JPS6325901A - 金属皮膜抵抗体および組成調整多層薄膜システム - Google Patents
金属皮膜抵抗体および組成調整多層薄膜システムInfo
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- JPS6325901A JPS6325901A JP62130037A JP13003787A JPS6325901A JP S6325901 A JPS6325901 A JP S6325901A JP 62130037 A JP62130037 A JP 62130037A JP 13003787 A JP13003787 A JP 13003787A JP S6325901 A JPS6325901 A JP S6325901A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
- H01C10/16—Adjustable resistors including plural resistive elements
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
発明の分野
本発明は金属皮膜抵抗体、特に絶縁基体に堆債した２ま
たは３層以上の金属皮膜を有する抵抗体に関し、この場
合少なくとも２種の異なる金属組成を層の順序に交互に
用いる。積層抵抗皮膜構造における交互の金属組成は抵
抗体のＴＣＲ勾配を制御する技術を与える。
たは３層以上の金属皮膜を有する抵抗体に関し、この場
合少なくとも２種の異なる金属組成を層の順序に交互に
用いる。積層抵抗皮膜構造における交互の金属組成は抵
抗体のＴＣＲ勾配を制御する技術を与える。
従来の技術
一般に、金属皮膜抵抗体は金属合金組成を絶縁基体上に
単一ターゲット スパッターし、次いで生成システムを
空気巾約３００℃で熱処理して作られている。一般に、
セラミック コアまたはセラミック チップは基体とし
て用いられている。−般に、抵抗皮膜としてはニッケル
およびクロム並びに少量割合で使用されるある他の金属
の合金が使用されている。スパッターまたは蒸発ＮｉＣ
ｒ合金は積層抵抗皮膜として広く使用されている。
単一ターゲット スパッターし、次いで生成システムを
空気巾約３００℃で熱処理して作られている。一般に、
セラミック コアまたはセラミック チップは基体とし
て用いられている。−般に、抵抗皮膜としてはニッケル
およびクロム並びに少量割合で使用されるある他の金属
の合金が使用されている。スパッターまたは蒸発ＮｉＣ
ｒ合金は積層抵抗皮膜として広く使用されている。
所望のＴＣ，Ｒは抵抗皮膜を熱処理することによって得
られている。熱処理における時間および温度の範囲は、
通常、抵抗体の所望の抵抗温度係数（ＴＣＲ） と相
関関係にある。熱処理中、基体に被着する抵抗フィルム
のかさくｂｕｌｋ）において結晶成長させ、微結晶が大
きくなるほど、ＴＣＲは高く（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）なる
。しかしながら、熱処理中、金属皮膜の表面上の結晶が
破壊され、表面酸化が生じ、この区域においてＴＣＲが
低下する。抵抗体の製造プロセスに熱処理を付加する場
合には、結晶成長が金属皮膜のかさを増大するために、
多くの抵抗体においてＴＣＲを高める最終的な効果があ
る。
られている。熱処理における時間および温度の範囲は、
通常、抵抗体の所望の抵抗温度係数（ＴＣＲ） と相
関関係にある。熱処理中、基体に被着する抵抗フィルム
のかさくｂｕｌｋ）において結晶成長させ、微結晶が大
きくなるほど、ＴＣＲは高く（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）なる
。しかしながら、熱処理中、金属皮膜の表面上の結晶が
破壊され、表面酸化が生じ、この区域においてＴＣＲが
低下する。抵抗体の製造プロセスに熱処理を付加する場
合には、結晶成長が金属皮膜のかさを増大するために、
多くの抵抗体においてＴＣＲを高める最終的な効果があ
る。
ＴＣＲをあまりに高くしないようにするために、汚染物
をスパッター プロセスに導入でき、および／または同
時に反応スパッターを用いることができる。しかしなが
ら、ＴＣＲのみは制御できるが、ＴＣＲ勾配は制御でき
ない。
をスパッター プロセスに導入でき、および／または同
時に反応スパッターを用いることができる。しかしなが
ら、ＴＣＲのみは制御できるが、ＴＣＲ勾配は制御でき
ない。
従来技術による１つの問題は、抵抗体適用における金属
皮膜システムにおいてＴＣＲ勾配を制御できないことで
ある。抵抗体の製造可能にするＴＣＲ勾配を制御する場
合には、その操作を温度により無関係にし、この結果と
してより安定にすることである。実際上、０ （ゼロ）
のＴＣＲおよび０ （ゼロ）のＴＣＲ勾配が望ましい。
皮膜システムにおいてＴＣＲ勾配を制御できないことで
ある。抵抗体の製造可能にするＴＣＲ勾配を制御する場
合には、その操作を温度により無関係にし、この結果と
してより安定にすることである。実際上、０ （ゼロ）
のＴＣＲおよび０ （ゼロ）のＴＣＲ勾配が望ましい。
ＴＣＲ勾配を制御し、これによりファクターの広い範囲
にわたって０（ゼロ）に近いＴＣＲを得る場合には、異
なる材料組成の金属皮膜の積層が効果的であることを見
出した。本発明はＴＣＲ勾配を制御できる組成調整（ｃ
ｏｍｐｏｓｉｔｉｎａｌｌｙ ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）金
属薄膜システムに′ 指向する。
にわたって０（ゼロ）に近いＴＣＲを得る場合には、異
なる材料組成の金属皮膜の積層が効果的であることを見
出した。本発明はＴＣＲ勾配を制御できる組成調整（ｃ
ｏｍｐｏｓｉｔｉｎａｌｌｙ ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）金
属薄膜システムに′ 指向する。
積層極薄凝集構造（ｌａｙｅｒｅｄ ｕｌｔｒａｔｈｉ
ｎ ｃｏｈｅｒｅｎｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ） （ＬＵ
Ｃ３） として、しばしば知られている組成調整薄膜
は従来技術において知られている。
ｎ ｃｏｈｅｒｅｎｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ） （ＬＵ
Ｃ３） として、しばしば知られている組成調整薄膜
は従来技術において知られている。
かかる皮膜を展開する技術およびその物理的特性の分析
は文献に示されている。上記皮膜の抵抗材料としての使
用および改良されたＴＣＲおよびＴＣＲ勾配制御は従来
において知られていない。
は文献に示されている。上記皮膜の抵抗材料としての使
用および改良されたＴＣＲおよびＴＣＲ勾配制御は従来
において知られていない。
発明の概要
本発明の主目的は所望の抵抗率（Ω／口）、抵抗温度係
数（ＴＣＲ） （抵抗値で割った温度に対する抵抗の
一次導関数（ｆｉｒｓｔ ｄａｒｉｖａｔｉｖｅ） ）
、および抵抗勾配温度係数（ＴＣＲ勾配）（抵抗値で
割った温度に対する抵抗の二次導関数（ｓｅｃｏｎｄ
ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ） ）を有する抵抗皮膜を提供す
る。
数（ＴＣＲ） （抵抗値で割った温度に対する抵抗の
一次導関数（ｆｉｒｓｔ ｄａｒｉｖａｔｉｖｅ） ）
、および抵抗勾配温度係数（ＴＣＲ勾配）（抵抗値で
割った温度に対する抵抗の二次導関数（ｓｅｃｏｎｄ
ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ） ）を有する抵抗皮膜を提供す
る。
本発明の第２の目的は組成合金当量
（ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌｙ ａｌｌｏｙｅｄ ｅ
ｑｕｉｖａｌｅｎｔ ）より高いＴＣＲ値を有する積層
抵抗皮膜を提供し、それ故、多層抵抗皮膜のＴＣＲを高
めると共に、そのＴＣＲ勾配を低下する良く制御された
機構を提供する。
ｑｕｉｖａｌｅｎｔ ）より高いＴＣＲ値を有する積層
抵抗皮膜を提供し、それ故、多層抵抗皮膜のＴＣＲを高
めると共に、そのＴＣＲ勾配を低下する良く制御された
機構を提供する。
これらの目的は組成調整多層薄膜を抵抗材料として（吏
用することによって達成する。多層の薄い抵抗皮膜は、
Ｎ＋Ｖ層およびＣｒ屡のような異なる材料組成の２種の
抵抗皮膜の数個の薄層を交互にセラミック円筒体のよう
な絶縁基体上にスパッターのような真空蒸着技術により
堆積することによって作ることができる。各層のＴＣＲ
は合金組成皮膜厚さ、ガスによる反応堆積、および／ま
たは時間および温度の熱処理変化によって調整すること
ができる。次いで、堆積した多層抵抗皮膜を空気中２９
０〜３５０℃の範囲の温度で熱処理して０ （ゼロ）の
ＴＣＲを得る。また、この多層抵抗皮膜はＴＣＲ勾配の
値の低下を示す。ＴＣＲおよびＴＣＲ勾配は異なる組成
の金属皮膜の交互に堆積する層によって調整でき、また
この異なる組成は異なるＴＣＲを有するようにできる。
用することによって達成する。多層の薄い抵抗皮膜は、
Ｎ＋Ｖ層およびＣｒ屡のような異なる材料組成の２種の
抵抗皮膜の数個の薄層を交互にセラミック円筒体のよう
な絶縁基体上にスパッターのような真空蒸着技術により
堆積することによって作ることができる。各層のＴＣＲ
は合金組成皮膜厚さ、ガスによる反応堆積、および／ま
たは時間および温度の熱処理変化によって調整すること
ができる。次いで、堆積した多層抵抗皮膜を空気中２９
０〜３５０℃の範囲の温度で熱処理して０ （ゼロ）の
ＴＣＲを得る。また、この多層抵抗皮膜はＴＣＲ勾配の
値の低下を示す。ＴＣＲおよびＴＣＲ勾配は異なる組成
の金属皮膜の交互に堆積する層によって調整でき、また
この異なる組成は異なるＴＣＲを有するようにできる。
正および負のＴ’ＣＲを有する皮膜の交互堆積層が好ま
しい。各層のＴＣＲおよび抵抗率はフィードバックを介
して調整して特定の抵抗体要件に望ましい結果を得るこ
とができる。０（ゼロ）のＴＣＲおよびＴＣＲ勾配は安
定な抵抗体に対して望ましい。
しい。各層のＴＣＲおよび抵抗率はフィードバックを介
して調整して特定の抵抗体要件に望ましい結果を得るこ
とができる。０（ゼロ）のＴＣＲおよびＴＣＲ勾配は安
定な抵抗体に対して望ましい。
発明の具１本的な記載
本発明は抵抗皮膜のＴＣｔｌを高めると同時に、そのＴ
Ｃｆｌ勾配を低下する良く制御された機構を具えた組成
調整多層薄膜抵抗材料システムを提供することである。
Ｃｆｌ勾配を低下する良く制御された機構を具えた組成
調整多層薄膜抵抗材料システムを提供することである。
また、本発明は所望の抵抗率（Ω／口）、抵抗温度係数
（ＴＣＲ） （抵抗値で割った温度に対する抵抗の一
次導関数）、および抵抗勾配温度係数（ＴＣＲ勾配）（
抵抗値で割った温度に対する抵抗の二次導関数）を有す
る抵抗皮膜を提供することである。組成調整多層抵抗皮
膜システムは熱処理において急でない角度を用いてＯ（
ゼロ）のＴＣＲを達成し、これによってＯ（ゼロ）のＴ
ＣＲを達成する大きい窓を得ることができる。
（ＴＣＲ） （抵抗値で割った温度に対する抵抗の一
次導関数）、および抵抗勾配温度係数（ＴＣＲ勾配）（
抵抗値で割った温度に対する抵抗の二次導関数）を有す
る抵抗皮膜を提供することである。組成調整多層抵抗皮
膜システムは熱処理において急でない角度を用いてＯ（
ゼロ）のＴＣＲを達成し、これによってＯ（ゼロ）のＴ
ＣＲを達成する大きい窓を得ることができる。
本発明によるシステムの抵抗材料組成システムは、２つ
の隣接層から異なる材料組成を有する各層の積層構造に
抵抗皮膜を設けることによって抵抗皮膜のＴＣＲ勾配を
制御する。一般に、従来の抵抗皮膜では金属または合成
からなる抵抗材料を、例えばセラミックの絶縁基体上に
、所望の厚さを得るまでスパッターしている。本発明の
システムｊこおいては、第１抵抗皮膜の薄層を基１本に
スパッターのような真空蒸着技術で被着する。次いで、
第１抵抗皮膜と異なる材料組成を有する第２抵抗皮膜の
第２薄層を第１薄層上に被着する。抵抗皮膜に対する所
望の電気的特性を満たすのに付加層を必要とする場合に
は、第１抵抗皮膜を用いる第３薄層を被着できる。同様
に、第２抵抗皮膜を用いる第４層を被着することができ
る。従来の製品に相当する代表的な抵抗体の場合には、
１８０層までの層を基体に被着できる。最小において、
積層抵抗皮膜は少なくとも２層、および少なくとも２種
の材料組成の異なる抵抗皮膜を必要とする。隣接層は同
じ材料組成にすることができない。
の隣接層から異なる材料組成を有する各層の積層構造に
抵抗皮膜を設けることによって抵抗皮膜のＴＣＲ勾配を
制御する。一般に、従来の抵抗皮膜では金属または合成
からなる抵抗材料を、例えばセラミックの絶縁基体上に
、所望の厚さを得るまでスパッターしている。本発明の
システムｊこおいては、第１抵抗皮膜の薄層を基１本に
スパッターのような真空蒸着技術で被着する。次いで、
第１抵抗皮膜と異なる材料組成を有する第２抵抗皮膜の
第２薄層を第１薄層上に被着する。抵抗皮膜に対する所
望の電気的特性を満たすのに付加層を必要とする場合に
は、第１抵抗皮膜を用いる第３薄層を被着できる。同様
に、第２抵抗皮膜を用いる第４層を被着することができ
る。従来の製品に相当する代表的な抵抗体の場合には、
１８０層までの層を基体に被着できる。最小において、
積層抵抗皮膜は少なくとも２層、および少なくとも２種
の材料組成の異なる抵抗皮膜を必要とする。隣接層は同
じ材料組成にすることができない。
好適例において、抵抗皮膜の薄層をセラミックコアまた
はセラミック チップの如き絶縁セラミック基体にスパ
ンターのような真空蒸着を用いて交互に被着する。各層
のＴＣＲは合金組成、皮膜厚さ、ガスにより反応堆積、
および／または時間および温度の熱処理変化の如き通常
の手段で調整することができる。熱処理後、積層抵抗皮
膜はその組成合金当量より高いＴＣＲを示し、このため
にＴＣＴＣＲを高めると同時に、またＴＣＲ勾配を低下
するにおいて有意な低下を示している。
はセラミック チップの如き絶縁セラミック基体にスパ
ンターのような真空蒸着を用いて交互に被着する。各層
のＴＣＲは合金組成、皮膜厚さ、ガスにより反応堆積、
および／または時間および温度の熱処理変化の如き通常
の手段で調整することができる。熱処理後、積層抵抗皮
膜はその組成合金当量より高いＴＣＲを示し、このため
にＴＣＴＣＲを高めると同時に、またＴＣＲ勾配を低下
するにおいて有意な低下を示している。
本発明の１例において、ＮｉＶのような第１抵抗材料の
薄層をセラミック コアのような絶縁基体にスパッター
のような真空蒸着によって堆積する。
薄層をセラミック コアのような絶縁基体にスパッター
のような真空蒸着によって堆積する。
次いで、Ｃｒのような第２抵抗材料の第２薄層を第１層
上に、この第１層と同一の広がりで堆積する。
上に、この第１層と同一の広がりで堆積する。
また、少なくとも２種の異なる金、−組成および少なく
とも２層を多層構成に対して必要最小限にし、多くの抵
抗体適用の場合には多数の層を必要とする。この際にお
いて、ＮｉＶおよびＣｒの反復して交互に堆積する層を
セラミック コアに堆積する。
とも２層を多層構成に対して必要最小限にし、多くの抵
抗体適用の場合には多数の層を必要とする。この際にお
いて、ＮｉＶおよびＣｒの反復して交互に堆積する層を
セラミック コアに堆積する。
Ｌ＋ＸＶ、およびＣｒ、 （ここにＸ、’、１および
２は原子％およびｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌｏ°を示す）を用いる
この例における材料組成の許容されうる変化範囲の要件
を次に示す： ２Ｑ＜ｘ＜８０ ５＜４＜１２ ２５＜ ２ ＜９０ また、他の広範囲で使用する抵抗材料を用いることがで
きる。
２は原子％およびｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌｏ°を示す）を用いる
この例における材料組成の許容されうる変化範囲の要件
を次に示す： ２Ｑ＜ｘ＜８０ ５＜４＜１２ ２５＜ ２ ＜９０ また、他の広範囲で使用する抵抗材料を用いることがで
きる。
与えられた多層抵抗皮膜についての所望ＴＣＩ’ｌは空
気中での熱処理によって得られる。上述する特定例の場
合、空気中での熱処理の温度範囲は０（ゼロ）のＴＣＲ
を得る２９０〜３５０℃である。
気中での熱処理によって得られる。上述する特定例の場
合、空気中での熱処理の温度範囲は０（ゼロ）のＴＣＲ
を得る２９０〜３５０℃である。
上述した例の結果を第１図に示しており、この場合この
結果を従来の均質な材料組成Ｃと比較している。第１図
は２層の多層抵抗皮膜および１層の均一合金の場合の熱
処理温度に対して８５℃でＴＣＲをプロットしたグラフ
を示している（空気中、１６時間）。すべて３フイルス
（ｆｉｌｓ）の場合、フィルム厚さおよび組成（Ｎｉ、
Ｖ、Ｃｒ、） は同じにした。
結果を従来の均質な材料組成Ｃと比較している。第１図
は２層の多層抵抗皮膜および１層の均一合金の場合の熱
処理温度に対して８５℃でＴＣＲをプロットしたグラフ
を示している（空気中、１６時間）。すべて３フイルス
（ｆｉｌｓ）の場合、フィルム厚さおよび組成（Ｎｉ、
Ｖ、Ｃｒ、） は同じにした。
第１図において、１８層を有する積層システム（Ａ）お
よび１８０層を有する積層システム（Ｂ） は個々の
層の厚さにおいてだけ相違させた。各積層皮膜の全厚さ
は同じにした。いずれの場合においても、ＴＣＲはコー
スバッター（ｃｏｓｐｕｔｔｅｒｅｄ）または合金当１
（ａｌｌｏｙ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）皮膜に対するＴ
ＣＲより高い。しかしながら、１８層の積層システムは
熱処理温度の広範囲にわたってＴＣＲに著しい改良が示
されてい石。この理由は、厚い層では結晶成長が高いた
めである。また、与えられたＴＣＲを達成する熱処理温
度の勾配は１８０層の薄層システムの場合または合金皮
膜の場合よりはるかに急ではなかった。それ故、１８０
層システムにおいて、熱処理温度は臨界的でない。この
ために、熱処理温度の範囲において大きい窓を０ （ゼ
ロ）のＴＣＲを達して得られる。
よび１８０層を有する積層システム（Ｂ） は個々の
層の厚さにおいてだけ相違させた。各積層皮膜の全厚さ
は同じにした。いずれの場合においても、ＴＣＲはコー
スバッター（ｃｏｓｐｕｔｔｅｒｅｄ）または合金当１
（ａｌｌｏｙ ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）皮膜に対するＴ
ＣＲより高い。しかしながら、１８層の積層システムは
熱処理温度の広範囲にわたってＴＣＲに著しい改良が示
されてい石。この理由は、厚い層では結晶成長が高いた
めである。また、与えられたＴＣＲを達成する熱処理温
度の勾配は１８０層の薄層システムの場合または合金皮
膜の場合よりはるかに急ではなかった。それ故、１８０
層システムにおいて、熱処理温度は臨界的でない。この
ために、熱処理温度の範囲において大きい窓を０ （ゼ
ロ）のＴＣＲを達して得られる。
また、第１図にプロットした各点でのＴＣＲ勾配にプロ
ットした。第１および２図は、抵抗材料として組成調整
薄膜システムはその合金当量より高いＴＣＲ値を有する
こと、およびＴＣＲが増大すると共にＴＣＲ勾配が低下
する良く制御された機構を得ることを示している。
ットした。第１および２図は、抵抗材料として組成調整
薄膜システムはその合金当量より高いＴＣＲ値を有する
こと、およびＴＣＲが増大すると共にＴＣＲ勾配が低下
する良く制御された機構を得ることを示している。
更に、ＴＣｆｉに対する調整、特にＴＣＲ勾配に対する
調整は負および正のＴＣＲを有する抵抗皮膜の交互層に
よって作ることができる。各層のＴＣＲおよび抵抗率（
厚さ）を調整してＴＣＲ勾配についての望ましい結果を
得ることができる。０ （ゼロ）のＴＣＲおよびＴＣＲ
勾配は安定な抵抗体について望ましい。
調整は負および正のＴＣＲを有する抵抗皮膜の交互層に
よって作ることができる。各層のＴＣＲおよび抵抗率（
厚さ）を調整してＴＣＲ勾配についての望ましい結果を
得ることができる。０ （ゼロ）のＴＣＲおよびＴＣＲ
勾配は安定な抵抗体について望ましい。
組成調整多層薄膜システムに使用できる広い範囲の既知
の抵抗素子が存在している。
の抵抗素子が存在している。
この皮膜システムはＴＣＲおよびＴＣＲ勾配を０（ゼロ
）値に調整できる利点がある。従来の材料システムにお
いては、ＴＣＲおよびＴＣＲ勾配を０（ゼロ）値に調整
するのが困難であるか、または不可能であった。
）値に調整できる利点がある。従来の材料システムにお
いては、ＴＣＲおよびＴＣＲ勾配を０（ゼロ）値に調整
するのが困難であるか、または不可能であった。
第１図は本発明の組成調整抵抗皮膜システムを組み込ん
だ２つの抵抗皮膜システムを含む、３つの抵抗皮膜シス
テムについての熱処理温度に対してＣＴＲをプロットし
たグラフ、および第２図は従来の抵抗体および本発明の
組成調整多層抵抗皮膜システムを用いる抵抗体について
の熱処理温度に対してＴＣＲ勾配をプロットしたグラフ
である。 特許出願人 ノース・アメリカン・フィリップス
・コーポレーション
だ２つの抵抗皮膜システムを含む、３つの抵抗皮膜シス
テムについての熱処理温度に対してＣＴＲをプロットし
たグラフ、および第２図は従来の抵抗体および本発明の
組成調整多層抵抗皮膜システムを用いる抵抗体について
の熱処理温度に対してＴＣＲ勾配をプロットしたグラフ
である。 特許出願人 ノース・アメリカン・フィリップス
・コーポレーション
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、抵抗皮膜適用に適当な絶縁基体；該基体に被着する
第１金属組成の第１層；該第１層上に、これと同一の広
がりで被着した第２金属組成の第２層からなり、各層の
厚さを抵抗皮膜に対して選択した抵抗率、ＴＣＲおよび
ＴＣＲ勾配の相関関係にし、および第１金属組成および
第２金属組成を異なる組成にしたことを特徴とする改良
および制御ＴＣＲ勾配を有する金属皮膜抵抗体。 ２、前記第１金属組成は正のＴＣＲおよび負のＴＣＲ勾
配を有し、および第２金属組成は負のＴＣＲおよび正の
ＴＣＲ勾配を有する特許請求の範囲第１項記載の抵抗体
。 ３、前記抵抗体は複数の付加層を含み、抵抗皮膜の２つ
の隣接層は同じ材料組成を有しない特許請求の範囲第１
項記載の抵抗体。 ４、抵抗皮膜の各層を前記基体上に真空蒸着した特許請
求の範囲第１、２または３項記載の抵抗体。 ５、前記抵抗体は２種の材料的に異なる抵抗材料を交互
に真空蒸着して得た複数の層からなる特許請求の範囲第
１、２または３項記載の抵抗体。 ６、抵抗皮膜として使用する組成調整多層薄膜システム
において、抵抗皮膜適用に適当な絶縁基体；該基体に被
着する第１金属組成の第１薄膜層；該第１薄膜層上に、
これと同一の広がりで被着した第２薄膜層からなり、各
層の厚さを抵抗皮膜に対して選択した抵抗率、ＴＣＲお
よびＴＣＲ勾配の相関関係にし、および第１金属組成お
よび第２金属組成を異なる組成にしたことを特徴とする
組成調整多層薄膜システム。 ７、前記第１金属組成は正のＴＣＲおよび負のＴＣＲ勾
配を有し、および第２金属組成は負のＴＣＲおよび正の
ＴＣＲ勾配を有する特許請求の範囲第６項記載の薄膜シ
ステム。 ８、前記システムは複数の付加層を含み、抵抗皮膜の２
つの隣接層は同じ材料組成を有しない特許請求の範囲第
６項記載の薄膜システム。 ９、抵抗皮膜の各層を前記基体上に真空蒸着した特許請
求の範囲第６、７または８項記載の薄膜システム。 １０、前記システムは２種の材料的に異なる抵抗材料を
交互に真空蒸着して得た複数の層からなる特許請求の範
囲第６、７または８項記載の薄膜システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US868843 | 1986-05-29 | ||
| US06/868,843 US4766411A (en) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Use of compositionally modulated multilayer thin films as resistive material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325901A true JPS6325901A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=25352426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62130037A Pending JPS6325901A (ja) | 1986-05-29 | 1987-05-28 | 金属皮膜抵抗体および組成調整多層薄膜システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4766411A (ja) |
| EP (1) | EP0247685B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6325901A (ja) |
| KR (1) | KR870011635A (ja) |
| DE (1) | DE3775466D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4026061C1 (ja) * | 1990-08-17 | 1992-02-13 | Heraeus Sensor Gmbh, 6450 Hanau, De | |
| US5494845A (en) * | 1993-08-17 | 1996-02-27 | Raytheon Company | Method of fabrication of bilayer thin film resistor |
| US5585776A (en) * | 1993-11-09 | 1996-12-17 | Research Foundation Of The State University Of Ny | Thin film resistors comprising ruthenium oxide |
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| US8659085B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-02-25 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Lateral connection for a via-less thin film resistor |
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| US8809861B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-08-19 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Thin film metal-dielectric-metal transistor |
| US9232315B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-01-05 | Phonon Corporation | Monolithically applied heating elements on saw substrate |
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| US8526214B2 (en) | 2011-11-15 | 2013-09-03 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Resistor thin film MTP memory |
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1986
- 1986-05-29 US US06/868,843 patent/US4766411A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-05-20 EP EP87200945A patent/EP0247685B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-20 DE DE8787200945T patent/DE3775466D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-26 KR KR870005200A patent/KR870011635A/ko not_active Ceased
- 1987-05-28 JP JP62130037A patent/JPS6325901A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4766411A (en) | 1988-08-23 |
| EP0247685A2 (en) | 1987-12-02 |
| KR870011635A (ko) | 1987-12-24 |
| EP0247685A3 (en) | 1989-05-17 |
| DE3775466D1 (de) | 1992-02-06 |
| EP0247685B1 (en) | 1991-12-27 |
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