JPS63261761A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池の製造方法

Info

Publication number
JPS63261761A
JPS63261761A JP62096463A JP9646387A JPS63261761A JP S63261761 A JPS63261761 A JP S63261761A JP 62096463 A JP62096463 A JP 62096463A JP 9646387 A JP9646387 A JP 9646387A JP S63261761 A JPS63261761 A JP S63261761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
solar cell
substrate
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62096463A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2664373B2 (ja
Inventor
Yasuharu Matsukawa
松川 泰晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP62096463A priority Critical patent/JP2664373B2/ja
Publication of JPS63261761A publication Critical patent/JPS63261761A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2664373B2 publication Critical patent/JP2664373B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ)産業上の利用分野 本発明は、特にフレキシブルな太陽電池の製造方法に関
する。
(財)従来の技術 従来、この種太陽電池の製造方法として、ガラス等の支
持基体の表面に金属膜を真空蒸着したものを準備し、斯
る金属膜の上にアモルファスシリコンからなる薄膜太陽
電池を形成した後、上記支持基体と金属膜とを剥離する
手法が提案されている(例えば特開昭61−85872
号公報)。
H発明が解決しようとする問題点 本発明は、支持基体と薄膜太陽電池との相互分離を、よ
り容易に行い得る方法を提供しようとするものである。
に)問題点を解決するための手段 本発明方法の特徴は、支持基体上に粘着膜を介して薄膜
太陽電池を形成した後、上記粘着膜を境として上記支持
基体と薄膜太陽電池との分離を行うことにある。
(ホ)作用 支持基体と薄膜太陽電池とは粘着膜により接着されてい
るから、それらの分離は容易に行われる。
(へ)実施例 第1図に示す工程において、支持基体(1)上に、この
基体よりも小面積の粘゛a膜(2)を形成し、次いで、
粘着膜(2)上に、これと同面積の薄膜基板〔3)を貼
り付けた後、薄膜基板(3)を含んで支持基体(1)の
全面を封止絶縁膜(4)で覆う。支持基体(1)として
は、ガラスやステンレス等を使用し得る。粘着膜(2)
には、シリコン系の耐熱性粘着材が、又、薄膜基板(3
)には、数100μmのフレキシブルな極薄ステンレス
フィルムやポリイミド系耐熱性高分子膜が夫々適当であ
る。封止絶縁膜(4)はセラミック系の5i02やTi
O2を1μm程度の厚みに真空蒸着して形成される。
第2図に示す工程では、封止絶縁膜(4)を介して薄膜
基板(3)の直上に、金属導電膜(5)、アモルファス
半導体製光活性膜(6)及び透明導電膜(7)め積層体
からなる、それ自体周知の薄膜太陽電池(8)を形成し
、更に、この電池表面全面を透明絶縁膜(9)で被覆保
護する。薄膜太陽電池(8)の形成時の反応熱により、
粘着膜+21からガスが発生しても、それは封止絶縁膜
(4)で封じられ、光活性層(6)へ影響が及ばない。
透明絶縁膜(9)はアクリル系透明ラフカーをスプレー
して形成される。
第3図に示す工程では、薄膜太陽電池(8)の垂直造影
部分を、打ち抜き又は切断することにより、準完成体α
■が得られる。
第4図に示す最終工程では、準完成体において、その粘
着膜(2)より上の部分を剥離し、薄膜基板(3)、封
止絶縁膜(4)、薄膜太陽電池(8)及び透明保護層(
9)からなるフレキシブルな薄膜太陽電池完成体α1)
を得る。このときの剥離作業は、粘着膜(2)に対する
剥離であるため容易に行われる。
第1図に示す工程の変更例として、支持基体(1)上に
予め粘、a膜(2)をつけるのではなく、粘着膜のつい
た、ポリイミド系耐熱性有機高分子からなる接着テープ
を薄膜基板(3)とし、これを支持基体(1)に貼り付
けても良く、この場合、第4図に示す工程では、支持基
体(1)が粘着膜付きの薄膜基板(3)より剥離される
。得られる完成体には、粘a膜が残り、それを利用して
、所定壁等に完成体を貼り付けることができる。
(ト)発明の効果 本発明によれば、支持基体と薄膜太陽電池との相互分離
が容易に行え、フレキシブル太陽電池の生産性が同上す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明実施例方法の工程図を示し、
第1図乃至第3図は衛面図、第4図は斜視図である。 (1)・・・支持基体、(2)・・・粘着膜、(8)・
・・薄膜太陽電池。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)支持基板上に粘着膜を介して薄膜太陽電池を形成
    した後、上記粘着膜を境として上記支持基体と薄膜太陽
    電池との分離を行うことを特徴とする太陽電池の製造方
    法。
JP62096463A 1987-04-20 1987-04-20 太陽電池の製造方法 Expired - Fee Related JP2664373B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62096463A JP2664373B2 (ja) 1987-04-20 1987-04-20 太陽電池の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62096463A JP2664373B2 (ja) 1987-04-20 1987-04-20 太陽電池の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63261761A true JPS63261761A (ja) 1988-10-28
JP2664373B2 JP2664373B2 (ja) 1997-10-15

Family

ID=14165722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62096463A Expired - Fee Related JP2664373B2 (ja) 1987-04-20 1987-04-20 太陽電池の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2664373B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232860A (en) * 1991-03-28 1993-08-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of flexible photovoltaic device manufacture
US6184056B1 (en) 1998-05-19 2001-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Process for producing solar cells and solar cells produced thereby
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
CN103465385A (zh) * 2013-09-18 2013-12-25 北京汉能创昱科技有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5232860A (en) * 1991-03-28 1993-08-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of flexible photovoltaic device manufacture
US6184056B1 (en) 1998-05-19 2001-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Process for producing solar cells and solar cells produced thereby
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
US8889438B2 (en) 2006-09-29 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
US9087931B2 (en) 2006-09-29 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
US9397126B2 (en) 2006-09-29 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
US9570329B2 (en) 2006-09-29 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
US10134784B2 (en) 2006-09-29 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
CN103465385A (zh) * 2013-09-18 2013-12-25 北京汉能创昱科技有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法
CN103465385B (zh) * 2013-09-18 2015-09-16 北京汉能创昱科技有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2664373B2 (ja) 1997-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3685287D1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer die ununterbrochene herstellung von extrem leichten photovoltaischen zellenmodulen.
JPH07321363A (ja) 半導体ウェハの成形加工方法
EP1376687A3 (en) Semiconductor element and method for producing the same
JPS61112345A (ja) 半導体装置の製造方法
WO2002084739A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif a film mince et dispositif a semi-conducteur
EP1122776A3 (en) Process for producing semiconductor chip
EP0814509A3 (en) Method for making a substrate structure with improved heat dissipation
JP2783918B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
GB1200426A (en) Method for providing a planar transistor with heat-dissipating top base and emitter contacts
JP2680582B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
JP2664373B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US4139444A (en) Method of reticulating a pyroelectric vidicon target
JPS61280660A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2889719B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
JPS639159A (ja) 太陽電池モジユ−ル
JP2846073B2 (ja) 薄膜の製造法及びx線マスクの製造法
JPS58207680A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JPS63169769A (ja) pin型起光電力素子とその製造方法
JPH0766441A (ja) 太陽電池モジュール
JPS6286875A (ja) 太陽電池モジユ−ル
JP2869184B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
JP2698189B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
JPH1040579A (ja) 光ディスクとその製造方法
JP2024101894A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03228324A (ja) 多結晶Si薄膜の成長方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees