はこの基体+t7の底部上面に被着され、少なく生
もバリウム(Ba)を含み、他にストロンチクム(Sr
)または/およびカルシクム(Ca)を含むアルカリ土
類金属酸化物からなる電子放射物質層、(31は上記基
体川内に配設されたヒータ+31で、加熱により上記電
子放射物質層(2)から熱電子を放出させるためのもの
である。
この様に構成された電子管用陰極において、基体…への
電子放射物質層]2)の被着は次の様にして行なわれる
。まず、アルカリ土類金属(Ba。
電子放射物質層]2)の被着は次の様にして行なわれる
。まず、アルカリ土類金属(Ba。
Sr、Ca)の三元炭酸塩からなる懸濁液を基体Il+
の底部上面に塗布し、真空排気工程中にヒータ(3)に
よって加熱する。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩は
アルカリ土類金属の酸化物に変わる。その後、アルカリ
土類金属の酸化物の一部を還元して半導体的性質を何す
るように活性化を行なうことにより、基体山上にアルカ
リ土類金属の酸化物からなる電子放射物質層(2)を被
着形成している。
の底部上面に塗布し、真空排気工程中にヒータ(3)に
よって加熱する。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩は
アルカリ土類金属の酸化物に変わる。その後、アルカリ
土類金属の酸化物の一部を還元して半導体的性質を何す
るように活性化を行なうことにより、基体山上にアルカ
リ土類金属の酸化物からなる電子放射物質層(2)を被
着形成している。
この活性化工程において、アルカリ土類金属の酸化物の
一部は次の様に反応する。つまり、基体Ill内に含有
されたシリコン、マグネシウム等の還元性元素は拡散に
よりアルカリ土類金属の酸化物と基体:11の界面に移
動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。たとえば、
アルカリ土類酸化物として酸化バリウム(Bad)であ
れば次式+II 、 121の様に反応する。
一部は次の様に反応する。つまり、基体Ill内に含有
されたシリコン、マグネシウム等の還元性元素は拡散に
よりアルカリ土類金属の酸化物と基体:11の界面に移
動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。たとえば、
アルカリ土類酸化物として酸化バリウム(Bad)であ
れば次式+II 、 121の様に反応する。
BaO+ 1/2Si = Ba + 1/2SiOs
−−−IIIBaO+ Mg−Ba + MgO−
121この反応の結果、基体111上に被着形成され九
アルカリ土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型
の半導体となり、陰極温度700〜SOO℃の動作温度
で0.5〜o、5A7=の電子放射が得られることVC
なる。
−−−IIIBaO+ Mg−Ba + MgO−
121この反応の結果、基体111上に被着形成され九
アルカリ土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型
の半導体となり、陰極温度700〜SOO℃の動作温度
で0.5〜o、5A7=の電子放射が得られることVC
なる。
ところが、従来の電子管用陰極では、電子放射が0.5
〜G、8A/d以上の電流密度は取り出せない。その理
由として、アルカリ土類金属酸化物の一部を還元反応さ
せた場合、上記+11 、111式からも明らかなよう
に、基体Il+とアルカリ土類金属酸化物層との界面に
5i02.MgOまたはBaO・8101などの複合酸
化物層C中間層)が形成され、この中間層が高抵抗層と
なって電流の流れを妨げること、および上記中間層が基
体…中の還元性元素rsi、Mg)が電子放射物質層(
21の表面側へ拡散するのを妨げるため十分な微のバI
J +’lム(Ba)が生成されなrためであると考え
られている。つ1す、電子動作中に基体(1)と電子放
射物質層]21の界面近傍、特に基体111表面近傍の
ニッケル結晶粒界と上記界面よりIOμm程度電子放射
物質層(21内側の位置に上記中間層が偏析するため、
電流の流れおよび電子放射物質層(21表面側への還元
性元素の拡散が妨げられ、高電流密度下の十分な電子放
出特性が得られないという問題があつ九〇 この発明は上記従来の問題点を解消するためになさ゛れ
たもので、高電流密度下において長時間にわたって安定
したエミッション(電子放出)特性を臀し、かつ、生産
性・信頓性の高い電子管用陰極を提供することを目的と
する。
〜G、8A/d以上の電流密度は取り出せない。その理
由として、アルカリ土類金属酸化物の一部を還元反応さ
せた場合、上記+11 、111式からも明らかなよう
に、基体Il+とアルカリ土類金属酸化物層との界面に
5i02.MgOまたはBaO・8101などの複合酸
化物層C中間層)が形成され、この中間層が高抵抗層と
なって電流の流れを妨げること、および上記中間層が基
体…中の還元性元素rsi、Mg)が電子放射物質層(
21の表面側へ拡散するのを妨げるため十分な微のバI
J +’lム(Ba)が生成されなrためであると考え
られている。つ1す、電子動作中に基体(1)と電子放
射物質層]21の界面近傍、特に基体111表面近傍の
ニッケル結晶粒界と上記界面よりIOμm程度電子放射
物質層(21内側の位置に上記中間層が偏析するため、
電流の流れおよび電子放射物質層(21表面側への還元
性元素の拡散が妨げられ、高電流密度下の十分な電子放
出特性が得られないという問題があつ九〇 この発明は上記従来の問題点を解消するためになさ゛れ
たもので、高電流密度下において長時間にわたって安定
したエミッション(電子放出)特性を臀し、かつ、生産
性・信頓性の高い電子管用陰極を提供することを目的と
する。
この発明者等は、鋭意研究の末、電子放射物質層にスカ
ンジウムと他の希土類金属合金を添加することにより、
基体中の還元性元素を含む複合酸化物層(中間層)が基
体界面近傍に偏析するのを抑制できることに成功した。
ンジウムと他の希土類金属合金を添加することにより、
基体中の還元性元素を含む複合酸化物層(中間層)が基
体界面近傍に偏析するのを抑制できることに成功した。
すなわち、この発明に係る電子管用陰極は、バlJ+’
7ムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子
放射物質層に%0.1− B 0重量%のスカンジウム
と他の希土類金属との合金を含有させるものである。
7ムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子
放射物質層に%0.1− B 0重量%のスカンジウム
と他の希土類金属との合金を含有させるものである。
この発明によれば、電子放射物質層にスカンジウムと他
の希土類金属との合金を含有するようにしたので、基体
界面近傍にSc拡散層が形成され、この8c拡敢1(至
)により陰極動作時に上記界面近傍に生成した基体中の
還元性元素を含む調合酸化物層が解離される。これによ
り、高′IIA縁性の上記複合酸化物層が上記界面に偏
析するのが防止される。これにより、を子放射物質層の
活性度を長時間に蝦って維持することができる。
の希土類金属との合金を含有するようにしたので、基体
界面近傍にSc拡散層が形成され、この8c拡敢1(至
)により陰極動作時に上記界面近傍に生成した基体中の
還元性元素を含む調合酸化物層が解離される。これによ
り、高′IIA縁性の上記複合酸化物層が上記界面に偏
析するのが防止される。これにより、を子放射物質層の
活性度を長時間に蝦って維持することができる。
以下、この発明の実施例7図面にしたがって説明する。
第1図において、(2a)は基体)1+の底部上面に被
着された電子放射物質層であり、少なくともバリウム(
Ba)i含み、他にストロンチウム(Sr)または/お
よびカルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化物
を主成分とし、0.1〜20重量%のスカンジウムクと
他の希土類金属との合金を含有して−る。
着された電子放射物質層であり、少なくともバリウム(
Ba)i含み、他にストロンチウム(Sr)または/お
よびカルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化物
を主成分とし、0.1〜20重量%のスカンジウムクと
他の希土類金属との合金を含有して−る。
つぎに、この実施例の電子放射物質層(2a)の被着形
成方法について説明すると、まず、Ba。
成方法について説明すると、まず、Ba。
Sr、Caの三元炭酸塩に、たとえば、 8cmY合金
粉末t−5重量%、(上記三元炭酸塩が全て酸化物にな
るとしての重量%)添加混合し、懸濁液を作成する。こ
の懸濁液をニッケルを主成分とする基体…の底部上面に
スプレィにより約80ミクロンの厚みで塗布し、その後
、従来と同様に、炭酸塩から酸化物への分解過程および
酸化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子放射物
質層(’2a)を基体Illに被着形成する。
粉末t−5重量%、(上記三元炭酸塩が全て酸化物にな
るとしての重量%)添加混合し、懸濁液を作成する。こ
の懸濁液をニッケルを主成分とする基体…の底部上面に
スプレィにより約80ミクロンの厚みで塗布し、その後
、従来と同様に、炭酸塩から酸化物への分解過程および
酸化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子放射物
質層(’2a)を基体Illに被着形成する。
上記電子管用陰極を用いて2w&管真空管を作成し、身
命試験全行なって、エミッション電流の変化を調べた結
果、第2図のライン/1 で示す結果を得た。ライン1
1は、従来のテレビ用嵯極としての電流密度0.6fl
A/cnの8.1倍(2、05A / clで動作させ
た時の特性を示し、ライン12は従来のアルカリ土類酸
化物のみからなる電子管用陰極の寿命特性を示したもの
である。この第2図から明らかなように、この実施グj
の陰極は従来例の陰極にxt して高1を流密度動作で
のエミツ7ヨン劣化が少ないものである。
命試験全行なって、エミッション電流の変化を調べた結
果、第2図のライン/1 で示す結果を得た。ライン1
1は、従来のテレビ用嵯極としての電流密度0.6fl
A/cnの8.1倍(2、05A / clで動作させ
た時の特性を示し、ライン12は従来のアルカリ土類酸
化物のみからなる電子管用陰極の寿命特性を示したもの
である。この第2図から明らかなように、この実施グj
の陰極は従来例の陰極にxt して高1を流密度動作で
のエミツ7ヨン劣化が少ないものである。
上記において、5重量%のSC−X合金粉末を予め添加
することによって、添加したSc −Y合金から一部S
cが解離して第1図に示す基体山内に拡散し、基体+1
1の界面近傍にBa拡飲層を形成する。一方、陰極を動
作させると、基体(1)内の還元性元素1111、lv
lgが基体H1の表面に移動し、電子放射物質層(2a
)のアルカリ土類金属酸化物(Ba、Sr、Ca)O)
と反応してこの酸化物を還元する。その結果、Ba 、
Sr 、 Caの活性原子を生成し、電子放射を容易
にする。このとき、アルカリ土類金属酸化物と基体11
1内の還元性元素との反応の副産物として複合酸化物、
たとえばBa!!1310+層を生成し、これが陰極の
動作時間の経過とともに基体…界面上に中間層として形
成される。ところで、基体+11の界面近傍には上記S
c拡拡散が形成されており、上記Bag 5i04が解
離して再びS1原子を生成する。したがって、基体II
I内の還元性元素8、Mgの電子放射物質層(2a)内
への継続的な拡散が妨げられず、しかも、高絶縁層とし
て作用する上e Ba、Sl”を解離させることにより
、エミッション電流の流れも阻害されない。これにより
、再びアルカリ土類金属酸化物の還元反応が生じ、エミ
ッション電流の低下を防止できる。
することによって、添加したSc −Y合金から一部S
cが解離して第1図に示す基体山内に拡散し、基体+1
1の界面近傍にBa拡飲層を形成する。一方、陰極を動
作させると、基体(1)内の還元性元素1111、lv
lgが基体H1の表面に移動し、電子放射物質層(2a
)のアルカリ土類金属酸化物(Ba、Sr、Ca)O)
と反応してこの酸化物を還元する。その結果、Ba 、
Sr 、 Caの活性原子を生成し、電子放射を容易
にする。このとき、アルカリ土類金属酸化物と基体11
1内の還元性元素との反応の副産物として複合酸化物、
たとえばBa!!1310+層を生成し、これが陰極の
動作時間の経過とともに基体…界面上に中間層として形
成される。ところで、基体+11の界面近傍には上記S
c拡拡散が形成されており、上記Bag 5i04が解
離して再びS1原子を生成する。したがって、基体II
I内の還元性元素8、Mgの電子放射物質層(2a)内
への継続的な拡散が妨げられず、しかも、高絶縁層とし
て作用する上e Ba、Sl”を解離させることにより
、エミッション電流の流れも阻害されない。これにより
、再びアルカリ土類金属酸化物の還元反応が生じ、エミ
ッション電流の低下を防止できる。
上記実施例では8cmY合金をl?tt%添加した例を
示したが、Yとの合金以外にGd、Ndなど他の希土類
金属であればいずれでも良い。またSCとの混合割合は
任意でよいが、少なくとも8C以外の他の希土類金属が
Io%含まれていることが望ましい。このようにSoと
の合金を添加することによる利点は、SCが化学的に活
性な物質であり、これを合金にすることにより不活性に
し、しかしながらニッケル基体+11の界面では合金よ
り遊離してニッケル基体Il+に拡散するものである。
示したが、Yとの合金以外にGd、Ndなど他の希土類
金属であればいずれでも良い。またSCとの混合割合は
任意でよいが、少なくとも8C以外の他の希土類金属が
Io%含まれていることが望ましい。このようにSoと
の合金を添加することによる利点は、SCが化学的に活
性な物質であり、これを合金にすることにより不活性に
し、しかしながらニッケル基体+11の界面では合金よ
り遊離してニッケル基体Il+に拡散するものである。
8cと他の希土類金属の合金を0.1− ’A O重t
%の範囲で添加するのは以下の理由による。
%の範囲で添加するのは以下の理由による。
すなわち、0.1重量%未満の添加では、基体111の
界面での中間層形成全抑制する効果が不十分であり、ま
た、20重量%を超える添加では、相対的VCアルカリ
土類金属酸化物の量が少なくなり、電子放射量が低下す
るためである。
界面での中間層形成全抑制する効果が不十分であり、ま
た、20重量%を超える添加では、相対的VCアルカリ
土類金属酸化物の量が少なくなり、電子放射量が低下す
るためである。
以上説明したように、この発明によれば、スカンジウム
と他の希土類金属との合金の添加により基体界面近傍に
偏析した高抵抗層である複合酸化物が解離できるので、
高電流密度下の十分なエミッション特性を得ることがで
き、従来よりも長身命、かつ、安価で製造の制約の少な
い信頓性の高い電子管用陰極が得られるという効果全音
する0
と他の希土類金属との合金の添加により基体界面近傍に
偏析した高抵抗層である複合酸化物が解離できるので、
高電流密度下の十分なエミッション特性を得ることがで
き、従来よりも長身命、かつ、安価で製造の制約の少な
い信頓性の高い電子管用陰極が得られるという効果全音
する0
第1図はこの発明の一実施例金示す断面図、第2図は寿
命試験時間とエミッション電流との関係を示すグラフ、
第8図は従来の電子管用陰極を示す断面図である。 …−基体、(2a)−電子放射物質層。 なお各図中、同一符号は同一またけ相当部分を示す。
命試験時間とエミッション電流との関係を示すグラフ、
第8図は従来の電子管用陰極を示す断面図である。 …−基体、(2a)−電子放射物質層。 なお各図中、同一符号は同一またけ相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)ニッケルを主成分とする基体上に、バリウムを含
むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子放射物質
層を被着形成してなる電子管用陰極において、上記電子
放射物質層は、0.1〜20重量%のスカンジウムと他
の希土類金属との合金を含有することを特徴とする電子
管用陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092703A JPS63257154A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092703A JPS63257154A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子管用陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257154A true JPS63257154A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14061845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62092703A Pending JPS63257154A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63257154A (ja) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62092703A patent/JPS63257154A/ja active Pending
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