JPS63257156A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
- Publication number
- JPS63257156A JPS63257156A JP62092705A JP9270587A JPS63257156A JP S63257156 A JPS63257156 A JP S63257156A JP 62092705 A JP62092705 A JP 62092705A JP 9270587 A JP9270587 A JP 9270587A JP S63257156 A JPS63257156 A JP S63257156A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cathode
- interface
- layer
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Tv用ジブラウン管どに用いられる電子管
用陰極に関するものである。
用陰極に関するものである。
第3図は従来の′rv用ブラブラウン管像管に用いられ
ている陰極を示すものであり、図において、(1)はシ
リコン(汎)、マグネシウム(Mg)などの還元性元素
を微量含訃主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、
(2)はこの基体(1)の底部上面に被着され、少なく
ともバリウム(B&)を含み、他にストロンチウム(S
r)または/およびカルシウム(Oa)を含むアルカリ
土類金属酸化物からなる電子放射物質層、C3)は上記
基体(1)内に配設されたヒータ(3)で、加熱により
上記電子放射物質N(2)から熱電子を放出させるため
のものである。
ている陰極を示すものであり、図において、(1)はシ
リコン(汎)、マグネシウム(Mg)などの還元性元素
を微量含訃主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、
(2)はこの基体(1)の底部上面に被着され、少なく
ともバリウム(B&)を含み、他にストロンチウム(S
r)または/およびカルシウム(Oa)を含むアルカリ
土類金属酸化物からなる電子放射物質層、C3)は上記
基体(1)内に配設されたヒータ(3)で、加熱により
上記電子放射物質N(2)から熱電子を放出させるため
のものである。
この様に構成された電子管用陰極におい、て、基体(1
)への電子放射物質層(2)の被着は次の様、にして行
なわれる。まず、アルカリ土類金rdrcB&esre
Oa)の三元炭酸塩からなる懸濁液を基体(1)の底部
上面に塗布し、真空排気工程中にヒータ(3)によって
加熱する。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩はアルカ
リ土類金属の酸化物に変わる。その後、アルカリ土類金
属の酸化物の一部を還元して半導体的性質を有するよう
に活性化を行なうことにより、基体(1)上にアルカリ
土類金属の酸化物からなる電子放射物質層(2)を被着
形成している。
)への電子放射物質層(2)の被着は次の様、にして行
なわれる。まず、アルカリ土類金rdrcB&esre
Oa)の三元炭酸塩からなる懸濁液を基体(1)の底部
上面に塗布し、真空排気工程中にヒータ(3)によって
加熱する。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩はアルカ
リ土類金属の酸化物に変わる。その後、アルカリ土類金
属の酸化物の一部を還元して半導体的性質を有するよう
に活性化を行なうことにより、基体(1)上にアルカリ
土類金属の酸化物からなる電子放射物質層(2)を被着
形成している。
この活性化工程において、アルカリ土類金属の酸化物の
一部は次の様に反応する。つまり1.基体(1)内に含
有されたシリコン、マグネシウム等の還光性元素は拡散
によりアルカリ土類金属の酸化物と基体(1)の界面に
移動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。たとえば
、アルカリ土類酸化物として酸化バリウム(EaO)で
あれば次式(1) 、 (2)の様に反応する。
一部は次の様に反応する。つまり1.基体(1)内に含
有されたシリコン、マグネシウム等の還光性元素は拡散
によりアルカリ土類金属の酸化物と基体(1)の界面に
移動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。たとえば
、アルカリ土類酸化物として酸化バリウム(EaO)で
あれば次式(1) 、 (2)の様に反応する。
BaO+l/2Si−Ba+1/2Si02 ・・・
(1)EaO+ Mg −Ba + MgO・・
−(2)この反応の結果、基体(1)上に被着形成され
たアルカリ土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏
型の半導体となり、陰極温度700〜800°Cの動作
温度で05〜0.8 A / am2 の電子放射が得
られることになる。
(1)EaO+ Mg −Ba + MgO・・
−(2)この反応の結果、基体(1)上に被着形成され
たアルカリ土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏
型の半導体となり、陰極温度700〜800°Cの動作
温度で05〜0.8 A / am2 の電子放射が得
られることになる。
ところが、上記従来の電子管用陰極では、電子放射が0
5〜0.8 A / am2 以上の電流密度は取り出
せない。その理由として、アルカリ土類金属酸化物の一
部を還元反応させた場合、上記(1) 、 (2)式か
らも明らかなように、基体(1)とアルカリ土類金属酸
化物層との界面に5io2 、 MgOまたはBaO−
5i02などの複合酸化物層(中間層)が形成され、こ
の中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げること、
および上記中間層が基体(1)中の還元性元素(sl、
Mg )が電子放射物質層(2)の表面側へ拡散する
のを妨げるため十分な世のバリウム(Ba)が生成され
ないためであると考えられている。つまり、電子管動作
中に基体(1)と電子放射物質層(2)の界面近傍、特
に基体(1)表面近傍のニッケル結晶粒界と上記界面よ
り10μm程度電子放射物質層(2)内側の位置に上記
中間層が偏析するため、電流の流れおよび電子放射物質
層(2)表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、篩電
流密度下の十分な電子放出特性が得られないという問題
があった。
5〜0.8 A / am2 以上の電流密度は取り出
せない。その理由として、アルカリ土類金属酸化物の一
部を還元反応させた場合、上記(1) 、 (2)式か
らも明らかなように、基体(1)とアルカリ土類金属酸
化物層との界面に5io2 、 MgOまたはBaO−
5i02などの複合酸化物層(中間層)が形成され、こ
の中間層が高抵抗層となって電流の流れを妨げること、
および上記中間層が基体(1)中の還元性元素(sl、
Mg )が電子放射物質層(2)の表面側へ拡散する
のを妨げるため十分な世のバリウム(Ba)が生成され
ないためであると考えられている。つまり、電子管動作
中に基体(1)と電子放射物質層(2)の界面近傍、特
に基体(1)表面近傍のニッケル結晶粒界と上記界面よ
り10μm程度電子放射物質層(2)内側の位置に上記
中間層が偏析するため、電流の流れおよび電子放射物質
層(2)表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、篩電
流密度下の十分な電子放出特性が得られないという問題
があった。
この発明は上記従来の問題点を解消するためになされた
もので、高電流密度下において長時間にわたって安定し
なエミッション(電子放出)特性を有し、かつ、生産性
・信頼性の高い電子管用陰極を提供することを目的とす
る。
もので、高電流密度下において長時間にわたって安定し
なエミッション(電子放出)特性を有し、かつ、生産性
・信頼性の高い電子管用陰極を提供することを目的とす
る。
この発明者等は、鋭意研究の末1電子放射物質層にスカ
ンジウムと鉄、コバルト、ニッケルとの合金を添加する
ことにより、基体中の還元性元素を含む複合酸化物層(
中間層)が基体界面近傍に偏析するのを抑制できること
に成功した。
ンジウムと鉄、コバルト、ニッケルとの合金を添加する
ことにより、基体中の還元性元素を含む複合酸化物層(
中間層)が基体界面近傍に偏析するのを抑制できること
に成功した。
すなわち、この発明に係る電子管用陰極は、バリウムを
含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子放射物
質層に、0.1〜20重量%のスカンジウムと鉄、コバ
ルト、ニッケルとの合金を含有させるものである。
含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子放射物
質層に、0.1〜20重量%のスカンジウムと鉄、コバ
ルト、ニッケルとの合金を含有させるものである。
この発明によれば、電子放射物質層にスカンジウムト鉄
、コバルト、ニッケルとの合金を含有fるようにしたの
で、基体の界面近傍にSo拡散層が形成され、このSo
拡散層により陰極動作時に上記界面近傍に生成した基体
中の還元性元素を含む複合酸化物層が解離される。これ
により、高絶縁性の上記複合酸化物層が上記界面に偏析
するのが防止できる。
、コバルト、ニッケルとの合金を含有fるようにしたの
で、基体の界面近傍にSo拡散層が形成され、このSo
拡散層により陰極動作時に上記界面近傍に生成した基体
中の還元性元素を含む複合酸化物層が解離される。これ
により、高絶縁性の上記複合酸化物層が上記界面に偏析
するのが防止できる。
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第1図において、(2a)は基体(1)の底部上面に被
着された電子放射物質層であり、少なくともバリウム(
Ba)を含み、他にストロンチウム(3r)tたは/お
よびカルシウム(Oa)を含むアルカリ土類金属酸化物
を主成分とし、0.1〜20重量%の8cm0゜合金粉
末を含有している。
着された電子放射物質層であり、少なくともバリウム(
Ba)を含み、他にストロンチウム(3r)tたは/お
よびカルシウム(Oa)を含むアルカリ土類金属酸化物
を主成分とし、0.1〜20重量%の8cm0゜合金粉
末を含有している。
つぎに、この実施例の電子放射物質層(2a)の被着形
成方法について説明すると、まず、Ba、Sr。
成方法について説明すると、まず、Ba、Sr。
0& の三元炭酸塩に、たとえば、5o−Oo 合金粉
末を5重量%(上記三元炭酸塩が全て酸化物になるとし
ての重量%)添加混合し、懸濁液を作成する。この懸濁
液をニッケルを主成分とする基体(1)の底部上面にス
プレィにより約80ミクロンの厚みで塗布し、その後、
従来と同様に、炭酸塩からi化物への分解過程および酸
化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子放射物質
層(2a)を基体(1)に被着形成する。
末を5重量%(上記三元炭酸塩が全て酸化物になるとし
ての重量%)添加混合し、懸濁液を作成する。この懸濁
液をニッケルを主成分とする基体(1)の底部上面にス
プレィにより約80ミクロンの厚みで塗布し、その後、
従来と同様に、炭酸塩からi化物への分解過程および酸
化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子放射物質
層(2a)を基体(1)に被着形成する。
上記電子管用陰極を用いて2極管真空管を作成し、寿命
試験を行なって、エミッション電流の変化を調べた結果
、第2図のライン11で示す結果を得た。ラインe1は
、従来のテレビ用陰極としての電流密度0.66A10
m2の3.1倍(2゜05A10n2)テ動作させた時
の特性を示し、ライン12け従来のアルカリ土類酸化物
のみからなる電子管用陰極の寿命特性を示したものであ
る。この第2図から明らかなように、この実施例の陰極
は従来例の陰極に対して高電流密度動作でのエミッショ
ン劣化が少ないものである。
試験を行なって、エミッション電流の変化を調べた結果
、第2図のライン11で示す結果を得た。ラインe1は
、従来のテレビ用陰極としての電流密度0.66A10
m2の3.1倍(2゜05A10n2)テ動作させた時
の特性を示し、ライン12け従来のアルカリ土類酸化物
のみからなる電子管用陰極の寿命特性を示したものであ
る。この第2図から明らかなように、この実施例の陰極
は従来例の陰極に対して高電流密度動作でのエミッショ
ン劣化が少ないものである。
上記において、5重量%の5o−Oo金合金予め添加す
ることによって、添加した5o−Oo金合金一部は解離
して第1図に示す基体(1)内に拡散し、基体(1)の
界面近傍にSc拡散層を形成する。一方、陰極を動作さ
せると、基体(1)内の還元性元素SL 、 Mgが基
体(1)の表面に移動し、電子放射物質層(2a)のア
ルカリ土類金属酸化物(Ea 、 Sr 、 Oa )
O)と反応してこの酸化物を還元する。その結果、B
a、Sr、Oaの活性原子を生成し、電子放射を容易に
する。
ることによって、添加した5o−Oo金合金一部は解離
して第1図に示す基体(1)内に拡散し、基体(1)の
界面近傍にSc拡散層を形成する。一方、陰極を動作さ
せると、基体(1)内の還元性元素SL 、 Mgが基
体(1)の表面に移動し、電子放射物質層(2a)のア
ルカリ土類金属酸化物(Ea 、 Sr 、 Oa )
O)と反応してこの酸化物を還元する。その結果、B
a、Sr、Oaの活性原子を生成し、電子放射を容易に
する。
このとき、アルカリ土類金属酸化物と基体(1)内の還
元性元素との反応の副産物として複合酸化物、たとえは
B125104層を生成し、これが陰極の動作時間の経
過とともに基体(1)の界面上に中間層として形成され
る。ところが、基体(1)の界面近傍には上記Sc拡散
層が形成されており、上記Ba2SiO4が解離して再
びS1原子を生成する。したがって、基体(1)内の還
元性元素Si 、 Mgの電子放射物質層(2&)内へ
の継続的な拡散が妨げられず、しかも、高絶縁層として
作用する上記Ba2SiO4を解離させることにより、
エミッション電流の流れも阻害されない。これにより、
再びアルカリ土類金属酸化物の還元反応が生じ、エミッ
ション電流の低下fE/j止できる。
元性元素との反応の副産物として複合酸化物、たとえは
B125104層を生成し、これが陰極の動作時間の経
過とともに基体(1)の界面上に中間層として形成され
る。ところが、基体(1)の界面近傍には上記Sc拡散
層が形成されており、上記Ba2SiO4が解離して再
びS1原子を生成する。したがって、基体(1)内の還
元性元素Si 、 Mgの電子放射物質層(2&)内へ
の継続的な拡散が妨げられず、しかも、高絶縁層として
作用する上記Ba2SiO4を解離させることにより、
エミッション電流の流れも阻害されない。これにより、
再びアルカリ土類金属酸化物の還元反応が生じ、エミッ
ション電流の低下fE/j止できる。
上記実施例では、5a−Oo 5重斂%を添加した例を
示したが、Coとの合金以外、鉄、ニッケルとの合金を
使用しても同様な結果が得られることが確認された。
示したが、Coとの合金以外、鉄、ニッケルとの合金を
使用しても同様な結果が得られることが確認された。
なお、鉄、フパルト、ニッケルとの合金を添加する利点
は、化学的な活性なSoを合金化することにより、不活
性にし、しかしながらニッケル基体(1)の界面では合
金より遊離してニッケル基体(1)に拡散するものであ
る。
は、化学的な活性なSoを合金化することにより、不活
性にし、しかしながらニッケル基体(1)の界面では合
金より遊離してニッケル基体(1)に拡散するものであ
る。
Soト鉄、コバルト、ニッケルとの合金を0.1〜20
重量第の範囲で添加するのけ以下の理由による〇すなわ
ち、0.1重量%未溝の添加では、基体(1)の界面で
の中間層形成を抑制する効果が不十分であり、また、2
0重量%を超える添加では、相対的にアルカリ土類金属
酸化物の量が少なくなり、電子放射量が低下するためで
ある。
重量第の範囲で添加するのけ以下の理由による〇すなわ
ち、0.1重量%未溝の添加では、基体(1)の界面で
の中間層形成を抑制する効果が不十分であり、また、2
0重量%を超える添加では、相対的にアルカリ土類金属
酸化物の量が少なくなり、電子放射量が低下するためで
ある。
ナオ、鉄、コバルト、ニッケルのi合m合り任意でよい
が、少なくとも10%が望ましい。
が、少なくとも10%が望ましい。
以上説明したように、この発明によれば、スカンジウム
と鉄、コバルト、ニッケルとの合金の添加により基体界
面近傍に偏析した高抵抗層である複合酸化物が解離でき
るので、高電流密度下の十分なエミツシ′E17ン特性
を得ることができ、従来よりも長寿命、かつ、安価で製
造の制約の少ない信頼性の高い電子管用陰極が得られる
という効果を有する。
と鉄、コバルト、ニッケルとの合金の添加により基体界
面近傍に偏析した高抵抗層である複合酸化物が解離でき
るので、高電流密度下の十分なエミツシ′E17ン特性
を得ることができ、従来よりも長寿命、かつ、安価で製
造の制約の少ない信頼性の高い電子管用陰極が得られる
という効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は寿
命試験時間とエミッション電流とノ関係を示すグラフ、
第3図は従来の電子管用陰極を示す断面図である。 図において、(1)・・・基体、(2&)・・・電子放
射物質層である。 なお各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
命試験時間とエミッション電流とノ関係を示すグラフ、
第3図は従来の電子管用陰極を示す断面図である。 図において、(1)・・・基体、(2&)・・・電子放
射物質層である。 なお各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)ニッケルを主成分とする基体上に、バリウムを含
むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子放射物質
層を被着形成してなる電子管用陰極において、上記電子
放射物質層は、0.1〜20重量%のスカンジウムと鉄
、コバルト、ニッケルとの合金を含有することを特徴と
する電子管用陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092705A JPS63257156A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092705A JPS63257156A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子管用陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257156A true JPS63257156A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14061899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62092705A Pending JPS63257156A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63257156A (ja) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62092705A patent/JPS63257156A/ja active Pending
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