JPS6325939A - 電子部品実装方法 - Google Patents
電子部品実装方法Info
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- JPS6325939A JPS6325939A JP61168014A JP16801486A JPS6325939A JP S6325939 A JPS6325939 A JP S6325939A JP 61168014 A JP61168014 A JP 61168014A JP 16801486 A JP16801486 A JP 16801486A JP S6325939 A JPS6325939 A JP S6325939A
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- Japan
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- anisotropic conductive
- wiring
- solder particles
- electronic part
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating processes for reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、電子部品実装方法に関し、より詳細には、ト
ランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等の電子部品を基
板に実装するための電子部品実装方法に関する。
ランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等の電子部品を基
板に実装するための電子部品実装方法に関する。
（従来技術）
従来より、銅、ニッケル、銀、金等の導電性の半田粒子
を熱可塑性樹脂中に分散させ、前記半田粒子の含を量、
形状、大きさ、分布状態、さらには熱可塑性樹脂層の厚
さをコントロールし、電気的接続をとろうとする部分に
必要に応じて圧力を加えて可塑性樹脂層の厚み方向に導
電性を有し、面方問には非導電性を有するようにした異
方性導電膜を用いて電子部品のプリント基板への実装を
行う方法がある。
を熱可塑性樹脂中に分散させ、前記半田粒子の含を量、
形状、大きさ、分布状態、さらには熱可塑性樹脂層の厚
さをコントロールし、電気的接続をとろうとする部分に
必要に応じて圧力を加えて可塑性樹脂層の厚み方向に導
電性を有し、面方問には非導電性を有するようにした異
方性導電膜を用いて電子部品のプリント基板への実装を
行う方法がある。
上述した方法の特徴の１つは、分散させる半田粒子ある
いは樹脂層の種類を選択することによって、異方性導電
膜の厚さを変化させることが可能であり、特に薄い異方
性導電膜の使用は、細密配線パターンに対する電子部品
の実装において、その電気的導通と絶縁の分散とが極め
て良好で、効果的である。
いは樹脂層の種類を選択することによって、異方性導電
膜の厚さを変化させることが可能であり、特に薄い異方
性導電膜の使用は、細密配線パターンに対する電子部品
の実装において、その電気的導通と絶縁の分散とが極め
て良好で、効果的である。
しかしながら、上記従来の電子部品実装方法では、例え
ば特開昭６０−１８０１３２号公報に示されているよう
に、異方性導電膜に対して加圧したり、熱圧着をして、
電子部品と基板との接続を図っているが、このため、一
般的には１５０℃以上の高温が接続部分に加わり、耐熱
性の低い基板には上述した実装方法は採用できず、また
電子部品と基板との電気的接続が不充分な部分が生じる
ことがあり、信頼性も低いという問題点があった。
ば特開昭６０−１８０１３２号公報に示されているよう
に、異方性導電膜に対して加圧したり、熱圧着をして、
電子部品と基板との接続を図っているが、このため、一
般的には１５０℃以上の高温が接続部分に加わり、耐熱
性の低い基板には上述した実装方法は採用できず、また
電子部品と基板との電気的接続が不充分な部分が生じる
ことがあり、信頼性も低いという問題点があった。
（目的）
本発明は、上述した従来技術の問題点を解消し、接続の
信幀性を向上し、しかも低温実装を可能にする電子部品
実装方法を提供することを目的とする。
信幀性を向上し、しかも低温実装を可能にする電子部品
実装方法を提供することを目的とする。
（構成）
本発明は、上記の目的を達成させるため、半田粒子と熱
可塑性樹脂とからなる異方性導電膜を用いて電子部品と
配線を有する基板とを接続する電子部品実装方法におい
て、前記異方性導電膜による電子部品と配線とのボンデ
ィングを超音波接合手段を用いて行うことを特徴とした
ものである。
可塑性樹脂とからなる異方性導電膜を用いて電子部品と
配線を有する基板とを接続する電子部品実装方法におい
て、前記異方性導電膜による電子部品と配線とのボンデ
ィングを超音波接合手段を用いて行うことを特徴とした
ものである。
以下、本発明の一実施例に基づいて具体的に説明する。
第１図は本発明を実施するための実装装置の一例を示す
ものであり、基板１上に任意に印刷配線された配線部２
が設けられ、この配線部２と半導体チップ３の電極部４
との間には、異方性導電膜５が介在されており、半導体
チップ３の上面には真空チャック機能を有し、かつ超音
波振動を伝達する接合手段６が圧接されている。
ものであり、基板１上に任意に印刷配線された配線部２
が設けられ、この配線部２と半導体チップ３の電極部４
との間には、異方性導電膜５が介在されており、半導体
チップ３の上面には真空チャック機能を有し、かつ超音
波振動を伝達する接合手段６が圧接されている。
前記異方性導電膜５は、銅、ニッケル、銀、金等の導電
性の半田粒子７を熱可塑性樹脂８中に分散させて、この
熱可塑性樹脂８による層の厚さ方向には導電性を有し、
面方向には絶縁性が保てるようにできる公知のものであ
る。
性の半田粒子７を熱可塑性樹脂８中に分散させて、この
熱可塑性樹脂８による層の厚さ方向には導電性を有し、
面方向には絶縁性が保てるようにできる公知のものであ
る。
そして具体的には、前記接合手段６に第１図上矢印方向
に周波数３０〜９０キロヘルツの振動を与え、圧力５０
０グラム／センチメートル！〜２キログラム／センチメ
ートル意を加え、この状態で０．１秒〜１（１８度保持
する。
に周波数３０〜９０キロヘルツの振動を与え、圧力５０
０グラム／センチメートル！〜２キログラム／センチメ
ートル意を加え、この状態で０．１秒〜１（１８度保持
する。
上述した条件下で基板１に対し半導体チップ３を接続し
た結果、異方性導電膜５の電気的接続を第４図（ａ）に
示した異方性導電膜５の一部拡大断面図でみると、半田
粒子７の断面が鼓状をなし、樹脂８より露呈する部分の
表面積が広がり、基板工の配線部２と半導体チップ３の
電極部４に対して、半田粒子７が良く濡れており、電気
的接続の信頼性が向上することが分かる。
た結果、異方性導電膜５の電気的接続を第４図（ａ）に
示した異方性導電膜５の一部拡大断面図でみると、半田
粒子７の断面が鼓状をなし、樹脂８より露呈する部分の
表面積が広がり、基板工の配線部２と半導体チップ３の
電極部４に対して、半田粒子７が良く濡れており、電気
的接続の信頼性が向上することが分かる。
また上述した条件下で実装作業をした結果、基板ｌの温
度は１２０℃以下であった。このため低温実装が可能で
あり、比較的耐熱性に劣る基板１に対しても前記異方性
導電膜５を使用した電子部品の実装が可能となる。
度は１２０℃以下であった。このため低温実装が可能で
あり、比較的耐熱性に劣る基板１に対しても前記異方性
導電膜５を使用した電子部品の実装が可能となる。
次に比較例として、第２図に示した従来の熱圧着法によ
る実装方法を説明する。尚、同図において第１図にて説
明した部材に対応する部材には同一符号を付した。すな
わち、ヒータ１０が取り付けられたコレット１１によっ
て半導体チップ３を真空吸着し、チップ３を所定温度に
力「熱し、位置合わせ後、加圧する。
る実装方法を説明する。尚、同図において第１図にて説
明した部材に対応する部材には同一符号を付した。すな
わち、ヒータ１０が取り付けられたコレット１１によっ
て半導体チップ３を真空吸着し、チップ３を所定温度に
力「熱し、位置合わせ後、加圧する。
この方法によると、第４図（ｂｌ、第４図（ｅ）に示し
たように、異方性導電膜５において、半田粒子７表面を
被覆する樹脂８の膜が、半田粒子７と略同時に溶け、半
田粒子７の断面が半円弧状のものとなる。このため半導
体チップ３の電極部４と半田粒子７との接触面積は小さ
く、電気的接続の信頼性が良くない。
たように、異方性導電膜５において、半田粒子７表面を
被覆する樹脂８の膜が、半田粒子７と略同時に溶け、半
田粒子７の断面が半円弧状のものとなる。このため半導
体チップ３の電極部４と半田粒子７との接触面積は小さ
く、電気的接続の信頼性が良くない。
また第３図に示したチップ吸着機構を有するヒーターコ
レット２０にて実装作業を行った例を説明する。第３図
においても第１図にて説明した部材に対応する部材には
同一符号を付した。すなわち、ヒーターコレット２０に
て半導体チップ３を吸着し、位置合わせした後、加圧し
てからヒーターコレット２０へ大電流を流して加熱する
。
レット２０にて実装作業を行った例を説明する。第３図
においても第１図にて説明した部材に対応する部材には
同一符号を付した。すなわち、ヒーターコレット２０に
て半導体チップ３を吸着し、位置合わせした後、加圧し
てからヒーターコレット２０へ大電流を流して加熱する
。
この方法によると、第４［ｆｆ１（ｄ）に示すように、
半田粒子７の断面が楕円形状をなし、第４図（′ｂ）、
第４図（Ｃ）に示した半田粒子７に比較して、半導体チ
ップ３の電極部４との接触面積は大きくなるが、充分な
ものではない。
半田粒子７の断面が楕円形状をなし、第４図（′ｂ）、
第４図（Ｃ）に示した半田粒子７に比較して、半導体チ
ップ３の電極部４との接触面積は大きくなるが、充分な
ものではない。
上述のように、第４図（ａ）乃至第４図（ｄ）に示した
実装作業後の異方性導電膜５内における半田粒子７の断
面を見れば明らかなように、本実施例の半田粒子７の新
面形状は、基板１の配線部２と半導体チップ３の電極部
４との電気的接続をするためには最も良好なものである
。
実装作業後の異方性導電膜５内における半田粒子７の断
面を見れば明らかなように、本実施例の半田粒子７の新
面形状は、基板１の配線部２と半導体チップ３の電極部
４との電気的接続をするためには最も良好なものである
。
しかも作業時の基板１の温度が１２０℃以下であること
は、耐熱性を有しない基板ｌにも、この異方性導電膜５
による接続方法が採用できることになり、その使用範囲
の拡大にも寄与できる。
は、耐熱性を有しない基板ｌにも、この異方性導電膜５
による接続方法が採用できることになり、その使用範囲
の拡大にも寄与できる。
（効果）
以上説明したように、本発明は、超音波接合手段を用い
ることにより、異方性導電膜を介在する電子部品と基板
との電気的接続が信顛性高いものとなり、しかも低温実
装を可能とする電子部品実装方法を提供できる。
ることにより、異方性導電膜を介在する電子部品と基板
との電気的接続が信顛性高いものとなり、しかも低温実
装を可能とする電子部品実装方法を提供できる。
第１図は本発明の実装方法を具体的に説明するための実
装装置の一部断面図、第２図、第３図は従来の実装装置
の一部断面図、第４図（ａ）、第４図（ｂｌ、第４図（
Ｃ）、第４図（ｄｌは実装後の半田粒子の状態を示す異
方性導電膜の一部断面図である。 １・・・基板、２・・・配線、３・・・電子部品、５・
・・異方性導電膜、６・・・接合手段、７・・・半田粒
子、８・・・熱可塑性樹脂。 第１図 第２図 第３図
装装置の一部断面図、第２図、第３図は従来の実装装置
の一部断面図、第４図（ａ）、第４図（ｂｌ、第４図（
Ｃ）、第４図（ｄｌは実装後の半田粒子の状態を示す異
方性導電膜の一部断面図である。 １・・・基板、２・・・配線、３・・・電子部品、５・
・・異方性導電膜、６・・・接合手段、７・・・半田粒
子、８・・・熱可塑性樹脂。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半田粒子と熱可塑性樹脂とからなる異方性導電膜を用
いて電子部品と配線を有する基板とを接続する電子部品
実装方法において、前記異方性導電膜による電子部品と
配線とのボンデイングを超音波接合手段を用いて行うこ
とを特徴とする電子部品実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168014A JPS6325939A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 電子部品実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168014A JPS6325939A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 電子部品実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325939A true JPS6325939A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15860204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61168014A Pending JPS6325939A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 電子部品実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325939A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414233A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Kaijo Corp | ボンディング装置 |
| KR20020022080A (ko) * | 2002-01-03 | 2002-03-23 | 임종철 | 이방성 전도 필름을 초음파 열압착하는 칩온글래스 본딩장치 |
| EP1104017A3 (en) * | 1999-11-24 | 2003-11-12 | Omron Corporation | Method of flip-chip mounting a semiconductor chip to a circuit board |
| US6718604B1 (en) | 1999-06-22 | 2004-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting method for electronic device elements |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61168014A patent/JPS6325939A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414233A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Kaijo Corp | ボンディング装置 |
| US6718604B1 (en) | 1999-06-22 | 2004-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting method for electronic device elements |
| DE10030546B4 (de) * | 1999-06-22 | 2009-12-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Befestigungsverfahren für elektronische Bauelemente |
| EP1104017A3 (en) * | 1999-11-24 | 2003-11-12 | Omron Corporation | Method of flip-chip mounting a semiconductor chip to a circuit board |
| EP1801867A2 (en) * | 1999-11-24 | 2007-06-27 | Omron Corporation | Method of flip-chip mounting a semiconductor chip to a circuit board, circuit board for flip-chip connection and method of manufacturing the same |
| EP1801867A3 (en) * | 1999-11-24 | 2007-08-29 | Omron Corporation | Method of flip-chip mounting a semiconductor chip to a circuit board, circuit board for flip-chip connection and method of manufacturing the same |
| KR20020022080A (ko) * | 2002-01-03 | 2002-03-23 | 임종철 | 이방성 전도 필름을 초음파 열압착하는 칩온글래스 본딩장치 |
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