JPS63258434A - イソブテニルシクロヘキセンからイソブチルベンゼンを製造する方法 - Google Patents
イソブテニルシクロヘキセンからイソブチルベンゼンを製造する方法Info
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- JPS63258434A JPS63258434A JP63053870A JP5387088A JPS63258434A JP S63258434 A JPS63258434 A JP S63258434A JP 63053870 A JP63053870 A JP 63053870A JP 5387088 A JP5387088 A JP 5387088A JP S63258434 A JPS63258434 A JP S63258434A
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- isobutenylcyclohexene
- isobutylbenzene
- catalyst
- ibch
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/42—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor
- C07C5/48—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor with oxygen as an acceptor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
昇温下でＩ Ｂ Ｃｌ−１を分子状酸素含有ガスの存在
下に、例えば、アルミナートに支持されたパ′ラジウム
のような元素金属および／またはその化合物の形態の支
持された遷移金属からなる触媒と接触させることにより
イソブテニルシフ［］ヘヘキセンＴＢＣＨ）からイソブ
チルベンゼン（ＩＢＢ）を製造覆る。
下に、例えば、アルミナートに支持されたパ′ラジウム
のような元素金属および／またはその化合物の形態の支
持された遷移金属からなる触媒と接触させることにより
イソブテニルシフ［］ヘヘキセンＴＢＣＨ）からイソブ
チルベンゼン（ＩＢＢ）を製造覆る。
本発明は、イソブテニルシクロへ＋セン（ＩＢＣｌｌ）
からイソブチルベンゼン（ＩＢＢ）を製造する方法に関
する。
からイソブチルベンゼン（ＩＢＢ）を製造する方法に関
する。
イソブチルベンゼン白休は、例えば鎮痛剤を調製づる中
間体として使用される価植の高い特殊化学品である。従
来、イソブチルベンゼンは、アルカリ金属触媒を用いプ
ロピレンで１〜ルエンの側鎖をアルキル化することにＪ
：す］二三面に製ＩＨされている。アルカリ金属触媒は
、例えばＵ Ｓ ３，４４９．４５５号に開示されてい
るように、液体ノＪリウム、液体カリウム、２／すｌヘ
リウム共融混合物または珪藻土トに支持されたアルカリ
金属とし得る。アルカリ金属触媒は（■高価であり、（
ロ）可燃性で取扱いが難しく、さらに（Ｃ）ガムを形成
覆るため存在期間が短いため前記したプロレスは商業的
に運転するに際し多くの欠点を有している。さらに、副
産物として実質的な品のｎ−ブチルベンゼンが形成され
、これをイソブチルベンゼンから続いて分離しな（Ｊれ
ばならない。
間体として使用される価植の高い特殊化学品である。従
来、イソブチルベンゼンは、アルカリ金属触媒を用いプ
ロピレンで１〜ルエンの側鎖をアルキル化することにＪ
：す］二三面に製ＩＨされている。アルカリ金属触媒は
、例えばＵ Ｓ ３，４４９．４５５号に開示されてい
るように、液体ノＪリウム、液体カリウム、２／すｌヘ
リウム共融混合物または珪藻土トに支持されたアルカリ
金属とし得る。アルカリ金属触媒は（■高価であり、（
ロ）可燃性で取扱いが難しく、さらに（Ｃ）ガムを形成
覆るため存在期間が短いため前記したプロレスは商業的
に運転するに際し多くの欠点を有している。さらに、副
産物として実質的な品のｎ−ブチルベンゼンが形成され
、これをイソブチルベンゼンから続いて分離しな（Ｊれ
ばならない。
本出願人によるヨーロッパ特許出願公告第０１９６１６
５号で、アルキル化経路にイ」随する問題を回避すると
共にイソブチルベンゼンを選択的に製造し得る２段階プ
ロセスを説明した。
５号で、アルキル化経路にイ」随する問題を回避すると
共にイソブチルベンゼンを選択的に製造し得る２段階プ
ロセスを説明した。
そこで開示したプロレスは、ビニルシフ［１ヘキサンと
イソオレフィンとからイソブチルベンげンを製造するプ
１］Ｌ７スであって：（１）第１段階で、ビニルシフ［
」へ＋センとイソオレフィンとを不均化条件下で不均化
触媒に接触させてイソブテニルシクロへ４−しンと伯の
オレフィンとを製造し、 〈２）第２段階で、第１段階で製造したイソブテニルシ
クロヘキセンを昇温下で脱水素異性化触媒に接触ざゼて
イソブチルベンげンを製造する、 ことからなる。
イソオレフィンとからイソブチルベンげンを製造するプ
１］Ｌ７スであって：（１）第１段階で、ビニルシフ［
」へ＋センとイソオレフィンとを不均化条件下で不均化
触媒に接触させてイソブテニルシクロへ４−しンと伯の
オレフィンとを製造し、 〈２）第２段階で、第１段階で製造したイソブテニルシ
クロヘキセンを昇温下で脱水素異性化触媒に接触ざゼて
イソブチルベンげンを製造する、 ことからなる。
脱水素異性化とは、異性化と脱水素／芳香族化との組合
せを意図づる。
せを意図づる。
このプロセスの第２段階で、ＩＢＣＨはＩＢＢへど脱水
素異性化されるが、この反応によりＩＢＢに加えて、イ
ソブチルベンゼンのものに充分近接した沸点を有し蒸留
による分離が困難な副産物゛が生成する。イソブチルベ
ンげン自体の特定の場合において、潜在的に次の副産物
が形成され冑る： 分子部 生成物 １３２ イソブテニルベンぜン １３２ ｎ−ブテニルベンげン １３４ ｎ−−ブチルベンゼン １３８ イソブブルシクロヘキレン異性体１３８
イソブテニルシクロへ４：Ｉナン異性体１３８ ｎ−
ブチルシクロヘキセン異性体１３８ ｎ−−ブデニ
ルシクロヘキリーン異性体１３８ メヂルブチルシク
ロベンブン安性体１４０ イソブチルシクロヘキサ
ン１ ／１． Ｏメヂルブチルシクロペンタン一般にプ
ロセスの全体的経済性のために、特に薬剤製造に使用す
るために、イソブチルベンゼンへの選択性と変換とが最
高であれば極めて望ましい。例えば、薬剤イブプロフェ
ンの合成供給原料として使用するイソブチルベンゼンは
、典型的には、９９．５％を越える純度で特定される。
素異性化されるが、この反応によりＩＢＢに加えて、イ
ソブチルベンゼンのものに充分近接した沸点を有し蒸留
による分離が困難な副産物゛が生成する。イソブチルベ
ンげン自体の特定の場合において、潜在的に次の副産物
が形成され冑る： 分子部 生成物 １３２ イソブテニルベンぜン １３２ ｎ−ブテニルベンげン １３４ ｎ−−ブチルベンゼン １３８ イソブブルシクロヘキレン異性体１３８
イソブテニルシクロへ４：Ｉナン異性体１３８ ｎ−
ブチルシクロヘキセン異性体１３８ ｎ−−ブデニ
ルシクロヘキリーン異性体１３８ メヂルブチルシク
ロベンブン安性体１４０ イソブチルシクロヘキサ
ン１ ／１． Ｏメヂルブチルシクロペンタン一般にプ
ロセスの全体的経済性のために、特に薬剤製造に使用す
るために、イソブチルベンゼンへの選択性と変換とが最
高であれば極めて望ましい。例えば、薬剤イブプロフェ
ンの合成供給原料として使用するイソブチルベンゼンは
、典型的には、９９．５％を越える純度で特定される。
（発明が解決しようとＪる課題〕
したがって、前記特定した潜在的な不純物のいずれかま
たは全てが生成づるのを最小にすることは重要な目的で
ある。イソブチルベンゼンへの選択性が低（）れば、分
離コストの上昇を避けられない。
たは全てが生成づるのを最小にすることは重要な目的で
ある。イソブチルベンゼンへの選択性が低（）れば、分
離コストの上昇を避けられない。
脱水素異性化反応を分子状酸素の存在下で行えば、この
目的を少なくとも部分的には達成し得ることをこの疫突
き止めた。
目的を少なくとも部分的には達成し得ることをこの疫突
き止めた。
よって本発明によれば、イソブテニルシクロヘキセン（
ＴＢＣＨ）からイソブチルベンゼン（ＩＢＢ）を製造す
るに際し、昇温下でＴＢＣＨを分子状酸素含有ガスの存
在下に元素金属および／またはその化合物の形態の支持
された遷移金属からなる触媒と接触させることからなる
イソブテニルシクロヘキセンからイソブチルベンゼンを
製造する方法が提供される。
ＴＢＣＨ）からイソブチルベンゼン（ＩＢＢ）を製造す
るに際し、昇温下でＴＢＣＨを分子状酸素含有ガスの存
在下に元素金属および／またはその化合物の形態の支持
された遷移金属からなる触媒と接触させることからなる
イソブテニルシクロヘキセンからイソブチルベンゼンを
製造する方法が提供される。
Ｔ Ｂ Ｃｌ−１のシクロ・ヘキセン環を、例えばアル
キルまたはアリール基で置換してもよいが、この場合こ
れらを使用した結果得られるＩＢＢは対応して置換され
ていることとなろう。無置換ＩＢＣＨを使用するのが好
適である。ＴＢＣＨは如何なる起源から入手してもよい
が、本出願人による係属中のヨーロッパ特許出願公告第
０１９６１６５号の第１段階を形成する不均化反応によ
り得るのが好適である。
キルまたはアリール基で置換してもよいが、この場合こ
れらを使用した結果得られるＩＢＢは対応して置換され
ていることとなろう。無置換ＩＢＣＨを使用するのが好
適である。ＴＢＣＨは如何なる起源から入手してもよい
が、本出願人による係属中のヨーロッパ特許出願公告第
０１９６１６５号の第１段階を形成する不均化反応によ
り得るのが好適である。
分子状酸素含有ガスは酸素自体としてもよく、１つもし
くは複数の不活性ガスで希釈した酸素としてもよい。好
適なガスは窒素で希釈した酸素である。所望に応じて空
気を使用することもできる。Ｉ Ｂ Ｃｌ−（に対する
酸素の分子比は重要なパラメータであるが、これはある
程度操作温度および圧力に相関する。
くは複数の不活性ガスで希釈した酸素としてもよい。好
適なガスは窒素で希釈した酸素である。所望に応じて空
気を使用することもできる。Ｉ Ｂ Ｃｌ−（に対する
酸素の分子比は重要なパラメータであるが、これはある
程度操作温度および圧力に相関する。
Ｉ ＢＣＨに対する酸素の比率が高いと、我々の経験で
は、イソブテニルベンゼンが顕著な副産物となるのに対
し、ＩＢＣＨに対する酸素の比率が低いと、イソブチル
シクロヘキサンが顕著な副産物となる。したがって、中
間的な酸素：ＴＢＣＨの比率で操作するのが望ましい。
は、イソブテニルベンゼンが顕著な副産物となるのに対
し、ＩＢＣＨに対する酸素の比率が低いと、イソブチル
シクロヘキサンが顕著な副産物となる。したがって、中
間的な酸素：ＴＢＣＨの比率で操作するのが望ましい。
勿論、常に、酸素：ＴＢＣＨの爆発限界を外して操作す
ることが望ましい。存在する酸素のある程度もしくは全
部を（水素との反応により）消費して水と少岳の一酸化
炭素および二酸化炭素とを生成させることが考えられる
。
ることが望ましい。存在する酸素のある程度もしくは全
部を（水素との反応により）消費して水と少岳の一酸化
炭素および二酸化炭素とを生成させることが考えられる
。
＝ ８−
反応を液相で操作してもよいが、気相で操作するのが遥
かに好適である。反応は極めて発熱性の性質であるため
、反応による発熱を最小化または回避するような設計の
気相リアクタを用いるのが好ましい。この種の発熱はｒ
ＢＢへの選択性を減損するよう作用するためである。
かに好適である。反応は極めて発熱性の性質であるため
、反応による発熱を最小化または回避するような設計の
気相リアクタを用いるのが好ましい。この種の発熱はｒ
ＢＢへの選択性を減損するよう作用するためである。
触媒について、本明ｌ＠書の目的のための用語「遷移金
属」どは、１より多い原子価の形態で存在可能でその少
なくとも１つの酸化状態で不完全な殻を右する金属であ
る。遷移金属には、１ナルゲント・ウエルチ・サイアン
ティフィック社、スコーキ、イリノイ、ＵＳＡにより出
版された元素の周期表のＩＢ、ＩＩＢ。
属」どは、１より多い原子価の形態で存在可能でその少
なくとも１つの酸化状態で不完全な殻を右する金属であ
る。遷移金属には、１ナルゲント・ウエルチ・サイアン
ティフィック社、スコーキ、イリノイ、ＵＳＡにより出
版された元素の周期表のＩＢ、ＩＩＢ。
ＩＩ［Ａ、ＩＶＡ、ＶＩＢ、■Ｂ並びに■族の金属が包
含される。適切な遷移金属の例には、コバルト、ニッケ
ル、ルデニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、
プラチナ並びにこれら２つ以上の混合物が包含される。
含される。適切な遷移金属の例には、コバルト、ニッケ
ル、ルデニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、
プラチナ並びにこれら２つ以上の混合物が包含される。
好適な金属はパラジウムである。
支持体は適切には、例えばシリカ、アルミナ、シリカ−
アルミナ、マグネシア、チタニア、セリア、または類似
物のような反射性／（ｒｅｒｒａｃｔｏｒｙ）酸化物と
する。炭素を支持体として使用してもよいが、金属酸化
物が好適である。好適な支持体はアルミナである。
アルミナ、マグネシア、チタニア、セリア、または類似
物のような反射性／（ｒｅｒｒａｃｔｏｒｙ）酸化物と
する。炭素を支持体として使用してもよいが、金属酸化
物が好適である。好適な支持体はアルミナである。
本発明のプロセスに使用する触媒は、含浸、共沈澱また
はイオン交換のＪｚうな支持された触媒の調製に従来用
いられたいずれの技術によっても調製し得る。適切には
、例えば過剰溶液技術または初発湿潤技術のような含浸
技術により触媒を調製する。可溶性遷移金属化合物の溶
液を用いて支持体を含浸することができる。
はイオン交換のＪｚうな支持された触媒の調製に従来用
いられたいずれの技術によっても調製し得る。適切には
、例えば過剰溶液技術または初発湿潤技術のような含浸
技術により触媒を調製する。可溶性遷移金属化合物の溶
液を用いて支持体を含浸することができる。
触媒は、支持体の重量を基準として、適切には０．０１
〜２０％、好適には０．１〜１０％ Ｗ／Ｗの遷移金属
からなる。
〜２０％、好適には０．１〜１０％ Ｗ／Ｗの遷移金属
からなる。
好適な触媒はアルミナ上に支持されたパラジウムである
。
。
プロセスは広範囲の温度および圧力条件で操作でること
ができる。プロセス操作の好適な扛式りなわら気相て゛
は、周囲圧力とＩＢＣＨの沸点を越える温度を適切には
用いることができる。Ｉ Ｂ Ｃ）−＋をイソブテニル
シフ［］ヘキセンどする際は、一般に、１８０℃を越え
る温度を用いればよく、２００〜３５０℃の範囲の温度
が好適である。一般に、比較的低い温度では副産物イソ
ブチルシクロヘキサンの生成が起こり易く、これに対し
比較的高い温度ではイソブチルシクロヘキセンとイソブ
テニルベンげンとの生成が優勢となる。結果的に、２０
０〜３５０ ’Ｃの範囲の中間的な温度を使用す・れば
副産物形成を最小化することに関しては好適である。圧
力は適切には大気圧とじ（ｑるが、減圧および増圧のど
ちらをも用い得る。
ができる。プロセス操作の好適な扛式りなわら気相て゛
は、周囲圧力とＩＢＣＨの沸点を越える温度を適切には
用いることができる。Ｉ Ｂ Ｃ）−＋をイソブテニル
シフ［］ヘキセンどする際は、一般に、１８０℃を越え
る温度を用いればよく、２００〜３５０℃の範囲の温度
が好適である。一般に、比較的低い温度では副産物イソ
ブチルシクロヘキサンの生成が起こり易く、これに対し
比較的高い温度ではイソブチルシクロヘキセンとイソブ
テニルベンげンとの生成が優勢となる。結果的に、２０
０〜３５０ ’Ｃの範囲の中間的な温度を使用す・れば
副産物形成を最小化することに関しては好適である。圧
力は適切には大気圧とじ（ｑるが、減圧および増圧のど
ちらをも用い得る。
プロセスはパップ式または連続的に操作し得る。ガス状
ｒ Ｂ ＣＨと窒素で希釈した酸素とを支持された触媒
に連続的に同時供給することにより好適に操作され、こ
の触媒は例えば、固定床、流動床または移動床の形態と
し得る。時間当りの触媒容積当りの液相反応体く蒸気化
前）の容積としで定義される液体部間空間速度（ＬＨ３
Ｖ）も広範囲に浪り変動し得る。
ｒ Ｂ ＣＨと窒素で希釈した酸素とを支持された触媒
に連続的に同時供給することにより好適に操作され、こ
の触媒は例えば、固定床、流動床または移動床の形態と
し得る。時間当りの触媒容積当りの液相反応体く蒸気化
前）の容積としで定義される液体部間空間速度（ＬＨ３
Ｖ）も広範囲に浪り変動し得る。
典型的には、約０．１〜１５０のＬ ＨＳ Ｖが適切で
ある。特に適切なり、 ＨＳ Ｖは約１０である。
ある。特に適切なり、 ＨＳ Ｖは約１０である。
以下の実施例を参照して本発明のプロセスをざらに詳細
に説明する。
に説明する。
硝酸パラジウム（ｎ）三水和物
（０，２７０ｙ）を水（２１，０ｍｅ）に溶解し、撹拌
しながらガンマ−アルミナ（５，ＯＪ、空気中５８０℃
でのカタパルＳＢベーム石アルミナの焼成より）に添加
した。触ｔＲ温度を約５５℃に保ちながら減圧下で水を
徐々に除去した後１００℃で１２時間触媒をざらに乾燥
した。
しながらガンマ−アルミナ（５，ＯＪ、空気中５８０℃
でのカタパルＳＢベーム石アルミナの焼成より）に添加
した。触ｔＲ温度を約５５℃に保ちながら減圧下で水を
徐々に除去した後１００℃で１２時間触媒をざらに乾燥
した。
比較試験１−イソブテニルシクロヘキセンの市販の５％
パラジウム／アルミナ（０，１び）とイソブテニルシク
ロヘキセン（５，Ｏｄ）とを窒素下でガラスフラスコ中
に置き環流下に撹拌しながら煮沸した。１時間後の混合
物の分析（ガスクロマトグラフによる）は、これが６６
．２％ Ｗ／Ｗのイソブチルベンゼンと３０．７％ Ｗ
／Ｗのイソブチルシクロへキリンを含有づることを示し
た。酸素を使用していないためこれは本発明による実施
例では（１い。これは比較の目的のためにのみ含める、
１ ′ イソブテニルシクロヘキセン蒸気に １ｌ−１８Ｖ１および反応温度３５０℃でガラスリアク
タに充填した２％パラジウム／アルミプ（１，０ｇ）触
媒を通過させた。スタート＝ １３ − アップに続く１．３時間の間に集めた凝縮液体産物のガ
スクロマトグラフによる分析は、これが９３．５％のイ
ンブチルベンゼンと０．１％のイソブチルシクロヘキサ
ンとを含有することを示した。
パラジウム／アルミナ（０，１び）とイソブテニルシク
ロヘキセン（５，Ｏｄ）とを窒素下でガラスフラスコ中
に置き環流下に撹拌しながら煮沸した。１時間後の混合
物の分析（ガスクロマトグラフによる）は、これが６６
．２％ Ｗ／Ｗのイソブチルベンゼンと３０．７％ Ｗ
／Ｗのイソブチルシクロへキリンを含有づることを示し
た。酸素を使用していないためこれは本発明による実施
例では（１い。これは比較の目的のためにのみ含める、
１ ′ イソブテニルシクロヘキセン蒸気に １ｌ−１８Ｖ１および反応温度３５０℃でガラスリアク
タに充填した２％パラジウム／アルミプ（１，０ｇ）触
媒を通過させた。スタート＝ １３ − アップに続く１．３時間の間に集めた凝縮液体産物のガ
スクロマトグラフによる分析は、これが９３．５％のイ
ンブチルベンゼンと０．１％のイソブチルシクロヘキサ
ンとを含有することを示した。
酸素が存在しないためこれは本発明による実施例ではな
い。これは、液相操作に対し比較試験１と比較して気相
操作が好適であることを示す目的のためにのみ含める。
い。これは、液相操作に対し比較試験１と比較して気相
操作が好適であることを示す目的のためにのみ含める。
実施例１
アルミナ（１，０ｇ、前記したように調製）上の硝酸パ
ラジウム（［）をガラス悟りアクタに充填し０．２５時
間窒素（５，０リン１〜ル／時間）でパージした。その
後温度を１２℃／分で３００℃に上げた。その後窒素の
流れを止め、その後蒸気の形態のイソブテニルシクロヘ
キセンと同時供給窒素中の１０％酸素（平均流速−０，
４８リットル／時間）とにＬＨ８Ｖ１で触媒上を通過さ
せた。反応産物を凝縮させて液体サンプルを得、ガスク
ロマドグラフにＪ：り分析した。第１表に得られた結果
を示す。
ラジウム（［）をガラス悟りアクタに充填し０．２５時
間窒素（５，０リン１〜ル／時間）でパージした。その
後温度を１２℃／分で３００℃に上げた。その後窒素の
流れを止め、その後蒸気の形態のイソブテニルシクロヘ
キセンと同時供給窒素中の１０％酸素（平均流速−０，
４８リットル／時間）とにＬＨ８Ｖ１で触媒上を通過さ
せた。反応産物を凝縮させて液体サンプルを得、ガスク
ロマドグラフにＪ：り分析した。第１表に得られた結果
を示す。
比較試験３
窒素同時供給（平均流速−〇、５５リットル／時間）を
一旦触媒を３００℃にしてから行う以外は実験手順は実
施例１と同様である。
一旦触媒を３００℃にしてから行う以外は実験手順は実
施例１と同様である。
第２表に得られた結果を示す。
酸素を用いていないためこれは本発明による実施例では
ない。これは比較の目的のためにのみ含める。
ない。これは比較の目的のためにのみ含める。
実施例１を比較試験３と比較すると、酸素同時供給を用
いる際はイソブチルシクロヘキサンの生成は流れ上の時
間と共には増加しないことが示される。
いる際はイソブチルシクロヘキサンの生成は流れ上の時
間と共には増加しないことが示される。
実施例２−反応温度の効果
アルミナ（１，０ｇ、前記したように調製）上の硝酸パ
ラジウム（ＩＩ）をガラス管リアクタに充填し０．２５
時間窒素（５，Ｏリットル／時間）でパージした。その
後温度を１２℃／分で２２５℃に上げた。その後蒸気の
形態のイソブテニルシクロヘキセンと窒素中の１０％酸
素とにＬＨ８ＶＩ ′ｃ触媒上を通過させた。反応産物
を凝縮させて液体サンプルを得、ガスクロマトグラフに
より分析した。実験の過程に渡り反応温度を２５℃の間
隔で上昇させた。得られた結果を第３表に示す。
ラジウム（ＩＩ）をガラス管リアクタに充填し０．２５
時間窒素（５，Ｏリットル／時間）でパージした。その
後温度を１２℃／分で２２５℃に上げた。その後蒸気の
形態のイソブテニルシクロヘキセンと窒素中の１０％酸
素とにＬＨ８ＶＩ ′ｃ触媒上を通過させた。反応産物
を凝縮させて液体サンプルを得、ガスクロマトグラフに
より分析した。実験の過程に渡り反応温度を２５℃の間
隔で上昇させた。得られた結果を第３表に示す。
これらの実験は、イソブチルベンゼン、イソブチルシク
ロヘキサン、イソブチルシクロヘキサン並びにイソブテ
ニルベンゼンへの選択性に対づる反応温度の効果をボす
。
ロヘキサン、イソブチルシクロヘキサン並びにイソブテ
ニルベンゼンへの選択性に対づる反応温度の効果をボす
。
実施例３−ＬＨ８Ｖ＝１０での酸化的脱水素異性化
ＬＨ８Ｖ１０を与えるよう０．１ｇの触媒を用い窒素中
の１０％酸素同時供給を使用する以外は実験手順は比較
試験３と同様である。
の１０％酸素同時供給を使用する以外は実験手順は比較
試験３と同様である。
第４表に得られた結果を示す。
比較試験４−ＬＨ８Ｖ−１０での脱水素異性化
硝酸パラジウム／アルミナ（０，１ｇ、２％Ｐｄ）をガ
ラス管リアクタに充填し ０．９５時間窒素（５，０リットル／時間）でパージし
た。その後これを０．２５時間水素（５，０リットル／
時間）で処理し、１２℃／分で３５０℃に加熱した。そ
の後水素の供給を止め、蒸気形態のイソブテニルシクロ
ヘキセンにＬ ＨＳ Ｖ約１０で触媒上を通過させた。
ラス管リアクタに充填し ０．９５時間窒素（５，０リットル／時間）でパージし
た。その後これを０．２５時間水素（５，０リットル／
時間）で処理し、１２℃／分で３５０℃に加熱した。そ
の後水素の供給を止め、蒸気形態のイソブテニルシクロ
ヘキセンにＬ ＨＳ Ｖ約１０で触媒上を通過させた。
反応産物を凝縮して液体サンプルを得、ガスクロマトグ
ラフにより分析した。得られた結果を第５表に示す。
ラフにより分析した。得られた結果を第５表に示す。
酸素が存在しないためこれは本発明による実施例ではな
い。これは比較の目的のためにのみ含める。第４表に記
載した結果を第５表のものと比較すると・、同時に供給
する酸素が変換および選択性に対し有益な効果を与える
ことが容易に理解される。
い。これは比較の目的のためにのみ含める。第４表に記
載した結果を第５表のものと比較すると・、同時に供給
する酸素が変換および選択性に対し有益な効果を与える
ことが容易に理解される。
第１表
この実験は、酸素／窒素同時供給を用いるに際し、イソ
ブチルシクロヘキサン生成は流れ上の時間と共には増加
しないことを示す。
ブチルシクロヘキサン生成は流れ上の時間と共には増加
しないことを示す。
第２表
往時間の研究
この実験は、窒素同時供給を用いるに際し、イソブチル
シフ［１ヘキザン生成は流れ上の時間と共に増加覆るこ
とを示す。
シフ［１ヘキザン生成は流れ上の時間と共に増加覆るこ
とを示す。
１１基
これらの実験は、イソブチルベンゼン、イソブチルシク
ロヘキサン、イソブチルシフ［１ヘキセン並びにイソブ
テニルベンげンへの選択性に対する反応温度の効果を示
す。
ロヘキサン、イソブチルシフ［１ヘキセン並びにイソブ
テニルベンげンへの選択性に対する反応温度の効果を示
す。
＝ ２２ −
第４表
この実験は、酸素／窒素同詩供給を用いて得られた変換
および選択性の有益性を示す。
および選択性の有益性を示す。
−２／Ｉ −
−２５＝
手続補正書（方式）
昭和６３年 ４月 ５日
Claims (11)
- （１）イソブテニルシクロヘキセン（ＩＢＣＨ）からイ
ソブチルベンゼン（ＩＢＢ）を製造するに際し、昇温下
でＩＢＣＨを分子状酸素含有ガスの存在下に元素金属お
よび／またはその化合物の形態の支持された遷移金属か
らなる触媒と接触させることからなるイソブテニルシク
ロヘキセンからイソブチルベンゼンを製造する方法。 - （２）ＩＢＣＨをイソブテニルシクロヘキセンとする請
求項１記載の方法。 - （３）分子状酸素含有ガスを酸素または１つもしくは複
数の不活性ガスで希釈した酸素とする請求項１または２
記載の方法。 - （４）分子状酸素含有ガスを窒素で希釈した酸素とする
請求項１〜３いずれかに記載の方法。 - （５）プロセスを蒸気相で操作する請求項１〜４いずれ
かに記載の方法。 - （６）遷移金属をコバルト、ニッケル、ルテニウム、ロ
ジウム、パラジウム、イリジウムまたはプラチナまたは
これら２つ以上の混合物とする請求項１〜５いずれかに
記載の方法。 - （７）遷移金属をパラジウムとする請求項６記載の方法
。 - （８）支持体をアルミナとする請求項１〜７いずれかに
記載の方法。 - （９）遷移金属が支持体の重量基準で０．１〜１０％Ｗ
／Ｗの触媒からなる請求項１〜８ いずれかに記載の方法。 - （１０）ＩＢＣＨをイソブテニルシクロヘキセンとしか
つプロセスを蒸気相で２００〜３５０℃の範囲の温度で
操作する請求項１〜９いずれかに記載の方法。 - （１１）プロセスを連続的に操作する請求項１〜１０い
ずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB878705565A GB8705565D0 (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | Chemical process |
| GB8705565 | 1987-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63258434A true JPS63258434A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=10613638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (10)
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| EP (1) | EP0282312B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63258434A (ja) |
| AT (1) | ATE66448T1 (ja) |
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| DE (1) | DE3864285D1 (ja) |
| FI (1) | FI881091A7 (ja) |
| GB (1) | GB8705565D0 (ja) |
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| PL (1) | PL149551B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012532893A (ja) * | 2009-07-16 | 2012-12-20 | コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガニゼイション | シネオール |
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-
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