JPS6325747Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6325747Y2 JPS6325747Y2 JP1982113634U JP11363482U JPS6325747Y2 JP S6325747 Y2 JPS6325747 Y2 JP S6325747Y2 JP 1982113634 U JP1982113634 U JP 1982113634U JP 11363482 U JP11363482 U JP 11363482U JP S6325747 Y2 JPS6325747 Y2 JP S6325747Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- light
- chip
- light receiving
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、ホトダイオードやホトトランジス
タ等の半導体チツプの前面にレンズを設けた光半
導体装置に関する。
タ等の半導体チツプの前面にレンズを設けた光半
導体装置に関する。
例えば、ホトダイオードの応答速度はアノー
ド・カソード間のPN接合容量に反比例する。
PN接合容量はPN接合の面積で決まる。そこで、
チツプのPN接合面積を小さくするとともにチツ
プの前面にレンズを設けることにより、応答の高
速化を図るようにしている。
ド・カソード間のPN接合容量に反比例する。
PN接合容量はPN接合の面積で決まる。そこで、
チツプのPN接合面積を小さくするとともにチツ
プの前面にレンズを設けることにより、応答の高
速化を図るようにしている。
レンズを設けた光半導体装置の例を第１図に示
す。同図ａはカンシール形のもので、ステム２に
半導体チツプ１がマウントされ、ガラス製又は透
明樹脂製の凸レンズ３を設けた金属キヤツプ４で
気密封止されている。同図ｂは樹脂封入形のもの
で、金属リードフレーム５にチツプ１がマウント
され、透明エポキシ樹脂で封入されている。そし
て、樹脂そのものはレンズ状３に成型される。な
お、６はリード線、７は外部リードである。第２
図は前記チツプ１の平面模式図であり、チツプ１
の中央部に不純物拡散領域で近似される有効受光
部８がある。
す。同図ａはカンシール形のもので、ステム２に
半導体チツプ１がマウントされ、ガラス製又は透
明樹脂製の凸レンズ３を設けた金属キヤツプ４で
気密封止されている。同図ｂは樹脂封入形のもの
で、金属リードフレーム５にチツプ１がマウント
され、透明エポキシ樹脂で封入されている。そし
て、樹脂そのものはレンズ状３に成型される。な
お、６はリード線、７は外部リードである。第２
図は前記チツプ１の平面模式図であり、チツプ１
の中央部に不純物拡散領域で近似される有効受光
部８がある。
このような光半導体装置の光感度は、チツプ１
と光感度とレンズ３の集光倍率の積で与えられ
る。光感度を一定とする場合、レンズの集光倍率
分だけチツプを小型化できうるとともに高速化で
きる。
と光感度とレンズ３の集光倍率の積で与えられ
る。光感度を一定とする場合、レンズの集光倍率
分だけチツプを小型化できうるとともに高速化で
きる。
しかし、レンズの集光倍率を大きくすると、レ
ンズの指向性が鋭くなる。光の入射方向がわずか
に傾くだけで、入力光９は第２図に示すように、
チツプの有効受光領域８から大幅にずれる欠点が
ある。また、チツプ１のマウント位置のずれやレ
ンズ特性のばらつき（レンズの形状など）、さら
に、組み付け時の誤差等によつて指向性のばらつ
きが助長される問題があつた。
ンズの指向性が鋭くなる。光の入射方向がわずか
に傾くだけで、入力光９は第２図に示すように、
チツプの有効受光領域８から大幅にずれる欠点が
ある。また、チツプ１のマウント位置のずれやレ
ンズ特性のばらつき（レンズの形状など）、さら
に、組み付け時の誤差等によつて指向性のばらつ
きが助長される問題があつた。
そこでこの考案は、上記欠点を改良することを
目的とし、光半導体チツプの受光部を２つ以上に
分割することにより鋭い指向性をもつレンズを用
いても、またこの指向性が多少ばらついても光入
力を充分に検知でき高速に作動する光半導体装置
を提供するものである。
目的とし、光半導体チツプの受光部を２つ以上に
分割することにより鋭い指向性をもつレンズを用
いても、またこの指向性が多少ばらついても光入
力を充分に検知でき高速に作動する光半導体装置
を提供するものである。
本考案を第３図に示す実施例によつて説明す
る。
る。
第３図ａは、半導体チツプ１の有効受光部を４
つ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄに分割して形成したも
のである。各受光部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ
は、光に感応する拡散領域で、チツプ１の上方か
ら見ると島状に分離した状態に形成される。これ
ら島状に分離した受光部８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ
はIC製造技術を用いて、アルミニウム配線又は
細い拡散領域を形成することにより相互に接続さ
れる。それぞれの受光部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８
ｄが離れる分離距離ｄは、チツプサイズやレンズ
の集光倍率等を総合的に考慮して最適となるよう
に選択する。
つ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄに分割して形成したも
のである。各受光部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ
は、光に感応する拡散領域で、チツプ１の上方か
ら見ると島状に分離した状態に形成される。これ
ら島状に分離した受光部８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ
はIC製造技術を用いて、アルミニウム配線又は
細い拡散領域を形成することにより相互に接続さ
れる。それぞれの受光部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８
ｄが離れる分離距離ｄは、チツプサイズやレンズ
の集光倍率等を総合的に考慮して最適となるよう
に選択する。
このように受光部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを
チツプ１の中心から放射方向に分散させて島状に
形成すると、指向性の鋭いレンズから入射するス
ポツト状の入力光９の入射位置がずれても各受光
部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄのいずれかで充分に
捕捉検知できるとともに高速に応答させることが
できる。したがつて、このような構造としたこと
で、指向性の鋭さ、ばらつきが改善される。
チツプ１の中心から放射方向に分散させて島状に
形成すると、指向性の鋭いレンズから入射するス
ポツト状の入力光９の入射位置がずれても各受光
部分８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄのいずれかで充分に
捕捉検知できるとともに高速に応答させることが
できる。したがつて、このような構造としたこと
で、指向性の鋭さ、ばらつきが改善される。
第３図ｂは他の実施例で、有効受光部を受光部
分８ｅ，８ｆの２つに分割したものである。
分８ｅ，８ｆの２つに分割したものである。
第３図ｃはまた別の実施例を示し、有効受光部
を５つ８ｇ，８ｈ，８ｉ，８ｊ，８ｋに分割し、
チツプ１の中央部に受光部分８ｇを残したもので
ある。受光部分８ｇでチツプ中央部に入射する入
力光を捕捉するとともに、放射状に形成した周辺
受光部分８ｈ，８ｉ，８ｊ，８ｋで指向性の鋭
さ、ばらつきに起因する入力光を吸収する構成で
ある。
を５つ８ｇ，８ｈ，８ｉ，８ｊ，８ｋに分割し、
チツプ１の中央部に受光部分８ｇを残したもので
ある。受光部分８ｇでチツプ中央部に入射する入
力光を捕捉するとともに、放射状に形成した周辺
受光部分８ｈ，８ｉ，８ｊ，８ｋで指向性の鋭
さ、ばらつきに起因する入力光を吸収する構成で
ある。
なお、ここに開示した技術は、ホトダイオード
に限ることなく、応答の高速化が望まれる光電素
子たとえばホトトランジスタ、ホトサイリスタ等
に適用しうることは言うまでもなく、フオトカプ
ラの受光素子側に適用することもできる。
に限ることなく、応答の高速化が望まれる光電素
子たとえばホトトランジスタ、ホトサイリスタ等
に適用しうることは言うまでもなく、フオトカプ
ラの受光素子側に適用することもできる。
以上のように、この考案によれば光半導体チツ
プの受光部を複数に分割したので、応答の高速化
のためにチツプ前面にレンズを設けてもその指向
性の鋭さ、ばらつきを充分カバーできる効果があ
る。
プの受光部を複数に分割したので、応答の高速化
のためにチツプ前面にレンズを設けてもその指向
性の鋭さ、ばらつきを充分カバーできる効果があ
る。
第１図ａ，ｂはそれぞれホトダイオードの外観
構造の概略図、第２図は従来のチツプを示す平面
模式図、第３図ａ，ｂ，ｃは本考案の実施例に係
る光半導体チツプの平面模式図である。 １……チツプ、３……レンズ、８……有効受光
部、８ａ〜８ｋ……分割した受光部。
構造の概略図、第２図は従来のチツプを示す平面
模式図、第３図ａ，ｂ，ｃは本考案の実施例に係
る光半導体チツプの平面模式図である。 １……チツプ、３……レンズ、８……有効受光
部、８ａ〜８ｋ……分割した受光部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体チツプの前面にレンズを設け、該レンズ
の指向性をもつて前記半導体チツプの受光面にス
ポツト状に光を入射させる光半導体装置におい
て、 前記レンズの配置面と平行となる、前記レンズ
の光軸と垂直な受光面において、前記入射される
スポツト状光に対応する前記半導体チツプの有効
受光部を小面積の複数の受光部分に分割して分散
配置したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11363482U JPS5918448U (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11363482U JPS5918448U (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918448U JPS5918448U (ja) | 1984-02-04 |
| JPS6325747Y2 true JPS6325747Y2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=30262971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11363482U Granted JPS5918448U (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918448U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258297A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kaitokui Denshi Kogyo Kofun Yugenkoshi | 太陽電池のパッケージ構造 |
| JP6196182B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2017-09-13 | 日本電信電話株式会社 | 半導体受光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5148185A (ja) * | 1974-10-24 | 1976-04-24 | Tokyo Shibaura Electric Co | Kairoshadanki |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP11363482U patent/JPS5918448U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5918448U (ja) | 1984-02-04 |
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