JPS6325782Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6325782Y2 JPS6325782Y2 JP1981152751U JP15275181U JPS6325782Y2 JP S6325782 Y2 JPS6325782 Y2 JP S6325782Y2 JP 1981152751 U JP1981152751 U JP 1981152751U JP 15275181 U JP15275181 U JP 15275181U JP S6325782 Y2 JPS6325782 Y2 JP S6325782Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- terminal
- transistor
- integrated circuit
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は受信装置に関し、特にAM受信装置に
於ける高周波増幅回路と周波数変換回路との間の
結合に関するものである。
於ける高周波増幅回路と周波数変換回路との間の
結合に関するものである。
一般に、集積化されたAM受信回路において
は、高周波増幅回路の出力端子と周波数変換回路
入力端子との２端子間を結合する手段としては、
高周波増幅回路出力端子に接続された同調コイ
ル、抵抗などの負荷に発生した信号をカツプリン
グコンデンサにより周波数変換回路に入力すると
いう方法が用いられている。
は、高周波増幅回路の出力端子と周波数変換回路
入力端子との２端子間を結合する手段としては、
高周波増幅回路出力端子に接続された同調コイ
ル、抵抗などの負荷に発生した信号をカツプリン
グコンデンサにより周波数変換回路に入力すると
いう方法が用いられている。
第１図は従来のAM受信回路である。一点破線
２４の内部は集積回路である。高周波増幅回路
は、RF入力端子１，RF出力端子２，差動対トラ
ンジスタ３および４，差動の定電流回路であるト
ランジスタ５および抵抗６並びにベースバイアス
抵抗７および８で構成される。周波数変換回路
は、MIX入力端子９，MIX出力端子１０，発振
基準電圧端子１１，発振出力端子１２，差動対ト
ランジスタ１３および１４，定電流回路であるト
ランジスタ１５および抵抗１６，ベース・バイア
ス抵抗１７ならびに局部発振回路１８により構成
される。バイアス回路は電源供給端子３５から抵
抗１９を通したダイオード列２０，２１，２２お
よび２３により構成される。またRF出力端子２
とMIX入力端子９との結合は、同調コイル２５
とカツプリング・コンデンサ２６により行なわ
れ、MIX出力端子１０は、中間周波トランス２
７に接続され、カツプリング・コンデンサ２８を
通して中間周波増幅回路へ導かれる。局部発振基
準電圧端子１１と局部発振出力端子１２間には発
振コイル２９が接続され、発振コンデンサ３０と
により局部発振周波数が決定される。局部発振回
路１８は第２図にその一例を示すように、複数の
トランジスタ、ダイオードおよび抵抗で構成され
る。その動作原理は、差動増幅器を構成するトラ
ンジスタ対の出力を入力に帰還し、その帰還経路
にコイル２１，コンデンサ３０を挿入して発振周
波数を決めている。尚、端子１１に基準電圧が得
られ、端子１２に発振出力が得られる。
２４の内部は集積回路である。高周波増幅回路
は、RF入力端子１，RF出力端子２，差動対トラ
ンジスタ３および４，差動の定電流回路であるト
ランジスタ５および抵抗６並びにベースバイアス
抵抗７および８で構成される。周波数変換回路
は、MIX入力端子９，MIX出力端子１０，発振
基準電圧端子１１，発振出力端子１２，差動対ト
ランジスタ１３および１４，定電流回路であるト
ランジスタ１５および抵抗１６，ベース・バイア
ス抵抗１７ならびに局部発振回路１８により構成
される。バイアス回路は電源供給端子３５から抵
抗１９を通したダイオード列２０，２１，２２お
よび２３により構成される。またRF出力端子２
とMIX入力端子９との結合は、同調コイル２５
とカツプリング・コンデンサ２６により行なわ
れ、MIX出力端子１０は、中間周波トランス２
７に接続され、カツプリング・コンデンサ２８を
通して中間周波増幅回路へ導かれる。局部発振基
準電圧端子１１と局部発振出力端子１２間には発
振コイル２９が接続され、発振コンデンサ３０と
により局部発振周波数が決定される。局部発振回
路１８は第２図にその一例を示すように、複数の
トランジスタ、ダイオードおよび抵抗で構成され
る。その動作原理は、差動増幅器を構成するトラ
ンジスタ対の出力を入力に帰還し、その帰還経路
にコイル２１，コンデンサ３０を挿入して発振周
波数を決めている。尚、端子１１に基準電圧が得
られ、端子１２に発振出力が得られる。
RF入力端子１に入力された信号は差動対トラ
ンジスタ３，４で増幅されてRF出力端子２にRF
出力信号が現われる。RF出力信号は同調コイル
２５とカツプリング・コンデンサ２６を通して
MIX入力端子９に入力される。MIX入力信号は、
差動対トランジスタ１３，１４，トランジスタ１
５及び局部発振回路１８により構成される周波数
変換回路により中間周波数に変換され、MIX出
力端子１０より出力される。この出力信号は、中
間周波トランス２７とカツプリング・コンデンサ
２８を通して中間周波増幅回路へと導かれる。高
周波増幅回路と周波数変換回路を結合するには、
このように従来はRF出力端子２とMIX入力端子
９との２端子が必要であり、また外付け部品は同
調コイルとカツプリング・コンデンサ１１が必要
であつた。同調コイルはＱを落とさないため二次
側の出力より取り出している。
ンジスタ３，４で増幅されてRF出力端子２にRF
出力信号が現われる。RF出力信号は同調コイル
２５とカツプリング・コンデンサ２６を通して
MIX入力端子９に入力される。MIX入力信号は、
差動対トランジスタ１３，１４，トランジスタ１
５及び局部発振回路１８により構成される周波数
変換回路により中間周波数に変換され、MIX出
力端子１０より出力される。この出力信号は、中
間周波トランス２７とカツプリング・コンデンサ
２８を通して中間周波増幅回路へと導かれる。高
周波増幅回路と周波数変換回路を結合するには、
このように従来はRF出力端子２とMIX入力端子
９との２端子が必要であり、また外付け部品は同
調コイルとカツプリング・コンデンサ１１が必要
であつた。同調コイルはＱを落とさないため二次
側の出力より取り出している。
集積回路における外部接続端子の増加は、半導
体チツプや容器をいたずらに大きくかつ複雑に
し、しかも製造コストの増加、集積効率の低下、
歩留りの低下等をきたす等大きな欠点がある。こ
の為、集積回路においては外部接続端子のより少
ない回路構成が望まれる。
体チツプや容器をいたずらに大きくかつ複雑に
し、しかも製造コストの増加、集積効率の低下、
歩留りの低下等をきたす等大きな欠点がある。こ
の為、集積回路においては外部接続端子のより少
ない回路構成が望まれる。
本考案の目的は、より少ない外部接続端子の集
積回路をもつた受信装置を提供せんとすることに
ある。
積回路をもつた受信装置を提供せんとすることに
ある。
本考案による受信装置は、高周波回路からの出
力信号が外部接続端子を介することなく集積回路
内で周波数変換回路へ入力されるもので、これに
より集積化したAM受信回路の付加価値を増すこ
とができる。
力信号が外部接続端子を介することなく集積回路
内で周波数変換回路へ入力されるもので、これに
より集積化したAM受信回路の付加価値を増すこ
とができる。
以下図面により本考案の実施例を詳述する。
第３図は本考案の具体的一実施例であり、一点
破線２４の内部は集積回路である。尚、第１図と
同一機能部は同一番号を符して、その説明は省略
する。
破線２４の内部は集積回路である。尚、第１図と
同一機能部は同一番号を符して、その説明は省略
する。
第３図から明らかなように、第２図との大きな
違いはMIX入力端子９がないことである。周波
数変換回路への信号供給は集積回路内で行なわれ
ている。すなわち、トランジスタ４のコレクタは
RF出力端子２へつながり、RF出力端子２には同
調のための同調コイル２５が接続される。そして
同調コイル２５には局部発振基準電圧端子１１の
定電圧でバイアスされる。さらにトランジスタ２
５のコレクタは、トランジスタ３１，ダイオード
３２，３６，３７および３８並びに抵抗３３を介
して接地される。そして抵抗３３での信号がトラ
ンジスタ１５のベース入力、つまり周波数変換回
路の入力となる。すなわち、高周波出力信号は、
エミツタホロワトランジスタ３１へ入力され、さ
らにダイオード３２，３６，３７，３８によるレ
ベルシフト回路によつてその直流レベルが下げら
れてトランジスタ１５のベース入力となる。かか
る構成により、外部接続端子を介する事もなく集
積回路内での信号伝達が可能となる。
違いはMIX入力端子９がないことである。周波
数変換回路への信号供給は集積回路内で行なわれ
ている。すなわち、トランジスタ４のコレクタは
RF出力端子２へつながり、RF出力端子２には同
調のための同調コイル２５が接続される。そして
同調コイル２５には局部発振基準電圧端子１１の
定電圧でバイアスされる。さらにトランジスタ２
５のコレクタは、トランジスタ３１，ダイオード
３２，３６，３７および３８並びに抵抗３３を介
して接地される。そして抵抗３３での信号がトラ
ンジスタ１５のベース入力、つまり周波数変換回
路の入力となる。すなわち、高周波出力信号は、
エミツタホロワトランジスタ３１へ入力され、さ
らにダイオード３２，３６，３７，３８によるレ
ベルシフト回路によつてその直流レベルが下げら
れてトランジスタ１５のベース入力となる。かか
る構成により、外部接続端子を介する事もなく集
積回路内での信号伝達が可能となる。
ここで注意しなければならない事は、単に高周
波出力信号を周波数変換回路へ直流結合のみでは
入力できないという事である。すなわち、高周波
出力信号を同調コイルを介さずに（つまり外部接
続端子を介せずに）周波数変換回路へ入力する
と、同調コイルと並列に周波数変換回路のインピ
ーダンスが接続されたことになり、このために単
なる直流結合のみでは同調コイルのＱが低下する
ことになる。従つて、本考案はトランジスタ４の
コレクタから得られる高周波信号をトランジスタ
３１へ、それもエミツタホロワトランジスタ３１
へ入力し、周波数変換回路側の入力インピーダン
スを高めて同調コイル２５のＱ低下を防止してい
る。また、同調コイル２５を介さずに信号伝達を
行なうと同調コイル２５は定電圧でバイアスする
ことになる。このとき、この定電圧が例えばVCC
電源ラインのごとく高いと、エミツタホロワトラ
ンジスタ３１のバイアスが高くなりすぎてトラン
ジスタ動作を行なわない。そこで、第３図のごと
く、周波数変換回路内のトランジスタ１４のベー
スバイアスが端子１１の定電圧を基準電圧とする
第２図で示した局部発振回路から与えられている
ので同調コイル２５のバイアスを端子１１の定電
圧で行なつてトランジスタ３１の飽和を防止して
いる。尚、端子１１の定電圧と同等電圧を外部で
つくつてもよいが構成素子の増加はまぬがれな
い。さらにまた、トランジスタ１５のベースへ加
わる高周波出力信号の直流レベルと周波数変換回
路の直流レベルとを合わせる必要があるので、ダ
イオード３２，３６〜３８によるレベルシフト回
路を挿入している。このとき、トランジスタ１４
のベースには、端子１１の定電圧から第２図に示
すごとく3VF（VFはダイオードの順方向電圧）を
引いた電圧であり、そしてトランジスタ１５には
さらにVBE14（トランジスタ１４のベース・エミツ
タ間電圧）を引いた電圧が供給されている。この
ために、トランジスタ３１のベース・エミツタ間
電圧も考慮してレベルシフト回路のダイオードの
数を４個としたものである。このようにして集積
回路内で高周波増幅回路の出力を直接レベルシフ
トして同波数変換回路の入力に入れることがで
き、この結果、外部接続端子すなわちMIX入力
端子９を削減することができる。周波数変換回路
に入力された信号はMIX出力端子１０から中間
周波信号として出力される。
波出力信号を周波数変換回路へ直流結合のみでは
入力できないという事である。すなわち、高周波
出力信号を同調コイルを介さずに（つまり外部接
続端子を介せずに）周波数変換回路へ入力する
と、同調コイルと並列に周波数変換回路のインピ
ーダンスが接続されたことになり、このために単
なる直流結合のみでは同調コイルのＱが低下する
ことになる。従つて、本考案はトランジスタ４の
コレクタから得られる高周波信号をトランジスタ
３１へ、それもエミツタホロワトランジスタ３１
へ入力し、周波数変換回路側の入力インピーダン
スを高めて同調コイル２５のＱ低下を防止してい
る。また、同調コイル２５を介さずに信号伝達を
行なうと同調コイル２５は定電圧でバイアスする
ことになる。このとき、この定電圧が例えばVCC
電源ラインのごとく高いと、エミツタホロワトラ
ンジスタ３１のバイアスが高くなりすぎてトラン
ジスタ動作を行なわない。そこで、第３図のごと
く、周波数変換回路内のトランジスタ１４のベー
スバイアスが端子１１の定電圧を基準電圧とする
第２図で示した局部発振回路から与えられている
ので同調コイル２５のバイアスを端子１１の定電
圧で行なつてトランジスタ３１の飽和を防止して
いる。尚、端子１１の定電圧と同等電圧を外部で
つくつてもよいが構成素子の増加はまぬがれな
い。さらにまた、トランジスタ１５のベースへ加
わる高周波出力信号の直流レベルと周波数変換回
路の直流レベルとを合わせる必要があるので、ダ
イオード３２，３６〜３８によるレベルシフト回
路を挿入している。このとき、トランジスタ１４
のベースには、端子１１の定電圧から第２図に示
すごとく3VF（VFはダイオードの順方向電圧）を
引いた電圧であり、そしてトランジスタ１５には
さらにVBE14（トランジスタ１４のベース・エミツ
タ間電圧）を引いた電圧が供給されている。この
ために、トランジスタ３１のベース・エミツタ間
電圧も考慮してレベルシフト回路のダイオードの
数を４個としたものである。このようにして集積
回路内で高周波増幅回路の出力を直接レベルシフ
トして同波数変換回路の入力に入れることがで
き、この結果、外部接続端子すなわちMIX入力
端子９を削減することができる。周波数変換回路
に入力された信号はMIX出力端子１０から中間
周波信号として出力される。
このように本考案を利用すれば、集積回路化し
たAM受信回路において周波数変換回路の入力イ
ンピーダンスが高いのでＱを下げることなく
MIX入力端子を削減することができ、また高周
波増幅回路と周波数変換回路との結合に用いてい
た外付け素子であるカツプリング・コンデンサを
無くすことができ集積回路化する付加価値を満す
ことができる。
たAM受信回路において周波数変換回路の入力イ
ンピーダンスが高いのでＱを下げることなく
MIX入力端子を削減することができ、また高周
波増幅回路と周波数変換回路との結合に用いてい
た外付け素子であるカツプリング・コンデンサを
無くすことができ集積回路化する付加価値を満す
ことができる。
第１図は従来のAM受信装置の特に高周波数増
幅回路と周波数変換回路を示す回路図、第２図は
第１図で示した局部発振回路の一例を示す回路
図、第３図は本考案の一実施例によるAM受信装
置の特に高周波数増幅回路と周波数変換回路の回
路図である。１……RF入力端子、２……RF出力
端子、３，４……差動対トランジスタ、５，１５
……トランジスタ、６，１６，１９……抵抗、
７，８，１７……ベースバイアス抵抗、９……
MIX入力端子、１０……MIX出力端子、１１…
…局部発振基準電圧端子、１２……局部発振出力
端子、１３，１４……差動対トランジスタ，１８
……局部発振回路、２０，２１，２２，２３……
ダイオード、２４……集積回路、２５……同調コ
イル、２６……カツプリングコンデンサ、２７…
…中間周波トランス、２８……カツプリングコン
デンサ、２９……発振コイル、３０……発振コン
デンサ、３４……接地端子、３５……電源供給端
子、３１……トランジスタ、３２……ダイオー
ド、３３……抵抗。
幅回路と周波数変換回路を示す回路図、第２図は
第１図で示した局部発振回路の一例を示す回路
図、第３図は本考案の一実施例によるAM受信装
置の特に高周波数増幅回路と周波数変換回路の回
路図である。１……RF入力端子、２……RF出力
端子、３，４……差動対トランジスタ、５，１５
……トランジスタ、６，１６，１９……抵抗、
７，８，１７……ベースバイアス抵抗、９……
MIX入力端子、１０……MIX出力端子、１１…
…局部発振基準電圧端子、１２……局部発振出力
端子、１３，１４……差動対トランジスタ，１８
……局部発振回路、２０，２１，２２，２３……
ダイオード、２４……集積回路、２５……同調コ
イル、２６……カツプリングコンデンサ、２７…
…中間周波トランス、２８……カツプリングコン
デンサ、２９……発振コイル、３０……発振コン
デンサ、３４……接地端子、３５……電源供給端
子、３１……トランジスタ、３２……ダイオー
ド、３３……抵抗。
Claims (1)
- 集積回路化された高周波増幅回路と周波数変換
回路とを有する集積回路装置において、上記集積
回路装置は上記高周波増幅回路からの増幅された
高周波信号が現われかつ集積回路外の素子で構成
される同調回路が接続される端子を備え、上記増
幅された高周波信号は上記端子にベースが直流結
合され集積回路化されたエミツタホロワトランジ
スタによつて上記周波数変換回路へ集積回路内で
伝達されることを特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15275181U JPS5857142U (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15275181U JPS5857142U (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857142U JPS5857142U (ja) | 1983-04-18 |
| JPS6325782Y2 true JPS6325782Y2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=29945391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15275181U Granted JPS5857142U (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857142U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3865460A (en) * | 1973-04-30 | 1975-02-11 | Minnesota Mining & Mfg | Component connector |
| JPS54916A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | Frequency conversion circuit |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP15275181U patent/JPS5857142U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5857142U (ja) | 1983-04-18 |
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